CN103808425A - 测量多晶硅温度变化的方法 - Google Patents

测量多晶硅温度变化的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103808425A
CN103808425A CN201210442454.5A CN201210442454A CN103808425A CN 103808425 A CN103808425 A CN 103808425A CN 201210442454 A CN201210442454 A CN 201210442454A CN 103808425 A CN103808425 A CN 103808425A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
temperature
polysilicon
resistance
temperature variation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210442454.5A
Other languages
English (en)
Inventor
甘正浩
陈芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201210442454.5A priority Critical patent/CN103808425A/zh
Publication of CN103808425A publication Critical patent/CN103808425A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

本发明公开了一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。本发明还公开了一种测量多晶硅温度变化的方法。采用本发明能够获得多晶硅在电流作用下的温度变化。

Description

测量多晶硅温度变化的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种测量多晶硅温度变化的方法。
背景技术
目前，随着半导体器件的发展，如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的发展，自对准金属硅化物如自对准镍化硅、钛化硅方法被引进来，用于产生硅化物，能够很好地与露出的源、漏以及多晶硅栅的硅（Si）对准。这是因为金属Ni或者Ti可以与硅反应，但是不会与硅氧化物如二氧化硅（SiO2）、硅氮化物如氮化硅（Si3N4）或者是硅氮氧化物（SiON）反应。因此Ni或者Ti仅仅会寻找到硅的部分进行反应，而对于由硅氧化物如二氧化硅（SiO2）、硅氮化物如氮化硅（Si3N4）或者是硅氮氧化物（SiON）所覆盖的部分，不会进行反应，就好比Ni或者Ti会自行对准硅的部分。将表面覆盖了Ni或者Ti的金属的硅称为自对准金属硅化物（salicide）。本领域技术人员知道，金属的电阻随温度的变化呈线性关系，自对准金属硅化物在电阻随温度变化的特性上，因为硅的表面覆盖了金属，也具有了金属的特性，因此，为清楚说明本发明，本文将自对准金属硅化物称为金属的一种。
对自对准金属硅化物施加电流，使得温度升高，而引入焦耳热，现有技术中测量自对准金属硅化物在焦耳热作用下温度变化的方法：根据自对准金属硅化物所施加电流I的大小，以及测量电压U的大小，代入公式R=U/I，获得自对准金属硅化物在该电流I下的电阻；然后根据电阻和温度之间的线性关系，得到该电流I下所对应的温度。其中，电阻和温度之间线性关系的获得，可以根据现有技术获得，例如可以是：通过人为烘箱加热的方法，在不同的温度点，得到所对应的电阻值。
没有金属Ni或者Ti覆盖的多晶硅，在电阻随温度变化的关系上，就失去了金属的特性，研究表明，多晶硅的电阻基本上不随温度变化，所以如果多晶硅在电流作用下产生温度变化，就不能根据多晶硅电阻的测量，确定温度的变化。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种测量多晶硅温度变化的方法，能够获得多晶硅在电流作用下的温度变化。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；
根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
根据公式得到R1=（TCR ×△T＋1）R0；
在上述公式中代入TCR、R1和R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，采用四点法。
所述各个温度点采用烘箱或晶圆载物吸盘加热的方法获得。
测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1，采用四点法。
所述金属为自对准金属硅化物。
一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻R＋R0；
将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻R＋R1；
根据所述金属的TCR、R0以及R1－R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
根据公式
Figure BDA00002372150000031
得到R1－R0=TCR×△T×R0；
在上述公式中代入TCR、R0以及R1－R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻采用四点法。
测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻采用四点法。
