CN109456361B - 一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法 - Google Patents

一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109456361B
CN109456361B CN201811533200.8A CN201811533200A CN109456361B CN 109456361 B CN109456361 B CN 109456361B CN 201811533200 A CN201811533200 A CN 201811533200A CN 109456361 B CN109456361 B CN 109456361B
Authority
CN
China
Prior art keywords
trihydrocarbylsilyl
tri
phosphite ester
reaction
trihydrocarbylsilylamine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811533200.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109456361A (zh
Inventor
傅人俊
林晓文
徐伟文
郑翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Qitian New Materials Co ltd
Original Assignee
Suzhou Qitian New Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Qitian New Material Co ltd filed Critical Suzhou Qitian New Material Co ltd
Priority to CN201811533200.8A priority Critical patent/CN109456361B/zh
Publication of CN109456361A publication Critical patent/CN109456361A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109456361B publication Critical patent/CN109456361B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • C07F9/06Phosphorus compounds without P—C bonds
    • C07F9/08Esters of oxyacids of phosphorus
    • C07F9/141Esters of phosphorous acids
    • C07F9/1415Compounds containing the structure P-O-acyl, P-O-heteroatom, P-O-CN

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,向干燥的反应瓶中加入亚磷酸和三烃基硅基胺,在加热、搅拌和回流冷凝的条件下边反应边蒸出生成的胺,反应液经精密过滤、减压精馏,得到高纯度的三(三烃基硅基)亚磷酸酯。本发明采用亚磷酸与三烃基硅基胺进行反应,三(三烃基硅基)亚磷酸酯产物的选择性高,所得三(三烃基硅基)亚磷酸酯粗品能很容易提纯到99.9%以上,达到锂离子电解液添加剂的要求;且本发明的原料易得、工艺路线简单,反应过程更安全环保、能耗低、废弃物排放量少,适于工业化生产。

Description

一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法
技术领域
本发明涉及锂离子电解液添加剂领域,特别是涉及一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法。
背景技术
三(三烃基硅基)亚磷酸酯是一类含磷和硅两种杂原子的元素有机化合物,既可以作为三烃基硅烷化试剂使用,也具有磷、硅的阻燃特性。近年来研究发现三(三烃基硅基)亚磷酸酯用作锂离子电池电解液的添加剂,可以有效降低锂离子电池的容量损失,延长电池的寿命,同时还能提高电池的高温使用性能。随着对绿色环保的新能源的重视,锂离子动力电池已成了替代传统电池的新型绿色环保能源。三(三烃基硅基)亚磷酸酯作为一种新型的锂离子电解液的添加剂,有着越来越大的需求。
目前,关于三(三烃基硅基)亚磷酸酯合成的报道不多。KR1019880002606(B1)公开了一种双(三甲基硅基)亚磷酸酯的制备工艺,由亚磷酸先与三甲基氯硅烷反应,再与六甲基二硅氮烷反应来制得;CN106866728A也公开了一种二(三甲基硅基)亚磷酸酯的合成方法,由三甲基氯硅烷与亚磷酸在溶剂中相转移催化剂催化下反应制得,再加入受阻胺光稳定剂进行精馏。上述各方法采用亚磷酸与三烃基氯硅烷或六烃基二硅氮烷反应来合成三(三烃基硅基)亚磷酸酯,虽然工艺路线简单,但三(三烃基硅基)亚磷酸酯的转化率低,有大量的二(三甲基硅基)亚磷酸酯不能转化成三(三烃基硅基)亚磷酸酯,造成精馏困难,不能得到高纯度的三(三烃基硅基)亚磷酸酯;而且反应释放出来的氯化氢或氨气,不能冷凝回收,需要水来吸收,产生大量的盐酸或氨水,难以处理并污染环境;不凝性的氯化氢或氨气会夹带走大量的原料到尾气吸收液中,造成原料浪费,消耗高,成本高。CN104860986A和CN106046046A均公开了同一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的制备方法,有三甲基硅醇盐与三氯化磷在溶剂中反应来制得,但三甲基硅醇盐合成比较麻烦,三氯化磷又是高腐蚀性尤其是毒性比较大的化合物,生产过程存在较大的安全隐患。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,能够解决现有方法合成三(三烃基硅基)亚磷酸酯时存在的上述问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,向干燥的反应瓶中加入亚磷酸和三烃基硅基胺,在加热、搅拌和回流冷凝的条件下边反应边蒸出生成的胺,反应液经精密过滤、减压精馏,得到高纯度的三(三烃基硅基)亚磷酸酯;
所述三(三烃基硅基)亚磷酸酯的结构式为:
Figure BDA0001906226400000031
其中,R1、R2、R3为相同或不相同的烷基、不饱和烃基或芳烃基。
在本发明一个较佳实施例中,所述亚磷酸与三烃基硅基胺的摩尔比例为1:3~15。
在本发明一个较佳实施例中,所述反应的条件为:反应温度120~250℃,循环冷冻水回流冷凝。
在本发明一个较佳实施例中,所述循环冷冻水的温度为-10℃~0℃。
在本发明一个较佳实施例中,所述三烃基硅基胺的结构式为:
Figure BDA0001906226400000032
其中,R1、R2和R3为相同或不相同的烷基、不饱和烃基或芳烃基;R4为仲胺基或环状亚胺基。
在本发明一个较佳实施例中,所述烷基包括甲基、乙基、正丙基或异丙基;所述不饱和烃基包括乙烯基、烯丙基、乙炔基或炔丙基;所述芳烃基包括苯基或苄基。
在本发明一个较佳实施例中,所述R4为链状仲胺基,其结构式为:
Figure BDA0001906226400000033
其中,R5和R6为相同或不相同的烃基。
在本发明一个较佳实施例中,所述烃基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、烯丙基、炔丙基、环戊基、环己基、苯基或苄基。
在本发明一个较佳实施例中,所述R4为环状亚胺基,包括乙烯亚胺基
Figure BDA0001906226400000041
吡咯基
Figure BDA0001906226400000042
二氢吡咯基
Figure BDA0001906226400000043
四氢吡咯基
Figure BDA0001906226400000044
哌啶基
Figure BDA0001906226400000045
四氢吡啶基
Figure BDA0001906226400000046
吗啉基
Figure BDA0001906226400000047
N-甲基哌嗪基
Figure BDA0001906226400000048
或N-乙基哌嗪基
Figure BDA0001906226400000049
本发明的有益效果是:本发明一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,采用亚磷酸与三烃基硅基胺进行反应,三(三烃基硅基)亚磷酸酯产物的选择性高,所得三(三烃基硅基)亚磷酸酯粗品能很容易提纯到99.9%以上,达到锂离子电解液添加剂的要求;且本发明的原料易得、工艺路线简单,反应过程更安全环保、能耗低、废弃物排放量少,适于工业化生产。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明实施例包括:
本发明揭示了一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,向干燥的反应瓶中加入摩尔比为1:3~15的亚磷酸和三烃基硅基胺(三烃基硅基胺过量),在加热、搅拌和回流冷凝的条件下边反应边蒸出生成的胺,反应液经精密过滤、减压精馏,得到纯度大于99.9%的高纯度三(三烃基硅基)亚磷酸酯。
具体地,采用电加热套的方式加热至反应温度为120~250℃,并采用-10℃~0℃的循环冷冻水回流冷凝。
所得三(三烃基硅基)亚磷酸酯的结构式为:
Figure BDA0001906226400000051
其中,R1、R2、R3为相同或不相同的烷基、不饱和烃基或芳烃基;优选地,所述烷基包括甲基、乙基、正丙基或异丙基;所述不饱和烃基包括乙烯基、烯丙基、乙炔基或炔丙基;所述芳烃基包括苯基或苄基。
所述三烃基硅基胺的结构式为:
Figure BDA0001906226400000052
其中,R1、R2和R3为与、三(三烃基硅基)亚磷酸酯的结构式相同或不相同的烷基、不饱和烃基或芳烃基;优选地,所述烷基包括甲基、乙基、正丙基或异丙基;所述不饱和烃基包括乙烯基、烯丙基、乙炔基或炔丙基;所述芳烃基包括苯基或苄基。
另一个技术方案为:R4为仲胺基或环状亚胺基。其中,仲胺基是结构式为
Figure BDA0001906226400000061
的链状仲胺基,其中,R5和R6为相同或不相同的烃基;优选地,所述烃基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、烯丙基、炔丙基、环戊基、环己基、苯基或苄基。
所述R4还为环状亚胺基,包括乙烯亚胺基
Figure BDA0001906226400000062
吡咯基
Figure BDA0001906226400000063
二氢吡咯基
Figure BDA0001906226400000064
四氢吡咯基
Figure BDA0001906226400000065
哌啶基
Figure BDA0001906226400000066
四氢吡啶基
Figure BDA0001906226400000067
吗啉基
Figure BDA0001906226400000068
N-甲基哌嗪基
Figure BDA0001906226400000069
或N-乙基哌嗪基
Figure BDA00019062264000000610
实施例1
装有电加热套、四口烧瓶、电动搅拌棒、刺形精馏柱、回流冷凝器和接收瓶的反应装置,开通氮气插底管,使氮气鼓泡吹扫反应装置,保证装置干燥。
向反应瓶中加入亚磷酸328g、N,N-二乙基-N-三甲基硅基胺3480g,同时开启回流冷凝器的-10℃循环冷冻水,开启加热,调节加热电压,以控制升温速度,缓慢蒸出反应生成的二乙胺。当釜温逐渐升至155℃,顶温保持在125℃基本不变,蒸出的馏分经气相色谱检测基本不含二乙胺时,可停止加热,降温冷却,称量得到反应液2396g,收集到馏分1376g,反应液经气相色谱检测,面积归一法计算,三(三烃基硅基)亚磷酸酯含量61.79%,二(三甲基硅基)亚磷酸酯含量0.27%,N,N-二乙基-N-三甲基硅基胺含量31.33%,物料损失率0.945%。合成液经减压精馏,收集到751g纯度为99.93%的三(三烃基硅基)亚磷酸酯产品。
实施例2
装有电加热套、四口烧瓶、电动搅拌棒、刺形精馏柱、回流冷凝器、接收瓶的反应装置,开通氮气插底管,氮气鼓泡吹扫反应装置,保证装置干燥。
向反应瓶中加入亚磷酸328g、N-乙烯基二甲基硅基哌啶4312g,同时开启回流冷凝器的-10℃循环冷冻水,开启加热,调节加热电压,以控制升温速度,缓慢蒸出反应生成的哌啶。当釜温逐渐升至160℃以上,顶温保持在135℃以上基本不变,蒸出的馏分经气相色谱检测基本不含哌啶时,可停止加热,降温冷却,称量得到反应液3239g,收集到馏分1387g,物料损失率0.30%。反应液经气相色谱检测,面积归一法计算,三(乙烯基二甲基硅基)亚磷酸酯含量46.67%,二(乙烯基二甲基硅基)亚磷酸酯含量0.16%,N-乙烯基二甲基硅基哌啶含量49.33%。合成液经减压精馏,收集到832g纯度为99.91%的三(乙烯基二甲基硅基)亚磷酸酯产品。
对比实施例
装有电加热套、四口烧瓶、电动搅拌棒、回流冷凝器的反应装置,开通氮气插底管,氮气鼓泡吹扫反应装置,保证装置干燥。
向反应瓶中加入亚磷酸328g、六甲基二硅氮烷2415g,同时开启回流冷凝器的-10℃循环冷冻水,开启加热,调节加热电压,以控制升温速度,至釜温125~130℃呈回流状态,反应释放的氨气先通入水再通入盐酸溶液中吸收。当尾气出口用湿润的PH试纸检测基本呈中性,没有氨气逸出时,停止加热,冷却降温,称量得到反应液2518g,扣除理论上产生的氨气,物料损失率4.48%。反应液经气相色谱检测,面积归一法计算,三(三烃基硅基)亚磷酸酯含量8.63%,二(三甲基硅基)亚磷酸酯含量33.52%,六甲基二硅氮烷含量51.82%。合成液经减压精馏,收集不到纯度99.9%以上的三(三烃基硅基)亚磷酸酯产品。
与现有制备方法相比,本发明具有如下明显的优点:原料易得、工艺路线简单、更安全环保、能耗低、废弃物排放量少、三(三烃基硅基)亚磷酸酯产物的选择性高,三(三烃基硅基)亚磷酸酯粗品能很容易提纯到99.9%以上,达到锂离子电解液添加剂的要求;反应释放出来的仲胺,可以通过冷凝回收,循环用于与三甲基氯硅烷反应合成三甲基硅基胺。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,其特征在于,向干燥的反应瓶中加入亚磷酸和三烃基硅基胺,在加热、搅拌和回流冷凝的条件下边反应边蒸出生成的胺,反应液经精密过滤、减压精馏,得到高纯度的三(三烃基硅基)亚磷酸酯;
所述三(三烃基硅基)亚磷酸酯的结构式为:
Figure 699551DEST_PATH_IMAGE001
所述三烃基硅基胺的结构式为:
Figure 521751DEST_PATH_IMAGE002
其中,R1、R2和R3为相同或不相同的烷基、不饱和烃基;所述烷基为甲基、乙基、正丙基或异丙基;所述不饱和烃基为乙烯基、烯丙基、乙炔基或炔丙基;
所述亚磷酸与三烃基硅基胺的摩尔比例为1:3~15;
所述反应的条件为:反应温度120~250℃,循环冷冻水回流冷凝;
所述R4为:
Figure 239171DEST_PATH_IMAGE003
Figure 103222DEST_PATH_IMAGE004
Figure 120857DEST_PATH_IMAGE005
Figure 146582DEST_PATH_IMAGE006
Figure 380992DEST_PATH_IMAGE007
Figure 783154DEST_PATH_IMAGE008
Figure 655295DEST_PATH_IMAGE009
Figure 117500DEST_PATH_IMAGE010
Figure 75092DEST_PATH_IMAGE011
其中,R5和R6为相同或不相同的烃基。
2.根据权利要求1所述的三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,其特征在于,所述循环冷冻水的温度为-10℃~0℃。
3.根据权利要求1所述的三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法,其特征在于,所述R5和R6为相同或不相同的烃基,所述烃基为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、烯丙基、炔丙基、环戊基或环己基。
CN201811533200.8A 2018-12-14 2018-12-14 一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法 Active CN109456361B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811533200.8A CN109456361B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811533200.8A CN109456361B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109456361A CN109456361A (zh) 2019-03-12
CN109456361B true CN109456361B (zh) 2021-08-24

Family

ID=65613357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811533200.8A Active CN109456361B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109456361B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120067398A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 리켐주식회사 고순도 트리스(트리알킬실릴)포스파이트의 제조 방법
CN104024266A (zh) * 2011-08-08 2014-09-03 联邦材料测试与开发研究所 新型磷酰胺酯——合成和阻燃应用
CN104860986A (zh) * 2014-02-25 2015-08-26 苏州正元新材料科技有限公司 一种三(三甲基硅烷基)亚磷酸酯的制备方法
CN106046046A (zh) * 2016-05-31 2016-10-26 镇江中化聚氨酯工业设备有限公司 一种三(三甲基硅烷基)亚磷酸酯的制备方法
CN107680903A (zh) * 2016-07-29 2018-02-09 朗姆研究公司 用于半导体图案化应用的掺杂ald膜

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120067398A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 리켐주식회사 고순도 트리스(트리알킬실릴)포스파이트의 제조 방법
CN104024266A (zh) * 2011-08-08 2014-09-03 联邦材料测试与开发研究所 新型磷酰胺酯——合成和阻燃应用
CN104860986A (zh) * 2014-02-25 2015-08-26 苏州正元新材料科技有限公司 一种三(三甲基硅烷基)亚磷酸酯的制备方法
CN106046046A (zh) * 2016-05-31 2016-10-26 镇江中化聚氨酯工业设备有限公司 一种三(三甲基硅烷基)亚磷酸酯的制备方法
CN107680903A (zh) * 2016-07-29 2018-02-09 朗姆研究公司 用于半导体图案化应用的掺杂ald膜

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Silyl esters of phosphorous and arylphosphonous acids";Lebedev E P. et al;《Zhurnal Obshchei Khimii》;19771231;第47卷(第4期);第766-767页 *
"The reaction of alkylphenylaminosilanes with boric and phosphoric acids and glycols";Andrianov K A. et al;《Russ Chem Bull》;19621231;第11卷;第1391页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN109456361A (zh) 2019-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105949243B (zh) 一种亚磷酸酯类抗氧剂9228的制备方法
CN103665032B (zh) 一种草铵膦的制备方法
TWI238825B (en) Process for the preparation of sulfur-containing organosilicon compounds
CN109096102A (zh) 一种受阻酚类抗氧剂的合成技术
CN103360410B (zh) 氧氟沙星制备方法
CN109456361B (zh) 一种三(三烃基硅基)亚磷酸酯的合成方法
CN105541907B (zh) 一种草铵膦的纯化方法
CN102250357B (zh) 聚苯基硫代膦酸乙二醇酯化合物及其制备方法
CN107721928B (zh) 一种铁基含氰基阴离子咪唑离子液体及其制备方法和应用
CN109503653B (zh) 一种三(三烃基硅基)磷酸酯的合成方法
CN105732694B (zh) 一种吸附提纯1,1,1,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷的方法
CN102898454B (zh) 一种间甲基苯基二乙氧基甲基硅烷及其制备方法
CN101823973A (zh) 一种分离亚氨基二乙酸的方法
CN102898457A (zh) 一种乙基苯基二乙氧基硅烷及其制备方法
CN109810144A (zh) 阻燃剂磷酸三(二甲基硅硫代膦酰杂环亚甲基)酯化合物及其制备方法
CN101845055B (zh) 一种利用化学配位作用提纯甲基苯基二氯硅烷的方法
CN101838210A (zh) 制备多齿β-酮基亚氨酸盐的金属络合物的方法
CN106831857B (zh) 一种酸敏性亚磷酸酯的生产工艺
JP5551189B2 (ja) オリゴアミノシランの製造法および安定化法
CN101065173A (zh) 在塔中化学反应和分离混合物的方法
CN104926848B (zh) 一种制备甲基硼酸的方法
CN106831849A (zh) 一种含烯丙基聚硅氧烷的制备方法
CN102718799A (zh) 一种磷酸酯基芳烃化合物及其制备方法
CN103554144B (zh) 一类芳基硼酸乙二醇酯的制备方法
JPS6365071B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 215500 No.30 Haiping Road, Changshu new material industrial park, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Suzhou Qitian New Material Co.,Ltd.

Address before: 215500 No.30 Haiping Road, Changshu new material industrial park, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: CHANGSHU CHANGEL CHEMICAL Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 215500 No.30 Haiping Road, Changshu new material industrial park, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Qitian New Materials Co.,Ltd.

Address before: 215500 No.30 Haiping Road, Changshu new material industrial park, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: Suzhou Qitian New Material Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder