CN109414629A - 纯化方法及纯化装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种新颖的升华纯化方法。此外，提供一种新颖的升华纯化装置。一种使用包括通过使物质气化进行纯化的纯化部、温度调节单元、气体供应单元及气体排出单元的纯化装置的纯化方法。其中，使用气体排出单元将纯化部内设定为第一压力，使用温度调节单元设定纯化部的温度梯度来纯化物质，然后，使用气体供应单元将纯化部内的压力设定为第二压力，使用温度调节单元冷却纯化部。第二压力高于第一压力，并且，第二压力为大气压以上。

Description

纯化方法及纯化装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种用于物质的纯化及回收的升华或蒸馏 等纯化方法及纯化装置，尤其涉及一种使物质气化进行纯化的方法及 装置。
此外，本发明的一个方式涉及一种使用该纯化方法的发光元件或 半导体元件的制造方法。或者，涉及一种包括该发光元件或该半导体 元件的显示装置、电子设备及照明装置的制造方法。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所 公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。 另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、 产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。因此，更具体 而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子， 可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装 置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方 法。
背景技术
近年来，对利用电致发光(Electroluminescence：EL)的发光元件 的研究开发日益增强。这些发光元件的基本结构是在一对电极之间夹 有包含发光物质的层(EL层)。通过将电压施加到该元件的电极间， 可以获得来自发光物质的发光。
因为上述发光元件是自发光型发光元件，所以使用该发光元件的 显示装置具有如下优点：具有良好的可见度；不需要背光；以及功耗 低等。并且，还具有如下优点：能够被制造得薄且轻；以及响应速度 快等。
当使用将有机化合物用作发光物质并在一对电极间设置有包含该 发光有机化合物的EL层的发光元件(例如，有机EL元件)时，通过 将电压施加到一对电极间，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到发光 EL层，由此电流流过。而且，注入的电子与空穴复合而使发光有机化 合物成为激发态，而可以从该激发态有机化合物获得发光。
这种发光元件的重要特性之一在于其发光效率及使用寿命，已知 发光元件的发光效率及使用寿命等性能不仅取决于用于发光元件的物 质的特性，该物质的纯度也对发光元件的性能有很大的影响。因此， 需要纯度高的物质，作为提高有机化合物的纯度的方法使用升华纯化 法(例如，参照专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2003-88704号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
当使物质气化进行纯化时，有该物质从固体升华成气体的情况和 固体熔化成液体之后蒸发成气体的情况，在前一种情况下，纯化后的 物质从气体升华成固体，在后一种情况下，纯化后的物质从气体凝结 成液体，然后从液体凝固成固体。在当回收纯化过的物质时该物质的 体积发生很大的变化的情况下，有时随着该体积变化产生该物质扩散 的问题以及纯化装置的一部分损坏的问题等。此外，为了提高生产率， 加大纯化装置的尺寸是有效的，但是随着纯化装置的大型化，上述问 题会变得更加凸显。
如果纯化装置的一部分发生损坏，不仅需要修理纯化装置或更换 部件，而且发生净化后回收物质扩散而使该物质的回收量减少的问题； 以及因纯化装置的损坏产生杂质混入而导致该物质的纯度降低的问题。
于是，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的纯化方法。 或者，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的纯化装置。或 者，本发明的一个方式的目的之一是提供一种以高纯度纯化物质的新 颖的纯化方法或纯化装置。或者，本发明的一个方式的目的之一是提 供一种高产率的纯化物质的新颖的纯化方法或纯化装置。或者，本发 明的一个方式的目的之一是提供一种使用新颖的纯化方法的发光元件 或半导体元件的制造方法。
注意，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，本发明的 一个方式并不一定需要实现所有上述目的。此外，上述目的以外的目 的从说明书等的记载看来是显而易见的，并可以从说明书等的记载中 抽取上述目的以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种使用纯化装置的纯化方法，该纯化装置 包括：通过使物质气化来进行纯化的纯化部；设置在纯化部的温度调 节单元；设置在纯化部的一个端部并具有对纯化部内供应气体的功能 的气体供应单元；以及设置在纯化部的另一个端部并具有从纯化部内 排出气体的功能的气体排出单元，所述纯化方法包括如下步骤：使用 气体排出单元，将纯化部内设定为第一压力；使用温度调节单元，设 定纯化部的温度梯度，来纯化物质；然后，使用气体供应单元，将纯 化部内的压力设定为第二压力；使用温度调节单元，冷却纯化部，其 中，第二压力高于第一压力，并且，第二压力为大气压以上。
在上述方法中，第一压力优选为10Pa以下。此外，第一压力优选 为0.1Pa以上。
另外，在上述各方法中，优选对纯化部进行加热，将纯化部内的 一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。
另外，在上述各方法中，优选从纯化部排出气体，将其设定为第 一压力。此外，优选对纯化部供应气体，将其设定为第二压力。
本发明的另一个方式是一种纯化装置，该纯化装置包括：通过使 物质气化来进行纯化的纯化部；设置在纯化部中的温度调节单元；设 置在纯化部的一个端部并具有对纯化部内供应气体的功能的气体供应 单元；设置在纯化部的另一个端部并具有从纯化部内排出气体的功能 的气体排出单元；以及控制系统，其中，控制系统具有控制气体供应 单元、气体排出单元及温度调节单元的功能，控制系统具有控制气体 排出单元来将纯化部内设定为第一压力的功能，控制系统具有控制温 度调节单元来设定纯化部的温度梯度的功能，控制系统具有控制气体 供应单元来在纯化所述物质之后将纯化部内的压力设定为第二压力的 功能，控制系统具有控制温度调节单元来冷却纯化部的功能，第二压 力高于第一压力，并且，第二压力为大气压以上。
在上述结构中，第一压力优选为10Pa以下。此外，第一压力优选 为0.1Pa以上。
另外，在上述各结构中，优选对纯化部进行加热，将纯化部内的 一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。
另外，在上述各结构中，优选从纯化部排出气体，将其设定为第 一压力。此外，优选对纯化部供应气体，将其设定为第二压力。
另外，在上述各结构中，大气压以上的压力优选为9.0×104Pa以上 且1.5×105Pa以下的压力。
另外，在上述各结构中，供应给纯化装置的气体优选包含惰性气 体。此外，惰性气体优选包含氩或氮。此外，惰性气体优选具有 99.999vol.％以上的纯度。
另外，在上述各结构中，优选的是，纯化装置在纯化部内包括纯 化管，该纯化管具有4mm以上的厚度或者纯化管的管外径的2％以上 的厚度。此外，纯化管优选使用玻璃或石英。
另外，本发明的另一个方式是一种使用上述纯化方法的发光元件 或半导体元件的制造方法。另外，本发明的另一个方式是一种包括上 述发光元件或半导体元件的显示装置的制造方法。另外，本发明的另 一个方式是一种包括上述显示装置的电子设备的制造方法。另外，本 发明的另一个方式是一种包括上述发光元件的照明装置的制造方法。 另外，本发明的一个方式在其范畴内不仅包括具有发光元件的发光装 置的制造方法，还包括具有发光装置的电子设备的制造方法。因此， 本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源(包括照明装置)。另 外，如下模块也有时包括发光装置：对发光元件安装连接器诸如FPC(Flexible Printed Circuit：柔性电路板)或TCP(Tape Carrier Package： 载带封装)而成的显示模块；在TCP端部设置有印刷线路板的显示模 块；或者IC(集成电路)通过COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)方 式直接安装在发光元件上的显示模块。
发明效果
通过本发明的一个方式，可以提供一种新颖的纯化方法。或者， 通过本发明的一个方式，可以提供一种新颖的纯化装置。或者，通过 本发明的一个方式，可以提供一种以高纯度纯化物质的新颖的纯化方 法或纯化装置。或者，通过本发明的一个方式，可以提供一种以高产 率纯化物质的新颖的纯化方法或纯化装置。或者，通过本发明的一个 方式，可以提供一种使用新颖的纯化方法或纯化装置的发光元件或半 导体元件的制造方法。
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。另外，本发明的 一个方式并不一定需要具有所有上述效果。另外，上述效果以外的效 果从说明书、附图以及权利要求书等的记载中是显而易见的，可以从 说明书、附图以及权利要求书等的记载中提取上述效果以外的效果。
附图简要说明
[图1]是说明本发明的一个方式的纯化装置的示意图。
[图2]是说明本发明的一个方式的纯化装置的示意图。
[图3]是说明本发明的一个方式的纯化方法的流程图。
[图4]是说明根据本发明的一个方式的物质的状态变化的示意图。
[图5]是说明根据本发明的一个方式的纯化管的示意图。
[图6]是根据本发明的一个方式的发光元件的截面示意图。
[图7]是根据本发明的一个方式的半导体元件的截面示意图。
[图8]是说明根据本发明的一个方式的显示装置的俯视图及截面示 意图。
[图9]是说明根据本发明的一个方式的显示模块的立体图。
[图10]是说明根据本发明的一个方式的发光装置的立体图及截面 图。
实施发明的方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不 局限于以下说明，其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围 的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释 为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
另外，为了便于理解，有时在附图等中示出的各结构的位置、大 小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的 发明不一定局限于附图等所公开的位置、大小、范围等。
此外，在本说明书等中，为了方便起见，附加了第一、第二等序 数词，而其有时并不表示工序顺序或叠层顺序。因此，例如可以将“第 一”适当地置换为“第二”或“第三”等而进行说明。此外，本说明 书等中所记载的序数词与用于指定本发明的一个方式的序数词有时不 一致。
注意，在本说明书等中，当利用附图说明发明的结构时，有时在 不同的附图中共同使用表示相同的部分的符号。
另外，在本说明书等中，可以将“膜”和“层”相互调换。例如， 有时可以将“导电层”换称为“导电膜”。或者，例如有时可以将“绝 缘膜”换称为“绝缘层”。
另外，在本说明书等中，荧光化合物是指在从单重激发态返回到 基态时在可见光区域发光的化合物。磷光化合物是指在从三重激发态 返回到基态时在常温下在可见光区域发光的化合物。换言之，磷光化 合物是指能够将三重激发能量转换为可见光的化合物之一。
另外，在本发明的一个方式中被纯化的物质不局限于有机化合物 而在其范畴内包括可以通过气化被纯化的所有物质。此外，在本说明 书等中，纯化是指利用物质的三态变化而进行的纯化，在其范畴内除 了升华纯化之外还包括蒸馏。也就是说，除了利用在常温常压下固体 物质不经过液体直接变成气体的现象以及与此相反气体不经过液体直 接变成固体的现象的纯化之外，还包括利用在常温常压下固体物质经 过液体变成气体的现象以及与此相反气体经过液体变成固体的现象的 纯化。因此，目的物质除了作为固体升华或凝固出的物质之外还包括 作为液体凝结出的物质。此外，在本说明书等中，有时将作为固体升 华或凝固出的现象称为析出。
(实施方式1)
在本实施方式中，下面对本发明的一个方式的纯化方法及纯化装 置进行说明。
〈纯化装置〉
图1是说明本发明的一个方式的纯化装置100的示意图。
本发明的一个方式的纯化装置100包括用于通过使样品气化来进 行目的物质的纯化及回收的纯化部110以及用来通过使样品气化来进 行纯化的温度调节单元120。此外，纯化装置100包括设置在纯化部的 一个端部附近的气体供应单元150以及设置在纯化部110的另一个端 部附近的气体排出单元160。注意，在本说明书等中，样品是指混合有 目的物质、杂质及溶剂等的材料。
温度调节单元120设置为与纯化部110接触或在其附近，该温度 调节单元120具有设定纯化部110的温度梯度的功能。具体而言，通 过设定使样品气化的温度区域、使目的物质析出、凝结或升华的温度 区域等来至少能够实现目的物质的单独分离、纯化、回收。该温度梯 度既可以设定为纯化部110的一个端部的温度较高而另一个端部的温 度较低，又可以设定为纯化部110中央的温度较高而两端的温度较低。
在纯化部110中气化的样品向蒸气压低的方向扩散。一般而言， 蒸气压随着温度上升而增大。因此，气化的样品根据温度梯度向温度 低的方向扩散。也就是说，气化的样品根据纯化部110中的压力及温 度梯度在其状态变成液体或固体的温度区域中作为液体凝结出或者作 为固体升华出。在此，样品气化的温度区域是纯化部110中的温度最 高的区域。
纯化部110优选为管状，该纯化部110可以使用金属及玻璃等。
温度调节单元120可以使用加热器或加热板等加热单元，优选至 少设置在使样品气化的区域附近。注意，虽然在图1的纯化装置100 中示出在纯化部110附近设置有一个温度调节单元120的例子，但是 本发明的一个方式不局限于此，也可以设置有两个以上的温度调节单 元120。可以适当地改变温度调节单元120的设置位置及个数。此外， 为了保持对纯化部110设定的温度梯度的状态，例如也可以由使用金 属及玻璃绒等的覆盖物等保温单元围绕纯化部110。
另外，在调节纯化部110的温度时，优选根据样品气化的温度以 及目的物质凝结或升华的温度等设定纯化部110的温度梯度。由此， 可以将在具有温度梯度的纯化部110中气化的包含杂质等的样品分离 成目的物质和杂质等(其具有与目的物质不同的凝结或升华的温度及 重量)，而可以提高目的物质的纯度。样品气化的温度区域优选为物质 气化的温度以上且低于物质分解的温度的温度，例如在作为目的物质 使用有机化合物的情况下，优选为常温以上且500℃以下，更优选为 150℃以上且500℃以下。
