CN109467045A - Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法 - Google Patents

Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109467045A
CN109467045A CN201710804342.2A CN201710804342A CN109467045A CN 109467045 A CN109467045 A CN 109467045A CN 201710804342 A CN201710804342 A CN 201710804342A CN 109467045 A CN109467045 A CN 109467045A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mems device
substrate
packaging method
production forms
bonding ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710804342.2A
Other languages
English (en)
Inventor
黄河
俞挺
程伟
侯克玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Original Assignee
Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS filed Critical Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS
Priority to CN201710804342.2A priority Critical patent/CN109467045A/zh
Publication of CN109467045A publication Critical patent/CN109467045A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0006—Interconnects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔；在所述盲孔内制作形成导电柱；在所述第一表面上制作形成第一布线层，所述第一布线层与所述导电柱接触；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行刻蚀，直至使所述盲孔成为通孔且使所述导电柱暴露；在所述第一布线层上制作形成第一键合环；在第二衬底上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线；在所述第二衬底上制作形成第二键合环，所述第二键合环与所述器件导出线连接；键合所述第一键合环和所述第二键合环。该封装方法加工效率高，封装成本低，连线的长度较短，大大缩短了信号的传输路径，减小了器件与外界电路之间的电阻。

Description

MEMS器件的封装方法及微执行器的制备方法
技术领域
本发明涉及微机电系统(MEMS)器件领域，尤其涉及一种MEMS器件的封装方法及微执行器的制备方法。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括多个功能单元，涉及学科和应用领域十分广泛，对其做一个系统的分类是比较困难的。根据组成单元的功能不同，MEMS大体可以分为微传感器、微执行器、微结构以及包括多个单元的集成系统。根据加工的材料分类，MEMS加工技术主要包括硅基和非硅基两种加工技术。现在微机电系统已经远远超越了“机”和“电”的概念，将处理热、光、磁、化学、生物等结构和器件通过微纳加工工艺制造在芯片上，并通过与电路的集成甚至相互间的集成来构筑复杂微型系统，根据应用领域不同，将MEMS应用于通信、光学、生物医学、能源等领域，就分别产生了RF MEMS，Optical MEMS，BIOMEMS和Power MEMS等。其中流体是MEMS领域重要的基础科学和应用方向，包括气体传感器、生物芯片、流体传感器等。
封装是芯片从测试到产品的最后一个作业流程，有效的封装能实现芯片与环境的交互和隔离，提高芯片的可靠性。MEMS器件的封装形式是把基于MEMS的系统方案推向市场的关键因素，也是MEMS设计与制造中的一个关键因素。很多MEMS芯片由于没有解决封装问题，而导致其不能成为产品投入市场进行实际应用。最佳的封装能使MEMS产品发挥其应有的功能，MEMS封装应满足以下要求：
(1)封装应至少提供一个器件与外界环境交互作用的通道，并保护器件敏感结构不因外界作用而损坏，使器件性能保持稳定；
(2)考虑到对应力特别敏感的微传感器和MEMS器件中使用的精度高但十分脆弱的微米或纳米尺度的零部件，MEMS封装带来的应力应尽可能的小；
(3)封装结构应满足高真空、高气密度、高隔离度等不同要求以保证器件免遭环境不利影响，能长期稳定地工作；
(4)对于工作在气体或液体等特殊环境的MEMS器件，封装必须提供稳定的工作环境和与外界的通路。
目前常采用圆片级封装工艺，其中涉及到键合技术，常见的键合技术包括阳极键合、硅-硅直接键和、玻璃浆料键合、金属共晶键合和金属热压键合等，但是上述几个技术具有如下几个缺点：1、加工环境要求高，键合时需要较高的外界温度，操作比较困难；2、工艺控制难，随着工艺步骤的增加，工艺难度会随之增大，对于器件的成品率、性能等都会造成影响；3、成本较高，中间环节较多，生产周期较长。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种方便加工、步骤较少且成本较低的MEMS器件的封装方法。
为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种MEMS器件的封装方法，包括：
在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔；
在所述盲孔内制作形成导电柱；
在所述第一表面上制作形成第一布线层，所述第一布线层与所述导电柱接触；
