CN109521596A - 阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法 - Google Patents

阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法 Download PDF

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Abstract

本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法。所述阵列基板包括衬底层、阵列层、平坦层、第一绝缘层、金属层、第二绝缘层、公共电极层、钝化层和第一ITO层，所述阵列层包括若干第一薄膜晶体管和若干第二薄膜晶体管，所述第一ITO层与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接，在所述第一绝缘层上和所述第二绝缘层之间还设置有第二ITO层和聚合物分散液晶层，所述第二ITO层与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接、且与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电绝缘。

Description

阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法
技术领域
本申请涉及电子设备领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法。
背景技术
在显示领域，高对比度一直以来是研究者的研究方向，目前，通常是通过提高亮度来改善对比度的，但是，对背光模组的亮度提升会使得整个显示面板电量的损耗增加，因此，如何在不提升背光模组的亮度的前提下，提供一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法以提升显示面板的对比度是目前亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法，以提升显示面板的对比度。
一种阵列基板，包括：
衬底层；
阵列层，所述阵列层设置于所述衬底层上，所述阵列层包括若干第一薄膜晶体管；
平坦层，所述平坦层设置于所述阵列层上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述平坦层上；
金属层，所述金属层设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上；
公共电极层，所述公共电极层位于所述第二绝缘层上、并与所述金属层电连接；
钝化层，所述钝化层设置于所述公共电极层上；以及
第一ITO层，所述第一ITO层位于所述钝化层上，所述第一ITO层与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接；
其中，所述阵列层还包括若干第二薄膜晶体管，在所述第一绝缘层上和所述第二绝缘层之间还设置有第二ITO层和聚合物分散液晶层，所述第二ITO层设置于所述第一绝缘层上，所述聚合物分散液晶层设置于所述第二ITO层上，所述第二ITO层与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接、且与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电绝缘。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述衬底层上，所述遮光层包括若干遮光部，所述遮光部位于所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和所述第二薄膜晶体管的第二源漏极的下方。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板包括第一通孔，所述第一通孔穿过所述钝化层、公共电极层、第二绝缘层、第一绝缘层和平坦层，所述第一通孔位于所述第一薄膜晶体管的第一源漏极的上方。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第一ITO层覆盖所述钝化层的表面和所述阵列基板朝向所述第一通孔的表面，所述第一ITO层通过部分或者完全填充所述第一通孔与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板包括第二通孔，所述第二通孔穿过所述第一绝缘层和所述平坦层，所述第二通孔位于所述第二薄膜晶体管的第二源漏极的上方。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第二ITO层覆盖部分所述第一绝缘层的表面和所述阵列基板朝向所述第二通孔的表面，所述第二ITO层通过部分或者完全填充所述第二通孔与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述金属层包括若干金属线，所述金属线位于所述第一薄膜晶体管的第一源漏极的上方。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述聚合物分散液晶层包括聚合物基体和液晶分子，所述液晶分子分散于所述聚合物基体内。
一种显示面板，包括：
如前所述的阵列基板；
彩膜基板，所述彩膜基板位于所述阵列基板远离所述衬底层的一侧；以及
液晶部，所述液晶部位于所述阵列基板和彩膜基板之间，所述液晶部包括若干液晶单元，所述聚合物分散液晶层包括若干聚合物分散液晶单元，每一液晶单元对应并覆盖一个所述聚合物分散液晶单元，一个液晶单元和一个与其所对应的聚合物分散液晶单元对应一个子像素。
一种显示面板的控制方法，包括：
提供一如前所述的显示面板，所述彩膜基板还包括第三ITO层，所述第三ITO层朝向所述液晶部；
当任一所述子像素需要高亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管；
当任一所述子像素需要低亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管，同时关闭所述子像素对应的所述第二薄膜晶体管；以及
当任一所述子像素需要暗态显示时，关闭所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法。所述阵列基板包括衬底层、阵列层、平坦层、第一绝缘层、金属层、第二绝缘层、公共电极层、钝化层和第一ITO层，所述阵列层包括若干第一薄膜晶体管和若干第二薄膜晶体管，所述第一ITO层与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接，在所述第一绝缘层上和所述第二绝缘层之间还设置有第二ITO层和聚合物分散液晶层，所述第二ITO层与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接、且与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电绝缘，所述显示面板包括所述阵列基板、彩膜基板和液晶部，所述彩膜基板还包括第三ITO层，当任一所述子像素需要高亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，当任一所述子像素需要低亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管，同时关闭所述子像素对应的所述第二薄膜晶体管，当任一所述子像素需要暗态显示时，关闭所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，从而使得每一子像素具有高亮、低亮和暗态三种显示模式，因此，在不提升背光模组的亮度的前提下，也即在不增加背光模组的电量消耗的前提下，提升了显示面板的对比度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的阵列基板的第一种实施方式的结构示意图。
图2为本申请所提供的阵列基板的第二种实施方式的结构示意图。
图3为本申请所提供的阵列基板的聚合物分散液晶层的聚合物分散液晶单元结构示意图。
图4为本申请所提供的显示面板的第一种实施方式的结构示意图。
图5为本申请所提供的显示面板的第二种实施方式的结构示意图。
图6为本申请所提供的显示面板的液晶部的液晶单元的结构示意图。
图7为本申请所提供的显示面板的第一种使用状态的结构示意图。
图8为本申请所提供的显示面板的第二种使用状态的结构示意图。
图9为本申请所提供的显示面板的第三种使用状态的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1，本申请提供一种阵列基板10。所述阵列基板10包括衬底层11、阵列层12、平坦层13、第一绝缘层14、金属层15、第二绝缘层16、公共电极层17、钝化层18和第一ITO层19。
所述衬底层11可以为玻璃基板，也可以为有机材料形成的基板。所述阵列基板10还包括遮光层21。所述遮光层21设置于所述衬底层11上。所述遮光层21包括若干遮光部211。所述阵列层12设置于所述衬底层11上。所述阵列层12包括若干第一薄膜晶体管121和若干第二薄膜晶体管122。所述第一薄膜晶体管121具有第一源漏极1211。所述第二薄膜晶体管122具有第二源漏极1221。所述遮光层21位于所述衬底层11和所述阵列层12之间。所述遮光部211位于所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211和所述第二薄膜晶体管122的第二源漏极1221的下方。
所述平坦层13设置于所述阵列层12上。所述第一绝缘层14设置于所述平坦层13上。所述金属层15设置于所述第一绝缘层14上。所述第二绝缘层16位于所述第一绝缘层14上。所述第二绝缘层16覆盖所述第一绝缘层14和所述金属层15。所述公共电极层17位于所述第二绝缘层16上、并与所述金属层15电连接。所述金属层15包括若干金属线151。所述金属线151位于所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211的上方，以减少所述金属线151对光线的遮挡。所述金属线151可以采用铜。所述钝化层18设置于所述公共电极层17上。所述第一ITO层19位于所述钝化层18上，所述第一ITO层19与所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211电连接。
所述阵列基板10包括若干第一通孔10a。每一所述第一通孔10a穿过所述钝化层18、公共电极层17、第二绝缘层16、第一绝缘层14和平坦层13。每一所述第一通孔10a位于一个所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211的上方。所述第一ITO层19覆盖所述钝化层18的表面18a和所述阵列基板10朝向所述第一通孔10a的表面10a1。所述第一ITO层19通过部分或者完全填充所述第一通孔10a与所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211电连接。请参阅图1，所述第一ITO层19部分填充于所述第一通孔10a，以使得所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211电连接。请参阅图2，所述第一ITO层19完全填充所述第一通孔10a，以使得所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211电连接。所述第一ITO层19的上表面19a为一平坦表面。
