CN109449238A - 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法 - Google Patents

一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109449238A
CN109449238A CN201811176503.9A CN201811176503A CN109449238A CN 109449238 A CN109449238 A CN 109449238A CN 201811176503 A CN201811176503 A CN 201811176503A CN 109449238 A CN109449238 A CN 109449238A
Authority
CN
China
Prior art keywords
growth
electrode
silicon nitride
indium
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811176503.9A
Other languages
English (en)
Inventor
于春蕾
李雪
邵秀梅
龚海梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Technical Physics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Technical Physics of CAS
Priority to CN201811176503.9A priority Critical patent/CN109449238A/zh
Publication of CN109449238A publication Critical patent/CN109449238A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法,具体步骤如下:1)淀积氮化硅扩散掩膜,2)开扩散窗口,3)闭管扩散,4)生长P电极,5)快速热退火,6)开N槽,7)淀积氮化硅钝化膜,8)开P、N电极孔,9)生长加厚电极,10)金属化,11)生长铟柱。本发明的优点在于:1、制备工艺更简单,首先生长P区电极的工艺方法,降低光刻偏差和过刻蚀可能导致的P区电极与N区InP材料之间的导通风险;2、引入感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)技术生长低温氮化硅钝化膜,芯片的表面钝化层结构致密,降低工艺过程对材料表面造成的损伤,改善表面钝化效果;3、金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长技术,降低器件的接触电阻。

Description

一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法
技术领域
本发明是关于焦平面探测器的制备技术,具体是指一种大规模小像元焦平面探测器制备方法,它适用于制备高密度、高可靠性的平面型铟镓砷焦平面探测器。所述的大规模是指2000ⅹ2000元以上,所述的小像元是指中心距10μm以下。
背景技术
短波红外铟镓砷探测器具有高探测率、高量子效率、室温工作等优异性能,在军事、民用以及航空航天领域有广泛应用价值。随着短波红外成像技术向高分辨率发展的技术需求,需要开发高性能的大规模、小像元铟镓砷焦平面探测器的制备工艺方法。
铟镓砷探测器芯片的剖面结构如附图所示,它由N型InP衬底1、N型InP缓冲层2、InGaAs吸收层3、N型InP帽层4、光敏区5、氮化硅钝化层6、P电极7、接触电极8、金属化金9和铟柱10组成。目前铟镓砷焦平面探测器的工艺主要包括以下主要步骤:
步骤1.在外延片上生长扩散掩膜;
步骤2.通过闭管扩散在外延层中形成PN结;
步骤3.通过刻蚀在外延片上开N槽;
步骤4.在器件表面淀积氮化硅钝化膜;
步骤5.通过刻蚀在外延片上开P电极孔;
步骤6.在P区表面溅射生长P电极;
步骤7.通过湿法腐蚀在外延片上开N电极孔;
步骤8.在P电极上和N区表面,溅镀Cr、Au、Cr金属膜作为加厚电极;
步骤9.在加厚电极上光刻出金属化孔,溅射Au金属膜;
步骤10.在金属化膜上光刻出铟孔,生长In柱。
随着探测器向高密度、小像素、大面阵方向发展,在现有的平面型铟镓砷焦平面探测器芯片制备工艺过程中,较高温度淀积表面钝化膜之后,通过光刻和刻蚀工艺定义P区电极孔,之后生长P区电极的工艺方法,存在以下问题:
1、在高密度小像素的光敏芯片阵列研制中,通过光刻和刻蚀工艺定义P区电极孔,由于光刻偏差和过刻蚀的存在,P区电极与N区InP材料之间存在导通风险;
2、P电极生长之前,在淀积氮化硅钝化膜的工艺中,等离子增强化学气相淀积技术(PECVD)产生的等离子体会对外延材料表面造成一定损伤。
3、在高密度小像素的光敏芯片阵列研制中,随着有效光敏区面积减小,探测器的周长面积比增大,表面漏电在小像素探测器的暗电流成分中影响显著,降低淀积氮化硅钝化膜工艺过程对外延材料表面造成的损伤是十分必要的。
4、在小像素光敏芯片的金属化和生长铟柱的光刻对准中存在一定偏差,导致电极和铟柱的接触面积降低,存在影响器件接触电阻的问题。
本发明在铟镓砷焦平面探测器的制备工艺进行改进和创新,适用于大规模小像元铟镓砷焦平面探测器的制备,有利于解决焦平面探测器盲元率增加和暗电流性能降低的问题,使焦平面探测器的成品率和性能得到提升。
发明内容
基于上述铟镓砷焦平面探测器芯片制备工艺中存在的问题,本发明创新性地提出了一种大规模小像元焦平面探测器芯片制备方法,有利于降低焦平面探测器的盲元率和暗电流,使焦平面探测器的成品率和性能得到提升。
本发明是在原有工艺技术基础之上进行改进。首先,在扩散成结后先生长P电极,再生长氮化硅钝化膜;其次,在氮化硅钝化膜的生长技术进行了改进,由原来的PECVD技术改进为ICPCVD技术低温生长氮化硅钝化膜;最后将金属化与生长铟柱的两步光刻改为一体化光刻生长。具体工艺流程步骤如下:
1淀积氮化硅扩散掩膜,用作扩散掩膜,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术淀积厚度为230nm±20nm的氮化硅,RF功率为40W±10W、衬底温度330℃±10℃、气体流量SiH4:N2为1:18。
2开扩散窗口,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀氮化硅,刻蚀条件为:ICP功率为2000W±50W、RF功率为40W±5W、SF6气体流量45sccm±5sccm、腔体压强为9.4mTorr±0.1mTorr、温度为5℃±1℃,然后用氢氟酸缓冲液在室温下腐蚀5s±1s,腐蚀液体积比为HF:NH4F:H2O为3:6:10;
3闭管扩散,形成光敏扩散区5,采用粉末状Zn3P2作为扩散源,真空度为5ⅹ10-5Pa以下,扩散条件为:在200℃±10℃温度下保持时间12min±1min,然后在530℃±10℃温度条件下保持时间11min±1min,快速取出。
4生长P电极,用作P电极7,采用离子束溅射工艺淀积厚度为50nm±10nm的Au,真空度为3ⅹ10-2Pa以下,离子束能量为100eV±10eV;
5快速热退火,退火条件为:氮气保护气氛,退火温度为450℃±10℃,温度保持时间为15s±2s;
6开N槽,用氢氟酸缓冲液在室温下腐蚀氮化硅掩膜,腐蚀液配比与步骤2)相同,采用氩离子刻蚀技术刻蚀N槽,刻蚀条件为:离子能量300eV±10eV,束流80cm-3±5cm-3,然后湿法腐蚀铟镓砷,腐蚀液体积比为酒石酸溶液:H2O2=5:1,腐蚀温度保持在35℃±2℃;
7淀积低温氮化硅钝化膜,采用感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长300nm±30nm的氮化硅作为钝化膜6,生长条件为:ICP功率为750W±10W、衬底温度75℃±5℃、气体流量SiH4:N2为6:5;
8开P、N电极孔,采用工艺条件与步骤2)相同;
9生长加厚电极,用作加厚电极8,采用离子束溅射工艺依次淀积厚度分别为20nm±2nm、400nm±40nm、30nm±3nm的Cr、Au、Cr,淀积条件与步骤4)相同;
10金属化,用作与铟柱接触的金属化金9,淀积条件与步骤4)相同;
11生长铟柱,用作铟柱10。
本发明的优点在于:
1制备工艺更简单,首先生长P区电极的工艺方法,降低光刻偏差和过刻蚀可能导致的P区电极与N区InP材料之间的导通风险。此外,在P电极生长之前不需要对外延材料进行刻蚀,减少了材料表面的损伤,有利于P型欧姆接触的形成。
2引入感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)技术生长低温氮化硅钝化膜,芯片的表面钝化层结构致密,降低工艺过程对材料表面造成的损伤,改善表面钝化效果,有利于降低表面漏电。
3金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长技术,减少了工艺步骤,降低了光刻对准难度,降低了器件的接触电阻。
附图说明
图1为本发明的铟镓砷探测器芯片的剖面结构示意图;
图2为本发明的平面型铟镓砷探测器芯片制备工艺步骤流程图;
图中:
1--半绝缘衬底InP衬底;
2--N型InP层;
3--铟镓砷本征吸收层;
4--N型InP帽层;
5--光敏扩散区;
6--氮化硅(SiNx)钝化层;
7--P电极;
8--加厚电极;
9--金属化金;
10--铟柱
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方法进行详细的说明。
如附图1所示,本实施例所用的外延片为采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在厚度为350μm的N型衬底1上,依次生长厚度为0.5μm的N型InP层2,载流子浓度≥2×1018cm-3;厚度为2.5μm的铟镓砷本征吸收层3,载流子浓度为5×1016cm-3;厚度为1μm的N型InP帽层4,载流子浓度为5×1016cm-3。本实施例的大规模小像元焦平面探测器芯片制备工艺是在原有工艺基础之上,将淀积钝化膜与生长P电极的顺序交换;钝化膜淀积工艺由等离子体增强化学气相淀积技术改进为感应耦合等离子体化学气相淀积技术;金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长。
本实施例探测器光敏芯片制备的具体工艺流程为:
1淀积氮化硅扩散掩膜,用作扩散掩膜,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术淀积厚度为230nm±20nm的氮化硅,RF功率为40W±5W、衬底温度330℃±10℃、气体流量SiH4:N2为1:18。
2开扩散窗口,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀氮化硅,刻蚀条件为:ICP功率为2000W±50W、RF功率为40W±5W、SF6气体流量45sccm±5sccm、腔体压强为9.4mTorr±0.1mTorr、温度为5℃±1℃,然后用氢氟酸缓冲液在室温下腐蚀5s±1s,腐蚀液体积比为HF:NH4F:H2O为3:6:10;3闭管扩散,形成光敏扩散区5,采用粉末状Zn3P2作为扩散源,真空度为5ⅹ10-5Pa以下,扩散条件为:在200℃±10℃温度下保持时间12min±1min,然后在530℃±10℃温度条件下保持时间11min±1min,快速取出。
4生长P电极,用作P电极7,采用离子束溅射工艺淀积厚度为50nm±10nm的Au,真空度为3ⅹ10-2Pa以下,离子束能量为100eV±10eV;
5快速热退火,退火条件为:氮气保护气氛,退火温度为450℃±10℃,温度保持时间为15s±2s;
6开N槽,用氢氟酸缓冲液在室温下腐蚀氮化硅掩膜,腐蚀液配比与步骤2)相同,采用氩离子刻蚀技术刻蚀N槽,刻蚀条件为:离子能量300eV±10eV,束流80cm-3±5cm-3,然后湿法腐蚀铟镓砷,腐蚀液体积比为酒石酸溶液:H2O2=5:1,腐蚀温度保持在35℃±2℃;
7淀积低温氮化硅钝化膜,采用感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长300nm±30nm的氮化硅作为钝化膜6,生长条件为:ICP功率为750W±10W、衬底温度75℃±5℃、气体流量SiH4:N2为6:5;
8开P、N电极孔,采用工艺条件与步骤2)相同;
9生长加厚电极,用作加厚电极8,采用离子束溅射工艺依次淀积厚度分别为20nm±2nm、400nm±40nm、30nm±3nm的Cr、Au、Cr,淀积条件与步骤4)相同;
10金属化,用作与铟柱接触的金属化金9,淀积条件与步骤4)相同;
11生长铟柱,用作铟柱10。

Claims (1)

1.一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法,制备的具体方法步骤如下:1)淀积氮化硅扩散掩膜,2)开扩散孔,3)扩散成结,4)生长P电极,5)快速热退火,6)开N槽,7)淀积氮化硅钝化膜,8)开P、N电极孔,9)生长加厚电极,10)金属化,11)生长铟柱,其特征在于:
在步骤7)中所述的淀积氮化硅钝化膜的方法为:采用感应耦合等离子体化学气相淀积技术生长300nm的氮化硅为钝化膜,生长条件为:ICP功率为750W、衬底温度75℃、气体流量SiH4:N2为6:5;
步骤10)和步骤11)中所述的金属化和生长铟柱采用一体化光刻生长的方法,使用厚胶进行光刻,胶厚约为6μm。
CN201811176503.9A 2018-10-10 2018-10-10 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法 Pending CN109449238A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811176503.9A CN109449238A (zh) 2018-10-10 2018-10-10 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811176503.9A CN109449238A (zh) 2018-10-10 2018-10-10 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109449238A true CN109449238A (zh) 2019-03-08

Family

ID=65546314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811176503.9A Pending CN109449238A (zh) 2018-10-10 2018-10-10 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109449238A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110444607A (zh) * 2019-07-10 2019-11-12 中国科学院上海技术物理研究所 带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法
CN111403546A (zh) * 2019-12-17 2020-07-10 西南技术物理研究所 一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法
CN112382687A (zh) * 2020-11-11 2021-02-19 苏州镓港半导体有限公司 一种平面型光电探测器及其制备方法
CN112420871A (zh) * 2020-09-30 2021-02-26 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司 台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118886A (zh) * 2007-08-22 2008-02-06 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法
WO2015048304A2 (en) * 2013-09-25 2015-04-02 Princeton Infrared Technologies, Inc. LOW NOISE InGaAs PHOTODIODE ARRAY
CN104538463A (zh) * 2014-12-09 2015-04-22 中国科学院上海技术物理研究所 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法
CN104538478A (zh) * 2014-12-09 2015-04-22 中国科学院上海技术物理研究所 一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法
CN107994094A (zh) * 2017-11-22 2018-05-04 贵州振华风光半导体有限公司 一种改善延伸波长铟镓砷探测器刻蚀损伤的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118886A (zh) * 2007-08-22 2008-02-06 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法
WO2015048304A2 (en) * 2013-09-25 2015-04-02 Princeton Infrared Technologies, Inc. LOW NOISE InGaAs PHOTODIODE ARRAY
CN104538463A (zh) * 2014-12-09 2015-04-22 中国科学院上海技术物理研究所 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法
CN104538478A (zh) * 2014-12-09 2015-04-22 中国科学院上海技术物理研究所 一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法
CN107994094A (zh) * 2017-11-22 2018-05-04 贵州振华风光半导体有限公司 一种改善延伸波长铟镓砷探测器刻蚀损伤的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MING SHI等: "Research of extended-wavelength 64x64 In0.83Ga0.17As focal plane arrays", 《PROC. SPIE 8907,INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PHOTOELECTRONIC DETECTION AND IMAGING 2013: INFRARED IMAGING AND APPLICATIONS》 *
李平: "高In组分InGaAs探测材料微光敏区表征方法研究", 《中国博士学位论文全文数据库 信息科技辑》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110444607A (zh) * 2019-07-10 2019-11-12 中国科学院上海技术物理研究所 带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法
CN111403546A (zh) * 2019-12-17 2020-07-10 西南技术物理研究所 一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法
CN112420871A (zh) * 2020-09-30 2021-02-26 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司 台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法
CN112382687A (zh) * 2020-11-11 2021-02-19 苏州镓港半导体有限公司 一种平面型光电探测器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109449238A (zh) 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法
US4771013A (en) Process of making a double heterojunction 3-D I2 L bipolar transistor with a Si/Ge superlattice
CN108122749B (zh) 一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺
CN107248528B (zh) 低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法
WO2022165884A1 (zh) 一种新型增强型GaN HEMT器件结构
CN104538463B (zh) 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法
CN109755349A (zh) 一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法
CN116666427A (zh) 一种基于选区退火的高击穿电压增强型GaN器件及制备方法
CN111063739A (zh) 基于SiO2电流阻挡层的氮化铝CAVET器件及制作方法
US12112944B2 (en) Preparation method of GaN field effect transistor based on diamond substrate
CN204332968U (zh) 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片
CN102376824A (zh) 一种台面型铟镓砷探测器制备方法
CN110444607A (zh) 带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法
CN102800587A (zh) 一种肖特基二极管的制备工艺
CN116387398A (zh) 一种通过F基等离子体处理提升AlGaN/GaN基紫外光电探测器性能的方法
CN114242800B (zh) 日盲AlGaN紫外光电探测器及其制备方法
CN109300974A (zh) 一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法
CN213782022U (zh) 一种二维半导体材料的金属接触结构
CN104576832A (zh) 基于soi阻挡杂质带探测器的制备方法
CN104538478A (zh) 一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法
CN114784119A (zh) 一种4H-SiC JBS二极管正面金属化的管芯及其制造方法
CN104979195B (zh) SiC基HEMT器件的制备方法
CN204332988U (zh) 一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器
CN109449213B (zh) 一种带场板的肖特基结金刚石二极管器件的制备方法
CN103928346B (zh) 外延生长形成n型重掺杂漂移层台面的umosfet器件制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190308