CN109433231B - 具有光催化性能的纳米片核壳复合材料、其制备方法及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有光催化性能的纳米片核壳复合材料、其制备方法及其应用，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，具有优异的光催化性能。本发明ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带样品是在Zn衬底上竖直生长的带状结构，极大地增大了样品的比表面积，方法是先用溶剂热法合成ZnSe纳米片，然后利用离子置换法在ZnSe纳米片表面生成一层CdSe，制备出具有较高光催化效率的复合材料。本发明可使样品扩大可见光谱内的吸收范围，加快了对不同染料的降解速率，提高了光催化性能，同时在降解有机染料后催化剂易于回收，减少二次污染。

Description

具有光催化性能的纳米片核壳复合材料、其制备方法及其 应用

技术领域

本发明涉及一种光催化材料、其制备方法及其应用，特别是涉及一种光催化纳米复合材料、其制备方法及其应用，应用于光催化技术领域。

背景技术

难降解有机废水的治理作为环保领域的重要课题已受到全球范围的重视，现有常用方法各有其优缺点，大都对污染物降解不彻底、容易造成二次污染。随着国家对环保要求的提高，现有的单一技术难以满足废水达标排放的要求，因此有必要探索高效、无害化的新技术。由于光催化处理技术具有节能、高效、无选择性等优点，对于许多难以降解或者用其它手段难以去除的有机污染物能够通过光催化技术达到有效地脱色、降解、去毒，并最终达到矿化成为二氧化碳、水以及其它无机小分子的目的，从而减少或者消除对环境的污染。目前常用的光催化剂主要有TiO₂和ZnO，TiO₂和ZnO为宽带系半导体，它们只吸收短波长的光，光的利用效率低。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种具有光催化性能的纳米片核壳复合材料、其制备方法及其应用，本发明纳米片核壳复合材料具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，具有显著的光催化性能，ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列具有比表面积大，易于回收的特点，可以用于光催化，应用本发明的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列具有较高的光催化降解效率，可以用于多种染料的降解。本发明工艺简单，易于控制，成本低廉。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种具有光催化性能的纳米片核壳复合材料，在ZnSe纳米带结合CdSe层，形成ZnSe-CdSe核壳纳米带阵列，使ZnSe和CdSe界面之间异质结形成光催化性能活性点位区域，从而形成纳米片核壳复合材料。

作为本发明优选的技术方案，ZnSe纳米带的宽度为50-150nm，CdSe层作为ZnSe纳米带宽的外层，CdSe层宽度不大于ZnSe纳米带的宽度，CdSe层的厚度为5-15nm。

一种本发明具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，利用溶剂热法，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带；然后利用阳离子置换法，在ZnSe纳米带上继续合成CdSe层，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，得到具有光催化性能的纳米片核壳复合材料。

上述溶剂热法优选采用的溶剂为乙二胺、一水合肼、二乙醇胺中的至少一种溶剂。

上述溶剂热法优选采用的温度范围为130-140℃，优选保温时间范围为10-40h。

上述溶剂热法制备ZnSe纳米带的热处理温度范围优选采用250-400℃，优选采用保温时间范围为1-10h，通入气氛优选采用氩气、氮气中的至少一种惰性气体。

上述阳离子置换法在ZnSe纳米带上合成CdSe的Cd²⁺溶液优选采用含有Cd(NO₃)₂、CdSO₄、CdCl₂中的至少一种溶质的溶液，优选温度范围为50-200℃，优选保温时间范围为5-40h。

作为本发明优选的技术方案，具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，包括如下步骤：

a.衬底的预处理：

采用Zn衬底，并依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗Zn衬底，然后对净化后的Zn衬底进行干燥，得到洁净干燥的衬底，备用；

b.ZnSe纳米带的制备：

将在所述步骤a中经过预处理的Zn衬底作为Zn源，采用Se粉作为Se源，在Se粉中加入溶剂混合均匀，得到Se粉浆液，将Zn衬底浸入Se粉浆液中，然后放入高压釜中，在130-140℃高温下保温至少24h，然后将Zn衬底进行自然冷却至室温，再分别用去离子水和乙醇清洗，并在Ar中干燥，即在Zn衬底上原位合成ZnSe纳米带层，形成ZnSe纳米片；

