CN109449123A - 一种ic封装器件及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种IC封装器件及制造方法，包括载片台、盖片和引脚，所述载片台底部设置有弹簧组，所述弹簧组顶部设置有安装槽且安装槽内底部设置有芯片焊盘，所述安装槽两侧设置有通孔，所述载片台两侧设置有引脚且引脚一端位于通孔内，所述引脚一端与通孔之间设置有减震橡胶圈，所述载片台上端设置有盖片，所述盖片内设置有散热腔，所述散热腔内底部设置有导热硅脂层，所述导热硅脂层顶部设置有导热铜片且导热铜片顶部连接散热铝片，所述散热腔顶部设置有防尘网罩，所述载片台和盖片外表面均设置有防静电层。本发明具有良好的散热和防腐蚀等性能，具备减震性能，长时间使用不易损坏，且加工过程简单，操作方便，适合进行推广。

Description

一种IC封装器件及制造方法
技术领域
本发明属于电子设备领域，具体涉及一种IC封装器件及制造方法。
背景技术
IC封装是指将芯片在封装器件上布局、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过塑封固定，构成整体立体结构的工艺，然而现有的封装器件性能不稳定，不具备减震性能，长时间使用容易被腐蚀损坏，且散热性能差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种IC封装器件及制造方法，以解决上述背景技术中提出的然而现有的封装器件性能不稳定，不具备减震性能，长时间使用容易被腐蚀损坏，且散热性能差的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种IC封装器件及制造方法，包括载片台、盖片和引脚，所述载片台底部设置有弹簧组，所述弹簧组顶部设置有安装槽且安装槽内底部设置有芯片焊盘，所述安装槽两侧设置有通孔，所述载片台两侧设置有引脚且引脚一端位于通孔内，所述引脚一端与通孔之间设置有减震橡胶圈，所述载片台上端设置有盖片，所述盖片内设置有散热腔，所述散热腔内底部设置有导热硅脂层，所述导热硅脂层顶部设置有导热铜片且导热铜片顶部连接散热铝片，所述散热腔顶部设置有防尘网罩，所述载片台和盖片外表面均设置有防静电层，所述防静电层外表面设置有耐高温层，所述耐高温层外表面设置有耐腐蚀层。
进一步地，所述一种IC封装器件的制造方法，具体制造方法如下：
步骤一：将丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂加热融化并注入到模具中，产品成型冷却后得到载片台和盖片。
步骤二：将步骤一得到的载片台底部利用螺丝固定弹簧组，并在安装槽内底部通过黏胶粘接芯片焊盘。
步骤三：将步骤二得到的载片台的通孔内安装减震橡胶圈，并将引脚一端插入到减震橡胶圈内。
步骤四：将步骤一得到的盖片的散热腔内底部通过导热硅脂层粘接导热铜片，然后在导热铜片顶部焊接散热铝片，最后在散热腔顶部通过螺丝固定连接防尘网罩。
步骤五：在步骤三和步骤四得到的载片台和盖片外表面涂覆防静电层，然后在防静电层外表面涂覆耐高温层，最后在耐高温层外表面涂覆耐腐蚀层。
步骤六：利用喷砂机对步骤五得到的载片台和盖片进行喷砂处理，除去载片台和盖片周边的毛刺。
进一步地，所述耐高温层为乙烯基树脂材料制成，所述防静电层为聚甲醛塑料制成，所述耐腐蚀层为聚四氟乙烯材料制成。
进一步地，所述弹簧组底端低于引脚底端3-5mm。
进一步地，所述添加剂包括固化剂、改性剂、脱模剂、染色剂和阻燃剂。
进一步地，所述丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为38％：60％：2％。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过设置弹簧组，可以在引脚焊接到电子器件上后，弹簧组和引脚共同为IC封装器件提供支撑作用，避免仅仅利用引脚进行支撑不够稳定，通过设置减震橡胶圈，在IC封装器件安装到电子器件上后，若受到震动，减震橡胶圈和弹簧组共同为IC封装器件提供缓冲减震作用，通过设置导热硅脂层，可以将芯片产生的热量传导到导热铜片，导热铜片可以快速将热量传导到散热铝片，并快速从散热铝片扩散到周围空气中，从而为芯片散热降温，通过设置防尘网罩，避免有灰尘堆积到散热铝片上影响其散热性能，通过设置防静电层，可以阻绝静电，防止静电对载片台内的芯片产生破坏，通过设置耐高温层，可以提高该IC封装器件的耐高温性能，避免受到高温影响而损坏，通过设置耐腐蚀层，提高该IC封装器件的耐腐蚀性能，IC封装器件不易受到腐蚀损坏，且丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为38％：60％：2％，载片台和盖片的屈服强度为41.4MPa，冲击韧性为80.8kj/㎡，此时载片台和盖片的屈服强度与冲击韧性最佳，该IC封装器件加工过程简单，操作方便，适合进行推广。
附图说明
图1为本发明一种IC封装器件及制造方法的剖面图。
图2为本发明一种IC封装器件及制造方法的减震橡胶圈示意图。
图3为本发明一种IC封装器件及制造方法的防静电层示意图。
图中：1、安装槽；2、芯片焊盘；3、载片台；4、弹簧组；5、引脚；6、减震橡胶圈；7、耐腐蚀层；8、通孔；9、盖片；10、防尘网罩；11、导热硅脂层；12、导热铜片；13、散热铝片；14、防静电层；15、耐高温层；16、散热腔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1-3所示，一种IC封装器件及制造方法，包括载片台3、盖片9和引脚5，所述载片台3底部设置有弹簧组4，所述弹簧组4顶部设置有安装槽1且安装槽1内底部设置有芯片焊盘2，所述安装槽1两侧设置有通孔8，所述载片台3两侧设置有引脚5且引脚5一端位于通孔8内，所述引脚5一端与通孔8之间设置有减震橡胶圈6，所述载片台3上端设置有盖片9，所述盖片9内设置有散热腔16，所述散热腔16内底部设置有导热硅脂层11，所述导热硅脂层11顶部设置有导热铜片12且导热铜片12顶部连接散热铝片13，所述散热腔16顶部设置有防尘网罩10，所述载片台3和盖片9外表面均设置有防静电层14，所述防静电层14外表面设置有耐高温层15，所述耐高温层15外表面设置有耐腐蚀层7。
其中，所述一种IC封装器件的制造方法，具体制造方法如下：
步骤一：将丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂加热融化并注入到模具中，产品成型冷却后得到载片台3和盖片9。
步骤二：将步骤一得到的载片台3底部利用螺丝固定弹簧组4，并在安装槽1内底部通过黏胶粘接芯片焊盘2。
步骤三：将步骤二得到的载片台3的通孔8内安装减震橡胶圈6，并将引脚5一端插入到减震橡胶圈6内。
步骤四：将步骤一得到的盖片9的散热腔16内底部通过导热硅脂层11粘接导热铜片12，然后在导热铜片12顶部焊接散热铝片13，最后在散热腔16顶部通过螺丝固定连接防尘网罩10。
步骤五：在步骤三和步骤四得到的载片台3和盖片9外表面涂覆防静电层14，然后在防静电层14外表面涂覆耐高温层15，最后在耐高温层15外表面涂覆耐腐蚀层7。
步骤六：利用喷砂机对步骤五得到的载片台3和盖片9进行喷砂处理，除去载片台3和盖片9周边的毛刺。
其中，所述耐高温层15为乙烯基树脂材料制成，所述防静电层14为聚甲醛塑料制成，所述耐腐蚀层7为聚四氟乙烯材料制成。
其中，所述弹簧组4底端低于引脚5底端3-5mm。
其中，所述添加剂包括固化剂、改性剂、脱模剂、染色剂和阻燃剂。
其中，所述丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为44％：54％：2％，载片台3和盖片9的屈服强度为37.2MPa，冲击韧性为74.4kj/㎡。
实施例2
如图1-3所示，一种IC封装器件及制造方法，包括载片台3、盖片9和引脚5，所述载片台3底部设置有弹簧组4，所述弹簧组4顶部设置有安装槽1且安装槽1内底部设置有芯片焊盘2，所述安装槽1两侧设置有通孔8，所述载片台3两侧设置有引脚5且引脚5一端位于通孔8内，所述引脚5一端与通孔8之间设置有减震橡胶圈6，所述载片台3上端设置有盖片9，所述盖片9内设置有散热腔16，所述散热腔16内底部设置有导热硅脂层11，所述导热硅脂层11顶部设置有导热铜片12且导热铜片12顶部连接散热铝片13，所述散热腔16顶部设置有防尘网罩10，所述载片台3和盖片9外表面均设置有防静电层14，所述防静电层14外表面设置有耐高温层15，所述耐高温层15外表面设置有耐腐蚀层7。
其中，所述一种IC封装器件的制造方法，具体制造方法如下：
步骤一：将丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂加热融化并注入到模具中，产品成型冷却后得到载片台3和盖片9。
步骤二：将步骤一得到的载片台3底部利用螺丝固定弹簧组4，并在安装槽1内底部通过黏胶粘接芯片焊盘2。
步骤三：将步骤二得到的载片台3的通孔8内安装减震橡胶圈6，并将引脚5一端插入到减震橡胶圈6内。
步骤四：将步骤一得到的盖片9的散热腔16内底部通过导热硅脂层11粘接导热铜片12，然后在导热铜片12顶部焊接散热铝片13，最后在散热腔16顶部通过螺丝固定连接防尘网罩10。
步骤五：在步骤三和步骤四得到的载片台3和盖片9外表面涂覆防静电层14，然后在防静电层14外表面涂覆耐高温层15，最后在耐高温层15外表面涂覆耐腐蚀层7。
步骤六：利用喷砂机对步骤五得到的载片台3和盖片9进行喷砂处理，除去载片台3和盖片9周边的毛刺。
其中，所述耐高温层15为乙烯基树脂材料制成，所述防静电层14为聚甲醛塑料制成，所述耐腐蚀层7为聚四氟乙烯材料制成。
其中，所述弹簧组4底端低于引脚5底端3-5mm。
其中，所述添加剂包括固化剂、改性剂、脱模剂、染色剂和阻燃剂。
其中，所述丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为32％：66％：2％，载片台3和盖片9的屈服强度为38.4MPa，冲击韧性为72.4kj/㎡。
实施例3
如图1-3所示，一种IC封装器件及制造方法，包括载片台3、盖片9和引脚5，所述载片台3底部设置有弹簧组4，所述弹簧组4顶部设置有安装槽1且安装槽1内底部设置有芯片焊盘2，所述安装槽1两侧设置有通孔8，所述载片台3两侧设置有引脚5且引脚5一端位于通孔8内，所述引脚5一端与通孔8之间设置有减震橡胶圈6，所述载片台3上端设置有盖片9，所述盖片9内设置有散热腔16，所述散热腔16内底部设置有导热硅脂层11，所述导热硅脂层11顶部设置有导热铜片12且导热铜片12顶部连接散热铝片13，所述散热腔16顶部设置有防尘网罩10，所述载片台3和盖片9外表面均设置有防静电层14，所述防静电层14外表面设置有耐高温层15，所述耐高温层15外表面设置有耐腐蚀层7。
其中，所述一种IC封装器件的制造方法，具体制造方法如下：
步骤一：将丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂加热融化并注入到模具中，产品成型冷却后得到载片台3和盖片9。
步骤二：将步骤一得到的载片台3底部利用螺丝固定弹簧组4，并在安装槽1内底部通过黏胶粘接芯片焊盘2。
步骤三：将步骤二得到的载片台3的通孔8内安装减震橡胶圈6，并将引脚5一端插入到减震橡胶圈6内。
步骤四：将步骤一得到的盖片9的散热腔16内底部通过导热硅脂层11粘接导热铜片12，然后在导热铜片12顶部焊接散热铝片13，最后在散热腔16顶部通过螺丝固定连接防尘网罩10。
步骤五：在步骤三和步骤四得到的载片台3和盖片9外表面涂覆防静电层14，然后在防静电层14外表面涂覆耐高温层15，最后在耐高温层15外表面涂覆耐腐蚀层7。
步骤六：利用喷砂机对步骤五得到的载片台3和盖片9进行喷砂处理，除去载片台3和盖片9周边的毛刺。
其中，所述耐高温层15为乙烯基树脂材料制成，所述防静电层14为聚甲醛塑料制成，所述耐腐蚀层7为聚四氟乙烯材料制成。
其中，所述弹簧组4底端低于引脚5底端3-5mm。
其中，所述添加剂包括固化剂、改性剂、脱模剂、染色剂和阻燃剂。
其中，所述丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为38％：60％：2％，载片台3和盖片9的屈服强度为41.4MPa，冲击韧性为80.8kj/㎡，此时载片台3和盖片9的屈服强度与冲击韧性最佳。
本发明的工作原理及使用流程：在引脚5焊接到电子器件上后，弹簧组4和引脚5可以共同为IC封装器件提供支撑作用，避免仅仅利用引脚进行支撑不够稳定，在IC封装器件安装到电子器件上后，若受到震动，减震橡胶圈6和弹簧组4共同为IC封装器件提供缓冲减震作用，导热硅脂层11可以将芯片产生的热量传导到导热铜片12，导热铜片12可以快速将热量传导到散热铝片13，并快速从散热铝片13扩散到周围空气中，从而为芯片散热降温，防尘网罩10能避免有灰尘堆积到散热铝片13上影响其散热性能，防静电层14可以阻绝静电，防止静电对载片台3内的芯片产生破坏，而耐高温层15可以提高该IC封装器件的耐高温性能，避免受到高温影响而损坏，耐腐蚀层7可提高该IC封装器件的耐腐蚀性能，IC封装器件不易受到腐蚀损坏，丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为38％：60％：2％，载片台3和盖片9的屈服强度为41.4MPa，冲击韧性为80.8kj/㎡，此时载片台3和盖片9的屈服强度与冲击韧性最佳，该IC封装器件加工过程简单，操作方便，适合进行推广。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种IC封装器件，包括载片台（3）、盖片（9）和引脚（5），其特征在于：所述载片台（3）底部设置有弹簧组（4），所述弹簧组（4）顶部设置有安装槽（1）且安装槽（1）内底部设置有芯片焊盘（2），所述安装槽（1）两侧设置有通孔（8），所述载片台（3）两侧设置有引脚（5）且引脚（5）一端位于通孔（8）内，所述引脚（5）一端与通孔（8）之间设置有减震橡胶圈（6），所述载片台（3）上端设置有盖片（9），所述盖片（9）内设置有散热腔（16），所述散热腔（16）内底部设置有导热硅脂层（11），所述导热硅脂层（11）顶部设置有导热铜片（12）且导热铜片（12）顶部连接散热铝片（13），所述散热腔（16）顶部设置有防尘网罩（10），所述载片台（3）和盖片（9）外表面均设置有防静电层（14），所述防静电层（14）外表面设置有耐高温层（15），所述耐高温层（15）外表面设置有耐腐蚀层（7）。
2.一种如权利要求1所述IC封装器件的制造方法，其特征在于，具体制造方法如下：
步骤一：将丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂加热融化并注入到模具中，产品成型冷却后得到载片台（3）和盖片（9）；
步骤二：将步骤一得到的载片台（3）底部利用螺丝固定弹簧组（4），并在安装槽（1）内底部通过黏胶粘接芯片焊盘（2）；
步骤三：将步骤二得到的载片台（3）的通孔（8）内安装减震橡胶圈（6），并将引脚（5）一端插入到减震橡胶圈（6）内；
步骤四：将步骤一得到的盖片（9）的散热腔（16）内底部通过导热硅脂层（11）粘接导热铜片（12），然后在导热铜片（12）顶部焊接散热铝片（13），最后在散热腔（16）顶部通过螺丝固定连接防尘网罩（10）；
步骤五：在步骤三和步骤四得到的载片台（3）和盖片（9）外表面涂覆防静电层（14），然后在防静电层（14）外表面涂覆耐高温层（15），最后在耐高温层（15）外表面涂覆耐腐蚀层（7）；
步骤六：利用喷砂机对步骤五得到的载片台（3）和盖片（9）进行喷砂处理，除去载片台（3）和盖片（9）周边的毛刺。
3.根据权利要求1所述的一种IC封装器件，其特征在于：所述耐高温层（15）为乙烯基树脂材料制成，所述防静电层（14）为聚甲醛塑料制成，所述耐腐蚀层（7）为聚四氟乙烯材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种IC封装器件，其特征在于：所述弹簧组（4）底端低于引脚（5）底端3-5mm。
5.根据权利要求2所述的一种IC封装器件的制造方法，其特征在于：所述添加剂包括固化剂、改性剂、脱模剂、染色剂和阻燃剂。
6.根据权利要求1所述的一种IC封装器件及制造方法，其特征在于：所述丁腈橡胶、环氧树脂及各种添加剂的比例为38％：60％：2％。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109872977A (zh) * 2019-03-14 2019-06-11 如皋市大昌电子有限公司 一种可多环调节的新型贴片二极管
CN111640737A (zh) * 2020-06-02 2020-09-08 上海九山电子科技有限公司 一种模具及背光源的封装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109872977A (zh) * 2019-03-14 2019-06-11 如皋市大昌电子有限公司 一种可多环调节的新型贴片二极管
CN111640737A (zh) * 2020-06-02 2020-09-08 上海九山电子科技有限公司 一种模具及背光源的封装方法

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