CN109437169B - 制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长,以氢气作为载气,通入气态碳源和氮气,通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料。所述梯度法是将石墨烯生长过程分为低温阶段、升温阶段和高温阶段,分别控制三个阶段的温度、气体流量和压力等条件,使石墨烯在绝缘衬底上均匀分布,褶皱密度可降低至1×10‑5个/μm2以下。
Description
技术领域
本发明涉及石墨烯材料制备技术领域,具体涉及一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法。
背景技术
石墨烯是由碳原子构成的二维六边形结构,具有超高的电子迁移率和优良的导热性,可广泛应用于纳米电子器件、超高速计算机芯片、高效率能量储存、固态气敏传感器、场发射材料和微电子集成等多种领域。
在绝缘衬底上化学气相沉积(CVD)法生长的石墨烯材料具有无需衬底转移,成本低廉,易与Si基半导体工艺相结合的优点。在CVD法生长过程中,C原子在绝缘衬底表面自由成核,形成小晶粒并向周围扩展生长,在生长过程中,晶粒边缘处C原子处于不饱和价键,相邻的石墨烯晶粒接触产生晶界,在晶界处C原子向纵向生长,隆起一定的高度,最终形成石墨烯表面的褶皱。褶皱导致散射增多,材料电学特性降低。在器件加工过程中,部分褶皱倒伏,导致部分区域石墨烯层数不均匀,对器件特性产生不利影响。目前已有降低石墨烯表面褶皱密度的相关研究,但只能将褶皱密度降至0.1个/μm2左右,效果仍不太理想。
发明内容
针对现有技术降低石墨烯表面褶皱密度效果不理想等问题,本发明提供一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法。
为达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长,以氢气作为载气,通入气态碳源和氮气,通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料;所述梯度法具体为:
低温阶段:生长温度为1200-1400℃,气态碳源流量为0.001-0.02L/min,氢气流量为1-20L/min,C/H比0.01%-0.1%,氮气流量为0.5-1L/min,气体压力为500-1000mbar,持续时间1-20min;
升温阶段:在5-15min内将温度匀速升高30-200℃,气态碳源流量保持不变,降低氢气流量,C/H比匀速升至0.1%-1%,氮气流量匀速降至0.05-0.5L/min,气体压力匀速降至100-500mbar;
高温阶段:与低温阶段温差为30-200℃,气态碳源流量保持不变,C/H比0.1%-1%,氮气流量为0.05-0.5L/min,气体压力为100-500mbar,持续时间10-60min;
上述C/H比均为气态碳源和氢气的流量之比。
优选地,所述绝缘衬底为SiC衬底、蓝宝石衬底、金刚石衬底或类金刚石衬底。
优选地,所述绝缘衬底经清洗干燥后放入化学气相沉积设备中,抽真空至≤10- 4mbar。
优选地,所述绝缘衬底的清洗干燥方法为:绝缘衬底分别用浓硫酸、王水和氢氟酸溶液加热清洗,去离子水冲洗,氮气枪吹干后放在防尘装置内,在烘箱中干燥。
优选地,将真空环境升温至500-1100℃,以去除衬底表面吸附气体。
优选地,所述气态碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烷。
优选地,高温区生长过程结束后,停止氢气、气态碳源和氮气,继续通入氩气,保持压力不变,在氩气环境下降至室温。
本发明中石墨烯的生长过程在绝缘衬底上进行,可得到1-3层石墨烯材料,无需对生长得到的材料进行转移,可直接应用于电子器件。通过梯度控制各步的条件,本发明实现了精确控制石墨烯的成核和生长速度,使其在绝缘衬底上均匀分布,褶皱密度可降低至1×10-5个/μm2以下。
具体实施方式
为了更好的说明本发明的技术方案,下面通过实施例做进一步的举例说明。
实施例1
选择SiC衬底,分别用浓硫酸、王水和氢氟酸溶液加热清洗,去离子水冲洗,氮气枪吹干后放在防尘装置内,在烘箱中干燥。将清洗干燥后的SiC衬底放入CVD设备中,抽真空至≤10-4mbar,开启微波电源,真空环境升温至1000℃,去除衬底表面吸附气体。反应炉中通入氢气作为载气,通入丙烷作为气态碳源,并通入氮气,丙烷流量为0.004L/min,氢气流量为10L/min,C/H比为0.04%,氮气流量为0.6L/min,低温阶段生长温度为1400℃,生长压力为500mbar,生长时间为10min;升温阶段,生长压力从500mbar下降到300mbar,丙烷流量保持0.004L/min不变,氢气流量从10L/min下降到2L/min,C/H比逐步升为0.2%,氮气流量从0.6L/min下降到0.3L/min,升温时间为10min;高温阶段生长温度为1450℃,生长压力为300mbar,丙烷流量为0.004L/min,氢气流量为2L/min,C/H比为0.2%,氮气流量为0.3L/min,生长时间为15min;高温区生长结束后,关闭微波电源,停止氢气、气态碳源和氮气,通入氩气,压力保持300mbar不变,在氩气环境下降至室温,制备的石墨烯材料为1层,褶皱密度小于1×10-5个/μm2。
实施例2-3
实施例2-3的各控制条件如下表所示,未述部分均与实施例1相同。
实施例2和实施例3分别制得3层和2层的石墨烯材料,褶皱密度均小于1×10-5个/μm2。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长,以氢气作为载气,通入气态碳源和氮气,通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料;所述梯度法具体为:
低温阶段:生长温度为1200-1400℃,气态碳源流量为0.001-0.02L/min,氢气流量为1-20L/min,C/H比0.01%-0.1%,氮气流量为0.5-1L/min,气体压力为500-1000mbar,持续时间1-20min;
升温阶段:在5-15min内将温度匀速升高30-200℃,气态碳源流量保持不变,降低氢气流量,C/H比匀速升至0.2%-1%,氮气流量匀速降至0.05-0.3L/min,气体压力匀速降至100-400mbar;
高温阶段:与低温阶段温差为30-200℃,气态碳源流量保持不变,C/H比0.2%-1%,氮气流量为0.05-0.3L/min,气体压力为100-400mbar,持续时间10-60min;
上述C/H比均为气态碳源和氢气的流量之比。
2.如权利要求1所述的制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:所述绝缘衬底为SiC衬底、蓝宝石衬底、金刚石衬底或类金刚石衬底。
3.如权利要求1所述的制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:所述绝缘衬底经清洗干燥后放入化学气相沉积设备中,抽真空至≤10-4mbar。
4.如权利要求3所述的制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:所述绝缘衬底的清洗干燥方法为:绝缘衬底分别用浓硫酸、王水和氢氟酸溶液加热清洗,去离子水冲洗,氮气枪吹干后放在防尘装置内,在烘箱中干燥。
5.如权利要求3所述的制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:将真空环境升温至500-1100℃,以去除衬底表面吸附气体。
6.如权利要求1所述的制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:所述气态碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烷。
7.如权利要求1所述的制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:高温区生长过程结束后,停止氢气、气态碳源和氮气,通入氩气,保持压力不变,和高温阶段生长压力一致,在氩气环境下降至室温。
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