c.ZnSe纳米片的热处理：

将在所述步骤b中得到的ZnSe纳米片在不高于300-400℃温度下的Ar气氛中进行退火，得到ZnSe纳米带；

d.ZnSe/CdSe纳米带核壳结构的制备：

采用阳离子置换法，将在所述步骤c中制备的ZnSe纳米带转移到温度不低于95-200℃的Cd²⁺溶液中保温至少24-40h，在ZnSe纳米带表面合成CdSe，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，待Cd²⁺溶液冷却后，依次用去离子水和无水乙醇清洗ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，最后在室温下进行真空干燥，得到具有ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的ZnSe纳米带复合材料片。本发明在合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列过程中，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列。本发明采用Zn衬底作为Zn源，在Zn衬底上原位合成ZnSe纳米带。本发明将制备好的ZnSe纳米带直接放入镉离子溶液中，采用阳离子置换法在ZnSe纳米带表面合成CdSe。本发明具有光催化性能的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的制备方法简单易行、成本低廉、适用于可大规模制造的应用。

一种本发明具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的应用，具有光催化性能的纳米片核壳复合材料能对有机染料的降解处理；或者采用具有光催化性能的纳米片核壳复合材料和H₂O₂联合作用对有机染料的降解处理。

本发明具有光催化性能的纳米片核壳复合材料优选能对RhB、MB、MO中至少一种有机染料的降解处理。

本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：

1.本发明纳米片核壳复合材料在Zn衬底上合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，可以有效增大比表面积；

2.本发明方法在Zn衬底上合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，回收更加方便便捷，减少二次污染；

3.本发明在Zn衬底上合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列适合工业应用，在光催化降解有机污染物领域具有广泛的应用前景。

附图说明

图1为本发明实施例一方法制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的TEM图。

图2为本发明实施例一方法制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的PL图。

图3为本发明实施例一方法制备的ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的光生电子-空穴对转移示意图。

图4为本发明实施例二采用实施例一制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的可见光照射下ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列对RhB的降解动力学图。

图5为本发明实施例三采用实施例一制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的可见光照射下ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列对MB的降解动力学图。

图6为本发明实施例四采用实施例一制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的可见光照射下ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列对MO的降解动力学图。

具体实施方式

以下结合具体的实施例子对上述方案做进一步说明，本发明的优选实施例详述如下：

实施例一

在本实施例中，参见图1-图3，一种具有光催化性能的纳米片核壳复合材料，在ZnSe纳米带结合CdSe层，形成ZnSe-CdSe核壳纳米带阵列，使ZnSe和CdSe界面之间异质结形成光催化性能活性点位区域，从而形成纳米片核壳复合材料。ZnSe纳米带的宽度为100-120nm，CdSe层作为ZnSe纳米带宽的外层，CdSe层宽度不大于ZnSe纳米带的宽度，CdSe层的厚度为5-15nm。

一种本实施例具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，包括如下步骤：

a.衬底的预处理：

采用Zn衬底，并依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗Zn衬底，然后对净化后的Zn衬底进行干燥，得到洁净干燥的衬底，备用；

b.ZnSe纳米带的制备：

利用溶剂热法，采用乙二胺作为溶剂，将在所述步骤a中经过预处理的Zn衬底作为Zn源，采用Se粉作为Se源，在Se粉中加入乙二胺溶剂混合均匀，得到Se粉浆液，将Zn衬底浸入Se粉浆液中，然后放入高压釜中，在140℃高温下保温24h，然后将Zn衬底进行自然冷却至室温，再分别用去离子水和乙醇清洗，并在Ar中干燥，即在Zn衬底上原位合成ZnSe纳米带层，形成ZnSe纳米片；

c.ZnSe纳米片的热处理：

将在所述步骤b中得到的ZnSe纳米片在300℃温度下的Ar气氛中进行退火10h，得到ZnSe纳米带；

d.ZnSe/CdSe纳米带核壳结构的制备：

采用阳离子置换法，采用含有Cd(NO₃)₂溶液作为Cd²⁺溶液，将在所述步骤c中制备的ZnSe纳米带转移到温度为95℃的Cd(NO₃)₂溶液中保温24h，在ZnSe纳米带表面合成CdSe，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，待Cd(NO₃)₂溶液冷却后，依次用去离子水和无水乙醇清洗ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，最后在室温下进行真空干燥，得到具有ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的ZnSe纳米带复合材料片，得到具有光催化性能的纳米片核壳复合材料。

本实施例方法制备了ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，利用溶剂热法，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带，然后利用阳离子置换法，在ZnSe纳米带上合成CdSe，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列。本实施例制备了具有光催化性能的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料，方法简单易行、成本低廉、适用于可大规模制造的应用。如图1所示，为本实施例制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的TEM图，测试结果表明ZnSe纳米带表面均匀光滑，宽为100-120nm，在表面合成CdSe后，原来纳米带的形态保持不变，并且在ZnSe纳米带表面形成了厚度为5-15nm的不同原来物质的外层，这表明经过阳离子置换法反应生成了ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列。如图2所示，为本实施例制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的PL图，从PL光谱可以发现，ZnSe/CdSe异质结的发射强度比ZnSe低得多，样品的光催化活性和PL强度呈现相反的变化趋势。这一发现证实了光致电子和空穴之间发生分离效应。如图3所示，为本实施例制备的ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的光生电子空穴对转移示意图。光激发后，ZnSe和CdSe的电子从其价带激发到导带，光激发的电子将从较高的导带转移到较低的能带，ZnSe CB上的光生电子可以通过界面转移到CdSe的CB上，而CdSe上的空穴可以转移到ZnSe上，使得光生电子空穴对有效分离。这些结果表明，ZnSe/CdSe纳米带具有优异的光催化活性，在污染控制方面具有潜在的应用价值。

实施例二

本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，将实施例一方法制备的具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料作为待测样品。

RhB的光降解是在可见光照射下进行的。在本实施例中，将H₂O₂和待测样品加入到RhB溶液中。混合后，将溶液在黑暗中放置一段时间。在黑暗中稳定，取出部分上清液用于测试紫外可见吸收光谱。在最大吸收波长λ＝553nm处测量吸光度。在可见光下照射混合溶液，每20分钟取上清液进行UV-Vis吸收光谱测定以确定RhB的溶液浓度。

实施例一方法制备的具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料对RhB的降解动力学图参见图4，从降解动力学图上看ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的k＝0.03204min^-1，高于ZnSe纳米带的k＝0.02768min^-1。可见应用实施例一方法制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列对RhB具有较高的光催化降解效率。

实施例三

本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，将实施例一方法制备的具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料作为待测样品。

MB的光降解是在可见光照射下进行的，在本实施例中，将待测样品加入到MB溶液中。混合后，将溶液在黑暗中放置一段时间。在黑暗中稳定，取出部分上清液用于测试紫外可见吸收光谱。在最大吸收波长λ＝664nm处测量吸光度。在可见光下照射混合溶液，每20分钟取上清液进行UV-Vis吸收光谱测定以确定MB的溶液浓度。

实施例一方法制备的具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料对MB的降解动力学图参见图5，从降解动力学图上看ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的k＝0.02697min^-1，略低于ZnSe纳米带的k＝0.0273min^-1。可见应用实施例一方法制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列对MB具有和ZnSe纳米带相当的光催化降解效率，如果采用待测样品和H₂O₂联合作用降解MB则更具优势。

实施例四

本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，将实施例一方法制备的具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料作为待测样品。

MO的光降解是在可见光照射下进行的，在本实施例中，将待测样品加入到MO溶液中。混合后，将溶液在黑暗中放置一段时间。在黑暗中稳定，取出部分上清液用于测试紫外可见吸收光谱。在最大吸收波长λ＝464nm处测量吸光度。在可见光下照射混合溶液，每20分钟取上清液进行UV-Vis吸收光谱测定以确定MO的溶液浓度。

本实施例中采用实施例一方法制备的具有ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料，在最大吸收波长λ＝464nm处测量吸光度。其对MO的降解动力学图参见图6，从降解动力学图上看ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的k＝0.00327min^-1，远高于ZnSe纳米带的k＝3.57314×10^-4min^-1。可见应用实施例一方法制备的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列对MO具有较高的光催化降解效率，不需要待测样品和H₂O₂联合作用，同样光催化降解效率非常显著。