在所述第一绝缘层14和所述第二绝缘层16之间还设置有第二ITO层22和聚合物分散液晶层23。所述第二ITO层22设置于所述第一绝缘层14上。所述聚合物分散液晶层23设置于所述第二ITO层22上。所述第二ITO层22与所述第二薄膜晶体管122的第二源漏极1221电连接、且与所述第一薄膜晶体管121的第一源漏极1211电绝缘。请参阅图3，所述聚合物分散液晶层23包括聚合物基体231和分散于所述聚合物基体231内的液晶分子232。在制备过程中，可以先提供所述聚合物基体231的前驱体，然后将液晶分子232分散于所述前驱体中，随后采用喷涂或者喷墨打印等方式，将包含有液晶分子的前驱体设置于所述第二ITO层22上，从而形成所述聚合物分散液晶层23。
所述阵列基板10包括第二通孔10b。所述第二通孔10b穿过所述第一绝缘层14和所述平坦层13。所述第二通孔10b位于所述第二薄膜晶体管122的第二源漏极1221的上方。所述第二ITO层22覆盖部分所述第一绝缘层14的表面14a和所述阵列基板10朝向所述第二通孔10b的表面10b1，所述第二ITO层22通过部分或者完全填充所述第二通孔10b与所述第二薄膜晶体管122的第二源漏极1221电连接。
请参阅图4，本申请还提供一种显示面板30。所述显示面板30包括如前所述的阵列基板10，还包括一彩膜基板31和一液晶部32。所述彩膜基板31位于所述阵列基板10远离所述衬底层11的一侧。所述液晶部32位于所述阵列基板10和彩膜基板31之间。请参阅图5，所述液晶部32包括若干液晶单元321。请参阅图3，所述聚合物分散液晶层23包括若干聚合物分散液晶单元23a。每一液晶单元321对应并覆盖一个所述聚合物分散液晶单元23a。一个液晶单元321和一个与其所对应的聚合物分散液晶单元23a对应一个子像素30a。
所述彩膜基板31还包括第三ITO层311。所述第三ITO层311朝向所述液晶部32。通过开启所述第一薄膜晶体管121以控制所述第一ITO层19和第三ITO层311之间产生电压，从而转动所述液晶部32的液晶分子的方向，使得光线可以透过所述液晶部32。通过关闭所述第一薄膜晶体管121以控制所述第一ITO层19和第三ITO层311之间消除电压，从而恢复所述液晶部32的液晶分子的方向，使得所述液晶部32遮挡光线，避免光线透过所述液晶部32。通过开启所述第二薄膜晶体管122以控制所述第二ITO层22和公共电极层17之间产生电压，从而转动所述聚合物分散液晶层23的液晶分子的方向，使得光线可以透过所述聚合物分散液晶层23。通过关闭所述第二薄膜晶体管122以控制所述第二ITO层22和公共电极层17之间消除电压，从而恢复所述聚合物分散液晶层23的液晶分子的方向，使得所述聚合物分散液晶层23遮挡光线，避免光线透过所述聚合物分散液晶层23。
请参阅图6，所述显示面板30还可以包括背光模组33。所述背光模组33作为所述显示面板30的光源。所述背光模组33可以设置于所述阵列基板10远离所述彩膜基板31的一侧。所述背光模组33还可以设置于所述彩膜基板31远离所述阵列基板10的一侧。
请参阅图7-9，本申请还提供一种显示面板30的控制方法。所述方法包括：
A、提供一显示面板30。
所述显示面板30如前所述，在此不再赘述。
B、当任一所述子像素30a需要高亮显示时，开启所述子像素30a对应的所述第一薄膜晶体管121和所述第二薄膜晶体管122。
请参阅图7，当任一所述子像素30a需要高亮显示时，开启所述子像素30a对应的所述第一薄膜晶体管121以在所述第一ITO层19和所述第三ITO层311之间产生电压以偏转液晶部32的液晶分子的方向以透光，同时开启所述子像素30a对应的所述第二薄膜晶体管122以在第二ITO层22和所述公共电极层17之间产生电压以偏转聚合物分散液晶层23的液晶分子的方向以透光。
C、当任一所述子像素30a需要低亮显示时，开启所述子像素30a对应的所述第一薄膜晶体管121，同时关闭所述子像素30a对应的所述第二薄膜晶体管122。
请参阅图8，当任一所述子像素30a需要低亮显示时，开启所述子像素30a对应的所述第一薄膜晶体管121以在所述第一ITO层19和所述第三ITO层311之间产生电压以偏转液晶部32的液晶分子的方向以透光，同时关闭所述子像素30a对应的所述第二薄膜晶体管122以在第二ITO层22和所述公共电极层17之间消除电压以恢复聚合物分散液晶层23的液晶分子的方向以遮光。
D、当任一所述子像素30a需要暗态显示时，关闭所述子像素30a对应的所述第一薄膜晶体管121和所述第二薄膜晶体管122。
请参阅图9，当任一所述子像素30a需要暗态显示时，关闭所述子像素30a对应的所述第一薄膜晶体管121以在所述第一ITO层19和所述第三ITO层311之间消除电压以恢复液晶部32的液晶分子的方向以遮光，同时关闭所述子像素30a对应的所述第二薄膜晶体管122以在第二ITO层22和所述公共电极层17之间消除电压以恢复聚合物分散液晶层23的液晶分子的方向以遮光。
