CN109521615A - 像素阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素阵列基板，包括基底、多条扫描线及多条数据线、多个像素结构、共用电极、第一绝缘层、触控信号线、栅极驱动电路及辅助电极。基底具有显示区及显示区外的周边区。多个像素结构设置于显示区，且分别与多条扫描线及多条数据线电性连接。每一像素结构包括主动元件及电性连接至主动元件的像素电极。触控信号线与共用电极电性连接。栅极驱动电路设置于周边区，且与至少一条扫描线电性连接。辅助电极设置于周边区，且与至少部分的栅极驱动电路重叠。辅助电极与邻近于栅极驱动电路的共用电极电性连接，以形成边缘触控感测垫。
Description
技术领域
本发明是有关于一种基板，且特别是有关于一种像素阵列基板。
背景技术
显示器的应用日益广泛，举凡家用的视听娱乐、公共场合的信息显示看板、电竞用的显示器及可携式电子产品都可见其踪迹。近几年来，显示器在车用领域或穿戴式电子产品的应用也逐渐拓展开来，例如：车用后视镜、车用仪表板、多功能电子表/手环等。这类电子装置所搭载的显示器大多为异形(Free form)显示器，其外观可能为椭圆形、圆形或其他非矩形，且大多具有触控功能。
内嵌式触控(In-cell touch)技术具有易薄型化的优势，因此在近几年逐渐成为触控显示器的主流。为了满足异形显示的需求，触控显示器在邻近显示区的异形边缘的触控感测垫具有顺应异形显示边缘的非直线边缘。然而，具有非直线边缘的触控感测垫与远离显示区的异形边缘的触控感测垫的等效电容存在差异，进而影响触控显示器在显示区边缘的触控性能。因此，如何在满足异形显示需求下，同时提升显示区的异形边缘的触控效能，是相关厂商所亟欲解决的问题之一。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板，采用此像素阵列基板的触控显示器的触控性能佳。
本发明的一种像素阵列基板包括基底、多条扫描线及多条数据线、多个像素结构、共用电极、第一绝缘层、触控信号线、栅极驱动电路及辅助电极。基底具有显示区以及显示区外的周边区。多条扫描线及多条数据线设置于基底上。多个像素结构设置于显示区，且分别与多条扫描线及多条数据线电性连接。每一像素结构包括主动元件以及电性连接至主动元件的像素电极。共用电极重叠于多个像素结构的多个像素电极。第一绝缘层设置于多个像素电极与共用电极之间。触控信号线与共用电极电性连接。栅极驱动电路设置于基底的周边区，且与至少一条扫描线电性连接，其中共用电极邻近于栅极驱动电路。辅助电极设置于基底的周边区，且与至少部分的栅极驱动电路重叠。辅助电极与共用电极电性连接，以形成边缘触控感测垫。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第一屏蔽电极，电性隔离于辅助电极及栅极驱动电路，且设置于辅助电极与至少部分的栅极驱动电路之间。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一屏蔽电极具有电容抑制信号，触控信号线具有触控驱动信号，电容抑制信号与触控驱动信号于时序上同步，且电容抑制信号与触控驱动信号的电压波形实质上相同。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一绝缘层覆盖共用电极，多个像素电极设置于第一绝缘层上，第一屏蔽电极与共用电极形成于同一第一透明导电层，而辅助电极与多个像素电极形成于同一第二透明导电层。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一绝缘层覆盖多个像素电极，共用电极设置于第一绝缘层上，第一屏蔽电极与多个像素电极形成于同一第一透明导电层，而辅助电极与共用电极形成于同一第二透明导电层。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二屏蔽电极，设置于第一屏蔽电极与栅极驱动电路之间，其中第二屏蔽电极接地。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一绝缘层覆盖共用电极，每一像素结构的像素电极设置于第一绝缘层上且具有与共用电极重叠的多个狭缝。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二绝缘层，覆盖多个像素结构的多个主动元件、多条扫描线、多条数据线以及触控信号线，且触控信号线与多条数据线形成于同一膜层。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二绝缘层及第三绝缘层。第二绝缘层覆盖多个像素结构的多个主动元件、多条扫描线以及多条数据线，其中触控信号线设置于第二绝缘层上。第三绝缘层覆盖触控信号线，其中共用电极设置于第三绝缘层上。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的第一绝缘层覆盖多个像素电极，共用电极设置于第一绝缘层上且具有与多个像素电极重叠的多个狭缝。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二绝缘层，覆盖多个像素结构的多个主动元件、多条扫描线、多条数据线以及触控信号线，且触控信号线与多条数据线形成于同一膜层。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板更包括第二绝缘层以及第三绝缘层。第二绝缘层覆盖多个像素结构的多个主动元件、多条扫描线以及多条数据线，其中多个像素电极设置于第二绝缘层上。第三绝缘层设置于第一绝缘层上且覆盖触控信号线，其中共用电极设置于第三绝缘层上。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的显示区为非矩形。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的共用电极具有非直线边缘。
基于上述，在本发明的实施例的像素阵列基板中，邻近显示区边缘的共用电极与设置在周边区的辅助电极电性连接，以形成边缘触控感测垫。利用设置在周边区的辅助电极，边缘触控感测垫的感测面积能增加，进而缩小边缘触控感测垫的感测面积与内部触控感测垫的感测面积的差异。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的像素阵列基板以及配置于像素阵列基板上的周边遮光图案的上视示意图。
图2为图1的像素阵列基板的区域I的放大示意图。
图3为本发明的第一实施例的像素阵列基板的剖面示意图。
图4为图2的像素阵列基板的触控信号线及第一屏蔽电极于各时序的输入信号的示意图。
图5为图1的区域I的第二实施例的像素阵列基板的放大示意图。
图6为本发明的第二实施例的像素阵列基板的剖面示意图。
图7为本发明的第三实施例的像素阵列基板的剖面示意图。
图8为本发明的第四实施例的像素阵列基板的剖面示意图。
图9为本发明的第五实施例的像素阵列基板的剖面示意图。
其中，附图标记：
10、10A～10D：像素阵列基板
20：周边遮光图案
20a：边缘
100：基底
150：绝缘层
250：绝缘子层
250a～250b、280a～280b、450a～450c、650a～650c：接触窗
280：平坦子层
300：第二绝缘层
400：第一透明导电层
410、410-1、410-2、560：共用电极
410a：非直线边缘
410b：直线边缘
420：第一屏蔽电极
450：第一绝缘层
500：第二透明导电层
510：辅助电极
520、430：像素电极
520a、560a：狭缝
530：第一转接图案
600：第二屏蔽电极
650：第三绝缘层
AA：显示区
AAa：非直线边界
AAa-1、AAa-2：阶梯状边缘
CH、CH2：半导体图案
D、D2：漏极
DL：数据线
DS1：触控驱动信号
DS2：电容抑制信号
ESP：边缘触控感测垫
G、G2：栅极
GC：栅极驱动电路
I：区域
PA：周边区
PX：像素结构
S、S2：源极
SL：扫描线
T：主动元件
Td：显示时段
Tt：触控时段
T2：静电防护元件
TL：触控信号线
Vcom：共用电位
X、Y、Z：方向
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’：剖线
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明的第一实施例的像素阵列基板10以及配置于像素阵列基板10上的周边遮光图案20的上视示意图。图2为图1的像素阵列基板10的区域I的放大示意图。图3为本发明的第一实施例的像素阵列基板10的剖面示意图。特别是，图3的像素阵列基板10的剖面对应于图2的剖线A-A’及剖线B-B’。需说明的是，为清楚示出起见，图1绘示周边遮光图案20以及图2的像素阵列基板10的基底100、共用电极410、触控走线TL及接触窗450a，而省略图2的像素阵列基板10的其它构件。
请参照图1，像素阵列基板10包括基底100、多个共用电极410以及多条触控信号线TL。基底100具有显示区AA以及显示区AA外的周边区PA。在本实施例中，周边区PA可指基底100的被周边遮光图案20遮蔽的区域，显示区AA可指基底100的未被周边遮光图案20遮蔽的区域；也就是说，周边区PA与显示区AA的边界可由周边遮光图案20的边缘20a的垂直投影所定义。在本实施例中，各触控信号线TL与对应的一个共用电极410电性连接。于触控感测时段，共用电极410做为触控感测垫使用，而触控信号线TL用以传输触控信号。在本实施例中，触控信号线TL大致上在方向Y上延伸且沿着方向X排列于基底100上。在本实施例中，方向Y与方向X可实质上互相垂直，但本发明不以此为限。
共用电极410设置于显示区AA内。在本实施例中，显示区AA为非矩形。举例而言，像素阵列基板10的显示区AA具有非直线边界AAa，部分的非直线边界AAa非平行于方向Y的直线段也非平行于方向X的横线段，显示区AA的非直线边界AAa例如是阶梯状边缘AAa-1、AAa-2，但本发明不以此为限。根据其他的实施例，显示区AA的非直线边界AAa也可以是弧形边缘。在本实施例中，紧邻于显示区AA的非直线边界AAa的共用电极410-1具有非直线边缘410a。举例而言，在本实施例中，紧邻于显示区AA的非直线边界AAa的共用电极410-1的非直线边缘410a为阶梯状边缘，而远离显示区AA的非直线边界AAa的另一共用电极410-2可具有直线边缘410b；也就是说，在本实施例中，紧邻于显示区AA的非直线边界AAa的一共用电极410-1的形状可不同于远离显示区AA的非直线边界AAa的另一共用电极410-2的形状，紧邻于显示区AA的非直线边界AAa的共用电极410-1的面积可小于远离显示区AA的非直线边界AAa的另一共用电极410-2的面积，但本发明不以此为限。根据其他的实施例，紧邻于显示区AA的非直线边界AAa的共用电极410-1的非直线边缘410a也可以是弧状边缘。
请参照图2，在本实施例中，像素阵列基板10包括多条扫描线SL、多条数据线DL及多个像素结构PX。多条扫描线SL及多条数据线DL设置于基底100上。在本实施例中，数据线DL大致上在方向Y上延伸且沿着方向X排列于基底100上，扫描线SL大致上在方向X上延伸且沿着方向Y排列于基底100上。多个像素结构PX设置于显示区AA，且分别与多条扫描线SL及多条数据线DL电性连接。举例而言，在本实施例中，多个像素结构PX可阵列排列于显示区AA内，且每一像素结构PX与对应的一条数据线DL及对应的一条扫描线SL电性连接，但本发明不以此为限。
请参照图2及图3，在本实施例中，每一像素结构PX具有主动元件T。主动元件T包括薄膜晶体管，薄膜晶体管具有栅极G、源极S、漏极D及半导体图案CH。栅极G设置于基底100上，且与对应的一条扫描线SL电性连接。源极S设置于基底100上，且与对应的一条数据线DL电性连接。源极S与漏极D分别与半导体图案CH的不同两区电性连接。举例而言，在本实施例中，半导体图案CH的结构可为单层或多层；半导体图案CH的材质可包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其他合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合。
在本实施例中，栅极G及多条扫描线SL的材质可选择性地相同；也就是说，栅极G及多条扫描线SL可选择性地形成于同一膜层。此外，在本实施例中，源极S、漏极D及多条数据线DL的材质可选择性地相同；也就是说，源极S、漏极D及多条数据线DL可选择性地形成于同一膜层。举例而言，在本实施例中，基于导电性的考量，栅极G、源极S、漏极D、多条扫描线SL及多条数据线DL的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，栅极G、源极S、漏极D、多条扫描线SL及多条数据线DL也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
在本实施例中，每一像素结构PX更包括电性连接于主动元件T的像素电极520。像素电极520设置在第一绝缘层450上，且通过接触窗250b、280b、450b与主动元件T的漏极D电性连接。在本实施例中，每一共用电极410可重叠于多个像素结构PX的多个像素电极520，所述重叠指于垂直基底100方向(即方向Z)上重叠。在本实施例中，每一像素结构PX的像素电极520具有与共用电极410重叠的多个狭缝520a(绘示于图2)。举例而言，在本实施例中，像素电极520可选择性地为穿透式电极。穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。
请参照图3，在本实施例中，像素阵列基板10更包括绝缘层150，设置于栅极G与半导体图案CH之间。在本实施例中，半导体图案CH可以选择性地设置在栅极G上方，进而形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT)。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，主动元件T也可是顶部栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT)或其它适当型式的薄膜晶体管。在本实施例中，绝缘层150的材质可包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
在本实施例中，触控信号线TL设置在绝缘层150上，且触控信号线TL及多条数据线DL的材质可相同；也就是说，触控信号线TL及多条数据线DL可形成于同一膜层。举例而言，在本实施例中，基于导电性的考量，触控信号线TL及多条数据线DL的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，触控信号线TL及多条数据线DL也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
请参照图2及图3，在本实施例中，像素阵列基板10更包括第二绝缘层300。第二绝缘层300覆盖多个像素结构PX的多个主动元件T、多条扫描线SL、多条数据线DL以及触控信号线TL。在本实施例中，第二绝缘层300的材质包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
举例而言，在本实施例中，第二绝缘层300可选择性地包括绝缘子层250及平坦子层280。然而，本发明不限于此，在其他实施中，第二绝缘层300也可由单一膜层或由三个以上的膜层所组成。在本实施例中，绝缘子层250具有重叠于触控走线TL的接触窗250a及重叠于主动元件T的漏极D的接触窗250b。平坦子层280覆盖在绝缘子层250上，且平坦子层280具有重叠于触控走线TL的接触窗280a以及重叠于主动元件T的漏极D的接触窗280b。
举例而言，在本实施例中，接触窗250a与接触窗280a可切齐，也就是说，接触窗250a与接触窗280a可利用同一遮罩且于同一蚀刻制程中同时形成；接触窗250b与接触窗280b可切齐，也就是说，接触窗250b与接触窗280b可利用同一遮罩且于同一蚀刻制程中同时形成，但本发明不以为限。
在本实施例中，像素阵列基板10更包括栅极驱动电路GC。栅极驱动电路GC设置于基底100的周边区PA，且与至少一条扫描线SL电性连接。在本实施例中，栅极驱动电路GC包括至少一主动元件(未绘示)与静电防护元件T2。静电防护元件T2包括栅极G2、源极S2、漏极D2及半导体图案CH2。栅极G2设置于基底100上。源极S2设置于基底100上。源极S2与漏极D2分别与半导体图案CH2的不同两区电性连接。举例而言，在本实施例中，位于显示区AA的像素结构PX的主动元件T与位于周边区PA的栅极驱动电路GC可于制程中同时形成；也就是说，栅极驱动电路GC为整合型栅极驱动电路(gate driver-on-array；GOA)，但本发明不以此为限。在本实施例中，像素阵列基板10更包括第一屏蔽电极420。第一屏蔽电极420设置在平坦子层280上，且与至少部分的栅极驱动电路GC重叠。通过第一屏蔽电极420的设置，可抑制栅极驱动电路GC的电场对周围元件的电性的影响。
在本实施例中，共用电极410设置在平坦子层280上，且与第一屏蔽电极420隔开。举例而言，在本实施例中，第一屏蔽电极420与共用电极410可形成于同一膜层，但本发明不以此为限。第一屏蔽电极420与共用电极410可以选择性地皆为穿透式电极。穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。也就是说，在本实施例中，第一屏蔽电极420与共用电极410可由第一透明导电层400形成，但本发明不以此为限。
在本实施例中，像素阵列基板10更包括第一绝缘层450，覆盖共用电极410及第一屏蔽电极420。第一绝缘层450具有重叠于触控走线TL的接触窗450a以及重叠于主动元件T的漏极D的接触窗450b。举例而言，在本实施例中，接触窗450a与接触窗250a、280a可切齐，也就是说，接触窗450a与接触窗250a、280a可利用同一遮罩且于同一蚀刻制程中同时形成；接触窗450b与接触窗250b、280b可切齐，也就是说，接触窗450b与接触窗250b、280b可利用同一遮罩且于同一蚀刻制程中同时形成，但本发明不以此为限。
在本实施例中，像素阵列基板10更包括辅助电极510。辅助电极510设置于基底100的周边区PA，且设置在第一绝缘层450上，并通过接触窗450a、280a、250a电性连接至触控信号线TL。在本实施例中，辅助电极510与至少部分的栅极驱动电路GC于垂直基底100方向(即方向Z)上重叠。第一屏蔽电极420设置于辅助电极510与至少部分的栅极驱动电路GC之间。也就是说，第一屏蔽电极420电性隔离于辅助电极510及栅极驱动电路GC。特别一提的是，在本实施例中，辅助电极510设置在紧邻显示区AA的非直线边界AAa(例如是阶梯状边缘AAa-1、AAa-2)的周边区PA，而辅助电极510不设置在紧邻直线边缘410b的周边区PA，但本发明不以此为限。
在本实施例中，像素阵列基板10更包括第一转接图案530。第一转接图案530与辅助电极510形成于同一膜层，第一转接图案530与辅助电极510直接连接且由辅助电极510向显示区AA延伸。第一转接图案530设置在第一绝缘层450上，且通过第一绝缘层450的接触窗450c与共用电极410电性连接。举例而言，在本实施例中，辅助电极510及第一转接图案530可选择性地皆为穿透式电极。穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。特别是，在本实施例中，辅助电极510、像素电极520以及第一转接图案530可由第二透明导电层500形成，但本发明不以此为限。
在本实施例中，辅助电极510可选择性地通过第一转接图案530电性连接至邻近于栅极驱动电路GC的共用电极410-1，彼此电性连接的共用电极410-1与辅助电极510形成边缘触控感测垫ESP。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，与栅极驱动电路GC重叠的辅助电极510也可采用其它适当方式电性连接至邻近显示区AA的非直线边界AAa的共用电极410-1，以形成边缘触控感测垫ESP。
在本实施例中，利用设置于周边区PA的辅助电极510，边缘触控感测垫ESP的感测面积能增加，进而缩小边缘触控感测垫ESP的感测面积与内部触控感测垫(即远离显示区AA边界的另一共用电极410-2，绘示于图1)的感测面积的差异。也就是说，藉由辅助电极510的设置，位于显示区AA的非直线边界AAa及其附近区域的边缘触控感测垫ESP的等效电容与远离显示区AA非直线边界AAa的内部触控感测垫(即远离显示区AA边界的另一共用电极410-2)的等效电容的差异得以缩小，而有助于触控性能的提升。
图4为图2的像素阵列基板的触控信号线TL及第一屏蔽电极420于各时序的输入信号的示意图。请参照图4，在本实施例中，于显示时段Td内，像素电极520具有显示驱动电位，电性连接至触控信号线TL的共用电极410具有共用电位Vcom，显示驱动电位与共用电位Vcom之间的电压差用以施加至采用像素阵列基板10的触控显示器的显示介质(例如：液晶)，进而使像素结构PX所在的像素区具有对应的亮度，此时(即显示时段Td内)，第一屏蔽电极420可以选择性地接地(Ground，GND)，以抑制栅极驱动电路GC的电场对周围元件的电性的影响。
在本实施例中，于触控时段Tt内，触控信号线TL可具有触控驱动信号DS1，而第一屏蔽电极420可具有电容抑制信号DS2。电容抑制信号DS2与触控驱动信号DS1可于时序上同步，且电容抑制信号DS2与触控驱动信号DS1的电压波形实质上相同。藉由第一屏蔽电极420的电容抑制信号DS2与触控信号线TL的触控驱动信号DS1的同步化，能降低边缘触控感测垫ESP与第一屏蔽电极420之间所产生的寄生电容，进而优化显示区AA边缘的触控特性。
图5为图1的区域I的第二实施例的像素阵列基板10A的放大示意图。图6为本发明的第二实施例的像素阵列基板10A的剖面示意图。特别是，图6的像素阵列基板10A的剖面对应于图5的剖线C-C’及剖线D-D’。此外，为清楚绘示起见，图5省略图6的第二屏蔽电极600的绘示。
请参照图5及图6，本实施例的像素阵列基板10A与图2及图3的像素阵列基板10类似，两者的差异在于：本实施例的触控信号线TL设置在第二绝缘层300上，而像素阵列基板10A更包括第二屏蔽电极600。第二屏蔽电极600设置于第一屏蔽电极420与栅极驱动电路GC之间。第二屏蔽电极600接地。举例而言，在本实施例中，第二屏蔽电极600与触控信号线TL的材质可相同；也就是说，第二屏蔽电极600与触控信号线TL可形成于同一膜层，但本发明不以此为限。
请参照图6，在本实施例中，像素阵列基板10A更包括第三绝缘层650，覆盖触控信号线TL及第二屏蔽电极600。共用电极410及第一屏蔽电极420设置于第三绝缘层650上，且共用电极410与像素阵列基板10A的触控信号线TL电性连接。举例而言，在本实施例中，于显示时段及触控时段，第二屏蔽电极600可选择性地接地或接共用电位，以抑制栅极驱动电路GC的电场对周围元件的电性的影响。
在本实施例中，第三绝缘层650具有重叠于触控走线TL的接触窗650a及重叠于主动元件T的漏极D的接触窗650b。举例而言，在本实施例中，接触窗650a与接触窗450a可切齐，也就是说，接触窗650a与接触窗450a可利用同一遮罩且于同一蚀刻制程中同时形成；接触窗650b与接触窗450b可切齐，也就是说，接触窗650b与接触窗450b可利用同一遮罩且于同一蚀刻制程中同时形成，但本发明不以此为限。在本实施例中，辅助电极510可通过接触窗450a、650a电性连接至触控信号线TL，像素电极520可通过接触窗450b、650b、280b、250b电性连接至主动元件T的漏极D。
图7为本发明的第三实施例的像素阵列基板10B的剖面示意图。请参照图7，本实施例的像素阵列基板10B与图6的像素阵列基板10A类似，两者的差异在于：本实施例的触控信号线TL及第二屏蔽电极600设置在第一绝缘层450上，且第二屏蔽电极600设置在辅助电极510及第一屏蔽电极420之间；第三绝缘层650设置于第一绝缘层450上。也就是说，图7的像素阵列基板10B与图6的像素阵列基板10A的差异在于，触控信号线TL(及第二屏蔽电极600)所属的膜层(例如：第三金属层)与共用电极410所属的膜层(例如：第一透明导电层)的形成顺序不同。图7的像素阵列基板10B的上视示意图与图5的像素阵列基板10A的上视示意图相同，于此便不再重复绘示。
图8为本发明的第四实施例的像素阵列基板10C的剖面示意图。请参照图8，本实施例的像素阵列基板10C与图3的像素阵列基板10类似，两者差异在于：本实施例的第一绝缘层450覆盖像素结构PX的像素电极430，共用电极560设置于第一绝缘层450上，且具有与像素电极430重叠的多个狭缝560a。简言之，像素阵列基板10C的像素结构PX为共用电极在上(top common electrode)的型式。
举例而言，在本实施例中，辅助电极510与共用电极560可形成于同一第二透明导电层500，且辅助电极510可直接连接于共用电极560，也就是说，辅助电极510不需要通过第一转接图案530(绘示于图3)与邻近于栅极驱动电路GC的共用电极560电性连接；第一屏蔽电极420与像素电极430可形成于同一第一透明导电层400，但本发明不以此为限。
图9为本发明的第五实施例的像素阵列基板10D的剖面示意图。请参照图9，本实施例的像素阵列基板10D与图7的像素阵列基板10B的差异在于：本实施例的第一绝缘层450覆盖像素结构PX的像素电极430，共用电极560设置于第三绝缘层650上，且具有与像素电极430重叠的多个狭缝560a。简言之，像素阵列基板10D的像素结构PX为共用电极在上(topcommon electrode)的型式。举例而言，在本实施例中，辅助电极510与共用电极560可形成于同一第二透明导电层500，且辅助电极510可直接连接于共用电极560；第一屏蔽电极420与像素电极430可形成于同一第一透明导电层400，但本发明不以此为限。
综上所述，在本发明的实施例的像素阵列基板中，邻近显示区边缘的共用电极与设置在周边区的辅助电极电性连接，以形成边缘触控感测垫。利用设置于周边区的辅助电极，边缘触控感测垫的感测面积能增加，进而缩小边缘触控感测垫的感测面积与内部触控感测垫的感测面积的差异。也就是说，藉由辅助电极的设置，位于显示区边缘及其附近区域的边缘触控感测垫的等效电容与远离显示区边缘的内部触控感测垫的等效电容的差异得以缩小，而有助于触控性能的提升。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (14)
1.一种像素阵列基板，其特征在于，包括：
一基底，具有一显示区以及该显示区外的一周边区；
多条扫描线及多条数据线，设置于该基底上；
多个像素结构，设置于该显示区，且分别与该些扫描线及该些数据线电性连接，其中每一像素结构包括一主动元件以及电性连接至该主动元件的一像素电极；
一共用电极，重叠于该些像素结构中的复数个像素电极；
一第一绝缘层，设置于该些像素电极与该共用电极之间；
一触控信号线，与该共用电极电性连接；
一栅极驱动电路，设置于该基底的该周边区，且与至少一条扫描线电性连接，其中该共用电极邻近于该栅极驱动电路；
一辅助电极，设置于该基底的该周边区，且与至少部分的该栅极驱动电路重叠，其中该辅助电极与该共用电极电性连接，以形成一边缘触控感测垫。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：
一第一屏蔽电极，电性隔离于该辅助电极及该栅极驱动电路，且设置于该辅助电极与该至少部分的该栅极驱动电路之间。
3.如权利要求2所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一屏蔽电极具有一电容抑制信号，该触控信号线具有一触控驱动信号，该电容抑制信号与该触控驱动信号于时序上同步，且该电容抑制信号与该触控驱动信号的电压波形实质上相同。
4.如权利要求2所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该共用电极，该些像素电极设置于该第一绝缘层上，该第一屏蔽电极与该共用电极形成于同一第一透明导电层，而该辅助电极与该些像素电极形成于同一第二透明导电层。
5.如权利要求2所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该些像素电极，该共用电极设置于该第一绝缘层上，该第一屏蔽电极与该些像素电极形成于同一第一透明导电层，而该辅助电极与该共用电极形成于同一第二透明导电层。
6.如权利要求2所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：
一第二屏蔽电极，设置于该第一屏蔽电极与该栅极驱动电路之间，其中该第二屏蔽电极接地。
7.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该共用电极，每一该像素结构的该像素电极设置于该第一绝缘层上且具有多个狭缝。
8.如权利要求7所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：
一第二绝缘层，覆盖该些像素结构的多个主动元件、该些扫描线、该些数据线以及该触控信号线，且该触控信号线与该些数据线形成于同一膜层。
9.如权利要求7所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：
一第二绝缘层，覆盖该些像素结构的多个主动元件、该些扫描线以及该些数据线，其中该触控信号线设置于该第二绝缘层上；以及
一第三绝缘层，覆盖该触控信号线，其中该共用电极设置于该第三绝缘层上。
10.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该些像素电极，该共用电极设置于该第一绝缘层上且具有与该些像素电极重叠的多个狭缝。
11.如权利要求10所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：
一第二绝缘层，覆盖该些像素结构的多个主动元件、该些扫描线、该些数据线以及该触控信号线，且该触控信号线与该些数据线形成于同一膜层。
12.如权利要求10所述的像素阵列基板，其特征在于，更包括：
一第二绝缘层，覆盖该些像素结构的多个主动元件、该些扫描线以及该些数据线，其中该些像素电极设置于该第二绝缘层上；以及
一第三绝缘层，设置于该第一绝缘层上且覆盖该触控信号线，其中该共用电极设置于该第三绝缘层上。
13.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该显示区为非矩形。
14.如权利要求13所述的像素阵列基板，其特征在于，该共用电极具有非直线边缘。
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