实施例五

本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：

一种具有光催化性能的纳米片核壳复合材料，在ZnSe纳米带结合CdSe层，形成ZnSe-CdSe核壳纳米带阵列，使ZnSe和CdSe界面之间异质结形成光催化性能活性点位区域，从而形成纳米片核壳复合材料。ZnSe纳米带的宽度为100-120nm，CdSe层作为ZnSe纳米带宽的外层，CdSe层宽度不大于ZnSe纳米带的宽度，CdSe层的厚度为5-15nm。

一种本实施例具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，包括如下步骤：

a.衬底的预处理：

采用Zn衬底，并依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗Zn衬底，然后对净化后的Zn衬底进行干燥，得到洁净干燥的衬底，备用；

b.ZnSe纳米带的制备：

利用溶剂热法，采用一水合肼作为溶剂，将在所述步骤a中经过预处理的Zn衬底作为Zn源，采用Se粉作为Se源，在Se粉中加入一水合肼溶剂混合均匀，得到Se粉浆液，将Zn衬底浸入Se粉浆液中，然后放入高压釜中，在130℃高温下保温40h，然后将Zn衬底进行自然冷却至室温，再分别用去离子水和乙醇清洗，并在Ar中干燥，即在Zn衬底上原位合成ZnSe纳米带层，形成ZnSe纳米片；

c.ZnSe纳米片的热处理：

将在所述步骤b中得到的ZnSe纳米片在400℃温度下的Ar气氛中进行退火1h，得到ZnSe纳米带；

d.ZnSe/CdSe纳米带核壳结构的制备：

采用阳离子置换法，采用含有CdSO₄溶液作为Cd²⁺溶液，将在所述步骤c中制备的ZnSe纳米带转移到温度为200℃的CdSO₄溶液中保温5h，在ZnSe纳米带表面合成CdSe，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，待CdSO₄溶液冷却后，依次用去离子水和无水乙醇清洗ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，最后在室温下进行真空干燥，得到具有ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的ZnSe纳米带复合材料片，得到具有光催化性能的纳米片核壳复合材料。

本实施例方法制备了ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，利用溶剂热法，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带，然后利用阳离子置换法，在ZnSe纳米带上合成CdSe，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列。本实施例制备了具有光催化性能的ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的纳米片核壳复合材料，方法简单易行、成本低廉、适用于可大规模制造的应用。本实施例制备的ZnSe纳米带表面均匀光滑，宽为100-120nm，在表面合成CdSe后，原来纳米带的形态保持不变，并且在ZnSe纳米带表面形成了厚度为5-15nm的不同原来物质的外层，这表明经过阳离子置换法反应生成了ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列。本实施例制备的ZnSe/CdSe异质结的发射强度比ZnSe低得多，样品的光催化活性和PL强度呈现相反的变化趋势。由此可知，在本实施例制备的ZnSe和CdSe界面之间异质结能产生光致电子和空穴之间发生分离效应。光激发后，ZnSe和CdSe的电子从其价带激发到导带，光激发的电子将从较高的导带转移到较低的能带，ZnSe CB上的光生电子可以通过界面转移到CdSe的CB上，而CdSe上的空穴可以转移到ZnSe上，使得光生电子空穴对有效分离。这些结果表明，ZnSe/CdSe纳米带具有优异的光催化活性，在污染控制方面具有潜在的应用价值。

综上所述，本发明上述实施例制备了Zn衬底上合成ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，其具有优异的光催化性能。该ZnSe纳米带和ZnSe/CdSe核壳纳米带样品是在Zn衬底上竖直生长的带状结构，极大地增大了样品的比表面积，本发明上述实施例方法是先用溶剂热法合成ZnSe纳米片，然后利用离子置换法在ZnSe纳米片表面生成一层CdSe，制备出具有较高光催化效率的复合材料。本发明上述实施例可使样品扩大可见光谱内的吸收范围，加快了对不同染料的降解速率，提高了光催化性能，同时在降解有机染料后催化剂易于回收，减少二次污染。本发明制备的ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列用于多种有机染料的降解。本发明上述实施例提供了一种可以利用可见光进行光催化反应的催化剂的制备方法。同时ZnSe和CdSe界面之间异质结的产生是制备理想光催化材料的一种有前途的策略，它可以拓宽光吸收范围并提高光稳定性。