气体供应单元150设置在纯化部110的一个端部附近，且具有对 纯化部110内供应气体的功能，气体排出单元160设置在纯化部110 的另一个端部附近，且具有从纯化部110中排出气体的功能。通过使 用气体供应单元150对纯化部110中供应气体，可以提高纯化部110 中的压力。此外，通过使用气体排出单元160从纯化部110中排出气 体，可以降低纯化部110中的压力。
通过在样品的纯化中从气体供应单元150对纯化部110中供应气 体作为载体气体，可以将气化的样品顺利地扩散在纯化部110中，并 可以高效地使目的物质凝结或升华，所以是优选的。此时，优选的是， 在纯化部110的靠近气体供应单元150的一个端部附近配置待纯化的 样品，并利用温度调节单元120将该区域的温度調高并以在朝向靠近 气体排出单元160的另一个端部的方向上使温度降低的方式设定温度 梯度。
另外，样品的纯化优选在减压下进行，具体而言，纯化部110中 的压力优选为10Pa以下。通过降低纯化部110中的压力，可以降低样 品气化的温度，而可以降低目的物质的热分解。纯化部110中的压力 可以由纯化装置所包括的气体配出单元160及气体供应单元150控制。 此外，气体排出单元160也可以在与纯化部110之间包括旋塞或阀。 通过利用该旋塞或阀可以控制从纯化部110排出的气体流量。此外， 气体供应单元150也可以在与纯化部110之间包括旋塞或阀。通过利 用该旋塞或阀可以控制对纯化部110供应的气体流量及压力。
作为气体供应单元150对纯化部110中供应的气体，为了抑制目 的物质的氧化或分解等反应，优选使用惰性气体，具体而言，优选使 用氮、氩、氦、氖、氪及氙等。此外，惰性气体的纯度优选为99.999vol.％ 以上。
另外，作为气体排出单元160，可以使用真空泵，具体而言，可以 使用回转泵、干燥泵、扩散泵及涡轮分子泵等，特别优选使用干燥泵 及涡轮分子泵。
接着，参照图2A及图2B说明本发明的一个方式的纯化装置的详 细结构。注意，关于图2A及图2B中的具有与图1所示的附图标记同 样的功能及结构的部分，有时省略其详细说明。
图2A和图2B是说明本发明的一个方式的纯化装置100a及纯化装 置100b的示意图。
纯化装置100a及纯化装置100b中的纯化部110包括纯化管180a、 纯化管180b及纯化管180c。纯化管180a具有用来在纯化部110内部 配置样品200的第一纯化管的功能，纯化管180b具有用来回收目的物 质210的第二纯化管的功能。通过在纯化部110内部设置纯化管，容 易进行样品的配置及目的物质的回收，所以是优选的。此外，可以根 据纯化部110的形状及温度梯度适当地改变配置在纯化部110中的纯 化管的个数。
作为纯化管的结构，可以是至少使气化的样品(包括目的物质) 能通过的中空结构,并只要在与邻接的纯化管之间的端部设置有开口即 可。可以如纯化装置100a那样使用管状结构的纯化管，也可以如纯化 装置100b那样使用纯化管的端部嵌合于邻接的其他纯化管内部的结构 的纯化管。
作为纯化管的材料，优选使用与目的物质的反应性低，杂质混入 少，且具有能够承受纯化温度及减压的强度的材料，具体而言，优选 使用玻璃或石英。
另外，如图2B所示的纯化装置110b那样，本发明的一个方式的 纯化装置也可以在气体排出单元160与纯化部110之间设置有冷阱290。 通过设置冷阱290，这样可以防止在常温下作为固体凝结或升华出的物 质到达气体排出单元160。此外，纯化部110中的压力可以利用压力计 280(也称为真空计)测量。
〈纯化方法〉
接着，下面说明本发明的一个方式的纯化方法。
图3是说明本发明的一个方式的纯化方法的主要处理的流程图， 图4A、图4B及图4C是说明根据本发明的一个方式的物质的状态变化 的示意图(也称为相图或状态图)。
在图4A、图4B及图4C中，气体和液体的边界线为蒸气压曲线， 气体和固体的边界线为升华曲线，液体和固体的边界线为溶解曲线。 注意，在图4A中示出样品从固体经过液体蒸发成气体而目的物质在纯 化部中作为液体凝结出的情况的例子，在图4B中示出样品从固体经过 液体蒸发成气体而目的物质在纯化部中作为固体析出(凝结及凝固或 升华)的情况的例子，在图4C中示出样品从固体升华成气体而目的物 质在纯化部中作为固体升华出的情况的例子，但是本发明的一个方式 不局限于这些例子。
在第一步骤中，控制纯化装置所包括的气体排出单元，降低其内 部配置有样品的纯化部内的压力(参照图3(S1))。通过降低纯化部内 的压力，可以降低样品气化的温度。此外，通过去除纯化部内的氧或 水等，可以抑制目的物质的氧化或分解等反应。
在第二步骤中，选择是否对纯化部内供应气体(参照图3(S2))。 在不对纯化部内供应气体的情况下，纯化部内的压力为10Pa以下，优 选为1×10-2Pa以下，更优选为1×10- 3Pa以下。通过将纯化部内的压力 设定为真空度高(即，压力低)的状态，可以降低样品气化的温度， 所以可以进行在压力高的状态下容易产生热分解的物质的纯化。
另外，在对纯化部内供应气体的情况下，在第三步骤中，控制气 体供应单元，对纯化部内供应气体(参照图3(S3))。纯化部内的压力 优选为0.1Pa以上且10Pa以下。通过对纯化部内供应气体作为载体气 体，可以将气化的样品顺利地扩散在纯化部110中，而可以高效地使 目的物质凝结或升华。可以按每个压力测量目的物质的升华温度或蒸 发温度及分解温度，并以使升华温度或蒸发温度与分解温度的温度差 变大的方式选择纯化部内的压力。此外，可以以使纯化部内成为上述 压力的方式控制气体供应单元及气体排出单元。
另外，在图4A、图4B及图4C中，纯化部处于常温(Ta)且目的 压力(Pa)的状态为(S3)。
在纯化部成为目的压力之后，在第四步骤中，控制温度调节单元， 对纯化部设定温度梯度(参照图3(S4))。在将样品配置于纯化装置的 一个端部附近的情况下，作为纯化部的温度，优选将配置样品的区域 附近的温度調高并以在朝向纯化装置的另一个端部的方向上温度降低 的方式设定温度梯度。
将配置样品的区域附近的温度设定为样品气化的温度以上且低于 样品分解的温度的温度(Tb)(参照图4(S4))。此外，由于纯化部的 温度梯度，在目的物质析出的温度(Tc)附近，目的物质在纯化部内 析出(参照图4(S5))。
在第五步骤中，选择纯化是否结束(参照图3(S5))。纯化的结束 可以以配置在纯化部内的样品减少且在目的物质凝结的区域中目的物 质的凝结不增加的时机为准。此外，也可以预先决定纯化结束时机的 时刻并对纯化装置进行设定。
在纯化后，在第六步骤及第七步骤中，控制气体排出单元及气体 供应单元，增加纯化部内的压力(参照图3(S6)及(S7))。此时，纯 化部的压力优选为大气压以上的压力。在降低纯化部的温度之前，使 纯化部内的压力成为大气压以上，这是本发明的一个方式的纯化方法 的特征之一。由此，可以防止在纯化后作为液体或固体析出的目的物 质再次气化的现象。
根据波义耳-查理定律，在体积一定的条件下，气体的温度与压力 成正比。也就是说，由于纯化部的体积是不变化的，所以即使在有意 不使纯化部内的压力变化并降低纯化部的温度时，随着纯化部的温度 降低纯化部内的压力也降低。此时，在纯化部内作为液体或固体析出 的目的物质有可能再次气化。这是在如下情况下产生的现象：在图4A、 图4B及图4C中，在Tc的温度且Pa的压力的状态之后，温度和压力都 降低，而成为目的物质变为气体的区域的Tc’的温度且Pa’的压力的状 态。
在本发明的一个方式的纯化方法中，在降低纯化部的温度之前， 将纯化部内的压力设定为大气压以上(参照图4(S7))。因此，可以防 止在纯化后目的物质从液体或固体再次气化的现象。此外，在目的物 质从液体或固体再次气化的情况下，由于会产生急剧的体积变化，因 此有时发生目的物质的飞散、纯化部的损坏、特别是纯化部所包括的 纯化管等的损坏。此外，在发生目的物质的飞散、纯化部或纯化管等 的损坏等的情况下，有时杂质等混入到目的物质，由此有时导致目的 物质的纯度下降，或者，有时目的物质散乱而回收量降低。此外，大 气压是1.0×105Pa左右的压力，但是在本发明的一个方式中，只要为大 气压或大气压附近以上的压力即可，具体而言，可以为5.0×104Pa以上 且2.0×105Pa以下，优选为9.0×104Pa以上且1.5×105Pa以下。
另外，当在纯化部中被纯化的目的物质为液体时，该液体聚集在 纯化部的下部并变成块状。当在该块状的状态下降低纯化部的温度时， 随着温度下降而纯化的目的物质的液体有时经过凝固点凝固成固体。 此外，通过进一步从凝固点降低温度，该固体的体积会根据体膨胀系 数而降低。当在降低纯化部的温度之前不将纯化部内的压力设定为大 气压以上，并在保持Pa的压力至Pa’的压力的状态下降低纯化部的温度 时，凝固点与室温的温度差越大，降温过程中的固体体积变化越大。 此外，随着该固体体积变化，有时纯化部的固体(目的物质)被粉碎。 再者，由于纯化部的固体(目的物质)被粉碎，纯化的目的物质飞散 并与杂质等混合，而导致目的物质的回收量降低及纯度降低的问题。 此外，当在纯化部中纯化的固体(目的物质)的量增大时，产生因固 体的粉碎导致纯化管损坏的问题。升华纯化装置越大，越容易发生纯 化管损坏的问题，例如，当纯化部110的外径为100mm以上时该问题变得明显。
另一方面，在本发明的一个方式的纯化方法中，通过在冷却时将 纯化部内设定为大气压以上的压力，可以防止上述纯化部的损坏。此 外，可以抑制因纯化部的损坏导致的纯度降低及回收量降低。也就是 说，通过本发明的一个方式的纯化方法，可以防止纯化部的损坏，并 可以以高产率得到纯度高的目的物质。
接着，在第八步骤中，进行确认纯化部内为大气压以上的压力的 处理(参照图3(S8))。此外，当纯化部内为大气压以上时，在第九步 骤中控制温度调节单元，将纯化部的温度降低到常温附近(参照图3 (S9))。由此，可以回收在纯化部内被纯化的作为固体的目的物质(参 照图4(S9))。
如上所述，通过本发明的一个方式，可以提供一种防止纯化后的 纯化部的损坏并以高产率得到纯度高的目的物质的纯化方法。
另外，本发明的一个方式除了上述纯化方法之外还包括一种纯化 装置，该纯化装置包括具有控制气体供应单元、气体排出单元及温度 调节单元的功能的控制系统。在该纯化装置中，控制系统可以具有进 行与图3所示的流程图同样的处理的程序。由此，可以提供一种其纯 化部不容易损坏的纯化装置。此外，可以提供一种以高产率得到纯度 高的目的物质的纯化装置。
〈纯化管〉
接着，下面说明根据本发明的一个方式的纯化管。
作为根据本发明的一个方式的纯化管的结构，只要为至少能使气 化的样品(包括目的物质)通过的中空结构并在与邻接的纯化管之间 的端部设置有开口即可，可以为管状结构。
图5A、图5B及图5C是说明根据本发明的一个方式的纯化管的一 个例子的示意图。图5A是纯化管的端部嵌合于邻接的其他纯化管内部 的情况的例子。图5B相当于图5A的点划线M-L所示的部分的截面。 此外，图5C相当于气化的样品的流动路径及垂直方向的截面。
图5A所示的纯化管在其两端部具有开口，纯化管180a的端部嵌 合于邻接的纯化管180b的端部。注意，在根据本发明的一个方式的纯 化管中，不嵌合于其他纯化管的一侧的端部不一定需要具有开口。
如图5C所示，纯化管180b包括第一端部232、中央部222及第 二端部212。纯化管180a也同样地包括第一端部231、中央部221及 第二端部。注意，在图5C中省略纯化管180a的第二端部的图示。在 图5C中，至少将纯化管180a的第一端部231嵌合于纯化管180b的第二端部212内部，来将纯化管180a与纯化管180b嵌合在一起。
在图5C中，纯化管180b的第一端部232处的管内径为b1，管外 径为b2,纯化管180b的中央部222处的管内径为c1，管外径为c2,纯 化管180b的第二端部212处的管内径为e1，管外径为e2,纯化管180a 的第一端部231处的管内径为d1，管外径为d2。为了便于配置，优选具有管内径b1的截面、具有管内径c1的截面和具有管内径e1的截面是 同心圆。
在纯化管180b中，为了保持纯化管的强度或者防止温度的不均匀， 第一端部232的厚度(b2-b1)、中央部222的厚度(c2-c1)和第二端部 212的厚度(e2-e1)优选大致相同。具体而言，纯化管的厚度优选为4mm 以上的厚度，或者是中央部222的管外径的2％以上，优选为3％以上， 更优选为5％以上的厚度。在此，当管外径c2为80mm以上时，纯化管 的厚度优选为4mm以上的厚度，当管外径c2为170mm以上时，纯化 管的厚度优选为6mm以上的厚度。此外，纯化管的厚度优选为c2-e2以下。
另外，为了将纯化管180a与纯化管180b嵌合在一起，纯化管180b 的第二端部212处的最端部的管内径(e1)优选大于纯化管180a的第 一端部231处的管外径(d2)。换言之，优选满足e1>d2,更优选为 0.99e1≥d2≥0.01e1，进一步优选为0.95e1≥d2≥0.85e1。
另外，在纯化管180b中，第一端部232及第二端部212的管外径 优选小于中央部222的管内径。也就是说，优选满足c1>e2>b2,更优选 为0.95c1≥e2≥0.65c1，0.75c1≥b2≥0.55c1。
通过以彼此嵌合的方式配置具有上述结构的纯化管，可以防止析 出的目的物质从纯化管的端部泄漏。
另外，纯化管180a的第一端部231可以具有与纯化管180b的第 二端部212重叠的区域。也就是说，在嵌合部中纯化管180a与纯化管 180b既可以具有间隙，又可以彼此接触。
另外，为了具有上述纯化管的结构，纯化管优选具有一定程度的 外径。具体而言，纯化管的中央部的管外径(c2)为60mm以上，优选 为80mm以上。
如此，通过本发明的一个方式，可以以高产率得到高纯度的物质。 此外，通过本发明的一个方式，可以提供一种包含高纯度的物质的发 光元件或半导体元件。此外，通过本发明的一个方式，可以提供一种 可靠性高的发光元件或半导体元件。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组 合而使用。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照图6A和图6B说明使用在实施方式1中说 明的纯化方法的发光元件的制造方法及其结构实例。
首先，下面将参照图6A及图6B说明本发明的一个方式的发光元 件的结构实例。
〈发光元件的结构实例1〉
图6A是本发明的一个方式的发光元件450的截面示意图。
发光元件450包括一对电极(电极401及电极402)，并包括设置 在该一对电极间的EL层400。EL层400至少包括发光层430。
另外，图6A所示的EL层400除了发光层430以外还包括空穴注 入层411、空穴传输层412、电子传输层418及电子注入层419等功能 层。
注意，虽然在本实施方式中以一对电极中的电极401为阳极且以 电极402为阴极来进行说明，但是发光元件450的结构并不局限于此。 也就是说，也可以将电极401用作阴极且将电极402用作阳极，倒序 地层叠该电极间的各层。换言之，从阳极一侧依次层叠空穴注入层411、 空穴传输层412、发光层430、电子传输层418及电子注入层419即可。
注意，EL层400的结构不局限于图6A所示的结构，除了发光层 430以外，只要包括选自空穴注入层411、空穴传输层412、电子传输 层418及电子注入层419中的至少一个即可。或者，EL层400也可以 包括具有如下功能的功能层：能够降低空穴或电子的注入势垒；能够 提高空穴或电子的传输性；能够阻碍空穴或电子的传输性；或者能够 抑制电极所引起的猝灭现象等。功能层既可以是单层又可以是层叠有 多个层的结构。
图6A中的发光元件450是在EL层400中的任一层中使用通过在 实施方式1中说明的纯化方法而被纯化的物质的发光元件。
由于实施方式1所说明的纯化方法能够提高物质的纯度，所以优 选将该物质用于发光元件的主体材料或载流子传输材料。因此，通过 采用本实施方式的结构，可以提供可靠性高的发光元件。
另外，发光层430包括客体材料431及主体材料432。
作为客体材料431，可以使用发光有机材料。作为该发光有机材料， 可以使用能够发射荧光的化合物(荧光化合物)或能够发射磷光的化 合物(磷光化合物)。
在本发明的一个方式的发光元件450中，通过将电压施加到一对 电极(电极401及电极402)间，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到 EL层400，由此电流流过。并且，注入的电子及空穴复合，从而形成 激子。在因载流子(电子及空穴)的复合而产生的激子中，单重激子 与三重激子的比例(以下，称为激子产生概率)的统计概率为1:3。因 此，在使用荧光化合物的发光元件中，产生有助于发光的单重激子的 比率为25％，产生无助于发光的三重激子的比率为75％。另一方面， 在使用磷光化合物的发光元件中，单重激子和三重激子的双方都可以 有助于发光。因此，使用磷光化合物的发光元件的发光效率比使用荧 光化合物的发光元件高，所以是优选的。
激子是指载流子(电子及空穴)对。由于激子具有能量，所以生 成激子的材料成为激发态。
在将荧光化合物用于客体材料431时，主体材料432的S1能级优 选高于客体材料431的S1能级。由此，主体材料432所具有的单重激 发能量能够从主体材料432的S1能级转移到客体材料431的S1能级。 其结果是，客体材料431成为单重激发态而发射荧光。
此外，在将磷光化合物用于客体材料431时，主体材料432的T1 能级优选高于客体材料431的T1能级。由此，主体材料432所具有的 单重激发能量及三重激发能量能够从主体材料432的S1能级及T1能 级转移到客体材料431的T1能级。其结果是，客体材料431成为三重 激发态而发射磷光。
为了高效地从客体材料431的单重激发态获得发光，客体材料431 的荧光量子产率优选高，具体而言，优选为50％以上，更优选为70％ 以上，进一步优选为90％以上。
通过使发光层430具有上述结构，可以高效地获得来自发光层430 的客体材料431的发光。
<发光元件的结构实例2>
接着，下面参照图6B对具有与发光元件450的结构不同的结构的 发光元件以及该发光元件的发光机理进行说明。在图6B中使用与图 6A相同的阴影线示出具有与图6A相同的功能的部分，而有时省略附 图标记。此外，具有与图6A相同的功能的部分由相同的附图标记表示， 有时省略其详细说明。
图6B是发光元件452的截面示意图。
图6B所示的发光元件452在一对电极(电极401及电极402)之 间具有多个发光单元(图6B中的发光单元406和发光单元408)。也 就是说，图6A所示的发光元件450具有一个发光单元，而发光元件 452具有多个发光单元。注意，在发光元件452中，虽然对电极401 为阳极且电极402为阴极时的情况进行说明，但是也可以采用与此相 反的结构。
另外，在图6B所示的发光元件452中，层叠有发光单元406和发 光单元408，并且在发光单元406与发光单元408之间设置有电荷产生 层415。另外，发光单元406和发光单元408可以具有相同结构或不同 结构。
另外，发光元件452包括发光层420和发光层440。另外，发光单 元406除了发光层420之外还包括空穴注入层411、空穴传输层412、 电子传输层413及电子注入层414。此外，发光单元408除了发光层 440之外还包括空穴注入层416、空穴传输层417、电子传输层418及 电子注入层419。此外，作为发光层420及发光层440，可以采用与上 述发光元件450所包括的发光层430同样的结构。
电荷产生层415可以具有对空穴传输性材料添加有作为电子受体 的受体性物质的结构，又可以具有对电子传输性材料添加有作为电子 给体的供体性物质的结构。另外，也可以层叠这两种结构。
当电荷产生层415包含由有机化合物与受体性物质构成的复合材 料时，作为该复合材料使用可以用于后面说明的空穴注入层411的复 合材料即可。作为有机化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑化合物、 芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等各种化 合物。另外，作为有机化合物，优选使用其空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs 以上的物质。但是，只要是其空穴传输性高于电子传输性的物质，就 可以使用这些以外的物质。因为由有机化合物和受体性物质构成的复 合材料具有良好的载流子注入性以及载流子传输性，所以可以实现低 电压驱动以及低电流驱动。注意，在发光单元的阳极一侧的表面接触于电荷产生层415时，电荷产生层415还可以具有该发光单元的空穴 注入层或空穴传输层的功能，所以在该发光单元中也可以具有不设置 空穴注入层或空穴传输层的结构。注意，在发光单元的阴极一侧的表 面接触于电荷产生层415时，电荷产生层415还可以具有该发光单元 的电子注入层或电子传输层的功能，所以在该发光单元中也可以具有 不设置电子注入层或电子传输层的结构。
注意，电荷产生层415也可以是组合包含有机化合物和受体性物 质的复合材料的层与由其他材料构成的层的叠层结构。例如，也可以 是组合包含有机化合物和受体性物质的复合材料的层与包含选自电子 供给性物质中的一个化合物和高电子传输性的化合物的层的结构。另 外，也可以是组合包含有机化合物和受体性物质的复合材料的层与包 含透明导电膜的层的结构。
夹在发光单元406与发光单元408之间的电荷产生层415只要具 有在将电压施加到电极401和电极402之间时，将电子注入到一个发 光单元且将空穴注入到另一个发光单元的结构即可。例如，在图6B中， 在以使电极401的电位高于电极402的电位的方式施加电压时，电荷 产生层415将电子注入到发光单元406且将空穴注入到发光单元408。
从光提取效率的观点来看，电荷产生层415优选具有可见光透射 性(具体而言，电荷产生层415具有40％以上的可见光透射率)。另外， 电荷产生层415即使其导电率小于一对电极(电极401及电极402)也 发挥作用。
通过使用上述材料形成电荷产生层415，可以抑制在层叠发光层时 的驱动电压的增大。
虽然在图6B中说明了具有两个发光单元的发光元件，但是可以将 同样的结构应用于层叠有三个以上的发光单元的发光元件。如发光元 件452所示，通过在一对电极之间以由电荷产生层将其隔开的方式配 置多个发光单元，可以实现在保持低电流密度的同时还可以进行高亮 度发光，并且使用寿命更长的发光元件。另外，还可以实现功耗低的 发光元件。
另外，通过将具有利用实施方式1所示的本发明的一个方式的纯 化方法制造的物质的结构应用于多个单元中的至少一个单元，可以提 供一种可靠性高的发光元件。
另外，在上述各结构中，用于发光单元406及发光单元408的客 体材料的发光颜色既可以相同又可以不同。当发光单元406和发光单 元408包含具有呈现互不相同颜色的功能的客体材料时，发光元件452 成为以小电流值呈现高发光亮度的发光元件，所以是优选的。另外， 当发光单元406和发光单元408包含具有呈现彼此不同颜色的发光的 功能的客体材料时，发光元件452成为呈现多色发光的发光元件，所 以是优选的。此时，由于通过作为发光层420和发光层440中的一个 或两个使用发光波长不同的多个发光材料，合成具有不同的发光峰值 的光，因此发光元件452的发光光谱具有至少两个极大值。
上述结构适合用来获得白色发光。通过使发光层420与发光层440 的光为互补色的关系，可以获得白色发光。尤其优选以实现演色性高 的白色发光或至少具有红色、绿色、蓝色的发光的方式选择客体材料。
此外，也可以将发光层420和发光层440中的至少一个进一步分 割为层状并使该被分割的层的每一个都含有不同的发光材料。也就是 说，发光层420和发光层440中的至少一个也可以由两层以上的多个 层形成。例如，在从空穴传输层一侧依次层叠第一发光层和第二发光 层来形成发光层的情况下，可以将具有空穴传输性的物质用作第一发 光层的主体材料，并且将具有电子传输性的物质用作第二发光层的主 体材料。在此情况下，第一发光层和第二发光层所包含的发光材料也 可以是相同或不同的材料。另外，第一发光层和第二发光层所包含的 发光材料既可以是具有呈现相同颜色的发光的功能的材料，又可以是具有呈现不同颜色的发光的功能的材料。通过采用具有呈现彼此不同 颜色的发光的功能的多个发光材料的结构，也可以得到由三原色或四 种以上的发光颜色构成的演色性高的白色发光。
<材料>
下面，对根据本发明的一个方式的发光元件的构成要素进行详细 说明。
《发光层》
下面对能够用于发光层430的材料分别进行说明。注意，发光层 420及发光层440也可以采用与此同样的材料及结构。
在发光层430中，主体材料432在重量比中最多，客体材料431 分散在主体材料432中。
作为客体材料431没有特别的限制，但是优选使用蒽衍生物、并四 苯衍生物、(chrysene)衍生物、菲衍生物、芘衍生物、苝衍生物、 二苯乙烯衍生物、吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、吩恶嗪衍生物、吩 噻嗪衍生物等，例如可以使用如下材料。
具体而言，可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N，N'-二苯基-N，N'-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基) 苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N， N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-N，N’-双 (4-叔丁苯基)-芘-1，6-二胺(简称：1，6tBu-FLPAPrn)、N，N’-二苯基 -N，N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-3，8-二环己基芘-1，6-二胺(简称：ch-1，6FLPAPrn)、N，N’-(芘-1，6-二基)双[(6，N-二苯基苯并[b] 萘并[1，2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)、N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H- 咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9- 基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基 -N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、苝、2，5， 8，11-四(叔丁基)苝(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4， 1-亚苯基)双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9- 二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称： 2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N”，N”，N”'，N”'-八苯基二苯并[g，p](chrysene)-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素 30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、 N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称： 2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺 (简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N'，N'-三 苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H- 咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基 蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素6、香豆素545T、N，N'-二苯基喹 吖酮(简称：DPQd)、红荧烯、2，8-二-叔丁基-5，11-双(4-叔丁苯基)-6， 12-二苯基并四苯(简称：TBRb)、尼罗红、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6， 11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6- 甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6， 7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称： DCM2)、N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、 7，14-二苯基-N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10- 二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3， 6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简 称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H， 5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称： BisDCM)、2-{2，6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四 氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称： BisDCJTM)、5，10，15，20-四苯基双苯并(tetraphenylbisbenzo)[5，6] 茚并[1，2，3-cd:1'，2'，3'-lm]苝等。
优选以主体材料432的发光峰值与客体材料431的最长波长一侧 (低能量一侧)的吸收带重叠的方式选择主体材料432及客体材料431。 由此，可以实现一种发光效率得到显著提高的发光元件。
作为客体材料431，可以举出铱、铑、铂类有机金属配合物或金属 配合物，其中优选的是有机铱配合物，例如铱类邻位金属配合物。作 为邻位金属化的配体，可以举出4H-三唑配体、1H-三唑配体、咪唑配 体、吡啶配体、嘧啶配体、吡嗪配体或异喹啉配体等。作为金属配合 物可以举出具有卟啉配体的铂配合物等。
作为在蓝色或绿色处具有发光峰值的物质，例如可以举出三{2-[5- (2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2] 苯基-κC}铱(III)(简称：Ir(mpptz-dmp)3)、三(5-甲基-3，4-二苯 基-4H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：Ir(Mptz)3)、三[4-(3-联苯) -5-异丙基-3-苯基-4H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：Ir(iPrptz-3b)3)、 三[3-(5-联苯)-5-异丙基-4-苯基-4H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：Ir (iPr5btz)3)等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1- (2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：Ir(Mptz1-mp) 3)、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：Ir(Prptz1-Me)3)等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1- (2，6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：Ir(iPrpmi) 3)、三[3-(2，6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1，2-f]菲啶根 (phenanthridinato)]铱(III)(简称：Ir(dmpimpt-Me)3)等具有咪 唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N， C2']铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4'，6'-二氟 苯基)吡啶根-N，C2']铱(III)吡啶甲酸盐(简称：FIrpic)、双{2-[3'， 5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N，C2'}铱(III)吡啶甲酸盐(简称：Ir (CF3ppy)2(pic))、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C2']铱(III) 乙酰丙酮(简称：FIr(acac))等以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物 为配体的有机金属铱配合物。在上述金属配合物中，由于具有4H-三唑 骨架的有机金属铱配合物具有优异的可靠性及发光效率，所以是特别 优选的。
作为在绿色或黄色处具有发光峰值的物质，例如可以举出三(4- 甲基-6-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(mppm)3)、三(4-叔丁基-6- 苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(tBuppm)3)、(乙酰丙酮根)双(6- 甲基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(mppm)2(acac))、(乙酰丙酮 根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)铱(III)(简称：Ir(tBuppm)2(acac))、 (乙酰丙酮根)双[4-(2-降莰基)-6-苯基嘧啶]铱(III)(简称：Ir(nbppm) 2(acac))、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]铱 (III)(简称：Ir(mpmppm)2(acac))、(乙酰丙酮根)双{4，6-二甲 基-2-[6-(2，6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}铱(III)(简称： Ir(dmppm-dmp)2(acac))、(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶)铱 (III)(简称：Ir(dppm)2(acac))等具有嘧啶骨架的有机金属铱配 合物、(乙酰丙酮根)双(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(简称： Ir(mppr-Me)2(acac))、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基 吡嗪)铱(III)(简称：Ir(mppr-iPr)2(acac))等具有吡嗪骨架的有 机金属铱配合物、三(2-苯基吡啶-N，C2')铱(III)(简称：Ir(ppy) 3)、双(2-苯基吡啶根-N，C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(ppy)2(acac))、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(bzq)2(acac))、 三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：Ir(bzq)3)、三(2-苯基喹啉-N， C2′)铱(III)(简称：Ir(pq)3)、双(2-苯基喹啉-N，C2')铱(III) 乙酰丙酮(简称：Ir(pq)2(acac))等具有吡啶骨架的有机金属铱配 合物、双(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C2')铱(III)乙酰丙酮(简称： Ir(dpo)2(acac))、双{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-N，C2'}铱(III) 乙酰丙酮(简称：Ir(p-PF-ph)2(acac))、双(2-苯基苯并噻唑-N， C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(bt)2(acac))等有机金属铱配合 物、三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(III)(简称：Tb(acac)3(Phen)) 等稀土金属配合物。在上述金属配合物中，由于具有嘧啶骨架的有机 金属铱配合物具有优异的可靠性及发光效率，所以是特别优选的。
另外，作为在黄色或红色处具有发光峰值的物质，例如可以举出 (二异丁酰甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(III)(简称： Ir(5mdppm)2(dibm))、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊 酰基甲烷根)铱(III)(简称：Ir(5mdppm)2(dpm))、双[4，6-二(萘 -1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：Ir(d1npm)2 (dpm))等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2， 3，5-三苯基吡嗪根)铱(III)(简称：Ir(tppr)2(acac))、双(2，3， 5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：Ir(tppr)2(dpm))、 (乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉]合铱(III)(简称：Ir (Fdpq)2(acac))等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基 异喹啉-N，C2’)铱(III)(简称：Ir(piq)3)、双(1-苯基异喹啉-N， C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：Ir(piq)2(acac))等具有吡啶骨架的 有机金属铱配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H- 卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等铂配合物；以及三(1，3-二苯基-1， 3-丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(III)(简称：Eu(DBM) 3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(简称：Eu(TTA)3(Phen))等稀土金属配合物。在上述金属 配合物中，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有优异的可靠性 及发光效率，所以是特别优选的。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱 配合物可以提供色度良好的红色发光。
作为发光层430所包含的发光材料，可以使用能够将三重激发能 量转换为发光的材料。作为该能够将三重激发能量转换为发光的材料， 除了磷光化合物之外，可以举出热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence:TADF)材料。因此，可以将有关磷光化合物的记 载看作有关热活化延迟荧光化合物的记载。热活化延迟荧光化合物是指S1能级与T1能级之差较小且具有通过反系间窜越将三重激发能量 转换为单重激发能量的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将 三重激发态上转换(upconversion)为单重激发态(反系间窜越)并能 够高效地呈现来自单重激发态的发光(荧光)。可以高效地获得热活化 延迟荧光的条件为如下：S1能级与T1能级的能量差优选大于0eV且 为0.3eV以下，更优选大于0eV且为0.2eV以下，进一步优选大于0eV 且为0.1eV以下。
当热活化延迟荧光化合物由一种材料构成时，例如可以使用如下 材料。
首先，可以举出富勒烯或其衍生物、原黄素等吖啶衍生物、曙红 (eosin)等。此外，可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡 (Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为该含金属 卟啉，例如也可以举出原卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Proto IX))、中卟 啉-氟化锡配合物(SnF2(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF2 (Hemato IX))、粪卟啉四甲基酯-氟化锡配合物(SnF2(Copro III-4Me))、 八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF2(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF2 (Etio I))、八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl2OEP)等。
另外，作为由一种材料构成的热活化延迟荧光化合物，还可以使 用具有富π电子型芳杂环及缺π电子型芳杂环的杂环化合物。具体而言， 可以举出2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基) -1，3，5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H- 咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、 3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑 (简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9- 酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基] 硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’ -酮(简称：ACRSA)等。该杂环化合物具有富π电子型芳杂环及缺π 电子型芳杂环，因此电子传输性及空穴传输性高，所以是优选的。尤 其是，在具有缺π电子型芳杂环的骨架中，二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪 骨架、哒嗪骨架)或三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。另 外，在具有富π电子型芳杂环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻 嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以具 有选自该骨架中的任何一个或多个是优选的。作为吡咯骨架，特别优 选使用吲哚骨架、咔唑骨架及9-苯基-3，3’-联-9H-咔唑骨架。另外， 在富π电子型芳杂环和缺π电子型芳杂环直接键合的物质中，富π电子型 芳杂环的供体性和缺π电子型芳杂环的受体性都强，单重激发能级与三 重激发能级的差值变小，所以是尤其优选的。
另外，显示热活化延迟荧光的材料既可以是能够单独从三重激发 态通过反系间窜越生成单重激发态的材料，又可以由形成激基复合物 (也称为Exciplex)的多个材料构成。
优选以主体材料432的发光峰值与客体材料431(磷光化合物)的 三重MLCT(从金属到配体的电荷转移：Metal to Ligand Charge Transfer) 跃迁的吸收带(更具体而言，最长波长一侧的吸收带)重叠的方式选 择主体材料432及客体材料431(磷光化合物)。由此，可以实现一种 发光效率得到显著提高的发光元件。注意，在使用热活化延迟荧光化 合物代替磷光化合物的情况下，最长波长一侧的吸收带优选为单重态 的吸收带。
另外，作为主体材料432可以使用如下空穴传输性材料及电子传 输性材料。
作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材 料，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的材料。具体而言， 可以使用芳香胺、咔唑衍生物、芳烃、二苯乙烯衍生物等。上述空穴 传输性材料也可以是高分子化合物。
作为空穴传输性高的材料，例如，作为芳香胺化合物，可以举出 N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对苯二胺(简称：DTDPPA)、 4,4’-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'- 双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二 胺(简称：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]苯(简 称：DPA3B)等。
另外，作为咔唑衍生物，具体而言，可以举出3-[N-(4-二苯氨基 苯基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA1)、3，6-双[N-(4-二 苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA2)、3，6-双[N- (4-二苯氨基苯基)-N-(1-萘基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzTPN2)、 3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、 3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、 3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1) 等。
另外，作为咔唑衍生物，还可以举出4,4’-二(N-咔唑基)联苯 (简称：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4- (10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1,4-双[4-(N-咔唑 基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。
另外，作为芳烃，例如可以举出2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(简 称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-双(3,5-二苯基 苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9,10-双(4-苯基苯基)蒽(简称： t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9,10-二苯基蒽(简 称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9,10-双(4-甲基-1-萘 基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9,10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9,10- 双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7- 四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9'-联蒽、10,10'-二苯基-9,9'-联蒽、10,10'- 双(2-苯基苯基)-9,9'-联蒽、10,10'-双[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9'- 联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2,5,8,11-四(叔丁基)苝等。另外， 除此之外，还可以使用并五苯、晕苯等。如此，更优选使用具有 1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率且碳原子数为14至42的芳烃。
注意，芳烃也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例 如，可以举出4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、 9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。
另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙 烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯 基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N,N'- 双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分 子化合物。
另外，作为空穴传输性高的材料，例如，可以使用4，4’-双[N- (1-萘基)-N-苯氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N，N’-双(3- 甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、 4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称：TCTA)、4，4’，4”- 三[N-(1-萘基)-N-苯氨基]三苯胺(简称：1’-TNATA)、4，4’，4” -三(N，N-二苯氨基)三苯胺(简称：TDATA)、4，4’，4”-三[N- (3-甲基苯基)-N-苯氨基]三苯胺(简称：MTDATA)、4，4’-双[N- (螺-9，9’-联芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4’ -(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴 -9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-N-{9， 9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)氨]-9H-芴-7- 基}苯基胺(简称：DFLADFL)、N-(9，9-二甲基-2-二苯氨基-9H-芴-7- 基)二苯基胺(简称：DPNF)、2-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基] 螺-9，9’-联芴(简称：DPASF)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基) 三苯胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3- 基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑 -3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯 基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)胺(简称：PCA1BP)、N，N’-双(9-苯基咔唑-3-基) -N，N’-二苯基苯-1，3-二胺(简称：PCA2B)、N，N’，N”-三苯 基-N，N’，N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1，3，5-三胺(简称：PCA3B)、 N-(4-联苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简 称：PCBiF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基) 苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、9，9-二甲基-N-苯基 -N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基 -N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-联芴-2-胺(简称：PCBASF)、 2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]螺-9，9’-联芴(简称：PCASF)、 2，7-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-螺-9，9’-联芴(简称：DPA2SF)、 N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-(4-苯基)苯基苯胺(简称：YGA1BP)、 N，N’-双[4-(咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基-9，9-二甲基芴-2， 7-二胺(简称：YGA2F)等芳香族胺化合物等。另外，可以使用3-[4- (1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、3-[4-(9-菲基)- 苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPPn)、3，3’-双(9-苯基-9H-咔唑) (简称：PCCP)、1，3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、3，6-双(3， 5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3，6-二(9H-咔唑-9-基)-9- 苯基-9H-咔唑(简称：PhCzGI)、2，8-二(9H-咔唑-9-基)-二苯并噻吩(简 称：Cz2DBT)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃 (简称：mmDBFFLBi-II)、4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二 苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、1，3，5-三(二苯并噻吩-4-基)-苯(简 称：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并 噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基 二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)、4-[3-(三亚苯-2-基)苯基]二苯并 噻吩(简称：mDBTPTp-II)等胺化合物、咔唑化合物、噻吩化合物、 呋喃化合物、芴化合物、三亚苯化合物、菲化合物等。在此所述的物 质主要是空穴迁移率为1×10- 6cm2/Vs以上的物质。但是，只要是空穴 传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述物质以外的物质。
作为电子传输性材料，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材 料，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的材料。作为容易 接收电子的材料(具有电子传输性的材料)，可以使用含氮杂芳族化合 物等缺π电子型杂芳族或金属配合物等。具体而言，可以举出包括喹啉 配体、苯并喹啉配体、噁唑配体或噻唑配体的锌或铝类金属配合物、 噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、菲罗啉衍生物、吡啶衍生 物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物等。
例如，可以使用包含具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物 等的层，如有三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8- 羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II) (简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简 称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)等。另外，除此 之外，还可以使用如双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、 双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等具有噁唑基类、 噻唑类配体的金属配合物等。再者，除了金属配合物以外，还可以使 用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、 1，3-双[5-(对叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、 9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、 3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、 9-[4-(4，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑-3-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzTAZ1)、 2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称： TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称： mDBTBIm-II)、红菲绕啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等 杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简 称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f， h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3- 基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、2-[4-(3，6-二苯基-9H- 咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2CzPDBq-III)，7-[3-(二 苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：7mDBTPDBq-II)、 6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称： 6mDBTPDBq-II)、2-[3-[3-(3，9’-联-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f， h]喹喔啉(简称：2mCzCzPDBq)、4，6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶 (简称：4，6mPnP2Pm)、4，6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4，6mDBTP2Pm-II)、4，6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(简 称：4，6mCzP2Pm)等具有二嗪骨架的杂环化合物；PCCzPTzn等具 有三嗪骨架的杂环化合物；3，5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简 称：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：TmPyPB) 等具有吡啶骨架的杂环化合物；4，4’-双(5-甲基苯并噁唑基-2-基) 二苯乙烯(简称：BzOs)等杂芳族化合物。在上述杂环化合物中，具 有二嗪(嘧啶、吡嗪、哒嗪)骨架或吡啶骨架的杂环化合物稳定且可靠性 良好，所以是优选的。尤其是，具有上述骨架的杂环化合物具有高电 子传输性，也有助于降低驱动电压。另外，还可以使用高分子化合物 诸如聚(2,5-吡啶二基)(简称：PPy)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)- 共-(吡啶-3,5-二基)](简称：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基) -共-(2,2’-联吡啶-6,6’-二基)](简称：PF-BPy)。在此所述的物质主要是电子迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。注意，只要是电子传 输性高于空穴传输性的物质，就可以使用上述物质以外的物质。
在此，实施方式1所说明的纯化方法特别适合于上述物质中的具 有芳香族胺骨架或富π电子型芳杂环骨架中的至少一个的物质。尤其是， 作为芳香族胺骨架优选具有三芳基胺骨架。此外，作为富π电子型芳杂 环骨架优选具有吡咯骨架。此外，作为吡咯骨架优选具有咔唑骨架。
作为主体材料432，可以使用能够形成激基复合物的两种化合物的 组合。此时，优选以该激基复合物的发光峰值与客体材料431(磷光化 合物)的三重MLCT(从金属到配体的电荷转移：Metal to Ligand Charge Transfer)跃迁的吸收带(具体为最长波长一侧的吸收带)重叠的方式 选择主体材料432及客体材料431(磷光化合物)。由此，可以实现一 种发光效率得到显著提高的发光元件。注意，在使用热活化延迟荧光 化合物代替磷光化合物的情况下，最长波长一侧的吸收带优选为单重 态的吸收带。
发光层430也可以由两层以上的多个层形成。例如，在从空穴传 输层一侧依次层叠第一发光层和第二发光层来形成发光层430的情况 下，可以将具有空穴传输性的物质用作第一发光层的主体材料，并且 将具有电子传输性的物质用作第二发光层的主体材料。
另外，在发光层430中也可以包括客体材料431及主体材料432 以外的材料。
另外，可以利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂敷法、凹 版印刷等的方法形成发光层430。此外，除了上述材料以外，发光层 430也可以包含量子点等无机化合物或高分子化合物(低聚物、树枝状 聚合物、聚合物等)。
作为量子点，可以使用胶状量子点、合金型量子点、核壳(Core Shell) 型量子点、核型量子点等。另外，也可以使用包含第2族与第16族、 第13族与第15族、第13族与第17族、第11族与第17族或第14族 与第15族的元素群的量子点。或者，可以使用包含镉(Cd)、硒(Se)、 锌(Zn)、硫(S)、磷(P)、铟(In)、碲(Te)、铅(Pb)、镓(Ga)、砷(As)、铝(Al) 等元素的量子点。
作为用于湿式法的液体介质，例如可以使用：甲乙酮、环己酮等 的酮类；乙酸乙酯等的甘油脂肪酸酯类；二氯苯等的卤化芳烃类；甲 苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等的芳烃类；环己烷、十氢化萘、 十二烷等的脂肪族芳烃类；甲基甲酰胺(DMF)、二甲亚砜(DMSO)等的有机溶剂。
《空穴注入层》
空穴注入层411具有降低来自一对电极中的一个(电极401或电 极402)的空穴的注入势垒促进空穴注入的功能，并例如使用过渡金属 氧化物、酞菁衍生物或芳香胺等形成。作为过渡金属氧化物可以举出 钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。作为酞菁 衍生物，可以举出酞菁或金属酞菁等。作为芳香胺，可以举出联苯胺 衍生物或亚苯基二胺衍生物等。另外，也可以使用聚噻吩或聚苯胺等 高分子化合物，典型的是：作为被自掺杂的聚噻吩的聚(乙基二氧噻 吩)/聚(苯乙烯磺酸)等。
作为空穴注入层411，可以使用具有由空穴传输性材料和具有接收 来自空穴传输性材料的电子的特性的材料构成的复合材料的层。或者， 也可以使用包含具有接收电子的特性的材料的层与包含空穴传输性材 料的层的叠层。在定态或者在存在有电场的状态下，电荷的授受可以 在这些材料之间进行。作为具有接收电子的特性的材料，可以举出醌 二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮杂三亚苯衍生物等有机受体。 具体而言，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简 称：F4-TCNQ)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12- 六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)等具有吸电子基团(卤基或氰基)的 化合物。此外，也可以使用过渡金属氧化物、例如第4族至第8族金 属的氧化物。具体而言，可以使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、 氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼等。特别优选使用氧化钼，因为其 在大气中也稳定，吸湿性低，并且容易处理。
作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材 料，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的材料。具体而言， 可以使用作为能够用于发光层430的空穴传输性材料而举出的芳香胺、 咔唑衍生物、芳烃、二苯乙烯衍生物等。上述空穴传输性材料也可以 是高分子化合物。
《空穴传输层》
空穴传输层412是包含空穴传输性材料的层，可以使用作为空穴 注入层411的材料所例示的空穴传输性材料。空穴传输层412具有将 注入到空穴注入层411的空穴传输到发光层430的功能，所以优选具 有与空穴注入层411的最高占据分子轨道(也称为HighestOccupied Molecular Orbital，也称为HOMO)能级相同或接近的HOMO能级。
另外，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但 是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述物质 以外的物质。另外，包括具有高空穴传输性的物质的层不限于单层， 还可以层叠两层以上的由上述物质构成的层。
《电子传输层》
电子传输层418具有将从一对电极中的另一个(电极401或电极 402)经过电子注入层419注入的电子传输到发光层430的功能。作为 电子传输性材料，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材料，优选 使用具有1×10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的材料。作为容易接收电子 的化合物(具有电子传输性的材料)，可以使用含氮杂芳族化合物等缺 π电子型杂芳族或金属配合物等。具体而言，可以举出作为可用于发光 层430的电子传输性材料而举出的包括喹啉配体、苯并喹啉配体、噁 唑配体或噻唑配体的金属配合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲罗 啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物等。另外，优选 是具有1×10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。只要是电子传输性高 于空穴传输性的物质，就可以使用上述物质以外的物质。另外，电子 传输层418不限于单层，还可以层叠两层以上的由上述物质构成的层。
另外，还可以在电子传输层418与发光层430之间设置控制电子 载流子的移动的层。该控制电子载流子的移动的层是对上述电子传输 性高的材料添加少量的电子俘获性高的物质而成的层，通过抑制电子 载流子的移动，可以调节载流子平衡。这种结构对抑制因电子穿过发 光层而引起的问题(例如元件寿命的下降)发挥很大的效果。
此外，也可以使用n型化合物半导体，例如可以使用氧化钛(TiO2)、 氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化锡(SnO2)、氧化钨(WO3)、氧 化钽(Ta2O3)、钛酸钡(BaTiO3)、锆酸钡(BaZrO3)、氧化锆(ZrO2)、 氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)、硅酸锆(ZrSiO4) 等的氧化物；氮化硅(Si3N4)等的氮化物；硫化镉(CdS)；硒化锌(ZnSe)； 及硫化锌(ZnS)等。
《电子注入层》
电子注入层419具有降低来自电极402的电子的注入势垒促进电 子注入的功能，例如可以使用第1族金属、第2族金属或它们的氧化 物、卤化物、碳酸盐等。另外，也可以使用上述电子传输性材料和具 有对电子传输性材料供应电子的特性的材料的复合材料。作为具有供 电子特性的材料，可以举出第1族金属、第2族金属或它们的氧化物 等。具体而言，可以使用氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化铯(CsF)、 氟化钙(CaF2)及锂氧化物(LiOx)等碱金属、碱土金属或这些金属 的化合物。另外，可以使用氟化铒(ErF3)等稀土金属化合物。另外， 也可以将电子盐用于电子注入层419。作为该电子盐，例如可以举出对 钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。另外，也可以将能 够用于电子传输层418的物质用于电子注入层419。
另外，也可以将有机化合物与电子给体(供体)混合形成的复合 材料用于电子注入层419。这种复合材料因为通过电子给体在有机化合 物中产生电子而具有优异的电子注入性和电子传输性。在此情况下， 有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能优异的材料，具体而 言，例如，可以使用如上所述的构成电子传输层418的物质(金属配 合物、杂芳族化合物等)。作为电子给体，只要是对有机化合物呈现电 子供给性的物质即可。具体而言，优选使用碱金属、碱土金属和稀土 金属，可以举出锂、钠、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选使用碱 金属氧化物或碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧 化物等。此外，还可以使用氧化镁等路易斯碱。另外，也可以使用四 硫富瓦烯(简称：TTF)等有机化合物。
另外，上述发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电 子注入层都可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂敷法、凹 版印刷等方法形成。此外，作为上述发光层、空穴注入层、空穴传输 层、电子传输层及电子注入层，除了上述材料之外，也可以使用量子 点等无机化合物或高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)。
《一对电极》
电极401及电极402具有发光元件的阳极或阴极的功能。电极401 及电极402可以使用金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物或 叠层体等形成。
电极401和电极402中的一个优选使用具有反射光的功能的导电 性材料形成。作为该导电性材料，可以举出铝(Al)或包含Al的合金 等。作为包含Al的合金，可以举出包含Al及L(L表示钛(Ti)、钕 (Nd)、镍(Ni)和镧(La)中的一个或多个)的合金等，例如为包含 Al及Ti的合金或者包含Al、Ni及La的合金等。铝具有低电阻率和高 光反射率。此外，由于铝在地壳中大量地含有且不昂贵，所以使用铝 可以降低发光元件的制造成本。此外，也可以使用银(Ag)、包含Ag、 N(N表示钇(Y)、Nd、镁(Mg)、镱(Yb)、Al、Ti、镓(Ga)、锌 (Zn)、铟(In)、钨(W)、锰(Mn)、锡(Sn)、铁(Fe)、Ni、铜(Cu)、 钯(Pd)、铱(Ir)和金(Au)中的一个或多个)的合金等。作为包含 银的合金，例如可以举出如下合金：包含银、钯及铜的合金；包含银 及铜的合金；包含银及镁的合金；包含银及镍的合金；包含银及金的 合金；以及包含银及镱的合金等。除了上述材料以外，可以使用钨、 铬(Cr)、钼(Mo)、铜及钛等的过渡金属。
另外，从发光层获得的光透过电极401和电极402中的一个或两 个被提取。由此，电极401和电极402中的至少一个优选使用具有使 光透过的功能的导电性材料形成。作为该导电性材料，可以举出可见 光的透过率为40％以上且100％以下，优选为60％以上且100％以下， 且电阻率为1×10-2Ω·cm以下的导电性材料。
此外，电极401及电极402也可以使用具有使光透过的功能及反 射光的功能的导电性材料形成。作为该导电性材料，可以举出可见光 的反射率为20％以上且80％以下，优选为40％以上且70％以下，且电 阻率为1×10-2Ω·cm以下的导电性材料。例如，可以使用具有导电性的 金属、合金和导电性化合物中的一种或多种。具体而言，铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，以下称为ITO)、包含硅或氧化硅的铟锡氧化物(简 称：ITSO)、氧化铟-氧化锌(Indium Zinc Oxide)、含有钛的氧化铟- 锡氧化物、铟-钛氧化物、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟等金属氧化物。 另外，可以使用具有透过光的程度(优选为1nm以上且30nm以下的 厚度)的厚度的金属膜。作为金属，例如可以使用Ag、Ag及Al、Ag 及Mg、Ag及Au以及Ag及Yb等的合金等。
注意，在本说明书等中，作为具有透光的功能的材料，使用具有 使可见光透过的功能且具有导电性的材料即可，例如有上述以ITO (Indium Tin Oxide)为代表的氧化物导电体、氧化物半导体或包含有 机物的有机导电体。作为包含有机物的有机导电体，例如可以举出包 含混合有机化合物与电子给体(供体)而成的复合材料、包含混合有 机化合物与电子受体(受体)而成的复合材料等。另外，也可以使用 石墨烯等无机碳类材料。另外，该材料的电阻率优选为1×105Ω·cm以 下，更优选为1×104Ω·cm以下。
另外，可以通过层叠多个上述材料形成电极401和电极402中的 一个或两个。
为了提高光提取效率，可以与具有使光透过的功能的电极接触地 形成其折射率比该电极高的材料。作为这种材料，只要具有使可见光 透过的功能就可，既可以为具有导电性的材料，又可以为不具有导电 性的材料。例如，除了上述氧化物导电体以外，还可以举出氧化物半 导体、有机物。作为有机物，例如可以举出作为发光层、空穴注入层、 空穴传输层、电子传输层或电子注入层例示出的材料。另外，也可以 使用无机碳类材料或具有使光透过的程度的厚度的薄膜金属。另外， 也可以使用上述折射率高的材料并层叠多个具有几nm至几十nm厚的 层。
当电极401或电极402被用作阴极时，优选使用功函数小(3.8eV 以下)的材料。例如，可以使用属于元素周期表中的第1族或第2族 的元素(例如，锂、钠及铯等碱金属、钙或锶等碱土金属、镁等)、包 含上述元素的合金(例如，Ag及Mg或Al及Li)、铕(Eu)或Yb等 稀土金属、包含上述稀土金属的合金、包含铝、银的合金等。
当电极401或电极402被用作阳极时，优选使用功函数大(4.0eV 以上)的材料。
电极401及电极402也可以采用具有反射光的功能的导电性材料 及具有使光透过的功能的导电性材料的叠层。在此情况下，电极401 及电极402具有调整光学距离的功能以便使来自各发光层的所希望的 光谐振而增强该波长的光，所以是优选的。
作为电极401及电极402的成膜方法，可以适当地使用溅射法、 蒸镀法、印刷法、涂敷法、MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束外 延)法、CVD法、脉冲激光沉积法、ALD(Atomic Layer Deposition： 原子层沉积)法等。
《衬底》
另外，本发明的一个方式的发光元件可以在由玻璃、塑料等构成 的衬底上制造。作为在衬底上层叠的顺序，既可以从电极401一侧依 次层叠又可以从电极402一侧依次层叠。
另外，作为能够形成本发明的一个方式的发光元件的衬底，例如 可以使用玻璃、石英或塑料等。或者，也可以使用柔性衬底。柔性衬 底是可以弯曲的衬底，例如由聚碳酸酯、聚芳酯制成的塑料衬底等。 另外，可以使用薄膜、无机蒸镀薄膜等。注意，只要在发光元件及光 学元件的制造过程中起支撑物的作用，就可以使用其他材料。或者， 只要具有保护发光元件及光学元件的功能即可。
例如，在本发明等中，可以使用各种衬底形成发光元件。对衬底 的种类没有特别的限制。作为该衬底的例子，例如可以使用半导体衬 底(例如，单晶衬底或硅衬底)、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑 料衬底、金属衬底、不锈钢衬底、具有不锈钢箔的衬底、钨衬底、具 有钨箔的衬底、柔性衬底、贴合薄膜、包含纤维状的材料的纤维素纳 米纤维(CNF)或纸或者基材薄膜等。作为玻璃衬底的例子，有钡硼硅酸 盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等。作为柔性衬底、贴合薄膜、 基材薄膜等，可以举出如下例子。例如，可以举出以聚对苯二甲酸乙 二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚四 氟乙烯(PTFE)为代表的塑料。或者，作为例子，可以举出丙烯酸树 脂等树脂等。或者，作为例子，可以举出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯 或聚氯乙烯等。或者，作为例子，可以举出聚酰胺、聚酰亚胺、芳族 聚酰胺、环氧树脂、无机蒸镀薄膜、纸类等。
另外，也可以作为衬底使用柔性衬底，并在柔性衬底上直接形成 发光元件。或者，也可以在衬底与发光元件之间设置剥离层。当剥离 层上制造发光元件的一部分或全部，然后将其从衬底分离并转置到其 他衬底上时可以使用剥离层。此时，也可以将发光元件转置到耐热性 低的衬底或柔性衬底上。另外，作为上述剥离层，例如可以使用钨膜 和氧化硅膜的无机膜的叠层结构或在衬底上形成有聚酰亚胺等树脂膜 的结构等。
也就是说，也可以使用一个衬底来形成发光元件，然后将发光元 件转置到另一个衬底上。作为发光元件被转置的衬底的例子，除了上 述衬底之外，还可以举出玻璃纸衬底、石材衬底、木材衬底、布衬底 (包括天然纤维(丝、棉、麻)、合成纤维(尼龙、聚氨酯、聚酯)或再生纤维(醋酯纤维、铜氨纤维、人造纤维、再生聚酯)等)、皮革衬 底、橡胶衬底等。通过采用这些衬底，可以制造不易损坏的发光元件、 耐热性高的发光元件、实现轻量化的发光元件或实现薄型化的发光元 件。
另外，也可以在上述衬底上例如形成场效应晶体管(FET)，并且 在与FET电连接的电极上制造发光元件450。由此，可以制造通过FET 控制发光元件450的驱动的有源矩阵型显示装置。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组 合而使用。
(实施方式3)
在本实施方式中，例示出将利用实施方式1所记载的纯化方法而 被纯化的物质用于有机半导体元件之一种的纵型晶体管(静电感应晶 体管：SIT)的活性层的方式。
作为元件结构，如图7所示，具有如下结构：薄膜状活性层330 被夹在源电极301及漏电极302之间，并且栅电极303被埋入在活性 层330中。栅电极303电连接于用来施加栅电压的单元，且源电极301 及漏电极302电连接于用来控制源电极-漏电极之间的电压的单元。注 意，源电极与漏电极的功能可以互相调换。
在这种元件结构中，当在不对栅电极303施加电压的状态下对源 电极-漏电极之间施加电压时，电流流过(成为ON状态)。并且，当在 该状态下对栅电极303施加电压时，在栅电极303周围产生耗尽层， 电流不流过(成为OFF状态)。通过上述机理，有机半导体元件300 用作晶体管。
在纵型晶体管中，与发光元件同样，作为活性层的材料需要纯度 高的物质，通过在实施方式1中记载的纯化方法，可以提供充分满足 该条件的物质。
注意，本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适 当地组合而使用。
(实施方式4)
在本实施方式中，参照图8A和图8B说明本发明的一个方式的显 示装置。
图8A是示出显示装置600的俯视图，图8B是沿图8A中的点划 线A-B、点划线C-D的截面图。显示装置600包括驱动电路部(信号 线驱动电路部601、扫描线驱动电路部603)以及像素部602。信号线 驱动电路部601、扫描线驱动电路部603、像素部602具有控制发光元件的发光的功能。
显示装置600包括元件衬底610、密封衬底604、密封剂605、由 密封剂605围绕的区域607、引绕布线608以及FPC609。
注意，引绕布线608是用来传送输入到信号线驱动电路部601及 扫描线驱动电路部603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的 FPC609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽 然在此只图示出FPC609，但是FPC609还可以安装有印刷线路板(PWB： Printed Wiring Board)。
作为信号线驱动电路部601，形成组合N沟道型晶体管623和P 沟道型晶体管624的CMOS电路。另外，信号线驱动电路部601或扫 描线驱动电路部603可以利用各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS 电路。另外，虽然在本实施方式中示出在衬底的同一表面上设置在衬 底上形成有驱动电路部的驱动器和像素的显示装置，但是不需要必须 采用该结构，驱动电路部也可以形成在外部，而不形成在衬底上。
另外，像素部602包括开关晶体管611、电流控制晶体管612以及 与电流控制晶体管612的漏极电连接的下部电极613。注意，以覆盖下 部电极613的端部的方式形成有分隔壁614。作为分隔壁614可以使用 正型感光丙烯酸树脂膜。
另外，将分隔壁614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面， 以获得良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸作为分隔壁614 的材料的情况下，优选只使分隔壁614的上端部包括具有曲率半径 (0.2μm以上且3μm以下)的曲面。作为分隔壁614，可以使用负型 感光树脂或者正型感光树脂。
对晶体管(晶体管611、612、623、624)的结构没有特别的限制。 例如，可以使用交错型晶体管。另外，对晶体管的极性也没有特别的 限制，也可以采用包括N沟道型晶体管及P沟道型晶体管的结构或者 只具有N沟道型晶体管或P沟道型晶体管中的一个的结构。对用于晶 体管的半导体膜的结晶性也没有特别的限制。例如，可以使用非晶半 导体膜或结晶性半导体膜。作为半导体材料，可以使用第14族(硅等) 半导体、化合物半导体(包括氧化物半导体)、有机半导体等。作为晶 体管，例如使用能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV 以上的氧化物半导体，由此可以降低晶体管的关态电流(off-state current)，所以是优选的。作为该氧化物半导体，例如可以举出In-Ga 氧化物、In-M-Zn氧化物(M表示铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、锆(Zr)、 镧(La)、铈(Ce)、锡(Sn)、铪(Hf)或钕(Nd))等。
在下部电极613上形成有EL层616及上部电极617。将下部电极 613用作阳极，将上部电极617用作阴极。
另外，EL层616通过使用蒸镀掩模的蒸镀法(包括真空蒸镀法)、 液滴喷射法(也称为喷墨法)、旋转法等的涂敷法、凹板印刷法等各种 方法形成。另外，作为构成EL层616的其他材料，也可以使用低分子 化合物或高分子化合物(包括低聚物、树枝状聚合物)。
由下部电极613、EL层616及上部电极617构成发光元件618。 发光元件618优选为具有实施方式2的结构的发光元件。
另外，通过使用密封剂605将密封衬底604贴合到元件衬底610， 形成如下结构，即发光元件618安装在由元件衬底610、密封衬底604 以及密封剂605围绕的区域607中。注意，在区域607中填充有填料， 除了填充有惰性气体(氮或氩等)的情况以外，也有填充有可用于密 封剂605的紫外线固化树脂或热固化树脂的情况，例如可以使用PVC (聚氯乙烯)类树脂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂、 硅酮类树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)类树脂或EVA(乙烯-醋酸乙烯 酯)类树脂。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以 抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。
另外，在密封衬底604的下方以与发光元件618重叠的方式设置 光学元件621。此外，在密封衬底604的下方还设置遮光层622。例如， 通过作为光学元件621设置着色层(滤色片)、偏振片、反射防止膜等， 可以提高显示装置600的色纯度及对比度且可以降低外光反射。此外， 通过作为遮光层622使用金属、包含黑色颜料的树脂、碳黑、金属氧 化物、包含多种金属氧化物的固溶体的复合氧化物等，可以抑制外光 反射，并可以防止从相邻的发光元件发射出的光混合。
另外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封剂605。另外，这些 材料优选为尽可能地不容易使水或氧透过的材料。另外，作为用于密 封衬底604的材料，除了可以使用玻璃衬底或石英衬底以外，还可以 使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics；玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚 氟乙烯)、聚酯、丙烯酸等构成的塑料衬底。
通过上述步骤，可以得到包括实施方式2所记载的发光元件的显 示装置。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式或本实施方式中的其 他结构适当地组合。
(实施方式5)
在本实施方式中，参照图9对包括本发明的一个方式的发光元件 的显示模块进行说明。
图9所示的显示模块8000在上盖8001与下盖8002之间包括连接 于FPC8003的触摸传感器8004、连接于FPC8005的显示装置8006、 框架8009、印刷衬底8010、电池8011。
例如可以将本发明的一个方式的发光元件用于显示装置8006。
上盖8001及下盖8002可以根据触摸传感器8004及显示装置8006 的尺寸可以适当地改变形状或尺寸。
触摸传感器8004可以使用与显示装置8006重叠的电阻膜式触摸 传感器或电容式触摸传感器。此外，也可以使显示装置8006的对置衬 底(密封衬底)具有触摸传感器的功能。另外，也可以在显示装置8006 的各像素内设置光传感器，而形成光学触摸传感器。
框架8009除了具有保护显示装置8006的功能以外还具有用来遮 断因印刷衬底8010的工作而产生的电磁波的电磁屏蔽的功能。此外， 框架8009也可以具有作为散热板的功能。
印刷衬底8010具有电源电路以及用来输出视频信号及时钟信号的 信号处理电路。作为对电源电路供应电力的电源，既可以采用外部的 商业电源，又可以采用另行设置的电池8011的电源。当使用商业电源 时，可以省略电池8011。
此外，在显示模块8000中还可以设置偏振片、相位差板、棱镜片 等构件。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组 合而使用。
(实施方式6)
在本实施方式中，参照图10A、图10B、图10C对包括本发明的 一个方式的发光元件的发光装置进行说明。
图10A示出本实施方式所示的发光装置3000的立体图，图10B 示出沿着图10A所示的点划线E-F的截面图。注意，在图10A中，为 了避免图中的繁杂而以虚线表示构成要素的一部分。
图10A及图10B所示的发光装置3000包括衬底3001、衬底3001 上的发光元件3005、设置于发光元件3005的外周的第一密封区域3007 以及设置于第一密封区域3007的外周的第二密封区域3009。
另外，来自发光元件3005的发光从衬底3001和衬底3003中的任 一个或两个射出。在图10A及图10B中，说明来自发光元件3005的 发光射出到下方一侧(衬底3001一侧)的结构。
此外，如图10A及图10B所示，发光装置3000具有以被第一密 封区域3007及第二密封区域3009包围的方式配置发光元件3005的双 密封结构。通过采用双密封结构，能够适当地抑制从外部侵入发光元 件3005一侧的杂质(例如，水、氧等)。但是，并不一定必须要设置第一密封区域3007及第二密封区域3009。例如，可以只设置第一密封 区域3007。
注意，在图10B中，第一密封区域3007及第二密封区域3009以 与衬底3001及衬底3003接触的方式设置。但是，不局限于此，例如， 第一密封区域3007和第二密封区域3009中的一个或两个可以以与形 成在衬底3001的上方的绝缘膜或导电膜接触的方式设置。或者，第一 密封区域3007和第二密封区域3009中的一个或两个可以以与形成在 衬底3003的下方的绝缘膜或导电膜接触的方式设置。
作为衬底3001及衬底3003的结构，可以分别采用与上述实施方 式所记载的衬底同样的结构。作为发光元件3005的结构，可以采用与 上述实施方式所记载的发光元件同样的结构。
第一密封区域3007可以使用包含玻璃的材料(例如，玻璃粉、玻 璃带等)。另外，第二密封区域3009可以使用包含树脂的材料。通过 将包含玻璃的材料用于第一密封区域3007，可以提高生产率及密封性。 此外，通过将包含树脂的材料用于第二密封区域3009，可以提高抗冲 击性及耐热性。但是，用于第一密封区域3007及第二密封区域3009 的材料不局限于此，第一密封区域3007可以使用包含树脂的材料形成， 而第二密封区域3009可以使用包含玻璃的材料形成。
另外，上述玻璃粉例如包含氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、 氧化铯、氧化钠、氧化钾、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化 铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化铑、氧化铁、 氧化铜、二氧化锰、氧化钼、氧化铌、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧 化锆、氧化锂、氧化锑、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃或硼 硅酸盐玻璃等。为了吸收红外光，玻璃粉优选包含一种以上的过渡金 属。
此外，作为上述玻璃粉，例如，在衬底上涂敷玻璃粉浆料并对其 进行加热或照射激光等。玻璃粉浆料包含上述玻璃粉及使用有机溶剂 稀释的树脂(也称为粘合剂)。注意，也可以在玻璃粉中添加吸收激光 束的波长的光的吸收剂。此外，作为激光，例如优选使用Nd：YAG激 光或半导体激光等。另外，在照射激光时，激光的照射形状既可以为 圆形又可以为四角形。
此外，作为上述包含树脂的材料，例如可以使用聚酯、聚烯烃、 聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂、 聚氨酯、环氧树脂。或者，还可以使用包含硅酮等具有硅氧烷键合的 树脂的材料。
注意，当第一密封区域3007和第二密封区域3009中的任一个或 两个使用包含玻璃的材料时，该包含玻璃的材料的热膨胀率优选近于 衬底3001的热膨胀率。通过采用上述结构，可以抑制由于热应力而在 包含玻璃的材料或衬底3001中产生裂缝。
例如，在将包含玻璃的材料用于第一密封区域3007并将包含树脂 的材料用于第二密封区域3009的情况下，具有如下优异的效果。
第二密封区域3009被设置得比第一密封区域3007更靠近发光装 置3000的外周部一侧。在发光装置3000中，越接近外周部，起因于 外力等的应变越大。因此，使用包含树脂的材料对产生更大的应变的 发光装置3000的外周部一侧，即为第二密封区域3009进行密封，并 且使用包含玻璃的材料对设置于第二密封区域3009的内侧的第一密封 区域3007进行密封，由此，即便发生起因于外力等的应变，发光装置 3000也不容易损坏。
另外，如图10B所示，在被衬底3001、衬底3003、第一密封区域 3007及第二密封区域3009包围的区域中形成第一区域3011。此外， 在被衬底3001、衬底3003、发光元件3005及第一密封区域3007包围 的区域中形成第二区域3013。
第一区域3011及第二区域3013例如优选填充有稀有气体或氮气 体等惰性气体。或者，优选填充有丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂。注 意，作为第一区域3011及第二区域3013，与大气压状态相比，更优选 为减压状态。
另外，图10C示出图10B所示的结构的变形例。图10C是示出发 光装置3000的变形例的截面图。
在图10C所示的结构中，衬底3003的一部分设置有凹部，并且， 该凹部设置有干燥剂3018。其他结构与图10B所示的结构相同。
作为干燥剂3018，可以使用通过化学吸附来吸附水分等的物质或 者通过物理吸附来吸附水分等的物质。作为可用作干燥剂3018的物质， 例如可以举出碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物(氧化钙或氧化钡 等)、硫酸盐、金属卤化物、高氯酸盐、沸石或硅胶等。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组 合而使用。
[实施例]
在本实施例中，说明使用本发明的一个方式的纯化方法对有机化 合物进行纯化的例子。
在本实施例中使用的纯化装置的结构及纯化管的结构分别可以参 照图2B及图5A。此外，下面示出所使用的化合物的结构及简称。注 意，在本实施例中使用的纯化装置的纯化部的管外径为100mm，纯化 管的中央部的管外径为80mm，其厚度为4mm。
[化合物1]
〈化合物的纯化实例1〉
使用包含2-{3-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}二苯 并[f，h]喹喔啉(简称：2mPCCzPDBq)的黄色固体30g作为样品。将放 入有该样品的舟皿配置在纯化装置的纯化部中，作为气体排气单元使 用涡轮分子泵对纯化部内进行减压。作为供应给纯化部内的气体使用 氩。作为纯化条件，以使纯化部内的压力成为3.4Pa的方式，以15mL/min 的流速将氩供应给纯化部内，使用温度调节单元将样品升温到380℃， 在该温度下进行加热11小时。在通过目视确认到在纯化部内纯化过的 2mPCCzPDBq作为液体凝结出并在舟皿中几乎没有样品的状态之后， 关闭气体排出装置的阀，将氩供应给纯化部内，来使纯化部内的压力 成为大气压(1.0×105Pa左右)，然后停止涡轮分子泵。然后，通过冷 却纯化部，使2mPCCzPDBq凝固，以67％的回收率得到20g的纯化过 的2mPCCzPDBq。可以在纯化部的冷却之后也不产生粉碎及飞散的情 况下从纯化管内回收2mPCCzPDBq的固体。
〈化合物的纯化实例2〉
使用包含N-(1,1'-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9- 二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)的固体35.3g作为样品。将放入有该 样品的舟皿配置在纯化装置的纯化部中，作为气体排气单元使用涡轮 分子泵对纯化部内进行减压。作为供应给纯化部内的气体使用氩。作 为纯化条件，以使纯化部内的压力成为3.4Pa的方式，以15mL/min的流速将氩供应给纯化部内，使用温度调节单元以20分钟将样品升温到 125℃，在该温度下保持30分钟，然后以40分钟升温到240℃，在该 温度下保持30分钟，接着以2小时升温到270℃，在该温度下保持30 分钟，再者以30分钟升温到345℃，在该温度下进行加热11小时。在通过目视确认到在纯化部内纯化过的PCBBiF作为液体凝结出并在舟 皿中几乎没有样品的状态之后，以1小时降温到280℃，关闭气体排出 装置的阀，将氩供应给纯化部内，来使纯化部内的压力成为大气压 (1.0×105Pa左右)，然后停止涡轮分子泵。然后，通过冷却纯化部，使PCBBiF凝固，以76％的回收率得到26.7g的纯化过的PCBBiF固体。 可以在纯化部的冷却之后也不产生粉碎及飞散的情况下从纯化管内回 收PCBBiF的固体。
另外，通过LC/MS分析对所回收的26.7g的PCBBiF进行纯度测 量可确认到其纯度为99.9％，具有高纯度。此外，作为0.1％的杂质检 测出可认为从PCBBiF脱离甲基而成的物质。在用于纯度测量的LC/MS 分析中，利用沃特世(Waters)公司制造的Acquity UPLC进行了LC (液相色谱)分离，并利用沃特世公司制造的Xevo G2 Tof MS进行了 MS分析(质量分析)。在LC分离中使用的色谱柱为Acquity UPLC BEH C8(2.1×100mm，1.7μm)。
〈化合物的纯化实例3〉
作为上述纯化实例2的比较实例，示出在纯化后不使纯化部的压 力成为大气压而冷却纯化部的纯化实例。
与纯化实例2同样，使用包含PCBBiF的固体35.2g作为样品。将 放入有该样品的舟皿配置在纯化装置的纯化部中，作为气体排气单元 使用涡轮分子泵对纯化部内进行减压。作为供应给纯化部内的气体使 用氩。作为纯化条件，以使纯化部内的压力成为3.4Pa的方式，以 15mL/min的流速将氩供应给纯化部内，使用温度调节单元以20分钟 将样品升温到125℃，在该温度下保持30分钟，然后以40分钟升温到 240℃，在该温度下保持30分钟，接着以2小时升温到270℃，在该温 度下保持30分钟，再以30分钟升温到345℃，在该温度下进行加热 11小时。在通过目视确认到在纯化部内纯化过的PCBBiF作为液体凝 结出并在舟皿中几乎没有样品的状态之后，以1小时降温到280℃，然 后在将纯化部内的压力保持为纯化时的压力的状态下冷却纯化部，来 使PCBBiF凝固，以67％的回收率得到23.6g的纯化过的PCBBiF固体。 在纯化部的冷却中，发生纯化过的PCBBiF被粉碎并飞散在纯化部内 的现象。飞散的PCBBiF固体的量为2.5g。
根据上述结果可知，通过本发明的一个方式的纯化方法，可以以 不产生目的物质的粉碎及飞散的状态下进行纯化。此外可知，可以以 高纯度及高回收率获得目的物质。
[符号说明]
100 纯化装置
100a 纯化装置
100b 纯化装置
110 纯化部
120 温度调节单元
150 气体供应单元
160 气体排出单元
180a 纯化管
180b 纯化管
180c 纯化管
200 样品
210 物质
212 端部
221 中央部
222 中央部
231 端部
232 端部
280 压力计
290 冷阱
300 有机半导体元件
301 源电极
302 漏电极
303 栅电极
330 活性层
400 EL层
401 电极
402 电极
406 发光单元
408 发光单元
411 空穴注入层
412 空穴传输层
413 电子传输层
414 电子注入层
415 电荷产生层
416 空穴注入层
417 空穴传输层
418 电子传输层
419 电子注入层
420 发光层
430 发光层
431 客体材料
432 主体材料
440 发光层
450 发光元件
452 发光元件
600 显示装置
601 信号线驱动电路部
602 像素部
603 扫描线驱动电路部
604 密封衬底
605 密封剂
607 区域
608 布线
609 FPC
610 元件衬底
611 晶体管
612 晶体管
613 下部电极
614 分隔壁
616 EL层
617 上部电极
618 发光元件
621 光学元件
622 遮光层
623 晶体管
624 晶体管
3000 发光装置
3001 衬底
3003 衬底
3005 发光元件
3007 密封区域
3009 密封区域
3011 区域
3013 区域
3018 干燥剂
8000 显示模块
8001 上盖
8002 下盖
8003 FPC
8004 触摸传感器
8005 FPC
8006 显示装置
8009 框架
8010 印刷衬底
8011 电池

Claims (12)

1.一种使用纯化装置的纯化方法，该纯化装置包括：
通过使物质气化进行纯化的纯化部；
设置在所述纯化部的温度调节单元；
设置在所述纯化部的一个端部并具有对所述纯化部内供应气体的功能的气体供应单元；以及
设置在所述纯化部的另一个端部并具有从所述纯化部内排出气体的功能的气体排出单元，
该纯化方法包括如下步骤：
使用所述气体排出单元，将所述纯化部内设定为第一压力；
使用所述温度调节单元，设定所述纯化部的温度梯度，纯化所述物质；
然后，使用所述气体供应单元，将所述纯化部内的压力设定为第二压力；以及
使用所述温度调节单元，冷却所述纯化部，
其中，所述第二压力高于所述第一压力，
并且，所述第二压力为大气压以上。
2.根据权利要求1所述的纯化方法，
其中所述第一压力为10Pa以下。
3.根据权利要求2所述的纯化方法，
其中所述第一压力为0.1Pa以上。
4.根据权利要求1所述的纯化方法，
其中对所述纯化部进行加热，将所述纯化部内的一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。
5.根据权利要求1所述的纯化方法，
其中从所述纯化部排出气体，并将纯化部内设定为所述第一压力。
6.根据权利要求1所述的纯化方法，
其中对所述纯化部供应气体，并将纯化部内设定为所述第二压力。
7.一种纯化装置，包括：
使物质气化进行纯化的纯化部；
设置在所述纯化部的温度调节单元；
设置在所述纯化部的一个端部并具有对所述纯化部内供应气体的功能的气体供应单元；
设置在所述纯化部的另一个端部并具有从所述纯化部内排出气体的功能的气体排出单元；以及
控制系统，
其中，所述控制系统具有控制所述气体供应单元、所述气体排出单元及所述温度调节单元的功能，
所述控制系统具有控制所述气体排出单元来将所述纯化部内设定为第一压力的功能，
所述控制系统具有控制所述温度调节单元来设定所述纯化部的温度梯度的功能，
所述控制系统具有控制所述气体供应单元来在纯化所述物质之后将所述纯化部内的压力设定为第二压力的功能，
所述控制系统具有控制所述温度调节单元来冷却所述纯化部的功能，
所述第二压力高于所述第一压力，
并且，所述第二压力为大气压以上。
8.根据权利要求7所述的纯化装置，
其中所述第一压力为10Pa以下。
9.根据权利要求8所述的纯化装置，
其中所述第一压力为0.1Pa以上。
10.根据权利要求7所述的纯化装置，
其中对所述纯化部进行加热，将所述纯化部内的一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。
11.根据权利要求7所述的纯化装置，
其中从所述纯化部排出气体，并将纯化部内设定为所述第一压力。
12.根据权利要求7所述的纯化装置，
其中对所述纯化部供应气体，并将纯化部内并设定为所述第二压力。
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