从上述方案可以看出，本发明多晶硅在有电流作用下，温度发生变化，利用与所述多晶硅接触且位于同一层的金属温度变化与多晶硅相同的原理，测量金属的温度变化，从而达到本发明的目的。
附图说明
图1为本发明多晶硅和金属接触且位于同一层的结构示意图。
图2为本发明第一种测量多晶硅温度变化的方法流程示意图。
图3为本发明第二种测量多晶硅温度变化的方法流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明作进一步详细说明。
本发明所述的多晶硅指的是没有金属Ni或者Ti覆盖的多晶硅，多晶硅的电阻基本上不随温度变化。本发明的核心思想是：在多晶硅上施加能够产生温度变化的电流，利用金属与多晶硅接触且位于同一层，所以多晶硅的温度变化与金属的温度变化相同，因此可以通过金属的温度变化反映多晶硅的温度变化。这里，本发明将金属定义为一种广义的概念，只要电阻与温度之间的关系呈金属特性的材质或者结构，都可以称之为金属。本发明实施例采用自对准金属硅化物。
图1为本发明多晶硅和金属接触且位于同一层的结构示意图。需要说明的是，由于多晶硅2的电阻基本上不随温度变化，所以必须利用其两侧的金属结构1，而且要求该金属结构1与多晶硅2接触且位于同一层，才能很快地将多晶硅2在电流作用下的温度变化传递给金属结构1，才能准确反映多晶硅2的温度变化。
本发明实施例列举两种测量多晶硅温度变化的方法。
图2为本发明第一种测量多晶硅温度变化的方法流程示意图。
步骤21、测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数（TCR）；
这里，室温一般为25摄氏度。
Figure BDA00002372150000041
Figure BDA00002372150000042
为金属在各个温度点下，电阻随温度变化的斜率，因此，只要测量金属在几个温度点下的电阻，就可以得到斜率，其中，各个温度点下的电阻，包括室温下的电阻R0，都是采用四点法测量获得。四点法，又称开尔文（kelvin）测量，需要在金属结构1上分别引出四端：F11、F21、S11、S21，F11和F21上接电流，S11和S21上测量电压。获得金属结构电阻随温度变化的斜率的具体方法为：在第一温度T1时获得金属结构电阻值r1，然后在第二温度T2时获得金属结构电阻值r2，在第三温度T3时获得金属结构电阻值r3，在第四温度T4时获得金属结构电阻值r4。当然获得金属结构与电阻的对应点越多，则后续函数拟合越准确，接下来利用上述金属结构温度与电阻的对应点，构建金属结构电阻随温度变化的函数关系图，通过应用公知的计算方法，例如最小二乘法，就能够拟合得到与数据点吻合度较高的函数。这个函数为一次线性函数，从而能够得到电阻随温度变化的斜率。
需要说明的是，第一温度T1至第四温度T4的获得，可以有多种方式，例如采用烘箱或晶圆载物吸盘加热的方法获得。具体的，对于烘箱加热的方法，可以将与所述金属结构相同的测试金属结构置入烘箱中，将烘箱温度调至所需要的T1，放置预定时间达到温度平衡后，金属结构温度与烘箱温度相同时，烘箱所显示的温度，即为金属结构的温度。
这里需要强调的是，四点法中两端所接电流很小，不足以引起结构温度变化。
步骤22、将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
在多晶硅上施加预定电流，使得多晶硅温度变化，由于多晶硅和金属接触，所以多晶硅温度变化△T与所述金属相同。在多晶硅上引出F21和F22两端施加预定电流，记录该预定电流的数值I。
步骤23、测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；
该步骤测量方法也采用四点法，F11和F21上接电流，S11和S21上测量电压，根据公式R=U/I，得到金属电阻R1。
步骤24、根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
具体地，根据公式
Figure BDA00002372150000051
得到R1=（TCR×△T＋1）R0；在上述公式中代入TCR、R1和R0，就可以得到金属的温度变化△T，即多晶硅的温度变化。
在实际应用中，如果对多晶硅结构施加大电流，大电流引入的焦耳热很可能造成多晶硅退化或被烧坏。另外，多晶硅结构附近存在有各种器件，多晶硅产生的焦耳热也可能将附近的器件烧坏，所以通过在多晶硅上施加的最大电流，确定多晶硅在该电流下的温度变化，从而确定附近器件被烧坏时所能忍受的最高温度。
图3为本发明第二种测量多晶硅温度变化的方法流程示意图。
步骤31、测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
这里，室温一般为25摄氏度。
Figure BDA00002372150000062
为金属在各个温度点下，电阻随温度变化的斜率，因此，只要测量金属在几个温度点下的电阻，就可以得到斜率，其中，各个温度点下的电阻，包括室温下的电阻R0，都是采用四点法测量获得。需要在金属结构1上分别引出四端：F11、F21、S11、S21，F11和F21上接电流，S11和S21上测量电压。获得金属结构电阻随温度变化的斜率的具体方法为：在第一温度T1时获得金属结构电阻值r1，然后在第二温度T2时获得金属结构电阻值r2，在第三温度T3时获得金属结构电阻值r3，在第四温度T4时获得金属结构电阻值r4。当然获得金属结构与电阻的对应点越多，则后续函数拟合越准确，接下来利用上述金属结构温度与电阻的对应点，构建金属结构电阻随温度变化的函数关系图，通过应用公知的计算方法，例如最小二乘法，就能够拟合得到与数据点吻合度较高的函数。这个函数为一次线性函数，从而能够得到电阻随温度变化的斜率。
