TW201636690A - 主動元件陣列基板 - Google Patents

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Abstract

一種主動元件陣列基板，包括一基板、一檢測電路、多個畫素結構、一保護層以及多個導電接墊。基板具有一顯示區以及顯示區外的一周邊區。檢測電路配置於基板上並包括多個檢測開關、多條檢測控制線以及多條檢測走線。各檢測開關位於周邊區中並由其中一條檢測控制線控制。各檢測走線連接於其中一個檢測開關，且各檢測走線包括一第一導線段以及一第二導線段。第二導線段位於第一導線段與對應的一個檢測開關之間。第二導線段的導電率低於第一導線段。

Description

主動元件陣列基板
本發明是有關於一種主動元件陣列基板，且特別是有關於一種具有低漏電之檢測電路的主動元件陣列基板。
隨著顯示器技術的日益成熟，一般而言，在完成主動元件陣列基板的製程後，通常會對主動元件陣列基板進行電性檢測，或是在完成面板製程後，對面板進行簡易的顯示檢測，以判斷主動元件陣列基板或面板可否正常運作，如發現主動元件陣列基板或面板無法正常運作時，便可即時針對不良的元件或線路進行修補。
為了對主動元件陣列基板或面板進行檢測，在主動元件陣列基板之周邊區上需配置有檢測電路(Examining circuit)，且檢測電路包含多個檢測開關用以進行主動元件陣列基板檢測或面板檢測：當提供檢測開關的閘極一高電壓，即檢測開關為開啟狀態時，則檢測訊號可經由檢測開關傳遞至主動元件陣列基板，而進行主動元件陣列基板檢測。當完成面板製程後，主動元件陣列基板的顯示訊號改由積體電路(Integrated Circuit,IC)提供。此時， 檢測訊號不需經由檢測開關傳遞至面板，即可進行面板檢測，因此提供檢測開關的閘極一低電壓，使檢測開關為關閉狀態。
然而，當檢測開關為關閉狀態時，由於量子穿隧效應(Quantum tunneling effect)的影響，仍會有部分的顯示訊號會經由檢測開關洩漏，如此容易造成面板的顯示畫面呈現異常。為使面板的顯示檢測結果準確，且確保後續顯示面板之顯示品質，現行的製程往往額外包含有一雷射切割(laser cutting)製程以將檢測電路切除。
本發明提供一種主動元件陣列基板，其可將檢測電路保留於主動元件陣列基板中而不影響顯示品質。
本發明的主動元件陣列基板，包括一基板、一檢測電路、多個畫素結構、一保護層以及多個導電接墊。基板具有一顯示區以及顯示區外的一周邊區。檢測電路配置於基板上並包括多個檢測開關、多條檢測控制線以及多條檢測走線。各檢測開關位於周邊區中並由其中一條檢測控制線控制而開啟或關閉。各檢測走線連接於其中一個檢測開關，且各檢測走線包括一第一導線段以及一第二導線段，其中第二導線段位於第一導線段與對應的一個檢測開關之間，且第二導線段的導電率低於第一導線段。多個畫素結構配置於基板上且位於顯示區中，各畫素結構連接其中一條檢測走線的第一導線段。保護層覆蓋檢測電路的檢測開關並且具有 多個接墊開口，其中各接墊開口對應於其中一第一導線段。多個導電接墊配置於保護層上，並且各導電接墊位於其中一接墊開口中以電性連接至其中一檢測走線。
在本發明的一實施例中，上述的各檢測開關包括一閘極、一主動層、一源極以及一汲極，且閘極介於基板與主動層之間，主動層位於源極與汲極之間，源極與汲極接觸於主動層，閘極藉由一絕緣層與主動層、源極與汲極分隔，且源極連接於其中一檢測走線的第一導線段。
在本發明的一實施例中，上述的各檢測開關的源極與檢測走線的第二導線段為一體成形。
在本發明的一實施例中，上述的第一導線段介於第二導線段與基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的第二導線段介於源極與閘極之間。
在本發明的一實施例中，上述的源極介於第二導線段與閘極之間。
在本發明的一實施例中，上述的保護層具有多個檢測開口，各檢測開口對應於其中一檢測開關的源極與其中一第一導線段，各第二導線段配置於保護層上並位於其中一檢測開口中以將檢測開關的源極電性連接至第一導線段。
在本發明的一實施例中，上述的第二導線段介於第一導線段與基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的導電接墊透過接墊開口接觸第一導線段。
在本發明的一實施例中，上述的第一導線段與各檢測開關的閘極為相同膜層。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件陣列基板更包括多個輔助接墊，各輔助接墊位於其中一個導電接墊與其中一條檢測走線之間，以使導電接墊透過輔助接墊電性連接至檢測走線。
在本發明的一實施例中，上述的輔助接墊與各檢測開關的源極與汲極為相同膜層。
在本發明的一實施例中，上述的第一導線段與各檢測開關的源極與汲極為相同膜層。
在本發明的一實施例中，上述的第二導線段的材料包括導電氧化物、金屬、有機導電材料或其組合。
在本發明的一實施例中，上述的檢測控制線包括一第一檢測控制線、一第二檢測控制線以及一第三檢測控制線，分別連接第2n-1個檢測開關、第2n個檢測開關與第2n+1個檢測開關，且n為正整數。
在本發明的一實施例中，上述的各畫素結構包括一掃描線、一資料線、一主動元件以及一畫素電極。掃描線用以控制主動元件的開關與否，且主動元件開啟時主動元件用以將資料線上的一訊號傳遞給畫素電極。
在本發明的一實施例中，上述的各檢測走線連接至其中 一個畫素結構的資料線。
在本發明的一實施例中，上述的各畫素結構更包括一共用電極，其與畫素電極構成一儲存電容。
在本發明的一實施例中，上述的畫素電極與共用電極的其中一者位於另一者與基板之間，且其中一者與各檢測走線的第二導線段為相同膜層。
基於上述，當提供檢測開關的閘極一低電壓，而欲使檢測開關為關閉狀態時，由於本發明採用導電率低於第一導線段的第二導線段，且第二導線段介於第一導線段與對應的檢測開關之間，可有效的降低經由檢測開關之漏電，進而確保顯示品質不受影響。再者，藉由本發明採用導電率低於第一導線段的第二導線段之設計，於面板製程中無需進行雷射切割製程，具有提高製程效率以及良率之特點。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
A‧‧‧區域
E1、E2‧‧‧電極
I-I’‧‧‧剖線
IC‧‧‧積體電路
10、20、30、40、50、60‧‧‧主動元件陣列基板
100、1100‧‧‧基板
120、1120‧‧‧顯示區
140、1140‧‧‧周邊區
200、1200‧‧‧檢測電路
220、1220‧‧‧檢測開關
222、1222‧‧‧閘極
224、1224‧‧‧主動層
226、1226‧‧‧源極
228、1228‧‧‧汲極
240、1240‧‧‧檢測控制線
242、1242‧‧‧第一檢測控制線
244、1244‧‧‧第二檢測控制線
246、1246‧‧‧第三檢測控制線
260、1260‧‧‧檢測走線
262、1262、262B、1262A‧‧‧第一導線段
264、264A、264B、264C、1264‧‧‧第二導線段
300、1300‧‧‧畫素結構
320、1320‧‧‧掃描線
340、1340‧‧‧資料線
360、1360‧‧‧主動元件
380、1380‧‧‧畫素電極
400、1400‧‧‧保護層
420、1420‧‧‧接墊開口
1440‧‧‧檢測開口
500、1500‧‧‧導電接墊
600、1600‧‧‧絕緣層
700、1700‧‧‧輔助接墊
圖1A是本發明之第一實施例之主動元件陣列基板的上視圖。
圖1B為畫素結構中畫素電極、共用電極與基板的配置關係。
圖2為圖1A中區域A之局部放大圖。
圖3為圖2中沿剖線I-I’之主動元件陣列基板的剖面示意 圖。
圖4為本發明之第二實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。
圖5為本發明之第三實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。
圖6為本發明之第四實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。
圖7是本發明之第五實施例之主動元件陣列基板的上視圖。
圖8為圖7之主動元件陣列基板的局部剖面示意圖。
圖9為本發明之第六實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。
圖1A是本發明之第一實施例之主動元件陣列基板的上視圖。圖2為圖1A中區域A之局部放大圖。圖3為圖2中沿剖線I-I’之主動元件陣列基板的剖面示意圖。請同時參照圖1A、圖2與圖3，主動元件陣列基板10包括一基板100、一檢測電路200、多個畫素結構300、一保護層400以及多個導電接墊500。基板100具有一顯示區120以及顯示區120外的一周邊區140。檢測電路200配置於基板100上並包括多個檢測開關220、多條檢測控制線240以及多條檢測走線260。各檢測開關220位於周邊區140中並由其中一條檢測控制線240控制而開啟或關閉。各檢測走線260 連接於其中一個檢測開關220，且各檢測走線260包括一第一導線段262以及一第二導線段264，其中第二導線段264位於第一導線段262與對應的一個檢測開關220之間，且第二導線段264的導電率低於第一導線段262。多個畫素結構300配置於基板100上且位於顯示區120中，各畫素結構300連接其中一條檢測走線260的第一導線段262。保護層400覆蓋檢測電路200的檢測開關220並且具有多個接墊開口420，其中各接墊開口420對應於其中一個第一導線段262。多個導電接墊500配置於保護層400上，並且各導電接墊500位於其中一接墊開口420中以電性連接至其中一檢測走線260。
詳細來說，各檢測開關220包括一閘極222、一主動層224、一源極226以及一汲極228，且閘極222介於基板100與主動層224之間，主動層224位於源極226與汲極228之間，源極226與汲極228接觸於主動層224，閘極222藉由一絕緣層600與主動層224、源極226與汲極228分隔，且源極226連接於其中一檢測走線260的第一導線段262。檢測控制線240包括一第一檢測控制線242、一第二檢測控制線244以及一第三檢測控制線246，分別連接第2n-1個檢測開關220、第2n個檢測開關220與第2n+1個檢測開關220，且n為正整數。
一般來說，基於設定的顯示色彩畫素結構300可劃分為紅色畫素結構、藍色畫素結構與綠色畫素結構，而第一檢測控制線242、第二檢測控制線244以及第三檢測控制線246可分別用來 檢測紅色畫素結構、藍色畫素結構與綠色畫素結構。因此，第一檢測控制線242可以視為紅色檢測控制線，第二檢測控制線244可以視為藍色檢測控制線，而第三檢測控制線246可以視為綠色檢測控制線。在其他的實施例中，檢測控制線240可以有五條而更包括第四檢測控制線與第五檢測控制線，分別用來控制第2n-1個檢測開關220與第2n個檢測開關220。也就是說，第四條檢測控制線用來檢測奇數列的畫素結構300而第五條檢測控制線用來檢測偶數列的畫素結構300。
再者，由圖3可知，第一導線段262為介於第二導線段264與基板100之間，且第二導線段264介於源極226與閘極222之間。如此一來，第一導線段262與各檢測開關220的閘極222可由相同膜層所構成，即第一導線段262與各檢測開關220的閘極222可以一製程步驟同時製作，無需新增加額外製程。在本實施例中，檢測走線260劃分為兩個線段，其中第二導線段264的材料包括導電氧化物、金屬、有機導電材料或其組合。第一導線段262的材質也可以包括導電氧化物、金屬、有機導電材料或其組合，不過，本實施例可以藉由材質的選擇使得第二導線段264的導電率低於第一導線段262。
各畫素結構300包括一掃描線320、一資料線340、一主動元件360以及一畫素電極380，其中掃描線320用以控制主動元件360的開關與否，且主動元件360開啟時主動元件360用以將資料線340上的訊號傳遞給畫素電極380。各畫素結構300更包括 一共用電極(未繪示)，其與畫素電極380構成一儲存電容。在一實施例中，如圖1B所示，畫素電極380與共用電極的其中一者(例如電極E1)位於另一者(例如電極E2)與基板100之間時，其中一者(例如電極E1)可與對應的檢測走線260的第二導線段264為相同膜層，而另一者(例如電極E2)可與導電接墊500為相同膜層。並且，電極E2例如設置有多個狹縫，以使畫素結構300構成一邊緣電場形式(fringe field type)的畫素結構。此時，檢測走線260的第二導線段264可以採用既有元件(例如電極E2)的膜層來製作，無需增加額外的製程步驟。
畫素結構300中的資料線340與其中一條檢測走線260之第一導線段262相連。如此一來，當提供一高電壓給檢測開關220的閘極222，即檢測開關220為開啟狀態時，來自檢測控制線240的檢測訊號可通過開啟的檢測開關220以傳遞至檢測走線260的第二導線段264、第一導線段262進而輸入至資料線340。此時，畫素結構300的主動元件360的開啟或關閉，即可藉由檢測訊號是否傳遞至畫素電極380來實現主動元件陣列基板10的檢測。
除上述之外，本實施例之主動元件陣列基板10更可包括多個輔助接墊700，各輔助接墊700位於其中一個導電接墊500與其中一條檢測走線260之間，以使導電接墊500透過輔助接墊700電性連接至檢測走線260，其中輔助接墊700與各檢測開關220的源極226與汲極228以相同膜層所構成，即輔助接墊700、源極226以及汲極228可以一製程步驟同時製成，無需新增加額外製 程。
當檢測完成之後，主動元件陣列基板10可以應用於顯示面板中。顯示面板顯示畫面時，畫素結構300的顯示訊號改由積體電路IC提供而不會由檢測控制線240提供，其中積體電路IC可接合於導電接墊500上。此時，提供一低電壓給檢測開關220的閘極222，使檢測開關220為關閉狀態，則顯示訊號可經由導電接墊500、輔助接墊700、第二導線段264與第一導線段262傳遞至資料線340。本實施例的第二導線段264的導電率低於第一導線段262的導電率，檢測開關220處於關閉狀態時，顯示訊號不容易經由第二導線段264傳遞至檢測開關220，這使得顯示訊號不會由關閉的檢測開關220洩漏出去(此效應可稱穿隧效應)。據此，主動元件陣列基板10可維持理想的操作品質，且主動元件陣列基板10應用於顯示面板來驅動顯示介質時，有助於確保顯示面板的顯示品質。
再者，由於本實施例之主動元件基板10利用導電率較低的第二導線段264來降低穿隧效應的發生，檢測電路200保留於主動元件陣列基板10上也不會影響主動元件陣列基板10的操作品質。故於面板製程中無需再進行雷射切割製程以將檢測電路200切除，有助於提高製程效率以及良率。另外，如上所述，第一導線段262與第二導線段264可以採用既有的膜層製作，因此本實施例無須增加額外製程即可實現導電率低於第一導線段262的第二導線段264之設計。
圖4為本發明之第二實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。在本實施例中，主動元件陣列基板20與主動元件陣列基板10相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，並省略描述。本實施例的主動元件陣列基板20與主動元件陣列基板10的主要差別在於：源極226介於第二導線段264A與閘極222之間，且導電接墊500透過其中一接墊開口420中以連接至其中一檢測走線260的第二導線段264A。在本實施例中，主動元件陣列基板20可不需設置有輔助接墊700。
圖5為本發明之第三實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。在本實施例中，主動元件陣列基板30與主動元件陣列基板10相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，並省略描述。本實施例的主動元件陣列基板30與主動元件陣列基板10的主要差別在於：第二導線段264B介於第一導線段262B與基板100之間，且導電接墊500透過接墊開口420接觸第一導線段262B。在本實施例中，主動元件陣列基板30可不需設置有主動元件陣列基板10的輔助接墊700。另外，第一導線段262B與各檢測開關220的源極226與汲極228以相同膜層所構成。進一步而言，圖中雖未繪示，但畫素結構中的資料線與對應的檢測走線260的第一導線段262B可以由相同膜層構成而為一體成型的導體線路。
圖6為本發明之第四實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。在本實施例中，主動元件陣列基板40與主動元件陣列基 板10相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，並省略描述。本實施例的主動元件陣列基板40與主動元件陣列基板10的主要差別在於：各檢測開關220的源極226與檢測走線260的第二導線段264C為一體成形。在本實施例中，主動元件陣列基板40可不需設置有主動元件陣列基板10的輔助接墊700，但也可考慮設置有輔助接墊700。
圖7是本發明之第五實施例之主動元件陣列基板的上視圖。圖8為圖7之主動元件陣列基板的局部剖面示意圖。請同時參照圖7與圖8，主動元件陣列基板50包括一基板1100、一檢測電路1200、多個畫素結構1300、一保護層1400以及多個導電接墊1500。基板1100具有一顯示區1120以及顯示區1120外的一周邊區1140。檢測電路1200配置於基板1100上並包括多個檢測開關1220、多條檢測控制線1240以及多條檢測走線1260。各檢測開關1220位於周邊區1140中並由其中一條檢測控制線1240控制而開啟或關閉。各檢測走線1260連接於其中一個檢測開關1220，且各檢測走線1260包括一第一導線段1262以及一第二導線段1264，其中第二導線段1264位於第一導線段1262與對應的一個檢測開關1220之間，且第二導線段1264的導電率低於第一導線段1262。多個畫素結構1300配置於基板1100上且位於顯示區1120中，各畫素結構1300連接其中一條檢測走線1260的第一導線段1262。保護層1400覆蓋檢測電路1200的檢測開關1220並且具有多個接墊開口1420，其中各接墊開口1420對應於其中一個第一導 線段1262。多個導電接墊1500配置於保護層1400上，並且各導電接墊1500位於其中一接墊開口1420中以電性連接至其中一檢測走線1260。
