CN109473459A - 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法 - Google Patents

一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109473459A
CN109473459A CN201811198063.7A CN201811198063A CN109473459A CN 109473459 A CN109473459 A CN 109473459A CN 201811198063 A CN201811198063 A CN 201811198063A CN 109473459 A CN109473459 A CN 109473459A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
hydrophobic
organic buffer
buffer layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811198063.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109473459B (zh
Inventor
郭天福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201811198063.7A priority Critical patent/CN109473459B/zh
Priority to US16/464,208 priority patent/US11108017B2/en
Priority to PCT/CN2018/113911 priority patent/WO2020077698A1/zh
Publication of CN109473459A publication Critical patent/CN109473459A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109473459B publication Critical patent/CN109473459B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机发光二极管显示器封装结构及其制作方法，包括依次设置的栅极绝缘层、第一阻隔层、第一有机缓冲层、第一疏水层、第二有机缓冲层以及第二阻隔层。本发明涉及的一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法。其通过在其发光区域(有效显示区域)到有机缓冲层阻挡墙之间的区域内沉积具有微纳米结构的疏水材料层，使其能有效限制制备时第一有机缓冲层材料的流动，从而可以在所述第一疏水层之上再次沉积所述第二有机缓冲层，如此，双层的有机缓冲层的厚度能够更好的包裹住该区域内的异物，从而减少水氧通过这些区域进入OLED器件内部的可能，增强TFE对OLED器件的保护能力。

Description

一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(英文全称：Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。
与TFT-LCD不同的是，OLED依靠自身的特性发光，不需要背光源，因此可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为21世纪最具前途的产品之一。特别是OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性器件，这更是OLED所特有的巨大优势。为了实现OLED的该种优势(柔性显示)，薄膜封装(英文全称：Thin-Film Encapsulation，简称TFE)技术是必不可少的核心技术。
对于OLED器件，外界使用环境中存在的水氧是其致命杀手，因而对于薄膜封装技术，最为重要的是其阻水氧阻隔层的性能，在此基础上需兼顾TFE膜层的光学穿透以及柔性弯曲等性能。对于OLED器件，外界水氧的入侵途径可分为两类：途径一是水氧从上向下直接穿透TFE膜层进入OLED器件内部；途径二是水氧从TFE膜层侧面进入侵蚀OLED，因此这两种入侵途径是TFE膜层结构设计中必须考虑的前提条件。目前制程过程中产生的异物导致外界水氧更多的是通过途径二进入OLED器件内部，最终导致TFE封装失效。因此，需要寻找一种OLED的封装结构来有效地包住制程过程中产生的异物，减少水氧侵入OLED器件内部的可能。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法，其能够解决目前水氧易通过制程过程中产生的异物侵入OLED器件内部，TFE技术对OLED器件的保护能力低等问题。
为了实现上述目的，本发明的一个实施方式提供了一种有机发光二极管显示器件的封装结构，包括依次设置的栅极绝缘层、第一阻隔层、第一有机缓冲层、第一疏水层、第二有机缓冲层以及第二阻隔层。所述栅极绝缘层上设有像素定义层以及挡墙，其中所述像素定义层的有效显示区域边缘与挡墙之间的区域为工作区。所述第一阻隔层覆盖于所述像素定义层及所述挡墙上，所述第一有机缓冲层设置于所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上，所述第一疏水层设置于所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上，其中所述第一疏水层表面具有微纳米结构，用于限制所述第一有机缓冲层的边界，所述第二有机缓冲层设置于所述第一疏水层上，所述第二阻隔层覆盖于所述第二有机缓冲层上。
进一步的，其中所述第一疏水层表面的微纳米结构之间的间隙小于或等于50μm。
进一步的，其中所述第一疏水层的构成材料包括聚四氟乙烯。
进一步的，其中所述第一疏水层表面的微纳米结构是通过等离子表面蚀刻的方式形成。
进一步地，其中所述第一疏水层通过物理气相沉积的方式沉积在所述第一有机缓冲层上。
进一步地，其中所述第一有机缓冲层的构成材料包括亚克力、环氧树脂化合物中的一种。
进一步地，其中所述第二有机缓冲层上还设置有第二疏水层和第三有机缓冲层。其中所述第二疏水层表面具有微纳米结构，用于限制所述第二有机缓冲层的边界；所述第三有机缓冲层设置于所述第二疏水层与所述第二阻隔层之间。
进一步地，其中有机发光二极管显示器件的封装结构还包括依次设置的玻璃基板、聚酰亚胺基板以及功能层。所述聚酰亚胺基板设置于所述玻璃基板上；所述功能层设置于所述聚酰亚胺基板与所述栅极绝缘层之间。
进一步地，其中所述功能层包括：空穴传输层、发光层以及电子传输层。所述空穴传输层设置于所述聚酰亚胺基板上；所述发光层设置于所述空穴传输层上；所述电子传输层设置于所述发光层上。
本本发明的另一个实施方式提供一种有机发光二极管显示器封装结构的制作方法，包括：提供一玻璃基板；在玻璃基板上通过聚酰亚胺涂布机涂布聚酰亚胺材料，经过高温固化形成聚酰亚胺基板；在聚酰亚胺基板上经过TFT工艺制程形成功能层；通过TFT工艺制程在所述功能层上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上设置像素定义层及挡墙；在所述像素定义层及所述挡墙上设置第一阻隔层；在所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上设置第一有机缓冲层；在所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上设置第一疏水层，然后对所述第一疏水层表面进行等离子蚀刻处理，使第一疏水层表面具有微纳米结构；在所述第一疏水层上设置第二有机缓冲层；在所述第二有机缓冲层上覆盖第二阻隔层。
本发明的优点是：本发明涉及的一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法。其中所述封装结构通过在其发光区域(有效显示区域)到有机缓冲层阻挡墙之间的区域内沉积具有微纳米结构的疏水材料层，使其能有效限制制备时第一有机缓冲层材料的流动，从而可以在所述第一疏水层之上再次沉积所述第二有机缓冲层，如此，双层的有机缓冲层的厚度能够更好的包裹住该区域内的异物，从而减少水氧通过这些区域进入OLED器件内部的可能，增强TFE对OLED器件的保护能力。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是本发明有机发光二极管显示器封装结构实施例1的示意图。
图2是OLED器件的平面示意图。
图3是本发明具有微纳米结构的疏水层示意图。
图4是本发明有机发光二极管显示器封装结构实施例2的示意图。
图5是本发明有机发光二极管显示器封装结构的制作流程图。
图中标识如下：
1、玻璃基板 2、聚酰亚胺基板
3、功能层 4、栅极绝缘层
5、像素定义层 6、挡墙
7、第一阻隔层 8、第一有机缓冲层
9、第一疏水层 10、第二有机缓冲层
11、第二阻隔层 12、第一公用层
13、电致发光层 14、第二公用层
15、第二疏水层 16、第三有机缓冲层
51、有效显示区域 52、工作区
91、微纳米结构
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
实施例1
如图1所示，本专利提供一种有机发光二极管显示器封装结构，包括依次设置的玻璃基板1、聚酰亚胺基板2、功能层3、栅极绝缘层4、像素定义层5、挡墙6、第一阻隔层7、第一有机缓冲层8、第一疏水层9、第二有机缓冲层10以及第二阻隔层11。
其中所述聚酰亚胺基板2设置于所述玻璃基板1上。具体的，利用聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液涂布在玻璃基板1上，然后经过高温固化等工艺形成聚酰亚胺基板2，然后进行上面膜层的制作，最后经过激光剥离技术将玻璃基板1与聚酰亚胺基板2进行分离得到柔性AMOLED(英语：Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)面板，借此可以满足更多的客户需求。
其中所述功能层3设置于所述聚酰亚胺基板2与所述栅极绝缘层4之间。所述功能层3包括：空穴传输层、发光层以及电子传输层。所述空穴传输层设置于所述聚酰亚胺基板上；所述发光层设置于所述空穴传输层上；所述电子传输层设置于所述发光层上。空穴传输层控制着空穴的传输，进而控制空穴在发光层中与电子的复合，进而提高发光效率。其中电子传输层控制着电子的传输，进而控制电子在发光层中与空穴的复合，进而提高发光效率。
所述栅极绝缘层4上设有像素定义层5以及挡墙6。
如图1-图2所示，其中像素定义层5包括有效显示区域51和工作区52。所述像素定义层5的有效显示区域51表面依次设有第一公用层12，电致发光层13以及第二公用层14；所述像素定义层5的有效显示区域51边缘与挡墙6之间的区域为工作区52。
其中所述第一阻隔层7覆盖于所述像素定义层5及所述挡墙上。
其中所述第一有机缓冲层8设置于所述像素定义层5上方的所述第一阻隔层7上。其中所述第一有机缓冲层8由亚克力及环氧树脂化合物中的一种制成，由此制成的第一有机缓冲层8具有极强的亲水性。
如图1、图3所示，其中所述第一疏水层9设置于所述像素定义层5的工作区52上方的所述第一有机缓冲层8上。其中所述第一疏水层9表面具有微纳米结构91，用于限制所述第一有机缓冲层8的边界。具体的，所述第一疏水层9通过物理气相沉积法沉积聚四氟乙烯制成。所述微纳米结构91为所述疏水层表面经过等离子蚀刻而成，且所述第一疏水层9表面的微纳米结构91之间的间隙小于或等于50μm。如若微纳米结构91之间的间隙大于50μm，则无法达到增强第一疏水层9的的疏水性能。
其中所述第二有机缓冲层10设置于所述第一疏水层9上。所述第二阻隔层11覆盖于所述第二有机缓冲层10上。其中所述第二有机缓冲层由亚克力及环氧树脂化合物中的一种制成。
实施例2
以下仅就本实施例与第一实施例间的相异之处进行说明，而其相同之处则在此不再赘述。
如图4所示，相较于实施例1，本实施例所述的有机发光二极管显示器封装结构还包括：第二疏水层15，所述第二疏水层15表面具有微纳米结构91，用于限制所述第二有机缓冲层10的边界；所述第二疏水层15设置于所述第二有机缓冲层10上；第三有机缓冲层16，所述第三有机缓冲层16设置于所述第二疏水层15与所述第二阻隔层11之间。
如图5所示，有机发光二极管显示器封装结构的制作方法，包括：S1，提供一玻璃基板1；S2，在玻璃基板1上通过聚酰亚胺涂布机涂布聚酰亚胺材料，经过高温固化形成聚酰亚胺基板2；S3，在聚酰亚胺基板2上经过TFT工艺制程依次形成空穴传输层、发光层以及电子传输层组成功能层3；S4，在功能层3上设置栅极绝缘层4，并在所述栅极绝缘层上设置像素定义层及挡墙；S5，在所述像素定义层及所述挡墙上设置第一阻隔层；S6，在所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上设置第一有机缓冲层；S7，在所述像素定义层的工作区上方的所述第一有机缓冲层上设置第一疏水层，然后对所述第一疏水层表面进行等离子蚀刻处理，使第一疏水层表面具有微纳米结构；S8，在所述第一疏水层上设置第二有机缓冲层；S9，在所述第二有机缓冲层上覆盖第二阻隔层。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，包括：
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有像素定义层以及挡墙；
所述像素定义层的有效显示区域边缘与挡墙之间的区域为工作区；
第一阻隔层；所述第一阻隔层覆盖于所述像素定义层及所述挡墙上；
第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层设置于所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上；
第一疏水层，所述第一疏水层设置于所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上，所述第一疏水层表面具有微纳米结构，用于限制所述第一有机缓冲层的边界；
第二有机缓冲层，所述第二有机缓冲层设置于所述第一疏水层上；以及
第二阻隔层，所述第二阻隔层覆盖于所述第二有机缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，所述第一疏水层表面的微纳米结构之间的间隙小于或等于50μm。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，所述第一疏水层的构成材料包括聚四氟乙烯。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，所述第一疏水层表面的微纳米结构是通过等离子表面蚀刻的方式形成。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，所述第一疏水层通过物理气相沉积的方式沉积在所述第一有机缓冲层上。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，所述第一有机缓冲层的构成材料包括亚克力或环氧树脂化合物中的一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，还包括：
第二疏水层，所述第二疏水层设置于所述第二有机缓冲层上，所述第二疏水层表面具有微纳米结构，用于限制所述第二有机缓冲层的边界；
第三有机缓冲层，所述第三有机缓冲层设置于所述第二疏水层与所述第二阻隔层之间。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，还包括：
玻璃基板；
聚酰亚胺基板，所述聚酰亚胺基板设置于所述玻璃基板上；以及
功能层，所述功能层设置于所述聚酰亚胺基板与所述栅极绝缘层之间。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器封装结构，其特征在于，所述功能层包括：
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述聚酰亚胺基板上；
发光层，所述发光层设置于所述空穴传输层上；以及
电子传输层，所述电子传输层设置于所述发光层上。
10.一种有机发光二极管显示器封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板；
在玻璃基板上通过聚酰亚胺涂布机涂布聚酰亚胺材料，经过高温固化形成聚酰亚胺基板；
在聚酰亚胺基板上经过TFT工艺制程形成功能层；
通过TFT工艺制程在所述功能层上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上设置像素定义层及挡墙；
在所述像素定义层及所述挡墙上设置第一阻隔层；
在所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上设置第一有机缓冲层；
在所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上设置第一疏水层，然后对所述第一疏水层表面进行等离子蚀刻处理，使第一疏水层表面具有微纳米结构；
在所述第一疏水层上设置第二有机缓冲层；
在所述第二有机缓冲层上覆盖第二阻隔层。
CN201811198063.7A 2018-10-15 2018-10-15 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法 Active CN109473459B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811198063.7A CN109473459B (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法
US16/464,208 US11108017B2 (en) 2018-10-15 2018-11-05 Organic light emitting diode device package structure and method of manufacturing same
PCT/CN2018/113911 WO2020077698A1 (zh) 2018-10-15 2018-11-05 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811198063.7A CN109473459B (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109473459A true CN109473459A (zh) 2019-03-15
CN109473459B CN109473459B (zh) 2020-06-16

Family

ID=65664944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811198063.7A Active CN109473459B (zh) 2018-10-15 2018-10-15 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11108017B2 (zh)
CN (1) CN109473459B (zh)
WO (1) WO2020077698A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750865A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 三星显示有限公司 显示面板
WO2021092975A1 (zh) * 2019-11-11 2021-05-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN115145080A (zh) * 2022-07-28 2022-10-04 北京京东方光电科技有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1971940A (zh) * 2005-11-22 2007-05-30 精工爱普生株式会社 发光装置和电子设备
JP2009266922A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Canon Inc 有機発光装置
CN107507931A (zh) * 2017-08-23 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板的封装方法、封装结构及显示装置
CN107665062A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 三星显示有限公司 显示装置
CN107968111A (zh) * 2014-06-25 2018-04-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102478223B1 (ko) * 2016-02-02 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107742635B (zh) * 2017-09-27 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法
KR102452841B1 (ko) * 2017-12-05 2022-10-07 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 플렉서블 oled 패널 및 그 제조 방법
KR102441783B1 (ko) * 2017-12-05 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200047941A (ko) * 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1971940A (zh) * 2005-11-22 2007-05-30 精工爱普生株式会社 发光装置和电子设备
JP2009266922A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Canon Inc 有機発光装置
CN107968111A (zh) * 2014-06-25 2018-04-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN107665062A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 三星显示有限公司 显示装置
CN107507931A (zh) * 2017-08-23 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板的封装方法、封装结构及显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112750865A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 三星显示有限公司 显示面板
WO2021092975A1 (zh) * 2019-11-11 2021-05-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN115145080A (zh) * 2022-07-28 2022-10-04 北京京东方光电科技有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109473459B (zh) 2020-06-16
US11108017B2 (en) 2021-08-31
WO2020077698A1 (zh) 2020-04-23
US20210104701A1 (en) 2021-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106654047B (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN106654046B (zh) Oled显示面板及其制作方法
WO2018094801A1 (zh) Oled显示装置及其制作方法
CN203339167U (zh) 有机发光显示系统
TWI231153B (en) Organic electroluminescence display device and its fabrication method
WO2018045658A1 (zh) Amoled显示装置
US20180366672A1 (en) Display panels of quantum-dot light emitting diodes (qleds) and the manufacturing methods thereof
US20210367186A1 (en) Oled display panel and manufacturing method
US20160380239A1 (en) Method for manufacturing amoled display device and structure thereof
WO2019051940A1 (zh) 柔性oled面板的制作方法
US20180337336A1 (en) Transparent oled display and manufacturing method thereof
CN109473459A (zh) 一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法
CN109616501A (zh) Oled显示器件的触控面板膜层结构、显示面板及制备方法
CN109860416B (zh) 像素结构及具有该像素结构的oled显示面板
WO2015027532A1 (zh) 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法
CN104576693B (zh) Oled显示装置及其制造方法
CN102881835A (zh) 有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法
KR20130008754A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US7956527B2 (en) Organic electroluminescence display panel and method for fabricating the same
US11152588B2 (en) OLED light emitting device and OLED display device having a smoothing layer
CN1225945C (zh) 电激发光显示装置及其封装方法
CN107968155A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法和应用
JP5679292B2 (ja) 有機ｅｌ発光装置
US8415877B2 (en) OLED device having rear electrodes
CN207993865U (zh) 一种显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant