CN107968155A - 有机电致发光器件及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法和应用，有机电致发光器件包括：基板，包括像素电极区和辅助电极区；以及像素界定层，形成于所述像素电极区和所述辅助电极区之间；所述像素电极区包括：像素电极，有机功能层和顶电极；所述辅助电极区包括：辅助电极，导电层和间隔层；所述顶电极与所述导电层连接。上述有机电致发光器件通过在辅助电极上增设导电层以及倒梯形间隔层，顶电极可以通过导电层与辅助电极形成良好的电学连接，解决因使用开口mask导致辅助电极因被有机功能层覆盖而无法与顶电极之间形成有效连接的问题，并节约了制作成本。

Description

有机电致发光器件及其制备方法和应用

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法和应用。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，是目前显示器件研究的主要方向。其中，顶发射型器件由于可以获得更大的开口率，今年来成为了研究的热点。但是，顶发射器件由于需要增加光的透过率，顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，电压降严重，会引起显示器的发光不均匀现象。

为了改善发光均匀性，往往会引入与顶部透明电极相连通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降，改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的，因此不能制作在发光区域上。目前，辅助电极一般在制作array阵列的工序中制作，与像素区发光区具有类似的开口，为了保证与顶电极形成较好的电连接，在蒸镀有机或无机功能层时，需要精细mask，防止辅助电极上覆盖半导体性质的功能层，而无法与顶电极形成直接连通，精细mask的使用增大了制作和维护成本。

因此，现有技术有待进一步改善和发展。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种包含辅助电极的有机电致发光器件。

具体的技术方案如下：

一种有机电致发光器件，包括：

基板，包括像素电极区和辅助电极区；以及

像素界定层，形成于所述像素电极区和所述辅助电极区之间；

所述像素电极区包括：

像素电极，形成于所述基板之上；

有机功能层，形成于所述像素电极之上；

顶电极，形成于所述有机功能层之上；

所述辅助电极区包括：

辅助电极，形成于所述基板之上；

导电层，形成于所述辅助电极之上，且部分覆盖所述辅助电极；

间隔层，形成于所述导电层之上；

所述顶电极与所述导电层连接。

在其中一些实施例中，所述间隔层的下表面完全覆盖所述导电层，所述间隔层的上表面的面积大于所述间隔层的下表面的面积。

在其中一些实施例中，所述间隔层的纵截面为倒梯形，所述间隔层的倒角的角度大于90小于120。间隔层倒角的角度小于90度不能隔断有机功能层，大于120度，顶电极无法与导电层连接。

在其中一些实施例中，所述导电层的厚度大于所述有机功能层的厚度(导电层厚度大于有机功能层的厚度，能确保顶电极与导电层侧面接触)。

在其中一些实施例中，所述间隔层为有机绝缘层，所述有机绝缘层的材质为PI、有机硅或氧树脂，所述间隔层的厚度为100-1000nm(太薄影响隔断效果，太厚增加工艺难度)；所述导电层的材质为Cu或Al，厚度为100-300nm(优选导电层100-300nm的厚度，太厚会增加制程时间)。

在其中一些实施例中，所述像素电极的材质为Ag、Al、或ITO中的一种或几种，所述像素电极的厚度为100-200nm；所述辅助电极的材质为Ag、Al、或ITO中的一种或几种，所述辅助电极的厚度为100-200nm。

在其中一些实施例中，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层中的一层或多层。

在其中一些实施例中，所述顶电极的材料为透明导电薄膜，厚度为10-20nm。

本发明的另一目的是提供上述有机电致发光器件的制备方。

具体的技术方案如下：

上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S1、提供基板，于所述基板上沉积形成像素电极和辅助电极；

S2、于所述辅助电极上沉积形成导电层，于所述导电层上沉积形成间隔层；所述导电层部分覆盖所述辅助电极，所述间隔层的下表面完全覆盖所述导电层；

S3、制作像素界定层，所述像素界定层覆盖所述像素电极和所述辅助电极的边缘；

S4、沉积形成有机功能层；

S5、于所述有机功能层上沉积形成顶电极，所述顶电极与所述导电层连接；

即得所述有机电致发光器件。

本发明的另一目的是提供一种显示装置。

一种显示装置，包括上述有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件，通过在制作像素电极的同时形成辅助电极，同时在辅助电极上的部分区域形成导电层，并于导电层上形成倒梯形间隔层，倒梯形的间隔层保证了在使用开口mask蒸镀有机功能层时，有机功能层被有效隔断，露出辅助电极上的导电层侧面，而采用蒸镀工艺沉积顶电极时，顶电极与发光层在倒梯形间隔层下具有相同的沉积区域，从而无法与辅助电极连接，但通过在辅助电极上设置导电层(导电层的厚度大于有机功能层的总厚度)，而有机功能层无法覆盖导电层侧面，从而使得顶电极与导电层侧面连接，进而通过导电层与辅助电极连接。

上述有机电致发光器件的制备方法通过在辅助电极上增设导电层以及倒梯形间隔层，可以在使用开口mask蒸镀有机功能层和顶电极时，顶电极可以通过导电层与辅助电极形成良好的电学连接，解决因使用开口mask导致辅助电极因被有机功能层覆盖而无法与顶电极之间形成有效连接的问题，同时省去精细mask的使用，节约了制作成本。

附图说明

图1为实施例一有机电致发光器件的结构示意图；

图2为实施例一有机电致发光器件的制备方法流程框图；

图3为实施例一有机电致发光器件的制备方法步骤S1得到的器件的结构示意图；

图4为实施例一有机电致发光器件的制备方法步骤S2得到的器件的结构示意图；

图5为实施例一有机电致发光器件的制备方法步骤S3得到的器件的结构示意图；

图6为实施例一有机电致发光器件的制备方法步骤S4得到的器件的结构示意图。

附图标记说明：

101、基板；102、像素电极；103、辅助电极；104、像素界定层；105、导电层；106、间隔层；107、有机功能层；108、顶电极。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

参考图1，本实施例一种有机电致发光器件(顶发射型)，包括：

基板101，包括像素电极区和辅助电极区；以及

像素界定层104，形成于所述像素电极区和所述辅助电极区之间。

可以理解的，所述基板包括TFT驱动阵列；所述像素界定层为绝缘层，材料可选自光阻材料。

所述像素电极区包括：

像素电极102，形成于所述基板101之上；

可以理解的，像素电极为平坦的反射型导电薄膜，如金属Ag、Al或ITO与金属的叠层结构，厚度为100-200nm；

有机功能层105，形成于所述像素电极102之上；

可以理解的，有机功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层中的一层或多层；

顶电极106，形成于所述有机功能层105之上；

可以理解的，顶电极为透明导电薄膜，如Ag膜，厚度为10-20nm。

所述辅助电极区包括：

辅助电极103，形成于所述基板101之上；

可以理解的，辅助电极的材料与所述像素电极的材料相同，并与所述像素电极在同一制程中完成，所述辅助电极为平坦的反射型导电薄膜，如金属Ag、Al或ITO与金属的叠层结构，厚度为100-200nm；

导电层107，形成于所述辅助电极103之上，且部分覆盖所述辅助电极，厚度大于所述有机功能层的总厚度；

可以理解的，所述导电层107的材质为Cu或Al，厚度为100-300nm；太薄其侧面会被发光层完全覆盖，太厚增加制作成本；

间隔层108，形成于所述导电层107之上，间隔层的纵截面为倒梯形，所述间隔层的倒角的角度大于90小于120(间隔层倒角的角度小于90度不能隔断有机功能层，大于120度，顶电极无法与导电层连接)；

所述间隔层的下表面完全覆盖所述导电层，所述间隔层的上表面的面积大于所述间隔层的下表面的面积；所述间隔层为有机绝缘层，厚度为100-1000nm(太薄影响隔断效果，太厚增加工艺难度)；可以理解的，所述间隔层的材质可选自PI、有机硅、环氧树脂等。

所述顶电极与所述导电层连接。

上述有机电致发光器件，通过在制作像素电极的同时形成辅助电极，同时在辅助电极上的部分区域形成导电层，并于导电层上形成倒梯形间隔层，倒梯形的间隔层保证了在使用开口mask蒸镀有机功能层时，有机功能层被有效隔断，露出辅助电极上的导电层侧面，而采用蒸镀工艺沉积顶电极时，顶电极与发光层在倒梯形间隔层下具有相同的沉积区域，从而无法与辅助电极连接，但通过在辅助电极上设置导电层，而有机功能层无法覆盖导电层侧面，从而使得顶电极与导电层侧面连接，进而通过导电层与辅助电极连接。

上述有机电致发光器件的制备方法，参考图2，包括如下步骤：

S1、提供基板101(包含TFT驱动阵列)，于所述基板上沉积形成像素电极102和辅助电极103，如图3所示；

S2、于所述辅助电极103上沉积形成导电层107，于所述导电层107上沉积形成间隔层108；所述导电层107部分覆盖所述辅助电极，所述间隔层的下表面完全覆盖所述导电层，如图4所示；

S3、制作像素界定层104，所述像素界定层覆盖所述像素电极和所述辅助电极的边缘，如图5所示；

S4、沉积形成有机功能层105，如图6所示；

S5、于所述有机功能层105上沉积形成顶电极106，所述顶电极与所述导电层连接；

即得所述有机电致发光器件(如图1所示)。

上述有机电致发光器件的制备方法通过在辅助电极上增设导电层以及倒梯形间隔层，可以在使用开口mask蒸镀有机功能层和顶电极时，顶电极可以通过导电层与辅助电极形成良好的电学连接，解决因使用开口mask导致辅助电极因被有机功能层覆盖而无法与顶电极之间形成有效连接的问题，同时省去精细mask的使用，节约了制作成本。

本实施例还提供一种显示装置，包括上述有机电致发光器件。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：

基板，包括像素电极区和辅助电极区；以及

像素界定层，形成于所述像素电极区和所述辅助电极区之间；

所述像素电极区包括：

像素电极，形成于所述基板之上；

有机功能层，形成于所述像素电极之上；

顶电极，形成于所述有机功能层之上；

所述辅助电极区包括：

辅助电极，形成于所述基板之上；

导电层，形成于所述辅助电极之上，且部分覆盖所述辅助电极；

间隔层，形成于所述导电层之上；

所述顶电极与所述导电层连接。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述间隔层的下表面完全覆盖所述导电层，所述间隔层的上表面的面积大于所述间隔层的下表面的面积。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述间隔层的纵截面为倒梯形，所述间隔层的倒角的角度大于90小于120。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电层的厚度大于所述有机功能层的厚度。

5.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述间隔层为有机绝缘层，所述有机绝缘层的材质为PI、有机硅或氧树脂，所述间隔层的厚度为100-1000nm；所述导电层的材质为Cu或Al，厚度为100-300nm。

6.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述像素电极的材质为Ag、Al、或ITO中的一种或几种，所述像素电极的厚度为100-200nm；所述辅助电极的材质为Ag、Al、或ITO中的一种或几种，所述辅助电极的厚度为100-200nm。

7.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层中的一层或多层。

8.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述顶电极的材料为透明导电薄膜，厚度为10-20nm。

9.权利要求1-8任一项所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供基板，于所述基板上沉积形成像素电极和辅助电极；

S2、于所述辅助电极上沉积形成导电层，于所述导电层上沉积形成间隔层；所述导电层部分覆盖所述辅助电极，所述间隔层的下表面完全覆盖所述导电层；

S3、制作像素界定层，所述像素界定层覆盖所述像素电极和所述辅助电极的边缘；

S4、沉积形成有机功能层；

S5、于所述有机功能层上沉积形成顶电极，所述顶电极与所述导电层连接；

即得所述有机电致发光器件。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的有机电致发光器件。