詳細來說，各檢測開關1220包括一閘極1222、一主動層1224、一源極1226以及一汲極1228，且閘極1222介於基板1100與主動層1224之間，主動層1224位於源極1226與汲極1228之間，源極1226與汲極1228接觸於主動層1224，閘極1222藉由一絕緣層1600與主動層1224、源極1226與汲極1228分隔，且源極1226連接於其中一檢測走線1260的第一導線段1262。檢測控制線1240包括一第一檢測控制線1242、一第二檢測控制線1244以及一第三檢測控制線1246，分別連接第2n-1個檢測開關1220、第2n個檢測開關1220與第2n+1個檢測開關1220，且n為正整數。如前述實施例一般，顯示色彩畫素結構1300可劃分為紅色畫素結構、藍色畫素結構與綠色畫素結構，而第一檢測控制線1242、第二檢測控制線1244以及第三檢測控制線1246可分別用來檢測紅色畫素結構、藍色畫素結構與綠色畫素結構。另外，檢測控制線1240可以有五條而更包括第四檢測控制線與第五檢測控制線，分別用來控制第2n-1個檢測開關1220與第2n個檢測開關1220。
在本實施例中，源極1226介於第二導線段1264與閘極1222之間，且保護層1400具有多個檢測開口1440。各檢測開口1440對應於其中一個檢測開關1220的源極1226與其中一第一導線段1262，各第二導線段1264配置於保護層1400上並位於其中 一檢測開口1440中以將檢測開關1220的源極1226電性連接至第一導線段1262，其中第二導線段1264的材料包括導電氧化物、金屬、有機導電材料或其組合且第二導線段1264的導電率低於第一導線段1262。
各畫素結構1300包括一掃描線1320、一資料線1340、一主動元件1360以及一畫素電極1380，其中掃描線1320用以控制主動元件1360的開關與否，且主動元件1360開啟時主動元件1360用以將資料線1340上的一訊號傳遞給畫素電極1380。此時，畫素結構1300可例如為一垂直配向形式(Vertical Alignment type)的畫素結構、扭轉陣列式的畫素結構、同平面切換式的畫素結構或是其他設計型態的畫素結構。
畫素結構1300中的資料線1340與其中一條檢測走線1260之第一導線段1262相連。進一步而言，資料線1340與對應的檢測走線1260的第一導線段1262可以由相同膜層構成而為一體成型的導體線路。如此一來，當提供檢測開關1220的閘極1222一高電壓，即檢測開關1220為開啟狀態時，則檢測訊號可經由檢測檢測控制線1240的第一檢測控制線1242、第二檢測控制線1244以及第三檢測控制線1246分別傳遞至對應的檢測開關1220的汲極1228，再通過開啟的檢測開關1220依序傳遞至檢測走線1260的第二導線段1264、第一導線段1262進而輸入至資料線1340。此時，搭配掃描線1320開啟主動元件1360，則可將檢測訊號傳遞至畫素電極1380，據此可實現主動元件陣列基板50的檢測。
再者，本實施例之主動元件陣列基板50更可包括多個輔助接墊1700，各輔助接墊1700位於其中一個導電接墊1500與其中一條檢測走線1260之間，以使導電接墊1500透過輔助接墊1700電性連接至檢測走線1260，其中輔助接墊1700與各檢測開關1220的源極1226與汲極1228以相同膜層所構成，即輔助接墊1700、源極1226以及汲極1228可以一製程步驟同時製作，無需新增加額外製程。
當檢測完成之後，主動元件陣列基板50可以應用於顯示面板中。顯示面板顯示畫面時，畫素結構1300的顯示訊號改由積體電路IC提供，其中積體電路IC可接合於導電接墊1500上。此時，提供一低電壓給檢測開關1220的閘極1222，使檢測開關1220為關閉狀態，則顯示訊號經由導電接墊1500、輔助接墊1700、第二導線段1264與第一導線段1262傳遞至資料線1340。本實施例的第二導線段1264的導電率低於第一導線段1262的導電率，檢測開關1220處於關閉狀態時，顯示訊號不容易經由第二導線段1264傳遞至檢測開關1220，這使得顯示訊號不容易由關閉的檢測開關1220洩漏出去(此效應可稱穿隧效應)。據此，主動元件陣列基板50可維持理想的操作品質，且主動元件陣列基板50應用於顯示面板來驅動顯示介質時，有助於確保顯示面板的顯示品質。
再者，由於本實施例之主動元件基板50利用導電率較低的第二導線段1264來抑制由積體電路IC發出的顯示/檢測訊號傳遞至檢測開關1220，檢測電路1200保留於主動元件陣列基板50 上也不會影響主動元件陣列基板50的操作品質。故於面板製程中無需再進行雷射切割製程以將檢測電路1200切除，有助於提高製程效率以及良率。進一步而言，第一導線段1262與第二導線段1264可以採用既有的膜層製作，因此本實施例無須增加額外製程即可實現導電率低於第一導線段1262的第二導線段1264之設計。
圖9為本發明之第六實施例之主動元件陣列基板的剖面示意圖。在本實施例中，主動元件陣列基板60與主動元件陣列基板50相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，並省略描述。本實施例的主動元件陣列基板60與主動元件陣列基板50的主要差別在於：第一導線段1262A與各檢測開關1220的源極1226與汲極1228為相同膜層。
綜上所述，本發明由於第二導線段的導電率低於第一導線段的導電率，第二導線段位於第一導線段與檢測開關之間，且導電接墊對應於第一導線段設置，檢測開關處於關閉狀態下，由導電接墊輸入的顯示/檢測訊號不由會第二導線段傳遞至檢測開關而洩漏。據此，主動元件陣列基板可維持理想的操作品質。主動元件陣列基板應用於顯示面板來驅動顯示介質時，有助於確保顯示面板的顯示品質。再者，由於本實施例之主動元件基板具有上述之特點，檢測電路保留於主動元件陣列基板上也不會影響主動元件陣列基板的操作品質。故於面板製程中無需再進行雷射切割製程以將檢測電路切除，有助於提高製程效率以及良率。進一步而言，第一導線段與第二導線段可以採用既有的膜層製作，因此 本實施例無須增加額外製程即可實現導電率低於第一導線段的第二導線段之設計。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
I-I’‧‧‧剖線
IC‧‧‧積體電路
10‧‧‧主動元件陣列基板
100‧‧‧基板
220‧‧‧檢測開關
222‧‧‧閘極
224‧‧‧主動層
226‧‧‧源極
228‧‧‧汲極
260‧‧‧檢測走線
262‧‧‧第一導線段
264‧‧‧第二導線段
400‧‧‧保護層
420‧‧‧接墊開口
500‧‧‧導電接墊
600‧‧‧絕緣層
700‧‧‧輔助接墊

Claims (13)

  1. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一顯示區以及該顯示區外的一周邊區；一檢測電路，配置於該基板上並包括多個檢測開關、多條檢測控制線以及多條檢測走線，各該檢測開關位於該周邊區中並由其中一條檢測控制線控制而開啟或關閉，各該檢測走線連接於其中一個檢測開關，且各該檢測走線包括一第一導線段以及一第二導線段，該第二導線段位於該第一導線段與對應的一個檢測開關之間且該第二導線段的導電率低於該第一導線段；多個畫素結構，配置於該基板上，位於該顯示區中，且各該畫素結構連接其中一條檢測走線的該第一導線段；一保護層，覆蓋該檢測電路的該些檢測開關並且具有多個接墊開口，其中各該接墊開口對應於其中一該第一導線段；以及多個導電接墊，配置於該保護層上，並且各該導電接墊位於其中一該接墊開口中以電性連接至其中一該檢測走線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中各該檢測開關包括一閘極、一主動層、一源極以及一汲極，且該閘極介於該基板與該主動層之間，該主動層位於該源極與該汲極之間，該源極與該汲極接觸於該主動層，該閘極藉由一絕緣層與該主動層、該源極與該汲極分隔，且該源極連接於其中一該檢測走線的該第一導線段。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的主動元件陣列基板，其中各 該檢測開關的該源極與該檢測走線的該第二導線段為一體成形。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的主動元件陣列基板，其中該第一導線段介於該第二導線段與該基板之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的主動元件陣列基板，其中該第二導線段介於該源極與該閘極之間。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的主動元件陣列基板，其中該源極介於該第二導線段與該閘極之間，且該保護層具有多個檢測開口，各該檢測開口對應於其中一該檢測開關的該源極與其中一該第一導線段，各該第二導線段配置於該保護層上並位於其中一該檢測開口中以將該檢測開關的該源極電性連接至該第一導線段。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的主動元件陣列基板，其中該些第二導線段介於該些第一導線段與該基板之間，且該些導電接墊透過該些接墊開口接觸該些第一導線段。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的主動元件陣列基板，其中該第一導線段與各該檢測開關的該閘極為相同膜層，且該主動元件陣列基板更包括多個輔助接墊，各該輔助接墊位於其中一個導電接墊與其中一條檢測走線之間，以使該導電接墊透過該輔助接墊電性連接至該檢測走線。