TWI400785B - 主動元件陣列基板 - Google Patents

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Description

主動元件陣列基板
本發明是有關於一種陣列基板，且特別是有關於一種主動元件陣列基板。
由於顯示器的需求與日遽增，因此業界全力投入相關顯示器的發展。其中，又以陰極射線管(cathode ray tube,CRT)因具有優異的顯示品質與技術成熟性，因此長年獨佔顯示器市場。然而，近來由於綠色環保概念的興起對於其能源消耗較大與產生輻射量較大的特性，加上產品扁平化空間有限，因此無法滿足市場對於輕、薄、短、小、美以及低消耗功率的市場趨勢。因此，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之薄膜電晶體液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display,TFT－LCD)已逐漸成為市場之主流。
以薄膜電晶體液晶顯示模組(TFT－LCD module)而言，其主要係由一液晶顯示面板(liquid crystal display panel)及一背光模組(backlight module)所構成。其中，液晶顯示面板通常是由一薄膜電晶體陣列基板(thin film transistor array substrate)、一彩色濾光基板(color filter substrate)與配置於此兩基板間之一液晶層所構成，而背光模組用以提供此液晶顯示面板所需之面光源，以使液晶顯示模組達到顯示的效果。
薄膜電晶體陣列基板可分為顯示區(display region)與周邊線路區(peripheral circuit region)，其中在顯示區上配置有以陣列排列之多個畫素單元，而每一畫素單元包括薄膜電晶體以及與薄膜電晶體連接之畫素電極(pixel electrode)。另外，在周邊線路區與顯示區上內配置有多條掃描配線(scan line)與資料配線(data line)，其中每一個畫素單元之薄膜電晶體由對應之掃描配線與資料配線所控制。
為了避免在製造過程中產生靜電破壞的問題，通常會於薄膜電晶體陣列基板的周邊線路區上配置一靜電放電(electrostatic diScharge,ESD)保護線路，其中靜電放電保護線路包括外部靜電放電保護環(outer short ring,OSR)以及內部靜電放電保護環(inner short ring,ISR)。在完成整個薄膜電晶體陣列基板的製作之後，通常會進行一切割製程，以移除外部靜電放電保護環。然而，移除外部靜電放電保護環後之薄膜電晶體陣列基板對於靜電放電的防護能力便下降。
本發明提供一種主動元件陣列基板，以提高靜電放電防護能力。
本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括一基板、一畫素陣列、多個接墊、多個第一開關元件與多個第二開關元件。其中，基板具有一周邊電路區與一顯示區，而畫素陣列配置於顯示區上。接墊配置於周邊電路區上，並與畫素陣列電性連接。第一開關元件配置該周邊電路區上，並位於接墊外側，且各第一開關元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中閘極與源極電性連接，且閘極與接墊電性連接。第二開關元件配置周邊電路區上，並位於這些接墊外側。各第二開關元件分別電性連接於兩相鄰之第一開關元件，而各第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極。其中，源極與相鄰之第一開關元件之汲極電性連接，且汲極與相鄰之第一開關元件之源極電性連接。
在本發明之一實施例中，各第二開關元件之閘極為一浮動閘極。
在本發明之一實施例中，各第二開關元件之閘極與源極電性連接。
在本發明之一實施例中，主動元件陣列基板更包括一連接線，其配置於周邊電路區上，並位於第一開關元件與第二開關元件的外側。各第二開關元件之源極電性連接至連接線，且各第二開關元件之閘極為一浮動閘極。
在本發明之一實施例中，這些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括一基板、一畫素陣列、多個接墊、多個第一開關元件與多個第二開關元件。其中，基板具有一周邊電路區與一顯示區，而畫素陣列配置於顯示區上。接墊配置於周邊電路區上，並與畫素陣列電性連接。第一開關元件配置該周邊電路區上，並位於接墊外側，且各第一開關元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中閘極與源極電性連接，而閘極與接墊電性連接，且汲極為浮動汲極。第二開關元件配置周邊電路區上，並位於接墊外側。各第一開關元件分別與這些第一開關其中之一電性連接，而各第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中汲極與第一開關元件之源極電性連接。此外，源極為浮動源極，閘極為浮動閘極。
在本發明之一實施例中，這些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括一基板、一畫素陣列、多個接墊、多個第一開關元件、多個第二開關元件與一外部靜電放電保護環。其中，基板具有一周邊電路區與一顯示區，而畫素陣列配置於顯示區上。接墊配置於周邊電路區上，並與畫素陣列電性連接。第一開關元件配置該周邊電路區上，並位於接墊外側，且各第一開關元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中閘極與源極電性連接，且閘極與接墊電性連接。第二開關元件配置周邊電路區上，並位於這些接墊外側。各第二開關元件分別電性連接於兩相鄰之第一開關元件，而各第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極。其中，源極與相鄰之第一開關元件之汲極電性連接，且汲極與相鄰之第一開關元件之源極電性連接。外部靜電放電保護環配置周邊電路區上，並位於第一開關元件與第二開關元件外側，且各第二開關元件之閘極電性連接至外部靜電放電保護環。
在本發明之一實施例中，各第二開關元件之源極電性連接至外部靜電放電保護環。
在本發明之一實施例中，各第二開關元件之閘極與源極電性連接。
在本發明之一實施例中，主動元件陣列基板更包括一連接線，其配置於周邊電路區上，並位於第一開關元件與第二開關元件的外側以及外部靜電放電保護環的內側。各第二開關元件之源極電性連接至連接線，且各第二開關元件之閘極電性連接至外部靜電放電保護環。
在本發明之一實施例中，這些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括一基板、一畫素陣列、多個接墊、多個第一開關元件、多個第二開關元件與一外部靜電放電保護環。其中，基板具有一周邊電路區與一顯示區，而畫素陣列配置於顯示區上。接墊配置於周邊電路區上，並與畫素陣列電性連接。第一開關元件配置該周邊電路區上，並位於接墊外側，且各第一開關元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中閘極與源極電性連接，而閘極與接墊電性連接。第二開關元件配置周邊電路區上，並位於接墊外側。各第一開關元件分別與這些第一開關其中之一電性連接，而各第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中汲極與第一開關元件之源極電性連接。外部靜電放電保護環配置周邊電路區上，並位於第一開關元件與第二開關元件外側，且各第二開關元件之閘極與源極分別電性連接至外部靜電放電保護環，且各第一開關元件之汲極電性連接至外部靜電放電保護環。
在本發明之一實施例中，這些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
基於上述，本發明採用第一開關元件與第二開關元件，以電性連接各接墊，因此此種主動陣列基板具有靜電放電防護的功能。此外，各接墊間也可以電性絕緣，以降低訊號的相互干擾。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
 第一實施例
圖1A是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。圖1B是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
請參考圖1A，本實施例的主動元件陣列基板製造方法包括下列步驟。首先，提供一基板110，而此基板110具有一周邊電路區110a與一顯示區110b，其中在顯示區110b上已形成一畫素陣列120。此畫素陣列120通常包括多條掃描線、多條資料線、多個薄膜電晶體以及多個畫素電極，但為了簡化說明，畫素陣列120的細部結構便不再繪出。此外，在周邊電路區110a上已形成多個接墊130、多個第一開關元件140、多個第二開關元件150以及一外部靜電放電保護環(outer short ring,OSR)160。接墊130與畫素陣列120電性連接，而此接墊130可以是資料線接墊、掃描線接墊或其他類型的接墊。
第一開關元件140與第二開關元件150位於接墊130的外側，其中各第一開關元件140分別電性連接至這些接墊130其中之一。更詳細而言，各第一開關元件140具有一閘極140g、一源極140s與一汲極140d，其中閘極140g與源極140s電性連接，且閘極140g與接墊130電性連接。換言之，第一開關元件140可以視為一個二極體(diode)。此外，各第二開關元件150分別電性連接於兩相鄰之第一開關元件140。換言之，這些第二開關元件150與這些第一開關元件140電性串聯，因此當靜電放電產生時，電流便可沿著圖1A中的放電路徑B移動而擴散至整個基板110上，以降低發生靜電放電破壞的可能性。各第二開關元件150具有一閘極150g、一源極150s與一汲極150d。其中，源極150s與相鄰之第一開關元件140之汲極140d電性連接，且汲極150d與相鄰之第一開關元件140之源極140s電性連接。另外，各第二開關元件150的源極150s與閘極150g均電性連接至外部靜電放電保護環160。
以下就細部結構進行詳細說明，但值得注意的是，圖1A的等效電路圖所代表的結構並不限定於圖1B所繪示的結構。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，基於圖1A的等效電路圖，應可變化出其他結構。
請參考圖1B，為了簡化說明，畫素陣列120的細部結構便不再繪出。接墊130包括一第一金屬層132、一第二金屬層134、一透明導電層136與多個接觸窗130a、130b，其中第一金屬層132與第二金屬層134分別配置於基板110上，而透明導電層136配置於第一金屬層132與第二金屬層134上方。此外，透明導電層136經由接觸窗130a電性連接至第一金屬層132，且透明導電層136經由接觸窗130b電性連接第二金屬層134。
第一開關元件140包括一閘極140g、一源極140s、一汲極140d、多個接觸窗142a、142b、一半導體層144、一透明導電層146，其中閘極140g配置於基板110上，並與接墊130的第一金屬層132相連。半導體層144配置於閘極140g上方，而源極140s與汲極140d分別覆蓋部分半導體層144。透明導電層146配置於部分源極140s上方以及部分閘極140g上方，且透明導電層146經由接觸窗142a與源極140s電性連接。透明導電層146經由接觸窗142b與閘極140g電性連接。因此，第一開關元件140的源極140s便經由透明導電層146電性連接至閘極140g。此外，汲極140d連接至外部靜電放電保護環160。
第二開關元件150包括一閘極150g、一源極150s、一汲極150d以及一半導體層152。其中，閘極150g配置於基板110上，而半導體層152配置於閘極150g上方。源極150s與汲極150d分別覆蓋部分半導體層152，其中汲極150d與第一開關元件140的源極140s相連，而源極150s與閘極150g均連接至外部靜電放電保護環160。此外，源極150s與相鄰的第一開關元件140的汲極140d相連。因此，第二開關元件150與第一開關元件140電性串聯。
外部靜電放電保護環160包括一第一金屬層162、一第二金屬層164、一透明導電層166與多個接觸窗168a、168b，其中第一金屬層162配置於基板110上，而第二開關元件150的閘極150g與第一金屬層162相連。第二金屬層164配置於基板110上，並覆蓋部分第一金屬層162。此外，第二開關元件150的源極150s以及第一開關元件140的汲極140d均連接至第二金屬層164。透明導電層166覆蓋第一金屬層162與第二金屬層164，其中透明導電層166經由接觸窗168a電性連接至第一金屬層162，且透明導電層166經由接觸窗168b電性連接至第二金屬層164。
請繼續參考圖1A與圖1B，然後，沿著切割線A進行一切割製程，以移除外部靜電放電保護環160。此時，便完成主動元件陣列基板100的製程。
圖2A是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。圖2B是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請參考圖2A與圖2B，經過切割製程後，各第二開關元件150之閘極150g成為一浮動閘極。換言之，閘極150g並未與任何線路相連。由於這些接墊130經由第一開關元件140與第二開關元件150電性串聯，因此當靜電放電發生時，電流便可沿著放電路徑B而擴散至整個主動元件陣列基板100，以降低發生靜電放電破壞的情況發生。換言之，此主動元件陣列基板100具有靜電放電防護的功能。
第二實施例
圖3A是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。圖3B是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請先參考圖3A，本實施例與第一實施例相似，其不同之處在於：各第二開關元件250之閘極250g與源極250s電性連接。因此，第二開關元件250可以視為一個二極體。此外，第二開關元件250的汲極250d與第一開關元件140的源極140s電性連接。
以下就細部結構進行詳細說明，但值得注意的是，圖3A的等效電路圖所代表的結構並不限定於圖3B所繪示的結構。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，基於圖3A的等效電路圖，應可變化出其他結構。
請參考圖3B，更詳細而言，第二開關元件250包括一閘極250g、一源極250s、一汲極250d、一半導體層252、一透明導電層254與多個接觸窗256a、256b。其中，閘極250g配置於基板110上，並連接至外部靜電放電保護環160的第一金屬層162。半導體層252位於閘極250g上方。源極250s與汲極250d分別覆蓋部分半導體層252。此外，在本實施例中，源極250s更跨過閘極250g，且透明導電層254覆蓋於部分源極250s與閘極250g。透明導電層254經由接觸窗256a與閘極250g電性連接，且透明導電層254經由接觸窗256b與源極250s電性連接。由於這些第二開關元件550與這些第一開關元件140電性串聯，因此當靜電放電產生時，電流便可沿著放電路徑B移動而擴散至整個基板110上，以降低發生靜電放電破壞的可能性。
請繼續參考圖3A與圖3B，然後，沿著切割線A進行一切割製程，以移除外部靜電放電保護環160。此時，便完成主動元件陣列基板200的製程。
圖4A是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。圖4B是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請參考圖4A與圖4B，在經過切割製程後，各第二開關元件250之閘極250g被切斷。此外，各第二開關元件250之閘極250g與源極250s電性連接。換言之，在本實施例中，第二開關元件250與第一開關元件140可以視為兩個二極體串聯。由於這些接墊130經由第一開關元件140與第二開關元件250電性串聯，因此當靜電放電發生時，電流便可沿著放電路徑B而擴散至整個主動元件陣列基板200，以降低發生靜電放電破壞的情況發生。換言之，此主動元件陣列基板200具有靜電放電防護的功能。再者，由於切割製程僅切斷各第二開關元件250之閘極250g，因此由切割製程所產生的金屬碎屑所造成的線路短路的可能性便能夠降低。
第三實施例
圖5A是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。圖5B是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請先參考圖5A，本實施例與第一實施例相似，其不同之處在於：在基板110的周邊電路區110a上更形成一連接線370，其配置於第一開關元件140與第二開關元件150的外側，且各第二開關元件150的源極150s電性連接至連接線370。
以下就細部結構進行詳細說明，但值得注意的是，圖5A的等效電路圖所代表的結構並不限定於圖5B所繪示的結構。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，基於圖5A的等效電路圖，應可變化出其他結構。
請參考圖5B，更詳細而言，連接線370配置於周邊電路區110a上，並位於第一開關元件140與第二開關元件150的外側。此外，連接線370跨過各第二開關元件150之閘極150g，而各第二開關元件150之源極150s電性連接至連接線370。由於這些第二開關元件150與這些第一開關元件140電性串聯，因此當靜電放電產生時，電流便可沿著放電路徑B移動而擴散至整個基板110上，以降低發生靜電放電破壞的可能性。此外，連接線370也有助於降低發生靜電放電破壞的可能性。
請繼續參考圖5A與圖5B，然後，沿著切割線A進行一切割製程，以移除外部靜電放電保護環160。此時，便完成主動元件陣列基板300的製程。
圖6A是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。圖6B是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請參考圖6A與圖6B，在經過切割製程後，各第二開關元件150之閘極150g成為一浮動閘極。換言之，閘極150g並未與任何線路相連。
由於這些接墊130經由第一開關元件140與第二開關元件150電性串聯，且各第二開關元件150之源極150s更經由連接線370電性串聯，因此當靜電放電發生時，電流便可沿著放電路徑B以及連接線370而擴散至整個主動元件陣列基板300，以降低發生靜電放電破壞的情況發生。換言之，此主動元件陣列基板300具有較佳的靜電放電防護的功能。再者，由於切割製程僅切斷各第二開關元件150之閘極150g，因此由切割製程所產生的金屬碎屑所造成的線路短路的可能性便能夠降低。
第四實施例
圖7A是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。圖7B是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請先參考圖7A，本實施例與第一實施例相似，其不同之處在於：第一開關元件140的汲極140d直接連接至外部靜電放電保護環160，而第二開關元件150的源極150s也直接連接至外部靜電放電保護環160。換言之，相較於第一實施例，本實施例之第一開關元件140的汲極140d與第二開關元件150的源極150s個別連接至外部靜電放電保護環160。此外，第一開關元件140的汲極140d與第二開關元件150的源極150s為分離。
以下就細部結構進行詳細說明，但值得注意的是，圖7A的等效電路圖所代表的結構並不限定於圖7B所繪示的結構。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，基於圖7A的等效電路圖，應可變化出其他結構。
請參考圖7B，更詳細而言，第二開關元件150的源極150s覆蓋部分閘極150g，且第二開關元件150的源極150s直接連接至外部靜電放電保護環160之第二金屬層164。此外，第一開關元件140的汲極140d也是直接連接至外部靜電放電保護環160之第二金屬層164。
請繼續參考圖7A與圖7B，然後，沿著切割線A進行一切割製程，以移除外部靜電放電保護環160。此時，便完成主動元件陣列基板400的製程。
圖8A是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。圖8B是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。請參考圖8A與圖8B，在經過切割製程後，各第二開關元件150之閘極150g以及源極150s均被切斷。因此，各第二開關元件150之閘極150g成為一浮動閘極，而各第二開關元件150之源極150s也成為一浮動源極。換言之，閘極150g與源極150s均並未與任何線路相連。此外，第一開關元件140的汲極140d也被切斷，因此第一開關元件140的汲極140d也成為一浮動汲極。同樣地，汲極140d未與任何線路相連。因此，主動元件陣列基板400的各接墊130之間便形成電性斷路，以降低訊號干擾的可能性。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400．．．主動元件陣列基板
110．．．基板
110a．．．周邊電路區
110b．．．顯示區
120．．．畫素陣列
130．．．接墊
132．．．第一金屬層
134．．．第二金屬層
136．．．透明導電層
130a、130b．．．接觸窗
140．．．第一開關元件
140g．．．閘極
140s．．．源極
140d．．．汲極
142a、142b．．．接觸窗
144．．．半導體層
146．．．透明導電層
150．．．第二開關元件
150g．．．閘極
150s．．．源極
150d．．．汲極
152．．．半導體層
160．．．外部靜電放電保護環
162．．．第一金屬層
164．．．第二金屬層
166．．．透明導電層
168a、168b．．．接觸窗
A．．．切割線
B．．．放電路徑
250．．．第二開關元件
250g．．．閘極
250s．．．源極
250d．．．汲極
252．．．半導體層
254．．．透明導電層
256a、256b．．．接觸窗
370．．．連接線
圖1A是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。
圖1B是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖2A是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。
圖2B是本發明之第一實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖3A是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。
圖3B是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖4A是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。
圖4B是本發明之第二實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖5A是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。
圖5B是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖6A是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。
圖6B是本發明之第三實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖7A是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板於切割製程前的等效電路圖。
圖7B是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板的切割製程前的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
圖8A是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板的等效電路圖。
圖8B是本發明之第四實施例之一種主動元件陣列基板的俯視圖，其未繪示畫素陣列。
100．．．主動元件陣列基板
110．．．基板
110a．．．周邊電路區
110b．．．顯示區
120．．．畫素陣列
130．．．接墊
140．．．第一開關元件
140g．．．閘極
140s．．．源極
140d．．．汲極
150．．．第二開關元件
150g．．．閘極
150s．．．源極
150d．．．汲極
160．．．外部靜電放電保護環
A．．．切割線
B．．．放電路徑

Claims (14)

  1. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一周邊電路區與一顯示區；一畫素陣列，配置於該顯示區上；多個接墊，配置於該周邊電路區上，並與該畫素陣列電性連接；多個第一開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，且各該第一開關元件分別與該些接墊其中之一電性連接，其中各該第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，該閘極與該源極電性連接，且該閘極與該接墊電性連接；以及多個第二開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，且各該第二開關元件分別電性連接於兩相鄰之該些第一開關元件，其中各該第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，而該源極與相鄰之該第一開關元件之該汲極電性連接，且該汲極與相鄰之該第一開關元件之該源極電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中各該第二開關元件之該閘極為一浮動閘極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中各該第二開關元件之該閘極與該源極電性連接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，更包括一連接線，配置於該周邊電路區上，並位於該些第一開關元件與該些第二開關元件的外側，且各該第二開關元件之該源極電性連接至該連接線，且各該第二開關元件 之該閘極為一浮動閘極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，其中該些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
  6. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一周邊電路區與一顯示區；一畫素陣列，配置於該顯示區上；多個接墊，配置於該周邊電路區上，並與該畫素陣列電性連接；多個第一開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，而各該第二開關元件分別與該些接墊其中之一電性連接，且各該第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中該閘極與該源極電性連接，而該閘極與該接墊電性連接，且該汲極為浮動汲極；以及多個第二開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，且各該第一開關元件分別與該些第一開關其中之一電性連接，其中各該第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，而該汲極與該第一開關元件之該源極電性連接，且該源極為浮動源極，該閘極為浮動閘極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板，其中該些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
  8. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一周邊電路區與一顯示區；一畫素陣列，配置於該顯示區上；多個接墊，配置於該周邊電路區上，並與該畫素陣列電性連接； 多個第一開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，且各該第一開關元件分別與該些接墊其中之一電性連接，其中各該第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，該閘極與該源極電性連接，且該閘極與該接墊電性連接；多個第二開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，且各該第二開關元件分別電性連接於兩相鄰之該些第一開關元件，其中各該第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，而該源極與相鄰之該第一開關元件之該汲極電性連接，且該汲極與相鄰之該第一開關元件之該源極電性連接；以及一外部靜電放電保護環，配置該周邊電路區上，並位於該些第一開關元件與該些第二開關元件外側，各該第二開關元件之該閘極電性連接至該外部靜電放電保護環。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之主動元件陣列基板，其中各該第二開關元件之該源極電性連接至該外部靜電放電保護環。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之主動元件陣列基板，其中各該第二開關元件之該閘極與該源極電性連接。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之主動元件陣列基板，更包括一連接線，配置於該周邊電路區上，並位於該些第一開關元件與該些第二開關元件的外側以及該外部靜電放電保護環的內側，且各該第二開關元件之該源極電性連接至該連接線，且各該第二開關元件之該閘極電性連接至該外部靜電放電保護環。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之主動元件陣列基板，其中該些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
  13. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板，具有一周邊電路區與一顯示區；一畫素陣列，配置於該顯示區上；多個接墊，配置於該周邊電路區上，並與該畫素陣列電性連接；多個第一開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，而各該第一開關元件分別與該些接墊其中之一電性連接，且各該第一開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，其中該閘極與該源極電性連接，而該閘極與該接墊電性連接；多個第二開關元件，配置該周邊電路區上，並位於該些接墊外側，且各該第二開關元件分別與該些第一開關其中之一電性連接，其中各該第二開關元件具有一閘極、一源極與一汲極，而該汲極與該第一開關元件之該源極電性連接；以及一外部靜電放電保護環，配置該周邊電路區上，並位於該些第一開關元件與該些第二開關元件外側，各該第二開關元件之該閘極與該源極分別電性連接至該外部靜電放電保護環，且各該第一開關元件之該汲極電性連接至該外部靜電放電保護環。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之主動元件陣列基板，其中該些接墊包括資料線接墊或掃描線接墊。
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