对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行刻蚀，直至使所述盲孔成为通孔且使所述导电柱暴露；
在所述第一布线层上制作形成第一键合环；
在第二衬底上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线；
在所述第二衬底上制作形成第二键合环，所述第二键合环与所述器件导出线连接；
键合所述第一键合环和所述第二键合环。
优选地，在所述通孔内制作形成导电柱之前，所述MEMS器件的封装方法还包括：分别在所述第一表面上、所述盲孔内壁制作形成导电柱种子层。
优选地，在所述第一表面上、所述盲孔内壁制作形成所述导电柱种子层之前，所述MEMS器件的封装方法还包括：分别在所述第一表面上、所述盲孔内壁制作形成绝缘层。
优选地，在所述盲孔内制作形成导电柱的方法具体包括：
在所述第一表面上形成导电材料层，所述导电材料层填充满所述盲孔；
将所述第一表面上的导电材料层以及导电柱种子层去除。
优选地，在将所述第一表面上的导电材料层以及导电柱种子层去除之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：对所述第一表面上的所述绝缘层进行表面平坦化处理。
优选地，在键合所述第一键合环和所述第二键合环之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第二表面上制作形成第二布线层，所述第二布线层与所述导电柱接触。
优选地，在所述第二表面上制作形成第二布线层之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第二布线层上制作形成焊锡球。
本发明还提供了一种微执行器的制备方法，包括任一种上述的MEMS器件的封装方法，在所述第一表面上制作形成第一布线层同时，所述微执行器制备方法还包括：在所述第一表面上制作形成第一电极层；
在所述第二衬底上制作形成所述器件导出线之后，或者在所述第二衬底上制作形成所述第二键合环之后，所述微执行器的制备方法还包括：在所述第二衬底上制作形成第二电极层。
本发明提供的MEMS器件封装方法，实现了封装结构与器件在垂直方向进行通孔互连，连线的长度可以缩短到与衬底厚度相等，大大缩短了信号的传输路径，减小电阻以及信号传输过程中的寄生效应和延迟时间，从而降低芯片发热量，提高芯片的高频性能，同时封装后不影响的频率特性，且封装加工效率高，封装成本低。
附图说明
图1A至图1L为本发明的实施例一的MEMS器件封装方法的工艺流程图；
图2为本发明的实施例二的微执行器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
图1A至图1K示出了本实施例一的MEMS器件的封装方法的工艺流程。本实施例一的MEMS器件的封装方法包括：
步骤一：参照图1A，提供第一衬底20，在第一衬底20的第一表面20a刻蚀形成盲孔21；
具体地，第一衬底20采用普通的半导体裸硅片，具有相对设置的第一表面20a和第二表面20b，其中本实例的第一衬底20厚度范围为400um至500um，盲孔21的直径范围为30um至100um，盲孔21的深度大于第一衬底20厚度的二分之一，但必须小于第一衬底20的厚度，盲孔21的数量根据需要可开设多个。上述的盲孔21深度的设置，一方面保证后续步骤中在第一衬底20上生长材料时，衬底不容易碎片，另一方面，降低了后续步骤中对第一衬底20进行减薄的难度。
步骤二：参照图1B，在盲孔21内和第一衬底20的第一表面20a上制作形成绝缘层70，绝缘层70用于隔离外界导电介质，防止后续步骤中制作的导电柱30与导电介质接触。当然在其他方式中，可省略该步骤。
步骤三：参照图1C，在盲孔21内的绝缘层70上和第一表面20a上的绝缘层70上制作形成导电柱种子层60。本实施例中优选采用电镀工艺，导电柱种子层60的设置有利于导电柱材料的电镀。当然在其他实施方式中，本步骤可省略。
步骤四：参照图1D，在盲孔21内制作形成导电柱30，在盲孔21内和第一衬底20的第一表面20a上生长导电材料层，使其覆盖导电柱种子层60，其中导电柱种子层60和导电材料层的材料一样，均为铜，其中，本实施例的导电柱种子层60厚度优选为100nm。
步骤五：参照图1E，将第一表面20a上有多余的导电材料层和多余的导电柱种子层60去除，使得导电柱30的一端露出于第一衬底20外。去除多余的导电材料层和导电柱种子层60后，绝缘层70的表面和导电柱30的端面会凹凸不平，需对其进行表面平坦化处理，保证绝缘层70外表面平坦。
步骤六：参照图1F，在第一衬底20的第一表面20a上制作形成第一布线层40，且第一布线层40连接导电柱30的端面，使得各导电柱30导通。
步骤七：参照图1G，对第一衬底20的与第一表面20a相对的第二表面20b进行刻蚀，直至使所述盲孔21成为通孔且使导电柱30暴露。
步骤八：参照图1H，在第一布线层40上制作形成第一键合环50；
具体地，第一键合环50为设置于第一表面20a四周的一圈环形结构，第一键合环50与第一布线层40连接。其中第一键合环50的材料为金或铟。
步骤九：参照图1I，在第二衬底10上制作形成MEMS器件，接着在第二衬底10上生长导电材料形成器件导出线12，器件导出线12用于导通MEMS器件与外界电路。
步骤十：参照图1J，在第二衬底10上制作形成第二键合环12，第二键合环12与器件导出线11连接。具体地，第二键合环12为设置于第二衬底10四周的一圈环形结构，第二键合环12与器件导出线12电连接。为了更好地确定第二键合环12生长位置，可将第一衬底20与第二衬底10对准，在第二衬底10背面设置标记，该标记对准第一键合环50，这样在第二衬底10正面生长第二键合环12即可。
步骤十一：参照图1K，键合第一键合环50和第二键合环12。
具体地，将第二衬底10和第一衬底20对准，并夹持固定，将第二衬底10和第一衬底20送入键合机进行键合，使得第二键合环12与第一键合环50，这样完成了对MEMS器件10的安装。在本实施例中，第一键合环50的材料优选为金，第二键合环12的材料优选为铟，在键合机中，第二键合环12融化，实现与第一键合环50的键合。在其他实施方式中，第一键合环50的材料优选为铜，第二键合环12的材料优选为锡。
步骤十二：参照图1L，为了方便MEMS器件与外界电路接通，在第一衬底20与第一表面20a相对的表面上制作形成第二布线层80，且第二布线层80与导电柱30连接。
进一步地，在第一衬底20与第一表面20a相对的表面上制作形成焊锡球90，焊球与第二布线层80电连接，当MEMS器件切割形成独立芯片后，方便进行表面贴装工艺，简化后续流程。当然在其他实施方式中，本步骤可省略。
本实施例一中的MEMS器件的封装方法，实现了封装结构与器件在纵向方向进行通孔互连，连线的长度可以缩短到与衬底厚度相等，大大缩短了信号的传输路径，减小电阻以及信号传输过程中的寄生效应和延迟时间，从而降低芯片发热量，提高芯片的高频性能，同时封装后不影响的频率特性，且封装加工效率高，封装成本低。
实施例二
图2示出了本实施例二的微执行器的结构示意图，该微执行器制备方法包括实施例一的封装方法，两者的不同之处在于：在步骤六中，在第一表面20a上制作形成第一布线层40的同时，在第一表面20a上制作形成第一电极层41；在步骤九中，在第二衬底10上制作形成器件导出线12的同时，在第二衬底10上制作形成第二电极层13，或者在步骤十中，在第二衬底10上制作形成第二键合环12的同时，在第二衬底10上制作形成第二电极层13，第一电极层41与第二电极层13所带电荷的电性相反，这样第二衬底10与第一衬底20封装后，第一电极层41与第二电极层13之间产生静电吸附，通过控制第一电极层41与第二电极层13的电荷量，可驱动MEMS器件振动，从而实现微执行器的功能。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种MEMS器件的封装方法，其特征在于，包括：
在第一衬底(20)的第一表面(20a)上刻蚀形成盲孔(21)；
在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)；
在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40)，所述第一布线层(40)与所述导电柱(30)接触；
对所述第一衬底(20)的与所述第一表面(20a)相对的第二表面(20b)进行刻蚀，直至使所述盲孔(21)成为通孔且使所述导电柱(30)暴露；
在所述第一布线层(40)上制作形成第一键合环(50)；
在第二衬底(10)上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线(11)；
在所述第二衬底(10)上制作形成第二键合环(12)，所述第二键合环(12)与所述器件导出线(11)连接；
键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)之前，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成导电柱种子层(60)。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成导电柱种子层(60)之前，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上形成绝缘层(70)。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)的方法具体包括：
在所述第一表面(20a)上形成导电材料层，所述导电材料层填充满所述盲孔(21)；
将所述第一表面(20a)上的导电材料层以及导电柱种子层(60)去除。
5.根据权利要求4所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在将所述第一表面(20a)上的导电材料层以及导电柱种子层(60)去除之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：对所述第一表面(20a)上的所述绝缘层(70)进行表面平坦化处理。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第二表面(20b)上制作形成第二布线层(80)，所述第二布线层(80)与所述导电柱(30)接触。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述第二表面(20b)上制作形成第二布线层(80)之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第二布线层(80)上制作形成焊锡球(90)。
8.一种微执行器的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的MEMS器件的封装方法；
其中，在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40)的同时，所述微执行器制备方法还包括：在所述第一表面(20a)上制作形成第一电极层(41)；
在所述第二衬底(11)上制作形成所述器件导出线(12)的同时，或者在所述第二衬底(11)上制作形成所述第二键合环(12)的同时，所述微执行器的制备方法还包括：在所述第二衬底(11)上制作形成第二电极层(13)；所述第一电极层(41)与所述第二电极层(13)所带电荷电性相反。
CN201710804342.2A 2017-09-08 2017-09-08 Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法 Pending CN109467045A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710804342.2A CN109467045A (zh) 2017-09-08 2017-09-08 Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710804342.2A CN109467045A (zh) 2017-09-08 2017-09-08 Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109467045A true CN109467045A (zh) 2019-03-15

Family

ID=65657750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710804342.2A Pending CN109467045A (zh) 2017-09-08 2017-09-08 Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109467045A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113562685A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 一种mems器件的盲孔结构

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041218A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電子機器
US20100270630A1 (en) * 2007-02-22 2010-10-28 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102290968A (zh) * 2011-06-17 2011-12-21 北京大学 一种微发电机及其制备方法
CN103576311A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 精工爱普生株式会社 波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块及电子设备
CN103922267A (zh) * 2013-01-10 2014-07-16 深迪半导体(上海)有限公司 一种基于mems的惯性传感器生产及晶圆级封装工艺
CN105293420A (zh) * 2015-10-30 2016-02-03 北京时代民芯科技有限公司 一种mems圆片级真空封装结构及其制作方法
CN105712290A (zh) * 2014-12-04 2016-06-29 无锡华润上华半导体有限公司 Mems静电驱动器的制作方法
CN106744656A (zh) * 2016-12-02 2017-05-31 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种微机电系统器件封装方法及结构
CN106744666A (zh) * 2015-09-18 2017-05-31 罗伯特·博世有限公司 微机械结构元件

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041218A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電子機器
US20100270630A1 (en) * 2007-02-22 2010-10-28 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102290968A (zh) * 2011-06-17 2011-12-21 北京大学 一种微发电机及其制备方法
CN103576311A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 精工爱普生株式会社 波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块及电子设备
CN103922267A (zh) * 2013-01-10 2014-07-16 深迪半导体(上海)有限公司 一种基于mems的惯性传感器生产及晶圆级封装工艺
CN105712290A (zh) * 2014-12-04 2016-06-29 无锡华润上华半导体有限公司 Mems静电驱动器的制作方法
CN106744666A (zh) * 2015-09-18 2017-05-31 罗伯特·博世有限公司 微机械结构元件
CN105293420A (zh) * 2015-10-30 2016-02-03 北京时代民芯科技有限公司 一种mems圆片级真空封装结构及其制作方法
CN106744656A (zh) * 2016-12-02 2017-05-31 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种微机电系统器件封装方法及结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113562685A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 一种mems器件的盲孔结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7402905B2 (en) Methods of fabrication of wafer-level vacuum packaged devices
CN104051337B (zh) 立体堆叠集成电路系统芯片封装的制造方法与测试方法
US20100288525A1 (en) Electronic package and method of manufacture
CN105374839B (zh) 引线接合传感器封装及方法
CN102158787B (zh) Mems麦克风与压力集成传感器及其制作方法
CN102183335B (zh) Mems压力传感器及其制作方法
CN101800207B (zh) 半导体器件的封装结构及其制造方法
CN104681454B (zh) 用于新型指纹锁器件的封装工艺
US5646072A (en) Electronic sensor assembly having metal interconnections isolated from adverse media
TWI518844B (zh) 封裝結構及其製法
TW201248742A (en) Package structure having micromechanical element and method of making same
TW201304023A (zh) 具微機電元件之封裝結構之製法
US6939778B2 (en) Method of joining an insulator element to a substrate
CN207671684U (zh) 一种基于硅转接板的全硅三维封装结构
CN103579171B (zh) 半导体封装件及其制造方法
TWI455259B (zh) 晶圓級封裝方法與封裝結構
CN109467045A (zh) Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法
US9718674B2 (en) Thin capping for MEMS devices
US20020119597A1 (en) Process for sealing and connecting parts of electromechanical, fluid and optical microsystems and device obtained thereby
CN112225169A (zh) 一种压力模块及其制作方法
CN106744647A (zh) Mems芯片封装结构以及封装方法
CN103208467B (zh) 内嵌封装体的封装模块及其制造方法
CN202297105U (zh) 微机电系统mems器件的方形扁平无引脚封装qfn结构
CN115196583A (zh) 一种mems传感器芯片与asic芯片的扇出型封装结构及封装方法
CN112309965A (zh) 一种降低封装芯片io接口损伤的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190315

RJ01 Rejection of invention patent application after publication