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的主動元件陣列基板，其中該些輔助接墊與各該檢測開關的該源極與該汲極為相同膜層。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的主動元件陣列基板，其中 該第一導線段與各該檢測開關的該源極與該汲極為相同膜層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中各該畫素結構包括一掃描線、一資料線、一主動元件以及一畫素電極，該掃描線用以控制該主動元件的開關與否，且該主動元件開啟時該主動元件用以將該資料線上的一訊號傳遞給該畫素電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的主動元件陣列基板，其中各該檢測走線連接至其中一個畫素結構的該資料線。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的主動元件陣列基板，其中各該畫素結構更包括一共用電極，該共用電極與該畫素電極構成一儲存電容，且該畫素電極與該共用電極的其中一者位於另一者與該基板之間，且該其中一者與各該檢測走線的該第二導線段為相同膜層。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI683292B (zh) * 2018-09-20 2020-01-21 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
CN112420737A (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 友达光电股份有限公司 像素阵列基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100832613B1 (ko) * 2003-05-07 2008-05-27 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ 표시 장치
KR101051008B1 (ko) * 2004-08-24 2011-07-21 삼성전자주식회사 어레이 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된 어레이 기판
JP4298726B2 (ja) * 2006-07-07 2009-07-22 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
JP5140999B2 (ja) 2006-11-22 2013-02-13 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
TWI400785B (zh) 2007-07-12 2013-07-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 主動元件陣列基板
TWI352849B (en) * 2007-07-17 2011-11-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active matrix substrate
CN101424841A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置及其制造方法
TWI368779B (en) * 2008-02-15 2012-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Peripheral circuit
TWI370310B (en) * 2008-07-16 2012-08-11 Au Optronics Corp Array substrate and display panel thereof
TWI387807B (zh) * 2008-08-11 2013-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 接墊結構、主動元件陣列基板以及液晶顯示面板
CN101726943B (zh) * 2008-10-21 2012-08-22 华映视讯（吴江）有限公司 主动元件阵列基板、液晶显示面板及两者的检测方法

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