本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法。所述阵列基板包括衬底层、阵列层、平坦层、第一绝缘层、金属层、第二绝缘层、公共电极层、钝化层和第一ITO层，所述阵列层包括若干第一薄膜晶体管和若干第二薄膜晶体管，所述第一ITO层与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接，在所述第一绝缘层上和所述第二绝缘层之间还设置有第二ITO层和聚合物分散液晶层，所述第二ITO层与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接、且与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电绝缘，所述显示面板包括所述阵列基板、彩膜基板和液晶部，所述彩膜基板还包括第三ITO层，当任一所述子像素需要高亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，当任一所述子像素需要低亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管，同时关闭所述子像素对应的所述第二薄膜晶体管，当任一所述子像素需要暗态显示时，关闭所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，从而使得每一子像素具有高亮、低亮和暗态三种显示模式，因此，在不提升背光模组的亮度的前提下，也即在不增加背光模组的电量消耗的前提下，提升了显示面板的对比度。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施例进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施例及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底层；
阵列层，所述阵列层设置于所述衬底层上，所述阵列层包括若干第一薄膜晶体管；
平坦层，所述平坦层设置于所述阵列层上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述平坦层上；
金属层，所述金属层设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上；
公共电极层，所述公共电极层位于所述第二绝缘层上、并与所述金属层电连接；
钝化层，所述钝化层设置于所述公共电极层上；以及
第一ITO层，所述第一ITO层位于所述钝化层上，所述第一ITO层与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接；
其中，所述阵列层还包括若干第二薄膜晶体管，在所述第一绝缘层上和所述第二绝缘层之间还设置有第二ITO层和聚合物分散液晶层，所述第二ITO层设置于所述第一绝缘层上，所述聚合物分散液晶层设置于所述第二ITO层上，所述第二ITO层与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接、且与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电绝缘。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述衬底层上，所述遮光层包括若干遮光部，所述遮光部位于所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和所述第二薄膜晶体管的第二源漏极的下方。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一通孔，所述第一通孔穿过所述钝化层、公共电极层、第二绝缘层、第一绝缘层和平坦层，所述第一通孔位于所述第一薄膜晶体管的第一源漏极的上方。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一ITO层覆盖所述钝化层的表面和所述阵列基板朝向所述第一通孔的表面，所述第一ITO层通过部分或者完全填充所述第一通孔与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二通孔，所述第二通孔穿过所述第一绝缘层和所述平坦层，所述第二通孔位于所述第二薄膜晶体管的第二源漏极的上方。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二ITO层覆盖部分所述第一绝缘层的表面和所述阵列基板朝向所述第二通孔的表面，所述第二ITO层通过部分或者完全填充所述第二通孔与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括若干金属线，所述金属线位于所述第一薄膜晶体管的第一源漏极的上方。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述聚合物分散液晶层包括聚合物基体和液晶分子，所述液晶分子分散于所述聚合物基体内。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1-8任一项所述的阵列基板；
彩膜基板，所述彩膜基板位于所述阵列基板远离所述衬底层的一侧；以及液晶部，所述液晶部位于所述阵列基板和彩膜基板之间，所述液晶部包括若干液晶单元，所述聚合物分散液晶层包括若干聚合物分散液晶单元，每一液晶单元对应并覆盖一个所述聚合物分散液晶单元，一个液晶单元和一个与其所对应的聚合物分散液晶单元对应一个子像素。
10.一种显示面板的控制方法，其特征在于，包括：
提供一如权利要求9所述的显示面板，所述彩膜基板还包括第三ITO层，所述第三ITO层朝向所述液晶部；
当任一所述子像素需要高亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管；
当任一所述子像素需要低亮显示时，开启所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管，同时关闭所述子像素对应的所述第二薄膜晶体管；以及
当任一所述子像素需要暗态显示时，关闭所述子像素对应的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
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