上面对本发明实施例结合附图进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合或简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明具有光催化性能的纳米片核壳复合材料、其制备方法及其应用的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种具有光催化性能的纳米片核壳复合材料，其特征在于：在ZnSe纳米带结合CdSe层，形成ZnSe-CdSe核壳纳米带阵列，使ZnSe和CdSe界面之间异质结形成光催化性能活性点位区域，从而形成纳米片核壳复合材料； ZnSe纳米带的宽度为50-150nm，CdSe层作为ZnSe纳米带宽的外层，CdSe层宽度不大于ZnSe纳米带的宽度，CdSe层的厚度为5-15nm；所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，包括如下步骤：利用溶剂热法，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带；然后利用阳离子置换法，在ZnSe纳米带上继续合成CdSe层，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，得到具有光催化性能的纳米片核壳复合材料。

2.一种权利要求1所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，其特征在于：利用溶剂热法，在Zn衬底上合成ZnSe纳米带；然后利用阳离子置换法，在ZnSe纳米带上继续合成CdSe层，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，得到具有光催化性能的纳米片核壳复合材料。

3.根据权利要求2所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，其特征在于：所述溶剂热法采用的溶剂为乙二胺、一水合肼、二乙醇胺中的至少一种。

4.根据权利要求2所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，其特征在于：所述溶剂热法采用的温度范围为130-140℃，保温时间范围为10-40h。

5.根据权利要求2所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，其特征在于：所述溶剂热法制备ZnSe纳米带的热处理温度范围为250-400℃，保温时间范围为1-10h，通入气氛为氩气、氮气中的至少一种。

6.根据权利要求2所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，其特征在于：所述阳离子置换法在ZnSe纳米带上合成CdSe的Cd²⁺溶液采用含有Cd(NO₃)₂、CdSO₄、CdCl₂中的至少一种溶质的溶液，温度范围为50-200℃，保温时间范围为5-40h。

7.根据权利要求2所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a. 衬底的预处理：

采用Zn衬底，并依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗Zn衬底，然后对净化后的Zn衬底进行干燥，得到洁净干燥的衬底，备用；

b. ZnSe纳米带的制备：

将在所述步骤a中经过预处理的Zn衬底作为Zn源，采用Se粉作为Se源，在Se粉中加入溶剂混合均匀，得到Se粉浆液，将Zn衬底浸入Se粉浆液中，然后放入高压釜中，在130-140℃高温下保温至少24h，然后将Zn衬底进行自然冷却至室温，再分别用去离子水和乙醇清洗，并在Ar中干燥，即在Zn衬底上原位合成ZnSe纳米带层，形成ZnSe纳米片；

c. ZnSe纳米片的热处理：

将所述步骤b中得到的ZnSe纳米片在300-400℃温度下的Ar气氛中进行退火，得到ZnSe纳米带；

d. ZnSe/CdSe纳米带核壳结构的制备：

采用阳离子置换法，将在所述步骤c中制备的ZnSe纳米带转移到温度95-200℃的Cd²⁺溶液中保温24-40h，在ZnSe纳米带表面合成CdSe，制备ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，待Cd²⁺溶液冷却后，依次用去离子水和无水乙醇清洗ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列，最后在室温下进行真空干燥，得到具有ZnSe/CdSe核壳纳米带阵列的ZnSe纳米带复合材料片。

8.一种权利要求1所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的应用，其特征在于：具有光催化性能的纳米片核壳复合材料能对有机染料的降解处理；或者采用具有光催化性能的纳米片核壳复合材料和H₂O₂联合作用对有机染料的降解处理。

9.根据权利要求8所述具有光催化性能的纳米片核壳复合材料的应用，其特征在于：具有光催化性能的纳米片核壳复合材料能对RhB、MB、MO中至少一种有机染料的降解处理。

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