CN109493717A - 一种自毁式镭射标签修复工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种自毁式镭射标签修复工艺，用于修复自毁式镭射标签包括回收基材和自毁签，回收基材上设有芯片，芯片上设有两个接线端，自毁签上设有导体部，导体部两端分别与芯片的两个接线端连接；在修复时首先清理芯片接线端，然后将自毁签上的导体部两端分别与S1中清理后的两个接线端电连接。通过上述优化设计的自毁式镭射标签修复工艺，结构设计合理，用于对自毁式镭射标签的回收基材进行修复，大大提高回收利用率，降低镭射标签使用成本。
Description
技术领域
本发明涉及镭射标签技术领域，尤其涉及一种自毁式镭射标签修复工艺。
背景技术
随着客户对产品质量的要求不断提高，对高质量产品的防伪要求越来越高。通常采用普通镭射纸用于防伪和个性化设置，目前市场中常用的是一次性自毁式镭射标签，由于镭射标签内部的芯片及相关金属结构，导致成本过高，使用范围降低。因此，需要一种可回收的自毁式镭射标签，以及回收基材的修复工艺，从而提高回收利用率。
发明内容
为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种自毁式镭射标签修复工艺。
本发明提出的一种自毁式镭射标签修复工艺，用于修复自毁式镭射标签，所述自毁式镭射标签包括回收基材和自毁签，回收基材上设有芯片，芯片上设有两个接线端，自毁签上设有导体部，导体部两端分别与芯片的两个接线端连接，包括下列步骤：
S1、清理芯片接线端；
S2、将自毁签上的导体部两端分别与S1中清理后的两个接线端电连接。
优选地，在S1中，清理芯片接线端之后，检测芯片两个接线端之间是否形成回路。
优选地，在S1中，清理芯片接线端之后，检测芯片是否正常工作。
优选地，在S2中，将导体部与接线端连接之前，通过垫片将自毁签连接到回收基材上。
优选地，在垫片上形成横向贯穿的撕裂痕。
优选地，在S1中，清理芯片接线端之前，清理回收基材上的残余垫片。
优选地，在S1中，通过清理机构清理芯片接线端上的残余导体部。
优选地，在S1中，在清理过程中对接线端进行加热。
本发明中，所提出的自毁式镭射标签修复工艺，用于修复自毁式镭射标签包括回收基材和自毁签，回收基材上设有芯片，芯片上设有两个接线端，自毁签上设有导体部，导体部两端分别与芯片的两个接线端连接；在修复时首先清理芯片接线端，然后将自毁签上的导体部两端分别与S1中清理后的两个接线端电连接。通过上述优化设计的自毁式镭射标签修复工艺，结构设计合理，用于对自毁式镭射标签的回收基材进行修复，大大提高回收利用率，降低镭射标签使用成本。
附图说明
图1为本发明提出的一种自毁式镭射标签修复工艺所修复的自毁式镭射标签的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，图1为本发明提出的一种自毁式镭射标签修复工艺所修复的自毁式镭射标签的结构示意图。
本发明提出的一种自毁式镭射标签修复工艺，用于修复自毁式镭射标签，参照图1，所述自毁式镭射标签包括回收基材1和自毁签2，回收基材1上设有芯片3，芯片3上设有两个接线端31，自毁签2上设有导体部4，导体部4两端分别与芯片3的两个接线端31连接。
本发明提出的一种自毁式镭射标签修复工艺包括下列步骤：
S1、清理芯片3接线端31；
S2、将自毁签2上的导体部4两端分别与S1中清理后的两个接线端31电连接。
在本实施例中，所提出的自毁式镭射标签修复工艺，用于修复自毁式镭射标签包括回收基材和自毁签，回收基材上设有芯片，芯片上设有两个接线端，自毁签上设有导体部，导体部两端分别与芯片的两个接线端连接；在修复时首先清理芯片接线端，然后将自毁签上的导体部两端分别与S1中清理后的两个接线端电连接。通过上述优化设计的自毁式镭射标签修复工艺，结构设计合理，用于对自毁式镭射标签的回收基材进行修复，大大提高回收利用率，降低镭射标签使用成本。
在具体实施方式中，在S1中，清理芯片3接线端31之后，检测芯片3两个接线端31之间是否形成回路，从而保证后续回收利用率。
在其他检测方式中，在S1中，清理芯片3接线端31之后，还需要检测芯片3是否正常工作。
在导体部与芯片的连接的实施方式中，在S2中，将导体部4与接线端31连接之前，通过垫片5将自毁签2连接到回收基材1上；一方面，通过设置垫片对导体部和接线端之间的连接位置实现保护，另一方面，在自毁时，垫片被破坏，使得自毁签也能够回收利用。
为了便于后续垫片撕裂自毁，在垫片5上形成横向贯穿的撕裂痕。
在其他具体实施方式中，在S1中，通过清理机构清理芯片3接线端31上的残余导体部4；保证后续导体部与接线端连接可靠性。
同样，在S1中，清理芯片接线端31之前，清理回收基材上的残余垫片5。
在进一步具体实施方式中，在S1中，在清理过程中对接线端31进行加热，保证清理更加彻底。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种自毁式镭射标签修复工艺，用于修复自毁式镭射标签，所述自毁式镭射标签包括回收基材(1)和自毁签(2)，回收基材(1)上设有芯片(3)，芯片(3)上设有两个接线端(31)，自毁签(2)上设有导体部(4)，导体部(4)两端分别与芯片(3)的两个接线端(31)连接，其特征在于，包括下列步骤：
S1、清理芯片(3)接线端(31)；
S2、将自毁签(2)上的导体部(4)两端分别与S1中清理后的两个接线端(31)电连接。
2.根据权利要求1所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在S1中，清理芯片(3)接线端(31)之后，检测芯片(3)两个接线端(31)之间是否形成回路。
3.根据权利要求1所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在S1中，清理芯片(3)接线端(31)之后，检测芯片(3)是否正常工作。
4.根据权利要求1所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在S2中，将导体部(4)与接线端(31)连接之前，通过垫片(5)将自毁签(2)连接到回收基材(1)上。
5.根据权利要求4所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在垫片(5)上形成横向贯穿的撕裂痕。
6.根据权利要求4所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在S1中，清理芯片(3)接线端(31)之前，清理回收基材(1)上的残余垫片(5)。
7.根据权利要求1所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在S1中，通过清理机构清理芯片(3)接线端(31)上的残余导体部(4)。
8.根据权利要求7所述的自毁式镭射标签修复工艺，其特征在于，在S1中，在清理过程中对接线端(31)进行加热。
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