CN109433741A - 一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，包括如下步骤：S1、根据待清洗的芯片封装模具的污染程度，确定清洗设备的清洗参数，其中，清洗设备包括干冰清洗机、用于喷射干冰的喷枪和为干冰清洗机提供压缩空气的空气压缩机，空气压缩机连接于干冰清洗机进气管，喷枪连接于干冰清洗机出气管，干冰清洗机为喷枪提供固态干冰颗粒。S2、调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置。S3、加热所述芯片封装模具。S4、启动所述干冰清洗机，按照设定的所述清洗参数进行清洗。本发明提高了芯片封装模具清洗的效率、具有较大的经济性和市场价值。

Description

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法

技术领域

本发明涉及半导体模具清洗领域，具体而言，涉及一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法。

背景技术

一般常见的模具清洗方法是高压水枪和喷砂清洗，但以水为清洗介质的高压水枪清洗法容易使模具生锈，以砂粒为清洗介质喷砂清洗法容易损伤设备，降低模具的精度。而近来兴起的以干冰为清洗介质的干冰清洗法，利用干冰的物理特性达到不伤害模具的情况下将其表面的污垢清洗干净，具有环保、经济、使用寿命长、安全高效等特点。

专利CN105107795B公开了一种干冰清洗电器件和精密液压件表面的方法，包括以下步骤：干冰清洗机内装直径2-4mm的固体球形干冰颗粒，干冰清洗机通220V电压，接入≥0.8MPA的压力，打开开关后，设置空气压缩机的压力为0.9MPa，流量为：0.5-3.5立方米/分钟，枪嘴距离待清洗面为25mm，喷口与清洁表面的角度为45°，按动喷枪按钮，对待清洁的物体表面喷射，出冰量为15-50kg/h，喷射压力为7～8bar，持续时间为20s。但是该清洗方法对于芯片封装模具清洗的效果不明显，封装塑料还是会残留在芯片封装模具上，残留的封装塑料堆积多了，就会影响芯片封装的产品质量。

发明内容

本发明提供了一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，旨在改善封装塑料残留在芯片封装模具上，降低芯片封装的产品质量的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，包括如下步骤：

S1、根据待清洗的芯片封装模具的污染程度，确定清洗设备的清洗参数，其中，所述清洗设备包括干冰清洗机、用于喷射干冰的喷枪和为所述干冰清洗机提供压缩空气的空气压缩机，所述空气压缩机连接于所述干冰清洗机进气管，所述喷枪连接于所述干冰清洗机出气管，所述干冰清洗机为所述喷枪提供固态干冰颗粒；

S2、调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置；

S3、加热所述芯片封装模具；

S4、启动所述干冰清洗机，按照设定的所述清洗参数进行清洗。

进一步地，所述干冰清洗机包括料斗、碾冰装置和混冰装置，干冰依次经所述料斗进入所述碾冰装置碾碎，再进入所述混冰装置与气体混合后，输出至所述喷枪，所述料斗上安装有振动件，所述振动件振动频率为5-20s/次。

进一步地，所述碾冰装置上设有两根可相对转动的碾冰轴，两根所述碾冰轴之间的碾冰间隙用以碾碎干冰颗粒。

进一步地，在步骤S1中，所述清洗参数包括碾冰间隙，所述碾冰间隙为2-3mm。

进一步地，在步骤S1中，所述清洗参数还包括所述空气压缩机的供气压力和所述干冰清洗机的出冰量，所述供气压力为0.3-0.9Mpa，所述出冰量为0.5-2kg/min。

进一步地，在步骤S2中，调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置的步骤为：

将所述喷枪与所述芯片封装模具的间距设置为20-40mm，所述喷枪的喷射方向垂直于所述芯片封装模具所在的平面。

进一步地，所述清洗设备还包括用于固定在芯片加工机台上的辅助支架，所述辅助支架包括升降机构和安装在所述升降机构上的滑动机构；所述喷枪固定至所述滑动机构；所述喷枪通过调节升降机构改变与所述芯片封装模具的间距，且通过调节滑动机构在所述芯片加工机台上移动对所述芯片封装模具的不同部位清洗。