需要说明的是，第一温度T1至第四温度T4的获得，可以有多种方式，例如采用烘箱或晶圆载物吸盘加热的方法获得。具体的，对于烘箱加热的方法，可以将与所述金属结构相同的测试金属结构置入烘箱中，将烘箱温度调至所需要的T1，放置预定时间达到温度平衡后，金属结构温度与烘箱温度相同时，烘箱所显示的温度，即为金属结构的温度。
步骤32、测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻R＋R0；
该步骤中测量方法也采用四点法，由于测量多晶硅和金属的总电阻，所以引出的四端分别为：F11、F22、S11、S22，F11和F22上接电流，S11和S22上测量电压，根据公式R=U/I，得到多晶硅和金属在室温下的总电阻。
步骤33、将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
在多晶硅上施加预定电流，使得多晶硅温度变化，由于多晶硅和金属接触，所以多晶硅温度变化△T与所述金属相同。在多晶硅上引出F21和F22两端施加预定电流，记录该预定电流的数值I。
步骤34、测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻R＋R1；
该步骤中测量方法也采用四点法，由于测量多晶硅和金属的总电阻，所以引出的四端分别为：F11、F22、S11、S22，F11和F22上接电流，S11和S22上测量电压，根据公式R=U/I，得到多晶硅和金属在温度变化后的总电阻。
根据研究可以知道，多晶硅的电阻并不随温度发生变化，金属的电阻随温度变化呈线性关系，因此，多晶硅在温度变化前后电阻都为R，金属电阻由R0变为R1。
步骤35、根据所述金属的TCR、R0以及R1-R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
具体地，根据公式
Figure BDA00002372150000071
得到R1-R0=TCR×△T×R0；在上述公式中代入TCR、R0以及R1-R0，就可以得到金属的温度变化△T，即多晶硅的温度变化。
从上述两种测量方法的描述可以看出，最终获得的多晶硅上施加的电流I与其自身温度变化△T之间的关系。但是，可以看出，第一种测量方法明显优于第二种，实现起来比较简单，区别仅在于，引出端较少，不需要测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻R＋R0。
需要说明的是，如果与多晶硅接触且位于同一层的有多个金属结构，也可以将这多个金属结构的电阻包含进去，这时测量的是在室温下多晶硅和多个金属结构的总电阻，以及在温度变化后多晶硅和多个金属结构的总电阻。
根据第二种测量方法的原理，也可以达到本发明的目的，在此不再赘述。
通过本发明的方法，虽然多晶硅的电阻不随温度发生变化，无法通过电阻确定温度，但是可以利用与所述多晶硅接触且位于同一层的金属的温度变化反映多晶硅的温度变化，从而得到在电流I的作用下，多晶硅的温度变化△T。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；
根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
根据公式
Figure FDA00002372149900011
得到R1=（TCR×△T＋1）R0；
在上述公式中代入TCR、R1和R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，采用四点法。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各个温度点采用烘箱或晶圆载物吸盘加热的方法获得。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1，采用四点法。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属为自对准金属硅化物。
7.一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻R＋R0；
将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻R＋R1；
根据所述金属的TCR、R0以及R1-R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，
根据公式
Figure FDA00002372149900021
得到R1-R0=TCR×△T×R0；
在上述公式中代入TCR、R0以及R1-R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻采用四点法。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻采用四点法。
CN201210442454.5A 2012-11-08 2012-11-08 测量多晶硅温度变化的方法 Pending CN103808425A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210442454.5A CN103808425A (zh) 2012-11-08 2012-11-08 测量多晶硅温度变化的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210442454.5A CN103808425A (zh) 2012-11-08 2012-11-08 测量多晶硅温度变化的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103808425A true CN103808425A (zh) 2014-05-21

Family

ID=50705523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210442454.5A Pending CN103808425A (zh) 2012-11-08 2012-11-08 测量多晶硅温度变化的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103808425A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105467289A (zh) * 2014-09-22 2016-04-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法
CN105489519A (zh) * 2014-09-18 2016-04-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法
CN108375722A (zh) * 2018-01-31 2018-08-07 上海华力微电子有限公司 一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法
CN111829683A (zh) * 2020-07-24 2020-10-27 浙江瑞银电子有限公司 一种利用材料间电阻率温度系数差异的间接测温方法
WO2021185162A1 (zh) * 2020-03-19 2021-09-23 长鑫存储技术有限公司 晶圆卡盘温度量测及温度校准的方法和温度量测系统
US12007289B2 (en) 2020-03-19 2024-06-11 Changxin Memory Technologies, Inc. Temperature measurement and temperature calibration methods and temperature measurement system

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2157889A (en) * 1984-04-24 1985-10-30 Atomic Energy Authority Uk Resistance thermometer
JPS63310157A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH09105680A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Yamatake Honeywell Co Ltd 温度測定回路
CN1377068A (zh) * 2001-03-28 2002-10-30 华邦电子股份有限公司 移动正离子污染的测试装置及方法
CN1548934A (zh) * 2003-05-07 2004-11-24 刘正洪 温度传感器其温度检测电路及方法
CN101551403A (zh) * 2009-05-22 2009-10-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法
CN101566514A (zh) * 2009-06-02 2009-10-28 中国航天科技集团公司第四研究院第四十四研究所 集成温度的薄膜压力传感器
CN102156004A (zh) * 2011-03-10 2011-08-17 杨忠林 测温元件
US20110243183A1 (en) * 2010-04-02 2011-10-06 Seiko Epson Corporation Temperature measurement device and temperature measurement method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2157889A (en) * 1984-04-24 1985-10-30 Atomic Energy Authority Uk Resistance thermometer
JPS63310157A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH09105680A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Yamatake Honeywell Co Ltd 温度測定回路
CN1377068A (zh) * 2001-03-28 2002-10-30 华邦电子股份有限公司 移动正离子污染的测试装置及方法
CN1548934A (zh) * 2003-05-07 2004-11-24 刘正洪 温度传感器其温度检测电路及方法
CN101551403A (zh) * 2009-05-22 2009-10-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法
CN101566514A (zh) * 2009-06-02 2009-10-28 中国航天科技集团公司第四研究院第四十四研究所 集成温度的薄膜压力传感器
US20110243183A1 (en) * 2010-04-02 2011-10-06 Seiko Epson Corporation Temperature measurement device and temperature measurement method
CN102156004A (zh) * 2011-03-10 2011-08-17 杨忠林 测温元件

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489519A (zh) * 2014-09-18 2016-04-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法
CN105489519B (zh) * 2014-09-18 2019-01-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法
CN105467289A (zh) * 2014-09-22 2016-04-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法
CN105467289B (zh) * 2014-09-22 2018-09-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法
CN108375722A (zh) * 2018-01-31 2018-08-07 上海华力微电子有限公司 一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法
CN108375722B (zh) * 2018-01-31 2020-08-21 上海华力微电子有限公司 一种独立控温的用于可靠性测试的测试结构及其测试方法
WO2021185162A1 (zh) * 2020-03-19 2021-09-23 长鑫存储技术有限公司 晶圆卡盘温度量测及温度校准的方法和温度量测系统
US11852542B2 (en) 2020-03-19 2023-12-26 Changxin Memory Technologies, Inc. Methods for measuring temperature of wafer chuck and calibrating temperature and system for measuring temperature
US12007289B2 (en) 2020-03-19 2024-06-11 Changxin Memory Technologies, Inc. Temperature measurement and temperature calibration methods and temperature measurement system
CN111829683A (zh) * 2020-07-24 2020-10-27 浙江瑞银电子有限公司 一种利用材料间电阻率温度系数差异的间接测温方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103808425A (zh) 测量多晶硅温度变化的方法
CN107389206B (zh) 一种热电堆传感器及其控制方法
CN101364573B (zh) 测试结构及测试方法
CN102608153B (zh) 多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构
CN103050423B (zh) 晶圆温度的检测方法
CN107045993B (zh) 电迁移测试装置、电迁移测试系统及其测试方法
CN102254846B (zh) 半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法
Pobegen et al. Accurate high temperature measurements using local polysilicon heater structures
CN105526983B (zh) 一种气体流量传感器的结构及其制造方法
US7719005B2 (en) Structure and method for monitoring and characterizing pattern density dependence on thermal absorption in a semiconductor manufacturing process
CN102082107A (zh) 芯片测温方法和测温装置
US6486692B1 (en) Method of positive mobile iron contamination (PMIC) detection and apparatus of performing the same
CN202403836U (zh) 多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构
Ziolkowski et al. Interlaboratory Testing for High‐Temperature Power Generation Characteristics of a Ni‐Based Alloy Thermoelectric Module
Afridi et al. Microhotplate temperature sensor calibration and BIST
CN106526442A (zh) Ldmos晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统
Baroncini et al. Characterization of an embedded micro-heater for gas sensors applications
CN109405995A (zh) 一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法
KR100612203B1 (ko) 온도센서
CN111044873B (zh) 一种基于共享串联电阻的自热效应测试方法和电路
CN113514747A (zh) 一种测量电力电子器件温度分布的电学方法
CN116224009A (zh) Soi自热效应的测量结构及测量方法
Saxena Modeling of square microhotplate and its validation with experimental results
Muth et al. Polysilicon resistive heated scribe lane test structure for productive wafer level reliability monitoring of NBTI
JPS62165325A (ja) ランプアニ−ル装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140521

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication