CN109496202A - 纳米颗粒集合体和纳米颗粒集合体的制造方法 - Google Patents

纳米颗粒集合体和纳米颗粒集合体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的课题在于提供一种具有通用性的纳米颗粒集合体。一种纳米颗粒集合体，其由平均一次粒径为60nm以下的纳米颗粒构成，其直径超过500nm且为5μm以下。

Description

纳米颗粒集合体和纳米颗粒集合体的制造方法
技术领域
本发明涉及纳米颗粒集合体和纳米颗粒集合体的制造方法。本发明要求2016年8月10日提交的申请号为2016-157933的日本专利申请的优先权，对于认可基于文献参照而并入的指定国，通过参照方式将该申请中记载的内容并入本申请中。
背景技术
作为在太阳能电池等中使用的纳米颗粒集合体，例如在专利文献1中公开了一种“由平均一次粒径为20nm以下的氧化钛纳米颗粒(A)构成、平均直径为30nm～500nm的氧化钛纳米颗粒集合体”。除了太阳能电池以外，纳米颗粒还用于光催化剂、过滤器等中，但在现有的纳米颗粒的制造方法中，所制作的纳米颗粒集合体的大小存在限制。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-213505公报
发明内容
本发明的第一方式为一种纳米颗粒集合体，其由平均一次粒径为60nm以下的纳米颗粒构成，其直径超过500nm且为5μm以下。
另外，本发明的第二方式为第一方式的纳米颗粒集合体的制造方法，其特征在于，具有下述工序：雾产生工序，准备包含纳米颗粒的溶液，产生所述溶液的雾；等离子体产生工序，在第一电极与第二电极之间产生等离子体；和纳米颗粒集合体生成工序，将所述雾供给到所述第一电极与所述第二电极之间，生成纳米颗粒集合体，在所述等离子体产生工序中，所述等离子体的波长391nm下的发光强度(I391)与波长357nm下的发光强度(I357)之比(I391/I357)为0.072以上且小于0.08。
附图说明
图1是示出本实施方式中的纳米颗粒集合体制造装置的一例的图。
图2是用于说明本实施方式中的纳米颗粒集合体制造装置的详细情况的图(之一)。
图3是用于说明本实施方式中的纳米颗粒集合体制造装置的详细情况的图(之二)。
图4是示出等离子体状态与频率和施加电压的关系的曲线图。
图5是示出纳米颗粒集合体制造装置的变形例的图。
图6是示出纳米颗粒集合体制造装置的变形例的图。
图7是实施例1(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5000倍)。
图8是实施例1(19kV-10kHz)中的粒径分布。
图9是实施例1(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(50000倍)。
图10是实施例2(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5000倍)。
图11是实施例2(19kV-8kHz)中的粒径分布。
图12是实施例2(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像。
图13是实施例3(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。
图14是实施例3(19kV-6kHz)中的粒径分布。
图15是实施例3(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(50,000倍)。
图16是实施例4中的(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像。
图17是实施例4(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。
图18是实施例4(19kV-10kHz)中的粒径分布。
图19是实施例5(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。
图20是实施例5(19kV-8kHz)中的粒径分布。
图21是实施例6(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。
图22是实施例6(19kV-6kHz)中的粒径分布。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式的一例进行说明。
本实施方式中，对使用图1所示的纳米颗粒集合体制造装置11制造纳米颗粒集合体的方法进行说明。
本实施方式中所制造的纳米颗粒集合体是使纳米颗粒集合而成的集合体。换言之，纳米颗粒集合体是作为一次颗粒的纳米颗粒集合而形成的二次颗粒。本实施方式中，集合体包括凝聚体、多晶体等。
纳米颗粒集合体由平均粒径为60nm以下的作为一次颗粒的纳米颗粒构成，其直径超过500nm且为5μm以下。需要说明的是，本说明书中的平均粒径是指由动态光散射式粒径分布测定装置求出的颗粒的个数平均粒径。另外，本说明书的纳米颗粒集合体的直径是在利用SEM观察纳米颗粒集合体时的图像中由纳米颗粒集合体的长轴和短轴的平均值求出的值。
纳米颗粒集合体更优选直径超过800nm且为5μm以下。进一步优选直径超过1μm且为5μm以下。该纳米颗粒集合体可以适合用于光催化剂或太阳能电池、漫射板等。
为了得到优选的纳米颗粒集合体，纳米颗粒更优选平均一次粒径超过10nm且为50nm以下。进一步优选超过20nm且为40nm以下。
纳米颗粒例如为将铟、锌、锡、钛、钽、镓等中的一种或两种以上混合而成的氧化物、氟化物、氮化物，可以举出MgO、Al2O3、SiO2、TiO2、VO2、Mn2O3、Fe2O3、NiO、CuO、ZnO、Ga2O3、Nb2O3、AgO、SnO2、Sb2O3、MgF2、AlN、Si3N4、TiN、FeN、BN、InN、SbN等。或者，纳米颗粒可以不是氧化物，而是例如将铟、锌、锡、钛、钽、镓等中的一种或两种以上混合而成的金属。另外，纳米颗粒也可以为包含聚苯乙烯等的有机化合物。
图1是示出本实施方式中的纳米颗粒集合体的制造方法中使用的纳米颗粒集合体制造装置11的一例的图。纳米颗粒集合体制造装置11具有等离子体产生部110和雾产生部120。
等离子体产生部110具有电极111A、电极111B、雾输送路径112和基板支架113。电极111A是高电压电极，电极111B是接地侧电极。电极111A和电极111B是用电介质覆盖了金属导线的状态的电极，详细情况如后所述。通过施加电压，在电极111A与电极111B之间产生等离子体。雾输送路径112将在雾产生部120产生的雾导向电极间。雾受到在电极间产生的等离子体的影响而形成集合体。
基板支架113将基板FS设置于等离子体产生部110上部。基板FS可以使用通常所用的材料。例如，可以使用玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。
雾产生部120具有雾产生槽121、超声波振动器122和气体导入管123。雾产生槽121容纳前体LQ。前体LQ是使作为一次颗粒的纳米颗粒分散于分散介质中而生成的。需要说明的是，本实施方式中，以使用金属氧化物微粒作为微粒的情况进行说明。分散介质只要能够分散微粒即可，可以使用水或异丙醇(IPA)、乙醇等醇、以及它们的混合物。
超声波振动器122是产生超声波的振动器，其使槽内的前体LQ雾化。气体导入管123是对雾产生槽121供给气体的管。需要说明的是，导入到气体导入管123中的气体例如为Ar等，但不限定于此。
对本实施方式中的处理的流程进行说明。首先，在雾产生槽121中，所容纳的前体LQ被超声波振动器122雾化。接着，利用从气体导入管123供给的气体，将包含纳米颗粒的雾供给到雾输送路径112中。接着，被供给到雾输送路径112中的雾在电极111A和电极111B之间通过。
此时，雾中包含的纳米颗粒被通过对电极111A施加电压而产生的等离子体激发，形成集合体。所形成的纳米颗粒集合体附着于基板FS的表面。需要说明的是，此时形成的集合体为近似正球形状。在使用纳米颗粒集合体生成过滤器等对象物的情况下，通过使纳米颗粒集合体为近似正球形状，能够生成适当的对象物。
图2是用于说明纳米颗粒集合体制造装置11的详细情况的图(之一)。图2(a)示出从上方观察纳米颗粒集合体制造装置11的状态，即，示出从+Y方向观察图1中的纳米颗粒集合体制造装置11的状态。将图2(a)所示的纳米颗粒集合体制造装置11用与X轴方向平行的面切断，并从+Z方向进行观察，该状态的截面图为图1所示的纳米颗粒集合体制造装置11。需要说明的是，图2(a)中示出了雾输送路径112的外径。
本实施方式中，使从近似轮形的雾输送路径112中通过的雾在电极111A和电极111B之间通过，由此使纳米颗粒形成集合体。
图2(b)是将图2(a)所示的纳米颗粒集合体制造装置11顺时针旋转90度，示出从下方(图1所示的-Y方向)观察的状态。
电极111A具备线状的电极EP和电介质Cp。电极111B具备电极EG和电介质Cg。电极EP和电极EG只要是导体则对其原料没有限制，例如可以使用钨、钛等。
需要说明的是，电极EP和电极EG不限定于线，也可以为平板，在由平板构成的情况下，优选对置的边缘部分所形成的表面是平行的。也可以由具有如刀那样锋利边缘的平板构成电极，但电场集中于边缘端，有可能产生电弧。需要说明的是，电极的表面积小的情况下等离子体的产生效率好，因此相较于平板状，电极更优选为线状。
另外，下面以电极EP和电极EG形成直线的情况进行说明，但各自也可以弯曲。
电介质Cp和电介质Cg使用电介质。电介质Cp和电介质Cg可以使用例如石英或陶瓷(氮化硅、氧化锆、氧化铝、碳化硅、氮化铝、氧化镁等绝缘性材料)。
本实施方式中，通过介质阻挡放电产生了等离子体。为此，需要在电极EP和电极EG之间设置有电介质。金属导线与电介质的相对位置关系不限于图2所示的例子，例如也可以为电极EP和电极EG中的任一者被电介质覆盖的构成。需要说明的是，如图2所示，更优选电极EP和电极EG均被电介质覆盖的构成。这是因为，由此能够防止雾附着于金属导线而导致的劣化。需要说明的是，电极EP和电极EG优选平行地配置，以能够稳定地产生等离子体。
图3是用于说明纳米颗粒集合体制造装置11的详细情况的图(之二)。图3是对于将图2(a)所示的纳米颗粒集合体制造装置11用与Z轴方向平行的面切断并从-X方向观察的状态的纳米颗粒集合体制造装置11，示出从雾输送路径112起的上部分的图。
在雾产生槽121中产生的雾被导至雾输送路径112中，并到达电极111A和电极111B。雾被在各电极间产生的等离子体激发，形成集合体。需要说明的是，图1至图3所示的纳米颗粒集合体制造装置11按照将纳米颗粒集合体向重力的相反方向喷起的方式构成，但纳米颗粒集合体的喷出方向不限定于此。也可以按照将形成的纳米颗粒集合体向重力方向喷出的方式构成。
需要说明的是，纳米颗粒集合体制造装置11与通过湿式形成集合体的现有方法相比，形成所需的时间短。即，能够高效地形成通用性高的纳米颗粒集合体。
图4是示出等离子体状态与频率和施加电压的关系的曲线图。本图所示的频率和施加电压是对电极111A和电极111B间施加的电压和频率。
在大气压等离子体的情况下，得到N2的发射光谱，在波长391nm下存在由N2 +的第1负带(1st Negative Band)引起的发光，在波长357下存在由N2 *的第2正带(2nd PositiveBand)引起的发光。已知由上述第1负带引起的发光强度与由第2正带引起的发光强度之比与等离子体的电子温度有关，通过使用该比，能够对等离子体状态进行定量。本实施方式中，通过纤维光谱测定大气压等离子体的波长391nm下的发光强度(I391)和波长357nm下的发光强度(I357)，将它们的发光强度比(I391/I357)所表示的值作为图4的纵轴。
由图4可知，施加电压为19kV且频率为6kHz以上的情况下，I391/I357急剧地上升。通过以高频率施加电压，确认到形成了特异性的等离子体的区域。为了形成优选的纳米颗粒集合体，I391/I357优选为0.072以上且小于0.08。
另外，若使用电源的脉冲宽度为500ns、阈值电压为200ns以下的短上升时间的电源，则产生更稳定的等离子体。此外，关于电源，优选使用能够稳定地维持放电、能够施加高电压的电源。具体而言，对电极施加的电压优选为16kV以上且小于20kV。另外，对电极施加的电压的频率优选为6kHz以上且小于11kHz。
<纳米颗粒集合体制造装置的第一变形例>
图5是示出作为纳米颗粒集合体制造装置的第一变形例的纳米颗粒集合体制造装置21的图。以下，对与图1的纳米颗粒集合体制造装置11不同之处进行说明。纳米颗粒集合体制造装置21具有等离子体产生部210、雾产生部220和雾捕集器230。
等离子体产生部210具有电极211A和电极211B。雾产生部220具有雾产生槽221、超声波振动器222和气体导入管223。电极211A、电极211B、雾产生槽221、超声波振动器222和气体导入管223分别与第一实施方式中的电极111A、电极111B、雾产生槽121、超声波振动器122和气体导入管123相同。
雾产生部220和雾捕集器230通过雾输送路径212进行连接，在雾产生部220中产生的雾被输送至雾捕集器230。在雾捕集器230中，不需要的雾发生液化而被蓄积。雾捕集器230和等离子体产生部210通过雾输送路径212进行连接，未液化的雾被导至等离子体产生部210。
在等离子体产生部210中，在电极间通过的纳米颗粒的水分发生气化，形成作为二次颗粒的纳米颗粒集合体。需要说明的是，如图5所示，可以按照纳米颗粒集合体蓄积于对象物中的方式形成纳米颗粒集合体制造装置21。另外，关于喷出纳米颗粒集合体的方向，不限于图5所示的方向，这一点与第一实施方式相同。
<纳米颗粒集合体制造装置的第二变形例>
图6是示出作为纳米颗粒集合体制造装置的第二变形例的纳米颗粒集合体制造装置31的等离子体产生部310的图。等离子体产生部310由石英板构成，且由下述部分构成：倾斜的内壁Sfa、Sfb，它们在Y方向上具有一定的长度、在Xt方向上的宽度随着朝向-Zt方向而逐渐变窄；与Xt·Zt面平行的侧面的内壁Sfc；以及与Y·Xt面平行的顶板25A(25B)。在顶板25A(25B)上，来自雾产生部的管道21A(21B)与开口部Dh连接，雾气体Mgs被供给至等离子体产生部310内。在等离子体产生部310的-Zt方向的前端部，形成在Y方向上遍及长度La细长地延伸的狭缝状的开口部SN，并且以在Xt方向上夹着该开口部SN的方式设置一对电极111A(111B)。因此，藉由开口部Dh供给至等离子体产生部310内的雾气体Mgs(正压)从狭缝状的开口部SN起在一对电极111A(111B)之间通过，以一致的流量分布向-Zt方向喷出。
一对电极111A由在Y方向上以长度La以上延伸的线状的电极EP、和在Y方向上以长度La以上延伸的线状的电极EG构成。电极EP、EG各自以在Xt方向上隔开规定的间隔而平行的方式分别保持在作为电介质Cp和电介质Cg发挥功能的圆筒状的石英管内，该石英管各自以位于狭缝状的开口部SN的两侧的方式固定于等离子体产生部310的前端部。石英管优选内部不包含金属成分。另外，电介质Cp、Cg可以采用绝缘耐压性高的陶瓷制的管。
通过下述实施例和比较例更详细地说明本发明，但本发明不限定于下述实施例。
<实施例1>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21来制造纳米颗粒集合体。作为前体LQ，准备了包含ITO(锡掺杂氧化铟)微粒的水分散液(NanoTek Slurry：C.I.Kasei CO.,LTD.制造)。分散液中的ITO微粒的粒径为10nm～50nm，平均一次粒径为30nm。另外，分散液中的ITO微粒的浓度为15wt.％。
对超声波振动器222(本多电子株式会社制造)施加电压，以2.4MHz使其振动，由前体LQ产生雾。将所产生的雾使用Ar气体输送至等离子体产生部210。
电极EP和电极EG使用Ti的线，并利用使用了SiO2的电介质Cp和电介质Cg覆盖。电介质Cp与电介质Cg的间隔为2mm。在等离子体产生部210中，对电极间施加19kV，将频率设为10kHz，产生大气压等离子体。
图7是实施例1(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5000倍)。本图是FE-SEM的倍率为5000倍(横向25μm、纵向15μm)的观察图像。在观察视野内观察到多个近似正球形状的纳米颗粒集合体。
图8是实施例1(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的粒径分布(直径分布)。本图中，取得16个视野的FE-SEM的倍率为5000倍的观察图像，由图像估计观察到的粒径，由此计算出粒径分布。关于以下的实施例和比较例中的粒径分布，也利用同样的方法获得。由本图可知，最多生成的是粒径3μm～4μm的纳米颗粒集合体。
图9是实施例1(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(50,000倍)。能够确认到近似正球形状的纳米颗粒集合体。
<实施例2>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加19kV，将频率设为8kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
图10是实施例2(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。与实施例1相比，纳米颗粒集合体的数量少，但是能够确认到近似正球形状的多个纳米颗粒集合体。
图11是实施例2(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的粒径分布(直径分布)。与实施例1的粒径分布相比，1μm～2μm和2μm～3μm的纳米颗粒集合体的比例增加。
图12是实施例2(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像。图12(A)示出50,000倍的顶视图，图12(B)示出200,000倍的顶视图，图2(C)示出50,000倍的侧视图。图12(B)是对于图12(A)所示的纳米颗粒集合体的一部分提高倍率而取得的图像。
由图12(A)可知，以8kHz的频率施加电压的情况下，也可得到近似正球形状的纳米颗粒集合体。另外，由图12(B)和图12(C)可知，在纳米颗粒的表面形状残留的情况下形成了集合体。因此，生成了比表面积大的纳米颗粒集合体。
<实施例3>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加19kV，将频率设为6kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
图13是实施例3(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。与实施例2同样地，能够确认到近似正球形状的多个纳米颗粒集合体。
图14是实施例3(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的粒径分布(直径分布)。与实施例1和实施例2相比，0～1μm和1μm～2μm的纳米颗粒集合体的比例增加。
图15是实施例3(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(50,000倍)。可知得到了近似正球形状的纳米颗粒集合体。
<比较例1>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体形成装置21，对电极间施加19kV，将频率设为4kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
作为结果，在基板上形成了ITO膜，无法确认到纳米颗粒集合体。需要说明的是，关于比较例1的生成条件，如图4所示，电子温度(I391/I357)小于0.072。
<比较例2>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加19kV，将频率设为2kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
作为结果，在基板上形成了ITO膜，无法确认到纳米颗粒集合体。需要说明的是，关于比较例2的生成条件，如图4所示，I391/I357小于0.072。
<比较例3>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加15kV的电压，将频率设为10kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
作为结果，在基板上形成了ITO膜，无法确认到纳米颗粒集合体。需要说明的是，关于比较例3的生成条件，如图4所示，I391/I357也小于0.072。
<比较例4>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加15kV的电压，使频率变化为8kHz、6kHz、4kHz、2kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
作为结果，在施加8kHz、6kHz、4kHz、2kHz中的任一频率的电压的情况下，均在基板上形成了ITO膜，无法确认到纳米颗粒集合体。
<实施例1～3与比较例的考察>
对上述实施例1～3和比较例进行研究时，对等离子体产生部210施加的电压优选为16kV以上且小于20kV。通过施加适当的电压，能够得到优选的纳米颗粒集合体。需要说明的是，考察实施例1～3的结果时可知，具有随着对电极施加的电压的频率升高、纳米颗粒集合体的平均直径变大的倾向。
<实施例4>
使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，生成纳米颗粒集合体。作为前体LQ，准备了包含GZO(镓掺杂氧化锌)微粒的水分散液(NanoTek Slurry：C.I.Kasei CO.,LTD.制造)。分散液中的GZO微粒的粒径为10nm～50nm，平均粒径为30nm。另外，分散液中的GZO微粒的浓度为15wt.％。
在等离子体产生部210中，对电极间施加19kV的电压，将频率设为10kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例1相同。
图16是实施例4(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像。根据纳米颗粒集合体的尺寸，适当变更了倍率。图16(A)是示出粒径相当于1μm的近似正球形状的纳米颗粒集合体的图(70,000倍)。图16(B)是示出相当于2μm的近似正球形状的纳米颗粒集合体的图(40,000倍)。图16(C)是示出相当于3μm的近似正球形状的纳米颗粒集合体的图(27,000倍)。图16(D)是示出相当于4μm的近似正球形状的纳米颗粒集合体的图(20,000倍)。图16(E)是示出相当于5μm的近似正球形状的纳米颗粒集合体的图(18,000倍)。图16(F)是示出相当于5.5μm的近似正球形状的纳米颗粒集合体的图(15,000倍)。
图17是实施例4(19kV-10kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。能够确认到近似正球形状的许多纳米颗粒集合体。
图18是实施例4(19kV-10kHz)中的粒径分布。观察到许多2μm～3μm的纳米颗粒集合体。
在实施例4中，能够得到尺寸不同的近似正球形状的纳米颗粒集合体。由实施例1和实施例4可知，关于ITO以外的纳米颗粒，也能够得到优选的集合体。
<实施例5>
准备包含GZO微粒的水分散液，使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加19kV，将频率设为8kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例4相同。
图19是实施例5(19kV-8kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。与实施例4相比，纳米颗粒集合体的数量少，但是能够确认到近似正球形状的多个纳米颗粒集合体。
图20是实施例5(19kV-8kHz)中的粒径分布。与实施例4相比，3μm～4μm的纳米颗粒集合体的比例增加，4μm～5μm的纳米颗粒集合体的比例减少。
<实施例6>
准备包含GZO微粒的水分散液，使用图5中说明的纳米颗粒集合体制造装置21，对电极间施加19kV，将频率设为6kHz，产生大气压等离子体。其他生成条件与实施例4相同。
图21是实施例6(19kV-6kHz)中的纳米颗粒集合体的FE-SEM图像(5,000倍)。与实施例5同样地，能够确认到近似正球形状的多个纳米颗粒集合体。
图22是实施例6(19kV-6kHz)中的粒径分布。与实施例5和实施例6相比，0～1μm、1μm～2μm的纳米颗粒集合体的比例增加，3μm～4μm的纳米颗粒集合体的比例减少。
需要说明的是，考察实施例4～6的结果时可知，与纳米颗粒使用ITO微粒的情况同样地，在纳米颗粒使用GZO颗粒的情况下，也具有随着对电极施加的电压的频率升高、纳米颗粒集合体的平均直径变大的倾向。
符号说明
11·21·31：纳米颗粒集合体制造装置、21A·21B：管道、25A·25B：顶板、110·210·310：等离子体产生部、112·212：雾输送路径、113：基板支架、120·220：雾产生部、111A·111B·211A·211B·EG·EP：电极、121·221：雾产生槽、122·222：超声波振动器、123·223：气体导入管、230：雾捕集器、Cg·Cp：电介质、Dh·SN：开口部、FS：基板、LQ：前体、Mgs：雾气体、Sfa·Sfb·Sfc：内壁

Claims (10)

1.一种纳米颗粒集合体，其由平均一次粒径为60nm以下的纳米颗粒构成，其直径超过500nm且为5μm以下。
2.如权利要求1所述的纳米颗粒集合体，其特征在于，
所述平均一次粒径超过10nm且为50nm以下，
所述直径超过800nm。
3.如权利要求1或2所述的纳米颗粒集合体，其特征在于，
所述平均一次粒径超过20nm且为40nm以下，
所述直径超过1μm。
4.如权利要求1～3中任一项所述的纳米颗粒集合体，其特征在于，所述纳米颗粒为氧化物。
5.如权利要求1～3中任一项所述的纳米颗粒集合体，其特征在于，所述纳米颗粒为金属。
6.如权利要求4所述的纳米颗粒集合体，其特征在于，所述氧化物为锡掺杂氧化铟ITO。
7.如权利要求4所述的纳米颗粒集合体，其特征在于，所述氧化物为镓掺杂氧化锌GZO。
8.一种纳米颗粒集合体的制造方法，其为权利要求1～7中任一项所述的纳米颗粒集合体的制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
雾产生工序，准备包含所述纳米颗粒的溶液，产生所述溶液的雾；
等离子体产生工序，在第一电极与第二电极之间产生等离子体；和
纳米颗粒集合体生成工序，将所述雾供给到所述第一电极与所述第二电极之间，生成纳米颗粒集合体，
在所述等离子体产生工序中，所述等离子体的波长391nm下的发光强度I391与波长357nm下的发光强度I357之比I391/I357为0.072以上且小于0.08。
9.如权利要求8所述的纳米颗粒集合体的制造方法，其特征在于，所述等离子体产生工序中，以6kHz以上且小于11kHz的频率施加电压，产生所述等离子体。
10.如权利要求8或9所述的纳米颗粒集合体的制造方法，其特征在于，所述等离子体产生工序中，施加16kV以上且小于20kV的电压来产生所述等离子体。
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