进一步地，在步骤S3中，加热所述芯片封装模具至100-200℃。

进一步地，所述步骤S4还包括：在不放入干冰颗粒的情况下，启动所述干冰清洗机，确认干冰清洗机电控功能和气控功能处于正常的情况下后，将干冰颗粒放入所述干冰清洗机中。

通过采用上述技术方案，本发明可以取得以下技术效果：

(1)本发明通过设置清洗设备的清洗参数，使用时，可根据待清洗的芯片封装模具的污染程度，调整清洗参数，提高清洗效果。

(2)本发明将芯片封装模具无需从芯片加工机台拆卸下来，即可进行清洗，可选择手动清洗或者安装辅助支架进行芯片封装模具的清洗。

(3)本发明针对芯片封装模具残留的封装塑料的特性，先对芯片封装模具进行加热，使封装塑料与芯片封装模具之间的粘合力减小，再通过调整喷枪角度和位置，对封装塑料残留的部位进行清洗，高效方便。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本发明实施例1中芯片封装模具干冰清洗的控制方法的流程图；

图2是本发明实施例2中干冰清洗机的第一视角下结构示意图；

图3是本发明实施例2中干冰清洗机(除去部分钣金件)的第二视角下结构示意图；

图4是图2的剖视图；

图5是本发明实施例2提供的进料装置的结构示意图；

图6是本发明实施例2中干冰清洗机(除去部分钣金件)在第三视角下的结构示意图；

图7是本发明实施例2提供的碾冰装置的结构示意图；

图8是本发明实施例2提供的混冰装置的结构示意图；

图9是本发明实施例3提供的辅助支架的结构示意图；

图10是本发明试验例1-8中芯片封装模具的去污效果图。

图中标记：1-机架；2-钣金件；3-固定大轮；4-万向小轮；10-进料装置；20-碾冰装置；30-混冰装置；50-控制器；11-支撑柱；12-减震块；13-横梁；101-料斗盖；110-进料仓；111-料斗；112-卡合部；113-支撑板；114-振动件；115-物料挡板；116-筛板；210-碾冰壳体；221-第一辊轴；222-第二辊轴；223-旋转支撑体；224-第二驱动机构；225-第一齿轮；226-第二齿轮；24-主动链轮、21-从动链轮；23-链条；310-运料轴；311-储料槽；320-上模块；330-下模块；340-混合腔；350-动力装置；41-截止阀；42-调压阀；60-进气管；70-出气管；81-基座；811-吸附件；82-工作台；821-底板；822-滑动机构；822A-第一滑轨；822B-第一滑块；822C-第二滑轨；822D-第二滑块；823-移动座；823A-穿设孔；823B-拉手；83-升降机构。

具体实施方式

为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述：

实施例1

由图1所示，本实施例提供了一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，包括如下步骤：

S1、根据待清洗的芯片封装模具的污染程度，确定清洗设备的清洗参数，其中，所述清洗设备包括干冰清洗机、用于喷射干冰的喷枪和为所述干冰清洗机提供压缩空气的空气压缩机，所述空气压缩机连接于所述干冰清洗机进气管60，所述喷枪连接于所述干冰清洗机出气管70，所述干冰清洗机为所述喷枪提供固态干冰颗粒。其中，所述芯片封装模具为工业上将半导体芯片、金线以及引线框一起用热固性塑料保护起来的一种模具，其中一种如图10所示，芯片封装模上阵列排布有适应半导体芯片体积大小的凹槽。因芯片封装模具长期处于高温下工作，故需要用能耐受200℃以上的合金制成。所述喷枪材质采用不锈钢或者合金材料。所述空气压缩机为现有技术，这里就不在赘述。

进一步地，本发明采用自主设计制备的干冰清洗机，所述干冰清洗机包括料斗111、碾冰装置20和混冰装置30，干冰依次经所述料斗111进入所述碾冰装置20碾碎，再进入所述混冰装置30与气体混合后，输出至所述喷枪，所述料斗111上安装有振动件114，所述振动件114振动频率为5-20s/次，所述振动件114进行低频振动，避免了所述料斗111的堵塞，进而保证了干冰清洗机的出冰量。

进一步地，所述碾冰装置20上设有两根可相对转动的碾冰轴，两根所述碾冰轴之间的碾冰间隙用以碾碎干冰颗粒。限定碾冰间隙，即限定干冰颗粒的粒径，保证制得的干冰颗粒的粒径均能符合芯片封装模具的清洗要求。同时也可以省去挑选清洗芯片封装模具的干冰颗粒的过程，提高清洗效率。

进一步地，在S1中，所述清洗参数包括碾冰间隙，所述碾冰间隙为2-3mm。由于半导体芯片的体积都比较小，故其所对应的芯片封装模上适应半导体芯片体积大小的凹槽体积也足够小，因此，需要粒径足够小的干冰颗粒才能对芯片封装模具的凹槽进行彻底清洗。

进一步地，所述清洗参数还包括所述空气压缩机的供气压力和所述干冰清洗机的出冰量，所述供气压力为0.3-0.9Mpa，所述出冰量为0.5-2kg/min。采用上述的清洗参数，能够使得芯片封装模具在较快的清洗速度下获得高清洁效果，当供气压力小于0.5MPa或者出冰量小于1kg/min时，芯片封装模具凹槽里面残留的封装塑料剥离效果较差。例如：当供气压力提高0.6-0.9MPa，清洗相同的芯片封装模具，相比于供气压力为0.3-0.5MPa时，芯片封装模具里面残留的封装塑料的清除率提高了15-35％以上。

S2、调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置。可选的，所述喷枪可以为双头的干冰喷枪，提高清洗效率。

进一步地，在S2中，调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置的步骤为：将所述喷枪与所述芯片封装模具的间距设置为20-40mm，所述喷枪的喷射方向垂直于所述芯片封装模具所在的平面。喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，保证芯片封装模具的凹槽立面残留的封装塑料也能彻底清除。进一步地，可选择手持喷枪清洗或者将喷枪固定在辅助支架对芯片封装模具的清洗。

进一步地，本发明的其他实施例中，选用安装辅助支架对芯片封装模具的清洗。所述清洗设备还包括用于固定在芯片加工机台上的辅助支架，所述辅助支架包括升降机构83和安装在所述升降机构83上的滑动机构822。所述喷枪固定至所述滑动机构822。所述喷枪通过调节升降机构83改变与所述芯片封装模具的间距，且通过调节滑动机构822在所述芯片加工机台上移动对所述芯片封装模具的不同部位清洗。

S3、加热所述芯片封装模具。

进一步地，在S3中，加热所述芯片封装模具至100-200℃。先对芯片封装模具进行加热，使封装塑料与芯片封装模具之间的粘合力减小，在利用干冰颗粒清洗的过程中，易于将封装塑料从芯片封装模具剥落，提高清洗效率。

S4、启动所述干冰清洗机，按照设定的所述清洗参数进行清洗。

进一步地，所述S4还包括：在不放入干冰颗粒的情况下，启动所述干冰清洗机，确认干冰清洗机电控功能和气控功能处于正常的情况下后，将干冰颗粒放入所述干冰清洗机中。电控功能保证干冰清洗机能正常运作，气控功能保证接入压缩空气后，干冰清洗机不会发生泄压现象，否则发生泄压，则会无法达到工作压力，导致清洗效果降低。

实施例2

本发明实施例提供了一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，应用如下的干冰清洗机：

参照图2-8所示，本实施例提供了一种干冰清洗机，包括机架1、进料装置10、碾冰装置20、混冰装置30和控制器50。本实施例提供的干冰清洗机采用独立模块化的设计，使各个模块独立安装于所述机架1的各个位置，均可独立的进行拆装和更换。

参照图3和图6所示，机架1，用于提供工作容腔和支撑。所述机架1内部设置有进料装置10、碾冰装置20、混冰装置30和控制器50。机架1四周均安装有可拆卸的钣金件2，并且每个钣金件2能在不影响其他部件的情况下独立拆装，易于维护和检修。机架1下方还安装有固定大轮3和万向小轮4，万向小轮4位于固定大轮3的移动方向上的前方，便于转向和移动到不同的芯片加工工位对不同的芯片封装模具进行清洗。

如图4和图5所示，进料装置10设置在所述机架1内部，包括料斗111和筛板116，所述料斗111具有一进料口和一出料口。所述筛板116设置在所述进料口，所述料斗111的外壁上还设有振动件114，所述振动件114的振动频率为5-20s/次。所述料斗111靠近所述出料口的内壁上设置有物料挡板115，且与所述料斗111存在落料间隙，所述物料挡板115平行于所述出料口。所述料斗111的进料口设置有筛板116，用于筛掉干冰大颗粒，防止因其自身的粘结作用聚结成大块而堵塞料斗111。所述料斗111的外壁上设有振动件114，使料斗111内干冰振动，不易发生堆结。振动件114的振动频率控制在5-20s/次，一是可确保料斗111内干冰发生振动不发生粘结，二是低频率振动不会使过多的干冰从筛板116上掉落大量堆积在出料口，避免在出料口发生干冰堆结现象。可选的，所述振动件114可以是气缸、振动器、振动马达或其他振动装置。优选的，所述振动件114为气缸，进料时，所述气缸进行低频振动，避免了所述料斗111堵塞，进而保证了干冰清洗机的出冰量。

除此之外，本发明还在出料口上方设置了物料挡板115，来阻挡从筛板116掉落的部分干冰直接落入出料口，进一步避免了出料口发生干冰堆结现象。从筛网落下的部分干冰颗粒会先落在物料挡板115上，再慢慢随着振动件114的振动，掉落到出料口，进一步防止干冰颗粒下降过快导致出料口堵塞，进一步保证了干冰清洗机的出冰量。

进一步地，参考图4，所述物料挡板115为弧形板，所述弧形板朝向所述出料口方向弯曲。将物料挡板115设置成弧形板，一是可以阻挡从筛板116掉落的部分干冰直接落入出料口，二是弧形板的弧度可以确保落在弧形板上的干冰能随振动件114的振动掉落到出料口，避免干冰在物料挡板115上发生堆叠。

进一步地，参考图5，所述料斗111呈漏斗状，所述料斗111上方还设有方形的进料仓110，所述筛板116设置在所述进料仓110的底部。干冰可以先大量存储在进料仓110内部，随着振动件114慢慢的振动，掉入料斗111内部，沿着漏斗形料斗111的倾斜角度向出料口汇集，进料仓110的设置节省了重复加料的过程。所述进料口设置有与其相适配的料斗111盖101，保证振动过程中，干冰不会从料仓跑出。

进一步地，如图5和图6所示，所述进料仓110的外壁设有具有开孔的支撑板113，所述机架1上设有横梁13和设置在所述横梁13上的支撑柱11，所述料斗111通过所述支撑板113可活动地套设在所述支撑柱11上，且所述支撑柱11上套设有减震块12，所述减震块12设置在所述支撑板113和所述横梁13之间。将料斗111可活动的设置在机架1上，当振动件114对料斗111进行振动时，料斗111会顺着支撑柱11上下运动，提高振动幅度，增加振动效率。减震块12则可以保护料斗111在振动过程中不会受到损害。

进一步地，所述减震块12为减震橡胶。

如图3和图7所示，碾冰装置20连接于所述出料口，用于将从所述出料口掉落的干冰碾磨成粒径一致的干冰颗粒。

参考图7所示，所述碾冰装置20包括两端开口的碾冰壳体210、可转动地设置在所述碾冰壳体210内的第一辊轴221、第二辊轴222以及驱动所述第一辊轴221和第二辊轴222相对转动的驱动机构，所述第一辊轴221和所述第二辊轴222之间具有碾冰间隙。干冰经所述料斗111进入所述碾冰间隙，经所述第一辊轴221和第二辊轴222磨碎成干冰颗粒后进入所述混冰装置30。本实施例通过限定碾冰间隙来限定干冰颗粒的粒径，保证干冰颗粒的粒径都符合芯片封装模具的清洗要求。

碾冰装置20的驱动机构包括安装在所述第一辊轴221上的第一齿轮225、安装在所述第二辊轴222上且与所述第一齿轮225啮合的第二齿轮226以及驱动所述第一辊轴221转动的传动组件。所述传动组件为所述碾冰装置20提供动力，包括固设于所述混冰装置30的主动链轮24、固设于所述第一辊轴221的从动链轮21以及绕设于所述主动链轮24和从动链轮21上的链条23。

进一步地，所述碾冰装置20还设有与所述第二辊轴222连接的间隙调节机构，所述间隙调节机构能够改变所述第二辊轴222的位置以改变所述碾冰间隙的大小，所述第一齿轮225与所述第二齿轮226均为变位齿轮，能够在所述第二辊轴222位置改变时与所述第一齿轮225保持啮合或分开。可根据芯片封装模具的污染程度来调节第一辊轴221和第二辊轴222的碾冰间隙，改变干冰颗粒的粒径，提高清洗效率。

进一步地，如图7所示，所述间隙调节机构包括旋转支撑体223和驱动所述旋转支撑体223转动的第二驱动机构224，所述旋转支撑体223可转动地安装在所述碾冰壳体210内，所述第二辊轴222可转动地安装在旋转支撑体223的偏离旋转中心的位置，所述旋转支撑体223转动带动所述第二辊轴222远离或靠近所述第一辊轴221。所述旋转支撑体223保证干冰颗粒不会从第二辊轴222的另一边缝隙掉入混冰装置30内部，进一步保证干冰颗粒的粒径质量。

进一步地，如图5所示，所述料斗111的出料口具有截面呈倒L型的环形卡合部112，所述碾冰壳体210上设有与所述环形卡合部112相适配的卡槽，这样不固定的连接方式既可以保证干冰向碾冰装置20汇集，又可以使料斗111振动的过程中，振动不影响碾冰装置20的运作。

如图4和图8所示，混冰装置30与所述碾冰装置20连接，用将所述干冰颗粒与压缩空气混合后。

进一步地，如图8所示，所述混冰装置30包括进料模块、设置在进料模块下方的混合腔340以及与所述混合腔340连通的进气管60和出气管70，所述进料模块的进料口与所述碾冰装置20的出料口连通，用于将所述碾冰装置20中的干冰转运至所述混合腔340，所述进气管60用于向所述混合腔340内输送压缩空气，所述混合腔340内的干冰与所述压缩空气混合后从所述出气管70输出。

进一步地，如图4所示，所述进料模块包括具有落料通道的上模块320和下模块330、可转动的配置在所述上模块320和下模块330之间的运料轴310，以及驱动所述运料轴310转动的动力装置350。所述上模块320设置在所述碾冰装置20的出料端，所述运料轴310的表面开设有储料槽311，所述混合腔340包括连通于所述进气管60的进气腔和连通于所述出气管70的出料腔，所述下模块330的出料口与所述进气腔和出料腔相连通，干冰经由所述运料轴310转动运输至所述下模块330，与所述进气腔内的气体混合后进入所述出料腔。

进一步地，如图3所示，所述动力装置350安装在所述运料轴310的一端，所述主动链轮24固定安装在在所述运料轴310的另一端。所述动力装置350驱动所述运料轴310运动，经所述传动组件将动力输送给所述碾冰装置20，使所述运料轴310与所述第一辊轴221、第二辊轴222同步转动。所述进气管60用于向所述混合腔340内输送压缩空气，干冰经所述碾冰装置20、运料轴310运输至所述下模块330，与所述进气腔内的气体混合后进入所述出料腔。本发明只需要采用了一个动力装置350即可实现碾冰装置20与混冰装置30同时运行，突破了每套工序必须配置相适配的动力系统的瓶颈，大大简化的机构，降低了成本。

可以理解的，所述动力装置350可选用旋转电机，将运料轴310的转速控制在60-100r/min，使其配合压缩空气的流速与压力，从而控制干冰清洗机的出冰量范围在0.5-2kg/min。

进一步地，如图2所示所述进气管60上还装有调压阀42和截止阀41，所述调压阀42用于调节所述进气管60内压力和压缩空气的流量，所述截止阀41用于控制所述进气管60的通断启停。

控制器50，分别与所述进料装置10、碾冰装置20和混冰装置30电性连接。使用时，可根据所要清洗的芯片封装模具的污染情况对所述碾冰装置20和所述混冰装置30进行控制，包括碾冰装置20碾冰间隙的大小、混冰装置30运料轴310的转速、压缩空气压力等。

可以理解的是，应用本实施例中的干冰清洗机进行干冰清洗芯片封装模具时，其控制方法可以参照实施例1中的相关内容，例如设置所述碾冰轴间隙为2-3mm，所述供气压力为0.3-0.9MPa，所述出冰量为0.5-2kg/min等。

实施例3

本发明实施例提供了一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，可应用如下的辅助支架：

结合图9，本实施例提供了一种辅助支架，包括：基座81、工作台82和升降机构83。

进一步地，基座81底部设有用于与外部设备固定的吸附件811。较为优选地，吸附件811为磁力座，多个磁力座吸附固定于芯片加工机台上，保证了辅助支架在芯片加工机台的快速拆卸。

进一步地，工作台82包括底板821、滑动机构822以及用于固定喷枪的移动座823。较为优选地，底板821为U型平板。滑动机构822设置于U型平板的两侧，U型开口区域用于清洗过程中使用者可在U型开口区域内进行清洗操作以及便于观测清洗过程。更为具体地，滑动机构822设置在底板821上。移动座823设置于滑动机构822上，且通过滑动机构822相对底板821移动。在本实施例中，滑动机构822包括第一滑轨822A、配置于第一滑轨822A上可以沿第一方向往复移动的第一滑块822B、设置于第一滑块822B上的第二滑轨822C以及配置于第二滑轨822C上可以沿第二方向往复移动的第二滑块822D。移动座823设置于第二滑块822D上，保证了移动座823在第一滑轨822A和第二滑轨822C上可沿第一方向和第二方向移动。较为详细地，移动座823上设有穿设孔823A，用于放置喷枪。

优选地，移动座823上设有拉手823B。拉手823B呈拱桥形垂直设置于移动座823上。通过拉动拉手823B，控制移动座823在第一滑轨822A和第二滑轨822C上沿第一方向和第二方向移动，进而控制喷枪的清洗方向。

进一步地，升降机构83设置于基座81与工作台82之间，用以带动底板821上下移动。在本实施例中，升降机构83为蜗轮丝杆升降机，包括蜗轮减速机和丝杆。蜗轮减速机通过蜗轮转动，带动丝杆上升或下降，以配合工作台82的清洗高度要求，控制喷枪与芯片封装模具的间距。

可以理解的是，应用本实施例中的干冰清洗机进行干冰清洗芯片封装模具时，其喷枪的清洗方向和喷枪与芯片封装模具的间距可以参照实施例1中的相关内容，例如将所述喷枪与所述芯片封装模具的间距设置为20-40mm，所述喷枪的喷射方向垂直于所述芯片封装模具所在的平面。

试验例1

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为2mm，设置空气压缩机的压力为0.9MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为20mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，开启喷枪，出冰量为1kg/min。

试验例2

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为2.5mm，设置空气压缩机的压力为0.8MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为25mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，出冰量为1.3kg/min。

试验例3

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为3mm，设置空气压缩机的压力为0.7MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为30mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，出冰量为1.5kg/min。

试验例4

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为2mm，设置空气压缩机的压力为0.6MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为35mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，出冰量为1.8kg/min。

试验例5

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为2.5mm，设置空气压缩机的压力为0.5MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为40mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，出冰量为2kg/min。

试验例6

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为3mm，设置空气压缩机的压力为0.4MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为20mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，出冰量为0.8kg/min。

试验例7

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，干冰清洗机内添加3mm的干冰颗粒，调整碾冰装置20的碾冰间隙为2mm，设置空气压缩机的压力为0.3MPa，喷枪与芯片封装模具的间距设置为20mm，喷枪的喷射方向垂直于芯片封装模具所在的平面，喷枪的出冰量为0.5kg/min。

试验例8

一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，与试验例1不同之处在于：设置空气压缩机的供气压力为0.3MPa。

从图10可以看出，当供气压力为0.4-0.9MPa，出冰量为1-2kg/min，喷枪的压力和出冰量较大，芯片封装模具凹槽内的残留的封装塑料清除比较彻底(如图10当中试验例1-6芯片封装模具的凹槽所示)。尤其是当供气压力为0.5-0.9MPa，喷枪的出冰量为1-2kg/min时，去污效果最为明显。而当供气压力为0.3MPa、出冰量为0.5kg/min时(试验例7，如图10当a处所示)，芯片封装模具的凹槽残留的封装塑料除去效果不明显，证明了供气压力和出冰量息息相关。试验例1与试验例8相比，通过改变空气压缩机的供气压力，试验例1去污效果显著，而试验例8还残留小部分污渍(如图10当b处所示)。表明在可控的范围内，供气压力越高，去污效果越好。

以上所述仅为本发明的优选实施方式而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、根据待清洗的芯片封装模具的污染程度，确定清洗设备的清洗参数，其中，所述清洗设备包括干冰清洗机、用于喷射干冰的喷枪和为所述干冰清洗机提供压缩空气的空气压缩机，所述空气压缩机连接于所述干冰清洗机进气管，所述喷枪连接于所述干冰清洗机出气管，所述干冰清洗机为所述喷枪提供固态干冰颗粒；

S2、调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置；

S3、加热所述芯片封装模具；

S4、启动所述干冰清洗机，按照设定的所述清洗参数进行清洗。

2.根据权利要求1所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，所述干冰清洗机包括料斗、碾冰装置和混冰装置，干冰依次经所述料斗进入所述碾冰装置碾碎，再进入所述混冰装置与气体混合后，输出至所述喷枪，所述料斗上安装有振动件，所述振动件振动频率为5-20s/次。

3.根据权利要求2所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，所述碾冰装置上设有两根可相对转动的碾冰轴，两根所述碾冰轴之间的碾冰间隙用以碾碎干冰颗粒。

4.根据权利要求3所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，在步骤S1中，所述清洗参数包括碾冰间隙，所述碾冰间隙为2-3mm。

5.根据权利要求1所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，在步骤S1中，所述清洗参数还包括所述空气压缩机的供气压力和所述干冰清洗机的出冰量，所述供气压力为0.3-0.9Mpa，所述出冰量为0.5-2kg/min。

6.根据权利要求1所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，在步骤S2中，调整所述喷枪的喷射方向和喷射位置的步骤为：

将所述喷枪与所述芯片封装模具的间距设置为20-40mm，所述喷枪的喷射方向垂直于所述芯片封装模具所在的平面。

7.根据权利要求6所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，所述清洗设备还包括用于固定在芯片加工机台上的辅助支架，所述辅助支架包括升降机构和安装在所述升降机构上的滑动机构；所述喷枪固定至所述滑动机构；所述喷枪通过调节升降机构改变与所述芯片封装模具的间距，且通过调节滑动机构在所述芯片加工机台上移动对所述芯片封装模具的不同部位清洗。

8.根据权利要求1所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，在步骤S3中，加热所述芯片封装模具至100-200℃。

9.根据权利要求1所述的芯片封装模具干冰清洗的控制方法，其特征在于，步骤S4还包括：在不放入干冰颗粒的情况下，启动所述干冰清洗机，确认干冰清洗机电控功能和气控功能处于正常的情况下后，将干冰颗粒放入所述干冰清洗机中。