CN116615514A - 有机金属配合物、发光器件、发光装置、电子设备以及照明装置 - Google Patents

有机金属配合物、发光器件、发光装置、电子设备以及照明装置 Download PDF

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CN116615514A CN202180086381.8A CN202180086381A CN116615514A CN 116615514 A CN116615514 A CN 116615514A CN 202180086381 A CN202180086381 A CN 202180086381A CN 116615514 A CN116615514 A CN 116615514A
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渡部智美
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Abstract

提供一种新颖有机金属配合物。该有机金属配合物包含铱、第一配体以及第二配体，第一配体及第二配体是环金属化配体，第一配体具有与铱配位的喹啉环，第二配体具有与铱配位的嘧啶环，第一配体和第二配体中的至少一个具有取代或未取代的芳基作为取代基，第一配体的存在的比例为第二配体的两倍，并且由通式(G1)表示。(在通式(G1)中，R1至R16分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。)

Description

有机金属配合物、发光器件、发光装置、电子设备以及照明 装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种有机金属配合物。尤其是，本发明的一个方式涉及一种能够将三重激发态的能量转换成发光的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式涉及一种使用有机金属配合物的发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，除了上述之外还可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术
近年来，对利用使用有机化合物的电致发光(EL：Electroluminescence)的发光元件(有机EL元件)的研究开发日益火热。在这些发光元件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光物质的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压，可以获得来自发光物质的发光。
因为有机EL元件是自发光型元件，所以像素的可见度比液晶显示器高、不需要背光源等优势，被认为适合于平板显示器元件。另外，有机EL元件可以获得面发光。因为该特征是在利用以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的，所以有机EL元件在照明等中的利用价值也高。
在有机EL元件中，电子和空穴(hole)分别从阴极和阳极注入到EL层，被注入了的电子与空穴复合而使发光有机化合物成为激发态，由此可以获得发光。作为激发态的种类，可以举出单重激发态(S*)和三重激发态(T*)，其中由单重激发态的发光被称为荧光，而由三重激发态的发光被称为磷光。另外，在发光元件中，单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比例被认为是S*：T*＝1：3。
此外，在上述发光物质中，能够将单重激发态的能量转换成发光的化合物被称为荧光化合物(荧光材料)，能够将三重激发态的能量转换成发光的化合物被称为磷光化合物(磷光材料)。
因此，基于上述生成比例，使用荧光材料的发光元件的内部量子效率(所产生的光子相对于所注入的载流子的比例)的理论上的极限被认为是25％，而使用磷光材料的发光元件的内部量子效率的理论上的极限被认为是75％。
换言之，与使用荧光材料的发光元件相比，使用磷光材料的发光元件可以得到更高的效率。因此，近年来对各种磷光材料进行积极的研究开发。尤其是，以铱等为中心金属的有机金属配合物已在实用性方面受到关注(例如，参照专利文献1)。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2009-23938号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如上述专利文献1所报告，具有优良的特性的磷光材料的开发进展，然而期待具有更优良的特性的新颖材料的开发。
于是，本发明的一个方式提供一种新颖有机金属配合物。另外，本发明的一个方式提供一种可用于发光器件的新颖有机金属配合物。另外，本发明的一个方式提供一种可用于发光器件的EL层的新颖有机金属配合物。另外，本发明的一个方式提供一种新颖发光器件。另外，提供一种新颖发光装置、新颖电子设备或新颖照明装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种有机金属配合物，包含铱、第一配体以及第二配体，其中第一配体及第二配体是环金属化配体，第一配体具有与铱配位的喹啉环，第二配体具有与铱配位的嘧啶环，第一配体和第二配体中的至少一个具有取代或未取代的芳基作为取代基，第一配体的存在的比例为第二配体的两倍。
本发明的另一个方式是一种由下述通式(G1)表示的有机金属配合物。
[化学式1]
在通式(G1)中，R1至R16分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。
本发明的另一个方式是一种由下述通式(G2)表示的有机金属配合物。
[化学式2]
在通式(G2)中，R1至R15以及R17至R21分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。
由通式(G1)及通式(G2)表示的本发明的一个方式的有机金属配合物包括两个主要分布有最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，也称为HOMO)的苯基喹啉化合物以及一个主要分布有最低未占据分子轨道(Lowest Unoccupied MolecularOrbital，也称为LUMO)的苯基嘧啶化合物作为配体。当这样在空间上分离HOMO与LUMO时，空穴被注入到对空穴的耐性高的苯基喹啉配体，电子被注入到对电子的耐性高的苯基嘧啶配体，所以可以得到对空穴和电子的双方的耐性高的有机金属配合物。这意味着空穴与电子也在激发状态下分离，也有助于激发状态下的稳定化。另外，由于有机金属配合物的空穴注入性及电子注入性得到改善，因此空穴传输性与电子传输性的平衡得到改善，发光效率、寿命等元件性能得到提高。这里，其特征在于第一配体和第二配体中的任意个包括至少一个芳基。由此，有机金属配合物的热物性、化学稳定性及电稳定性得到提高。尤其是，在喹啉环或嘧啶环包括芳基时提高杂环的电化学稳定性，所以是优选的。此外，尤其是，在嘧啶环包括芳基时LUMO进一步变得稳定，HOMO-LUMO容易分离，所以是优选的。如此，通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以实现发光器件的长寿命化。
在上述各结构的有机金属配合物中，发射光谱的半宽优选为70nm以上且120nm以下，更优选为80nm以上且120nm以下，进一步优选为90nm以上且120nm以下。
通过将发射光谱的半宽较宽的有机金属配合物用于发光器件，可以提高发光器件的发光显色性而可以得到更接近自然光的发光。
发射光谱的半宽较宽是由于发光材料的迁移状态下的结构变化大而引起的。因此，当发光材料的发射光谱的半宽较宽时，有发光器件的发光效率易于下降的问题。然而，上述各结构的有机金属配合物虽然迁移状态下的结构变化大，但是可以抑制发光器件的发光效率下降。因此，通过将上述各结构的有机金属配合物用于发光器件，可以得到发射光谱的半宽较宽且发光效率高的发光器件。
在上述各结构的有机金属配合物中，更优选的是，发射光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下。
通过将具有这种发光的有机金属配合物用于发光器件，即使不与其他发光颜色混合也可以得到呈现更接近夕阳、白炽灯及蜡烛的光等自然光的暖色系发光的发光器件。
本发明的另一个方式是一种由下述结构式(100)表示的有机金属配合物。
[化学式3]
此外，本发明的一个方式的有机金属配合物可以发射磷光，即能够从三重激发态得到发光并呈现发光，所以通过将其用于发光器件，可以实现高效率化，是非常有效的。因此，本发明的一个方式包括使用上述各结构的有机金属配合物的发光器件。
本发明的另一个方式是一种发光器件，包括一对电极间的EL层，其中该EL层包含上述各结构的有机金属配合物。
本发明的另一个方式是一种发光器件，包括一对电极间的EL层，其中该EL层包括发光层，并且该发光层包含上述各结构的有机金属配合物。
在上述各结构的发光器件中，电致发光光谱的半宽优选为70nm以上且120nm以下，更优选为80nm以上且120nm以下，进一步优选为90nm以上且120nm以下。
通过采用电致发光光谱的半宽较宽的发光器件，可以提高发光显色性而可以得到更接近自然光的发光。
当发光器件的电致发光光谱的半宽较宽时，有发光效率易于下降的问题。然而，通过采用上述各结构的发光器件，可以实现电致发光光谱的半宽较宽且发光效率高的发光器件。
在上述各结构的发光器件中，优选的是，电致发光光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下。
由此，可以实现呈现更接近夕阳、白炽灯及蜡烛的光等自然光的暖色系发光的发光器件。
本发明的另一个方式是一种发光装置，包括上述各结构的发光器件以及晶体管和衬底中的至少一个。
本发明的另一个方式是一种电子设备，包括上述各结构的发光器件以及麦克风、照相机、操作按钮、外部连接部和扬声器中的至少一个。
本发明的另一个方式是一种照明装置，包括上述各结构的发光器件以及外壳。
此外，本发明的一个方式不仅包括具有发光器件的发光装置，而且还包括具有发光器件的照明装置。因此，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源(包括照明装置)。此外，发光装置还包括如下模块：发光装置安装有连接器诸如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性电路板)或TCP(Tape Carrier Package：载带封装)的模块；在TCP端部设置有印刷线路板的模块；或者IC(集成电路)通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式直接安装到发光器件的模块。
发明效果
根据本发明的一个方式可以提供一种新颖有机金属配合物。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种可用于发光器件的新颖有机金属配合物。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种可用于发光器件的EL层的新颖有机金属配合物。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种使用新颖有机金属配合物的新颖发光器件。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种新颖发光装置、新颖电子设备或新颖照明装置。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
附图简要说明
图1A至图1C是发光器件的示意图。
图2A及图2B是有源矩阵型发光装置的概念图。
图3A及图3B是有源矩阵型发光装置的概念图。
图4是有源矩阵型发光装置的概念图。
图5A及图5B是无源矩阵型发光装置的概念图。
图6A及图6B是说明根据实施方式的发光装置的结构的图。
图7A及图7B是说明根据实施方式的发光装置的制造方法的图。
图8A至图8C是说明根据实施方式的发光装置的制造方法的图。
图9A至图9C是说明根据实施方式的发光装置的制造方法的图。
图10A及图10B是说明根据实施方式的发光装置的制造方法的图。
图11A及图11B是说明根据实施方式的发光装置的图。
图12A及图12B是示出照明装置的图。
图13A至图13D是示出电子设备的图。
图14A、图14B及图14C是示出电子设备的图。
图15是示出照明装置的图。
图16是示出照明装置的图。
图17是示出车载显示装置及照明装置的图。
图18A及图18B是示出电子设备的图。
图19A、图19B及图19C是示出电子设备的图。
图20是[Ir(pqn)2(dppm)]的1H NMR谱。
图21是二氯甲烷溶液中的[Ir(pqn)2(dppm)]的吸收光谱及发射光谱。
图22是示出发光器件1的结构的图。
图23是示出发光器件1的亮度-电流密度特性的图。
图24是示出发光器件1的电流效率-亮度特性的图。
图25是示出发光器件1的亮度-电压特性的图。
图26是示出发光器件1的电流-电压特性的图。
图27是示出发光器件1的发射光谱的图。
图28是示出发光器件1的可靠性的图。
实施发明的方式
下面，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不限于下文的描述并且可以用多种方式修改本发明的模式和细节而不偏离本发明的目的和范围。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
另外，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”。例如，有时可以将“导电层”调换为“导电膜”。或者例如有时可以将“绝缘膜”调换为“绝缘层”。
(实施方式1)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的有机金属配合物。
本发明的一个方式是一种有机金属配合物，包含铱、第一配体以及第二配体，其中第一配体及第二配体是环金属化配体，第一配体具有与铱配位的喹啉环，第二芳香环具有与铱配位的嘧啶环，第一配体和第二配体中的至少一个具有取代或未取代的芳基作为取代基，第一配体的比例为第二配体的两倍。
本发明的另一个方式是一种由通式(G1)表示的有机金属配合物。
[化学式4]
在通式(G1)中，R1至R16分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。
注意，优选的是，一个本发明的一个方式的有机金属配合物仅包括一个上述芳基。也就是说，在通式(G1)中，优选的是，R1至R15中的一个表示取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基，其他表示氢、卤基、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。这提高有机金属配合物的升华性，而有助于发光器件的寿命的提高。
本发明的另一个方式是一种具有由通式(G2)表示的结构的有机金属配合物。
[化学式5]
在通式(G2)中，R1至R15以及R17至R21分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。
作为上述通式(G1)中的R1至R16以及上述通式(G2)中的R1至R15、R17至R21中的碳原子数为1至6的烷基的具体例子，可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、己基、异己基、仲己基、叔己基、新己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1，2-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基以及三氟甲基等。
另外，作为上述通式(G1)中的R1至R16以及上述通式(G2)中的R1至R15、R17至R21中的碳原子数为6至13的芳基的具体例子，可以举出苯基、甲苯基(邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基)、萘基(1-萘基、2-萘基)、联苯基(联苯-2-基、联苯-3-基、联苯-4-基)、二甲苯基、戊搭烯基、茚基、芴基、菲基、茚基等。此外，也可以使上述取代基彼此键合而形成环，作为这样的例子，例如可以举出如下情况等：芴基的9位的碳具有两个苯基作为取代基，通过该苯基彼此键合而形成螺芴骨架。
另外，作为上述通式(G1)中的R1至R16以及上述通式(G2)中的R1至R15、R17至R21中的碳原子数为3至12的杂芳基的具体例子，可以举出咪唑基、吡唑基、吡啶基、哒嗪基、三唑基、苯并咪唑基、喹啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基等。
此外，在具有由上述通式(G1)及通式(G2)表示的结构的有机金属配合物中，在取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中任意个具有取代基的情况下，作为该取代基可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基等碳原子数为1至6的烷基；环戊基、环己基、环庚基、1-降冰片基、2-降冰片基等碳原子数为5至7的环烷基；以及苯基、联苯基等碳原子数为6至12的芳基。另外，也可以使上述取代基彼此键合而形成环。作为这样的例子，例如可以举出如下情况等：上述通式(G1)中的R1至R16和上述通式(G2)中的R1至R15、R17至R21中的任意个为作为碳原子数为13的芳基的芴基，在该芴基的9位的碳具有两个苯基作为取代基，该苯基彼此键合而形成螺芴骨架。
由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的本发明的一个方式的有机金属配合物包括两个主要分布有最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，也称为HOMO)的苯基喹啉化合物以及一个主要分布有最低未占据分子轨道(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital，也称为LUMO)的苯基嘧啶化合物作为配体。当这样在空间上分离HOMO与LUMO时，空穴被注入到对空穴的耐性高的苯基喹啉配体，电子被注入到对电子的耐性高的苯基嘧啶配体，所以可以得到对空穴和电子的双方的耐性高的有机金属配合物。这意味着空穴与电子也在激发状态下分离，也有助于激发状态下的稳定化。另外，由于有机金属配合物的空穴注入性及电子注入性得到改善，因此空穴传输性与电子传输性的平衡得到改善，发光效率及寿命等元件性能得到提高。这里，其特征在于第一配体和第二配体中的任意个包括至少一个芳基。由此，有机金属配合物的热物性、化学稳定性及电稳定性得到提高。尤其是，在喹啉环或嘧啶环包括芳基时提高杂环的电化学稳定性，所以是优选的。此外，尤其是，在嘧啶环包括芳基时LUMO进一步变得稳定，HOMO-LUMO容易分离，所以是优选的。如此，通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以实现发光器件的长寿命化。
在具有由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的结构的有机金属配合物中，发射光谱的半宽优选为70nm以上，更优选为80nm以上，进一步优选为90nm以上。通过将具有其半宽较宽即为70nm以上、更优选为80nm以上、进一步优选为90nm以上的发光的有机金属配合物用于发光器件，可以提高发光器件的发光显色性而得到更接近自然光的发光。另外，发射光谱的半宽优选为120nm以下。由此，如后面所述，可以得到抑制高能短波蓝光的发光。因此，在具有由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的结构的有机金属配合物中，发射光谱的半宽优选为70nm以上且120nm以下，更优选为80nm以上且120nm以下，进一步优选为90nm以上且120nm以下。
注意，发射光谱的半宽较宽是由于发光材料的迁移状态下的结构变化大而引起的。因此，当发光材料的发射光谱的半宽较宽时，有发光器件的发光效率易于下降的问题。然而，具有由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的结构的有机金属配合物虽然迁移状态下的结构变化大，但是可以抑制发光器件的发光效率下降。因此，通过将具有由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的结构的有机金属配合物用于发光器件，可以得到发射光谱的半宽较宽且发光效率高的发光器件。
在具有由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的结构的有机金属配合物中，更优选的是，发射光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下。通过将具有这种发光的有机金属配合物用于发光器件，即使不与其他发光颜色混合(该有机金属配合物单独发光)也可以得到呈现更接近夕阳、白炽灯及蜡烛的光等自然光的暖色系发光的发光器件。此时，为了进一步接近自然光，发射光谱的半宽优选宽，具体而言半宽优选为70nm以上，更优选为80nm以上，进一步优选为90nm以上。
夕阳、白炽灯、蜡烛的火焰等所呈现的暖色系发光刺激人的副交感神经而给人带来放松效果。因此，通过将峰值波长为590nm以上620nm以下且半宽为70nm以上、更优选为80nm以上、进一步优选为90nm以上的本发明的一个方式的有机金属配合物用于发光器件，可以实现给用户带来放松效果的发光器件。
另外，在由通式(G1)及通式(G2)表示的本发明的一个方式的有机金属配合物中，更优选的是，发光几乎不包含高能短波蓝光。具体而言，更优选的是，在发射光谱中，495nm以下的可见光成分的发光强度为峰值波长的发光强度的1/100以下。
高能短波蓝光是指可见光线中能量较高的蓝色光(波长360nm至495nm)。高能短波蓝光不被膜及晶状体吸收而到达视网膜，所以导致损伤视网膜及视神经的问题。另外，还有因在深夜里暴露于高能短波蓝光而导致生理节律(Circadian rhythm)变乱的问题。高能短波蓝光的可怕之处是人眼对于其波长区域的光的光视效能低。因此，人即使被暴露于较强的高能短波蓝光也不能意识到，所以易于积累损伤。
因此，通过将发光中几乎不包含高能短波蓝光的本发明的一个方式的有机金属配合物用于发光器件，可以实现抑制用户的眼睛疲劳而提高睡眠质量的发光器件。从上述观点来看，为了抑制高能短波蓝光成分，本发明的一个方式的有机金属配合物的发射光谱的半宽优选为120nm以下。
如上所述，通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以得到从来没有的发光器件。该发光器件是产生放松效果和提高睡眠质量的效果的光疗法(light therapy)用发光器件。也就是说，本发明的一个方式是一种光疗法用发光器件，其中发射光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下，发射光谱的半宽为70nm以上且120nm以下，更优选为80nm以上且120nm以下，进一步优选为90nm以上且120nm以下，并且495nm以下的可见光成分的发光强度为发射光谱的峰值波长的发光强度的1/100以下。此时，该光疗法用发光器件优选呈现更接近夕阳、白炽灯及蜡烛的光等自然光的暖色系发光颜色(例如橙色)。也就是说，该光疗法用发光器件的CIE色度x优选为0.58以上且0.63以下，CIE色度y优选为0.37以上且0.42以下。
本发明的一个方式的有机金属配合物可以以单独得到上述光疗法用发光器件所需的光谱特性，所以本发明的一个方式的有机金属配合物适合于该光疗法用发光器件。
接着，示出上述本发明的一个方式的有机金属配合物的具体结构式。注意，本发明不局限于此。
[化学式6]
[化学式7]
注意，由上述结构式表示的有机金属配合物是能够发射磷光的新颖物质。此外，这些物质取决于配体的种类可能有几何异构体和立体异构体，但是本发明的一个方式的有机金属配合物包括所有这些异构体。
接着，说明本发明的一个方式的由通式(G1)表示的有机金属配合物的合成方法的一个例子。
[化学式8]
<<由通式(G1)表示的有机金属配合物的合成方法>>
如下合成方案(a)所示，在惰性气体气氛下使具有由卤素交联的结构的双核配合物(P)和由通式(G0)表示的嘧啶化合物起反应，由此可以得到由通式(G1)表示的本发明的一个方式的有机金属配合物。
[化学式9]
在上述合成方案(a)中，X表示卤素原子，R1至R16分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。
此外，也可以对通过上述合成方案(a)得到的有机金属配合物(G1)照射光或热并使其反应来得到几何异构体、光学异构体等异构体，它们也是由通式(G1)表示的有机金属配合物。此外，也可以使具有由卤素交联的结构的双核配合物(P)与三氟甲烷磺酸银等脱氯剂起反应来析出氯化银之后在惰性气体气氛下使上清液与由通式(G0)表示的嘧啶化合物起反应。
另外，在本发明中，为了得到以嘧啶化合物为配体的邻位金属配合物，优选将取代基引入嘧啶化合物的R16。尤其是，作为R16优选使用取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任意个。由此，与作为R16使用氢的情况相比，可以抑制由卤素交联的双核金属配合物在由合成方案(a)表示的反应中分解，而可以得到极高的收率。
以上，虽然说明了本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法的一个例子，但是本发明不局限于此，也可以通过任何其他的合成方法合成。
此外，因为上述本发明的一个方式的有机金属配合物能够发射磷光，所以可以将其用作发光材料及发光器件的发光物质。
另外，通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以实现一种发光效率高、驱动电压低且寿命长的发光器件、发光装置、电子设备或照明装置。
在本实施方式中，说明了本发明的一个方式。另外，在其他实施方式中，将说明本发明的一个方式。但是，本发明的一个方式不局限于此。换言之，在本实施方式及其他的实施方式中，记载有各种各样的发明的方式，因此本发明的一个方式不局限于特定的方式。例如，虽然示出了将本发明的一个方式应用于发光器件的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。根据情况，也可以将本发明的一个方式应用于发光器件以外的物体。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
(实施方式2)
在本实施方式中，说明使用实施方式1中说明的有机金属配合物的发光器件。
在本发明的一个方式的发光器件中，电致发光光谱的半宽优选为70nm以上，更优选为80nm以上，进一步优选为90nm以上。由此，可以提高发光器件的发光显色性而得到更接近自然光的发光。另外，发射光谱的半宽优选为120nm以下。由此，如后面所述，可以得到抑制高能短波蓝光的发光。因此，在具有由上述通式(G1)及上述通式(G2)表示的结构的有机金属配合物中，发射光谱的半宽优选为70nm以上且120nm以下，更优选为80nm以上且120nm以下，进一步优选为90nm以上且120nm以下。
当发光器件的电致发光光谱的半宽较宽时，有发光效率易于下降的问题。然而，当使用实施方式1中说明的有机金属配合物时，可以实现虽然电致发光光谱的半宽较宽但是发光效率高的发光器件。
另外，在本发明的一个方式的发光器件中，电致发光光谱的峰值波长优选为590nm以上且620nm以下。由此，可以实现呈现更接近夕阳、白炽灯及蜡烛的光等自然光的暖色系发光的发光器件。
另外，更优选的是，本发明的一个方式的发光器件的发光几乎不包含高能短波蓝光。具体而言，更优选的是，在本发明的一个方式的发光器件的电致发光光谱中，495nm以下的可见光成分的发光强度为峰值波长的发光强度的1/100以下。
本发明的一个方式的发光器件是产生放松效果和提高睡眠质量的效果的光疗法(light therapy)用发光器件。也就是说，本发明的一个方式是一种光疗法用发光器件，其中发射光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下，发射光谱的半宽为70nm以上且120nm以下，更优选为80nm以上且120nm以下，进一步优选为90nm以上且120nm以下，并且495nm以下的可见光成分的发光强度为发射光谱的峰值波长的发光强度的1/100以下。此时，该光疗法用发光器件优选呈现更接近夕阳、白炽灯及蜡烛的光等自然光的暖色系发光颜色(例如橙色)。也就是说，该光疗法用发光器件的CIE色度x优选为0.58以上且0.63以下，CIE色度y优选为0.37以上且0.42以下。
图1A是示出本发明的一个方式的发光器件的图。本发明的一个方式的发光器件包括第一电极101、第二电极102及EL层103。EL层103包含实施方式1所示的有机金属配合物。
EL层103包括发光层113，发光层113包含发光材料。实施方式1所记载的有机金属配合物优选被用作发光材料。另外，发光层113也可以包含其他材料。
在图1A中，EL层103除了发光层113之外还包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114及电子注入层115，但是发光器件的结构不局限于此。既可以不形成上述任何层，又可以包括具有其他功能的层。
接着，对上述发光器件的详细结构和材料的例子进行说明。本发明的一个方式的发光器件如上所述在第一电极101与第二电极102的一对电极间包括具有多个层的EL层103，该EL层103的任意层中包含实施方式1所公开的有机金属配合物。
第一电极101优选使用功函数大(具体为4.0eV以上)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等形成。具体地，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ITO：Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)等。虽然通常通过溅射法形成这些导电金属氧化物膜，但是也可以应用溶胶-凝胶法等来形成。作为形成方法的例子，可以举出使用对氧化铟添加有1wt％至20wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌的方法等。另外，可以使用对氧化铟添加有0.5wt％至5wt％的氧化钨和0.1wt％至1wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟。另外，可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，也可以使用石墨烯。另外，通过将后面说明的复合材料用于EL层103中的接触于第一电极101的层，可以在选择电极材料时无需顾及功函数。
EL层103优选具有叠层结构，对该叠层结构没有特别的限制，可以采用空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、载流子阻挡层、激子阻挡层、电荷产生层等各种层结构。在本实施方式中，说明如下两种结构：图1A所示的包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115的结构；以及图1B所示的包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电荷产生层116的结构。下面具体地示出构成各层的材料。
空穴注入层111是含有具有受体性的物质的层。作为具有受体性的物质，可以使用有机化合物和无机化合物。
作为具有受体性的物质可以使用具有吸电子基团(卤基、氰基等)的化合物，可以举出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称：F4-TCNQ)、氯醌、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)、1,3,4,5,7,8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称：F6-TCNNQ)、2-(7-二氰基亚甲基-1，3，4，5，6，8，9，10-八氟-7H-芘-2-亚基)丙二腈等。尤其是，吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物诸如HAT-CN等热稳定，所以是优选的。另外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基、氰基等)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高所以特别优选的，具体而言，可以举出：α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。作为具有受体性的物质，除了上述有机化合物以外可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等过渡金属的氧化物。另外，也可以使用酞菁类配合物化合物如酞菁(简称：H2Pc)、铜酞菁(CuPc)等；芳香胺化合物如4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称：DNTPD)等；或者高分子如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称：PEDOT/PSS)等来形成空穴注入层111。具有受体性的物质借助于施加电场而能够从邻接的空穴传输层(或空穴传输材料)抽出电子。
另外，作为空穴注入层111，可以使用在具有空穴传输性的材料中含有上述受体物质的复合材料。注意，通过使用在具有空穴传输性的材料中含有受体物质的复合材料，在选择形成电极的材料时可以无需顾及电极的功函数。换言之，作为第一电极101，不仅可以使用功函数高的材料，还可以使用功函数低的材料。
作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，可以使用各种有机化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃基团、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等。作为用于复合材料的具有空穴传输性的物质，优选使用空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。以下，具体地列举可以用作复合材料中的具有空穴传输性的材料的有机化合物。
作为可以用于复合材料的芳香胺化合物，可以举出N,N’-二(对甲苯基)-N,N’-二苯基-对亚苯基二胺(简称：DTDPPA)、4,4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N,N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)等。作为咔唑衍生物，可以具体地举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)、4,4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基)]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1,4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。作为芳烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-联蒽、10，10'-二苯基-9，9'-联蒽、10，10'-双(2-苯基苯基)-9，9'-联蒽、10，10'-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝等。另外，除此之外，还可以使用并五苯、晕苯等。另外，也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例如可以举出4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。
此外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。
作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，更优选具有咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及蒽骨架中的任意个。尤其是，可以为具有包括二苯并呋喃环或二苯并噻吩环的取代基的芳香胺、包括萘环的芳香单胺、或者9-芴基通过亚芳基键合于胺的氮的芳香单胺。注意，当这些第二有机化合物是包括N，N-双(4-联苯)氨基的物质时，可以制造寿命良好的发光器件，所以是优选的。作为上述第二有机化合物，具体而言，可以举出N-(4-联苯)-6，N-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BnfABP)、N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)、4，4’-双(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)-4”-苯基三苯基胺(简称：BnfBB1BP)、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-胺(简称：BBABnf(6))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf(8))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：BBABnf(II)(4))、N，N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯(简称：DBfBB1TP)、N-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-N-苯基-4-联苯胺(简称：ThBA1BP)、4-(2-萘基)-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNB)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNBi)、4，4’-二苯基-4”-(6；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB)、4，4’-二苯基-4”-(7；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称：BBAPβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(6；2’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBA(βN2)B)、4，4’-二苯基-4”-(7；2’-联萘基-2-基)-三苯基胺(简称：BBA(βN2)B-03)、4，4’-二苯基-4”-(4；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB)、4，4’-二苯基-4”-(5；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB-02)、4-(4-联苯基)-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNB)、4-(3-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：mTPBiAβNBi)、4-(4-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNBi)、4-苯基-4’-(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBA1BP)、4，4’-双(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBB1BP)、4，4’-二苯基-4”-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称：YGTBi1BP)、4’-[4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]三(1，1’-联苯-4-基)胺(简称：YGTBi1BP-02)、4-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：YGTBiβNB)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-9,9'-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：PCBNBSF)、N，N-双([1,1'-联苯]-4-基)-9，9’-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：BBASF)、N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-9，9’-螺双[9H-芴]-4-胺(简称：BBASF(4))、N-(1，1’-联苯-2-基)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺-双(9H-芴)-4-胺(简称：oFBiSF)、N-(4-联苯)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)二苯并呋喃-4-胺(简称：FrBiF)、N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mPDBfBNBN)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称：BPAFLBi)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBNBB)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9’-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：PCBASF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-4-胺、N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9’-螺双-9H-芴-3-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-2-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-1-胺等。
注意，用于复合材料的具有空穴传输性的材料更优选为HOMO能级为-5.7eV以上且-5.4eV以下的具有较深的HOMO能级的物质。当用于复合材料的具有空穴传输性的材料具有较深的HOMO能级时，空穴容易注入到空穴传输层112，且可以容易得到寿命长的发光器件。
注意，通过还对上述复合材料混合碱金属或碱土金属的氟化物(优选的是该层中的氟原子的原子比率为20％以上)，可以降低该层的折射率。由此，也可以在EL层103内部形成折射率低的层，且可以提高发光器件的外部量子效率。
通过形成空穴注入层111，可以提高空穴注入性，从而可以得到驱动电压低的发光器件。另外，具有受体性的有机化合物可以利用蒸镀容易地形成，所以是易于使用的材料。
空穴传输层112以包含具有空穴传输性的材料的方式形成。具有空穴传输性的材料优选具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。作为上述具有空穴传输性的材料，可以举出：4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：TPD)、4，4'-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4,4'-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4,4'-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9'-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4'-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3,3'-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4,4',4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物及具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。注意，作为构成空穴传输层112的材料也可以适当地使用作为用于空穴注入层111的复合材料的具有空穴传输性的材料举出的物质。
发光层113包含发光物质及主体材料。注意，发光层113也可以包含其他材料。此外，也可以为组成不同的两层叠层。另外，也可以将实施方式1所记载的有机金属配合物用于发光层113。
发光物质可以是荧光发光物质、磷光发光物质、呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质或其他发光物质。
在发光层113中，作为可以用作荧光发光物质的材料，例如可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N,N’-二苯基-N,N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N”，N”，N”'，N”'-八苯基二苯并[g，p]-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N'-二苯基喹吖酮(简称：DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCM2)、N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：BisDCM)、2-{2,6-双[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：BisDCJTM)、N,N’-(芘-1,6-二基)双[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)、3,10-双[N-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)-N-苯基氨基]萘并[2,3-b；6,7-b’]双苯并呋喃(简称：3,10PCA2Nbf(IV)-02)、3，10-双[N-(二苯并呋喃-3-基)-N-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10FrA2Nbf(IV)-02)等。尤其是，以1，6FLPAPrn、1，6mMemFLPAPrn、1，6BnfAPrn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性且良好的发光效率及可靠性，所以是优选的。此外，还可以使用其他荧光发光物质。
在发光层113中，当作为发光物质使用磷光发光物质时，作为可使用的材料，例如可以举出三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：[Ir(mpptz-dmp)3])、三(5-甲基-3,4-二苯基-4H-1,2,4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Mptz)3])、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4H-1,2,4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrptz-3b)3])等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1,2,4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(Mptz1-mp)3])、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Prptz1-Me)3])等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrpmi)3])、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：[Ir(dmpimpt-Me)3])等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C2']铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C2']铱(III)吡啶甲酸酯(简称：FIrpic)、双{2-[3',5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N,C2'}铱(III)吡啶甲酸酯(简称：[Ir(CF3ppy)2(pic)])、双[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根-N,C2']铱(III)乙酰丙酮(简称：FIr(acac))等以具有拉电子基的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物等。上述物质是发射蓝色磷光的化合物，并且是在440nm至520nm具有发射光谱的峰的化合物。
另外，可以举出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)3])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)3])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(nbppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：Ir(mpmppm)2(acac))、(乙酰丙酮根)双(4,6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(dppm)2(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-Me)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-iPr)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-N,C2')铱(III)(简称：[Ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶根-N,C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bzq)2(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：[Ir(bzq)3])、三(2-苯基喹啉-N,C2']铱(III)(简称：[Ir(pq)3])、双(2-苯基喹啉-N,C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(pq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；以及三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(III)(简称：[Tb(acac)3(Phen)])等稀土金属配合物等。上述物质主要是发射绿色磷光的化合物，并且在500nm至600nm具有发射光谱的峰。另外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性、发光效率，所以是特别优选的。
另外，可以举出：(二异丁酰基甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶基]铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)2(dibm)])、双[4,6-双(3-甲基苯基)嘧啶根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)2(dpm)])、双[4,6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(d1npm)2(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2,3,5-三苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)2(acac)])、双(2,3,5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)2(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2,3-双(4-氟苯基)喹喔啉合]铱(III)(简称：[Ir(Fdpq)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-N,C2’)铱(III)(简称：[Ir(piq)3])、双(1-苯基异喹啉-N,C2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(piq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等的铂配合物；以及三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(III)(简称：[Eu(DBM)3(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3,3,3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(简称：[Eu(TTA)3(Phen)])等稀土金属配合物等。上述物质是发射红色磷光的化合物，并且在600nm至700nm具有发射光谱的峰。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得色度良好的红色发光。
另外，除了上述磷光化合物以外，还可以选择已知的磷光发光物质而使用。
作为TADF材料可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等。另外，还可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如，也可以举出由下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(SnF2(Copro III-4Me)、八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF2(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl2OEP)等。
[化学式10]
另外，还可以使用由下述结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚[2，3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：PCCzTzn)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物。该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的接受性高且可靠性良好，所以是优选的。另外，在具有富π电子杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子杂芳环的电子供给性和缺π电子型杂芳环的电子接受性都高而S1能级与T1能级之间的能量差变小,可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。注意，也可以使用键合有氰基等吸电子基团的芳环代替缺π电子型杂芳环。此外，作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。如此，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子杂芳环以及富π电子杂芳环中的至少一个。
[化学式11]
TADF材料是指S1能级和T1能级之差较小且具有通过反系间窜跃将三重激发能转换为单重激发能的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将三重激发能上转换(up-convert)为单重激发能(反系间窜跃)并能够高效地产生单重激发态。此外，可以将三重激发能转换为发光。
以两种物质形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有可以将三重激发能转换为单重激发能的TADF材料的功能。
注意，作为T1能级的指标，可以使用在低温(例如，77K至10K)下观察到的磷光光谱。关于TADF材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为S1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为T1能级时，S1与T1之差为0.3eV以下，更优选为0.2eV以下。
此外，当使用TADF材料作为发光物质时，主体材料的S1能级优选比TADF材料的S1能级高。此外，主体材料的T1能级优选比TADF材料的T1能级高。
作为发光层的主体材料，可以使用具有电子传输性的材料、具有空穴传输性的材料、上述TADF材料等各种载流子传输材料。
作为具有空穴传输性的材料，优选使用具有胺骨架或π电子过剩型杂芳环骨架的有机化合物。例如，可以举出：4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：TPD)、4，4'-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4,4'-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4,4'-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9'-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1,3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4'-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3,3'-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4,4',4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。
作为具有电子传输性的材料，例如可以举出：双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属配合物或包括缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物。作为包括缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物，例如可以举出：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：TAZ)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)等具有多唑骨架的杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mPnP2Pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mDBTP2Pm-II)、2,8-双[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-苯并[h]喹唑啉(简称：4,8mDBtP2Bqn)等具有二嗪骨架的杂环化合物；以及3,5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)-苯基]苯(简称：TmPyPB)等的具有吡啶骨架的杂环化合物。其中，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。尤其是，具有二嗪(嘧啶、吡嗪等)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。
作为能够用作主体材料的TADF材料，可以使用与上面作为TADF材料举出的材料同样的材料。当使用TADF材料作为主体材料时，由TADF材料生成的三重激发能经反系间窜跃转换为单重激发能并进一步能量转移到发光物质，由此可以提高发光器件的发光效率。此时，TADF材料被用作能量供体，发光物质被用作能量受体。
当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，TADF材料的S1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。此外，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。因此，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的T1能级高。
此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的TADF材料。由此，激发能顺利地从TADF材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。
为了高效地从三重激发能通过反系间窜跃生成单重激发能，优选在TADF材料中产生载流子复合。此外，优选的是在TADF材料中生成的三重激发能不转移到荧光发光物质的三重激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基等，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输或载流子复合几乎没有影响，可以使TADF材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合杂芳环。作为稠合芳香环或稠合杂芳环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、骨架、三亚苯骨架、并四苯骨架、芘骨架、苝骨架、香豆素骨架、喹吖啶酮骨架、萘并双苯并呋喃骨架的荧光发光物质具有高荧光量子产率，所以是优选的。
在将荧光发光物质用作发光物质的情况下，作为主体材料，优选使用具有蒽骨架的材料。通过将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料，可以实现发光效率及耐性都良好的发光层。在用作主体材料的具有蒽骨架的物质中，具有二苯基蒽骨架(尤其是9，10-二苯基蒽骨架)的物质在化学上稳定，所以是优选的。另外，在主体材料具有咔唑骨架的情况下，空穴的注入/传输性得到提高，所以是优选的，尤其是，在包含苯环稠合到咔唑的苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，空穴容易注入，所以是更优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。因此，进一步优选用作主体材料的物质是具有9，10-二苯基蒽骨架及咔唑骨架(或者苯并咔唑骨架或二苯并咔唑骨架)的物质。注意，从上述空穴注入/传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。作为这种物质的例子，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(10-苯基蒽-9-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(简称：cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃(简称：2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)-联苯-4’-基}-蒽(简称：FLPPA)、9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：αN-βNPAnth)等。尤其是，CzPA、cgDBCzPA、2mBnfPPA、PCzPA呈现非常良好的特性，所以是优选的。
另外，主体材料也可以是混合多种物质的材料，当使用混合的主体材料时，优选混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料。通过混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料，可以使发光层113的传输性的调整变得更加容易，也可以更简便地进行复合区域的控制。具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的含量的重量比例为1：19至19：1即可。
注意，作为上述混合的材料的一部分，可以使用磷光发光物质。磷光发光物质在作为发光物质使用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量供体。
另外，也可以使用这些混合了的材料形成激基复合物。通过以形成发射与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的方式选择混合材料，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光，所以是优选的。另外，通过采用该结构可以降低驱动电压，因此是优选的。
注意，形成激基复合物的材料的至少一个可以为磷光发光物质。由此，可以高效地将三重激发能经反系间窜跃转换为单重激发能。
关于高效地形成激基复合物的材料的组合，具有空穴传输性的材料的HOMO能级优选为具有电子传输性的材料的HOMO能级以上。此外，具有空穴传输性的材料的LUMO能级优选为具有电子传输性的材料的LUMO能级以上。注意，材料的LUMO能级及HOMO能级可以从通过循环伏安(CV)测定测得的材料的电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。
注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对具有空穴传输性的材料的发射光谱、具有电子传输性的材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰值)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对具有空穴传输性的材料的瞬态光致发光(PL)、具有电子传输性的材料的瞬态PL及混合这些材料而成的混合膜的瞬态PL进行比较，当观察到混合膜的瞬态PL寿命与各材料的瞬态PL寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态PL称为瞬态电致发光(EL)。换言之，与对具有空穴传输性的材料的瞬态EL、具有电子传输性的材料的瞬态EL及这些材料的混合膜的瞬态EL进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。
电子传输层114是包含具有电子传输性的物质的层。作为具有电子传输性的物质，可以使用以上所述的能够用于主体材料的具有电子传输性的物质。
另外，电子传输层114优选在电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1×10-7cm2/Vs以上且5×10-5cm2/Vs以下。通过降低电子传输层114中的电子的传输性可以控制向发光层的电子的注入量，由此可以防止发光层变成电子过多的状态。另外，电子传输层114优选包含具有电子传输性的材料和碱金属、碱土金属、它们的化合物或它们的复合物。在使用复合材料形成空穴注入层时，尤其优选该复合材料中的具有空穴传输性的材料的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.4eV以下的较深的HOMO能级，由此可以获得长寿命。注意，此时，具有电子传输性的材料的HOMO能级优选为-6.0eV以上。此外，该具有电子传输性的材料优选为具有蒽骨架的有机化合物，更优选为包含蒽骨架及杂环骨架的双方的有机化合物。作为该杂环骨架，优选为含氮五元环骨架或含氮六元环骨架，该杂环骨架尤其优选具有如吡唑环、咪唑环、恶唑环、噻唑环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环等那样的环中含有两个杂原子的含氮五元环骨架或含氮六元环骨架。此外，作为碱金属、碱土金属、它们的化合物或它们的复合物，优选具有8-羟基喹啉结构。具体而言，例如可以举出8-羟基喹啉-锂(简称：Liq)、8-羟基喹啉-钠(简称：Naq)等。尤其优选的是，一价的金属离子的复合物，其中优选为锂的复合物，更优选为Liq。注意，在具有8-羟基喹啉结构时，可以使用其甲基取代物(例如2-甲基取代物或5-甲基取代物)等。另外，优选在电子传输层中碱金属、碱土金属、它们的化合物或它们的复合物中在其厚度方向上存在浓度差(也包括0的情况)。
可以在电子传输层114和第二电极102之间设置由氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)、8-羟基喹啉-锂(简称：Liq)等的碱金属、碱土金属或它们的化合物形成的电子注入层115。电子注入层115可以使用将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层或电子化合物(electride)。作为电子化合物，例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。
注意，作为电子注入层115，也可以使用对具有电子传输性的物质(优选为具有联吡啶骨架的有机化合物)包含上述碱金属或碱土金属的氟化物为微晶状态的浓度以上(50wt％以上)的层。由于该层为折射率低的层，所以可以提供外部量子效率更良好的发光器件。
另外，可以设置电荷产生层116，而代替电子注入层115(图1B)。电荷产生层116是通过施加电位，可以对与该层的阴极一侧接触的层注入空穴，并且对与该层的阳极一侧接触的层注入电子的层。电荷产生层116至少包括P型层117。P型层117优选使用上述构成空穴注入层111的复合材料来形成。另外，P型层117也可以将作为构成复合材料的材料包含上述包含受体材料的膜和包含空穴传输材料的膜层叠来形成。通过对P型层117施加电位，电子和空穴分别注入到电子传输层114和用作阴极的第二电极102，使得发光器件工作。
另外，电荷产生层116除了包括P型层117之外，优选还包括电子中继层118及电子注入缓冲层119中的任一方或双方。
电子中继层118至少包含具有电子传输性的物质，并且能够防止电子注入缓冲层119和P型层117的相互作用，并顺利地传递电子。优选将电子中继层118所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级设定在P型层117中的受体物质的LUMO能级与电子传输层114中的接触于电荷产生层116的层所包含的物质的LUMO能级之间。具体而言，电子中继层118中的具有电子传输性的物质的LUMO能级优选为-5.0eV以上，更优选为-5.0eV以上且-3.0eV以下。另外，作为电子中继层118中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。
电子注入缓冲层119可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))等电子注入性高的物质。
另外，在电子注入缓冲层119包含具有电子传输性的物质及供体物质的情况下，作为供体物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))以外，还可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，作为具有电子传输性的物质，可以使用与上面所说明的用于电子传输层114的材料同样的材料形成。
作为形成第二电极102的物质，可以使用功函数小(具体为3.8eV以下)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。作为这种阴极材料的具体例子，可以举出锂(Li)或铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)或者锶(Sr)等的属于元素周期表中的第1族或第2族的元素、包含它们的合金(MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。然而，通过在第二电极102和电子传输层之间设置电子注入层，可以不顾及功函数的大小而将各种导电材料诸如Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用作第二电极102。这些导电材料可以通过真空蒸镀法或溅射法等干式法、喷墨法、旋涂法等形成。另外,第二电极102可以通过利用溶胶-凝胶法等湿式法或利用金属材料的膏剂的湿式法形成。
另外，作为EL层103的形成方法，不论干式法或湿式法，都可以使用各种方法。例如，也可以使用真空蒸镀法、凹版印刷法、照相凹版印刷法、丝网印刷法、喷墨法或旋涂法等。
另外，也可以通过使用不同成膜方法形成上面所述的各电极或各层。
注意，设置在第一电极101与第二电极102之间的层的结构不局限于上述结构。但是，优选采用在离第一电极101及第二电极102远的部分设置空穴与电子复合的发光区域的结构，以便抑制由于发光区域与用于电极或载流子注入层的金属接近而发生的猝灭。
另外，为了抑制从在发光层中产生的激子的能量转移，接触于发光层113的如空穴传输层或电子传输层，尤其是靠近发光层113中的复合区域的载流子传输层优选使用如下物质构成，即具有比构成发光层的发光材料或者包含在发光层中的发光材料所具有的带隙大的带隙的物质。
接着，参照图1C说明具有层叠有多个发光单元的结构的发光器件(以下也称为叠层型元件或串联元件)的方式。该发光器件是在阳极和阴极之间具有多个发光单元的发光器件。一个发光单元具有与图1A所示的EL层103大致相同的结构。也就可以说，图1C所示的发光器件是具有多个发光单元的发光器件，而图1A或图1B所示的发光器件是具有一个发光单元的发光器件。注意，实施方式1所记载的有机金属配合物包括在多个发光单元中的至少一个，即可。
在图1C中，在阳极501和阴极502之间层叠有第一发光单元511和第二发光单元512，并且在第一发光单元511和第二发光单元512之间设置有电荷产生层513。阳极501和阴极502分别相当于图1A中的第一电极101和第二电极102，并且可以应用与图1A的说明同样的材料。另外，第一发光单元511和第二发光单元512可以具有相同结构，也可以具有不同结构。
电荷产生层513具有在对阳极501及阴极502施加电压时，对一个发光单元注入电子并对另一个发光单元注入空穴的功能。就是说，在图1C中，在以阳极的电位比阴极的电位高的方式施加电压的情况下，电荷产生层513只要是对第一发光单元511注入电子并对第二发光单元512注入空穴的层即可。
电荷产生层513优选具有与图1B所示的电荷产生层116同样的结构。因为有机化合物与金属氧化物的复合材料具有良好的载流子注入性及载流子传输性，从而能够实现低电压驱动及低电流驱动。注意，在发光单元的阳极一侧的面接触于电荷产生层513的情况下，电荷产生层513可以具有发光单元的空穴注入层的功能，所以在发光单元中也可以不设置空穴注入层。
另外，当在电荷产生层513中设置电子注入缓冲层119时，因为该电子注入缓冲层119具有阳极一侧的发光单元中的电子注入层的功能，所以在阳极一侧的发光单元中不一定必须设置电子注入层。
虽然在图1C中说明了具有两个发光单元的发光器件，但是可以同样地应用层叠三个以上的发光单元的发光器件。如根据本实施方式的发光器件，通过在一对电极之间将多个发光单元使用电荷产生层513隔开并配置，该器件可以在保持低电流密度的同时实现高亮度发光，并且能够实现寿命长的器件。另外，可以实现能够进行低电压驱动且低功耗的发光装置。
另外，通过使各发光单元的发光颜色不同，可以以整个发光器件得到所希望的颜色的发光。例如，通过在具有两个发光单元的发光器件中获得来自第一发光单元的红色和绿色的发光颜色以及来自第二发光单元的蓝色的发光颜色，可以得到在整个发光器件中进行白色发光的发光器件。
另外，上述EL层103或第一发光单元511、第二发光单元512及电荷产生层等各层或电极例如可以利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、液滴喷射法(也称为喷墨法)、涂敷法、凹版印刷法等方法形成。此外，其也可以包含低分子材料、中分子材料(包括低聚物、树枝状聚合物)或者高分子材料。
(实施方式3)
在本实施方式中，对使用实施方式2所示的发光器件的发光装置进行说明。
在本实施方式中，参照图2对使用实施方式2所示的发光器件而制造的发光装置进行说明。注意，图2A是示出发光装置的俯视图，并且图2B是沿图2A中的线A-B及线C-D切断的截面图。该发光装置作为用来控制发光器件的发光的单元包括由虚线表示的驱动电路部(源极线驱动电路)601、像素部602、驱动电路部(栅极线驱动电路)603。另外，附图标记604是密封衬底，附图标记605是密封材料，由密封材料605围绕的内侧是空间607。
注意，引导布线608是用来传送输入到源极线驱动电路601及栅极线驱动电路603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的FPC(柔性电路板)609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出FPC609，但是该FPC609还可以安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。
下面，参照图2B说明截面结构。虽然在元件衬底610上形成有驱动电路部及像素部，但是在此示出作为驱动电路部的源极线驱动电路601和像素部602中的一个像素。
元件衬底610除了可以使用由玻璃、石英、有机树脂、金属、合金、半导体等构成的衬底以外还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。
对用于像素或驱动电路的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用反交错型晶体管或交错型晶体管。另外，顶栅型晶体管或底栅型晶体管都可以被使用。对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制，例如可以使用硅、锗、碳化硅、氮化镓等。或者可以使用In-Ga-Zn类金属氧化物等的包含铟、镓、锌中的至少一个的氧化物半导体。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
在此，氧化物半导体优选用于设置在上述像素或驱动电路中的晶体管和用于在后面说明的触摸传感器等的晶体管等半导体装置。尤其优选使用其带隙比硅宽的氧化物半导体。通过使用带隙比硅宽的氧化物半导体，可以降低晶体管的关态电流(off-statecurrent)。
上述氧化物半导体优选至少包含铟(In)或锌(Zn)。另外，上述氧化物半导体更优选为包含以In-M-Zn类氧化物(M为Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属)表示的氧化物的氧化物半导体。
尤其是，作为半导体层，优选使用如下氧化物半导体膜：具有多个结晶部，该多个结晶部的c轴都朝向垂直于半导体层的被形成面或半导体层的顶面的方向，并且在相邻的结晶部间不具有晶界。
通过作为半导体层使用上述材料，可以实现电特性的变动被抑制的可靠性高的晶体管。
另外，由于具有上述半导体层的晶体管的关态电流较低，因此能够长期间保持经过晶体管而储存于电容器中的电荷。通过将这种晶体管用于像素，能够在保持各显示区域所显示的图像的灰度的状态下，停止驱动电路。其结果是，可以实现功耗极低的电子设备。
为了实现晶体管的特性稳定化等，优选设置基底膜。作为基底膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜并以单层或叠层制造。基底膜可以通过溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法(等离子体CVD法、热CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD：有机金属化学气相沉积)法等)或ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法、涂敷法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要则也可以不设置。
注意，FET623示出形成在驱动电路部601中的晶体管的一个。另外，驱动电路也可以利用各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。另外，虽然在本实施方式中示出在衬底上形成有驱动电路的驱动器一体型，但是不一定必须采用该结构，驱动电路也可以形成在外部，而不形成在衬底上。
另外，像素部602由多个像素形成，该多个像素都包括开关FET611、电流控制FET612以及与该电流控制FET612的漏极电连接的第一电极613，但是并不局限于此，也可以采用组合三个以上的FET和电容器的像素部。
注意，形成绝缘物614来覆盖第一电极613的端部。在此，可以使用正型感光丙烯酸树脂膜形成绝缘物614。
另外，将绝缘物614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得后面形成的EL层等的良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸树脂作为绝缘物614的材料的情况下，优选只使绝缘物614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。作为绝缘物614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。
在第一电极613上形成有EL层616及第二电极617。在此，作为用于被用作阳极的第一电极613的材料，优选使用具有大功函数的材料。例如，除了可以使用诸如ITO膜、包含硅的铟锡氧化物膜、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等的单层膜以外，还可以使用由氮化钛膜和以铝为主要成分的膜构成的叠层膜以及由氮化钛膜、以铝为主要成分的膜和氮化钛膜构成的三层结构等。注意，通过采用叠层结构，布线的电阻值可以较低，可以得到好的欧姆接触，并且，可以将其用作阳极。
另外，EL层616通过使用蒸镀掩模的蒸镀法、喷墨法、旋涂法等各种方法形成。EL层616包括实施方式2所示的结构。另外，作为构成EL层616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包含低聚物、树枝状聚合物)。
另外，作为用于形成于EL层616上并被用作阴极的第二电极617的材料，优选使用具有功函数小的材料(Al、Mg、Li、Ca、或它们的合金或化合物(MgAg、MgIn、AlLi等)等)。注意，当使产生在EL层616中的光透过第二电极617时，优选使用由厚度减薄了的金属薄膜和透明导电膜(ITO、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟、包含硅的铟锡氧化物、氧化锌(ZnO)等)构成的叠层作为第二电极617。
另外，发光器件由第一电极613、EL层616、第二电极617形成。该发光器件是实施方式2所示的发光器件。另外，像素部由多个发光器件构成，本实施方式的发光装置也可以包括实施方式2所示的发光器件和具有其他结构的发光器件的双方。
另外，通过使用密封材料605将密封衬底604贴合到元件衬底610，将发光器件618设置在由元件衬底610、密封衬底604以及密封材料605围绕的空间607中。注意，空间607中填充有填料，作为该填料，可以使用惰性气体(氮或氩等)，还可以使用密封材料。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。
另外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封材料605。另外，这些材料优选为尽可能地不使水分或氧透过的材料。另外，作为用于密封衬底604的材料，除了可以使用玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics；纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。
虽然在图2中没有示出，但是也可以在第二电极上设置保护膜。保护膜可以由有机树脂膜或无机绝缘膜形成。另外，也可以以覆盖密封材料605的露出部分的方式形成保护膜。另外，保护膜可以覆盖一对衬底的表面及侧面、密封层、绝缘层等的露出侧面而设置。
作为保护膜可以使用不容易透过水等杂质的材料。因此，可以能够高效地抑制水等杂质从外部扩散到内部。
作为构成保护膜的材料，可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金属或聚合物等。例如，可以使用含有氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧化硅、钛酸锶、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化锆、氧化锡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化铒、氧化钒、氧化铟等的材料、含有氮化铝、氮化铪、氮化硅、氮化钽、氮化钛、氮化铌、氮化钼、氮化锆、氮化镓的材料、包含含有钛及铝的氮化物、含有钛及铝的氧化物、含有铝及锌的氧化物、含有锰及锌的硫化物、含有铈及锶的硫化物、含有铒及铝的氧化物、含有钇及锆的氧化物等的材料。
保护膜优选通过台阶覆盖性(step coverage)良好的成膜方法来形成。这种方法中之一个是原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法。优选将可以通过ALD法形成的材料用于保护膜。通过ALD法可以形成致密且裂缝或针孔等缺陷被减少或具备均匀的厚度的保护膜。另外，可以减少在形成保护膜时加工构件受到的损伤。
例如，通过ALD法可以将均匀且缺陷少的保护膜形成在具有复杂的凹凸形状的表面或触摸面板的顶面、侧面以及背面上。
如上所述，可以得到使用实施方式2所示的发光器件制造的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置使用实施方式2所示的发光器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，使用实施方式2所示的发光器件的发光效率良好，由此可以实现低功耗的发光装置。
图3示出通过形成呈现白色发光的发光器件设置着色层(滤色片)等来实现全彩色化的发光装置的例子。图3A示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、1007、1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周边部1042、像素部1040、驱动电路部1041、发光器件的第一电极1024W、1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL层1028、发光器件的第二电极1029、密封衬底1031、密封材料1032等。
另外，在图3A中，将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)设置在透明基材1033上。另外，还可以设置黑矩阵1035。对设置有着色层及黑矩阵的透明基材1033进行对准而将其固定到衬底1001上。另外，着色层及黑矩阵1035被保护层1036覆盖。另外，图3A示出具有光不透过着色层而透射到外部的发光层及光透过各颜色的着色层而透射到外部的发光层，不透过着色层的光成为白色光且透过着色层的光成为红色光、绿色光、蓝色光，因此能够以四个颜色的像素显示图像。
图3B示出将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在栅极绝缘膜1003和第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上述那样，也可以将着色层设置在衬底1001和密封衬底1031之间。
另外，虽然以上说明了具有从形成有FET的衬底1001一侧取出光的结构(底部发射型)的发光装置，但是也可以采用具有从密封衬底1031一侧取出发光的结构(顶部发射型)的发光装置。图4示出顶部发射型发光装置的截面图。在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。到制造用来使FET与发光器件的阳极连接的电极1022为止的工序与底部发射型发光装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜相同的材料或其他公知材料形成。
虽然在此发光器件的第一电极1024W、1024R、1024G、1024B都是阳极，但是也可以是阴极。另外，在采用如图4所示那样的顶部发射型发光装置的情况下，第一电极优选为反射电极。EL层1028的结构采用实施方式2所示的EL层103的结构，并且采用能够获得白色发光的元件结构。
在采用图4所示的顶部发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)的密封衬底1031进行密封。密封衬底1031也可以设置有位于像素和像素之间的黑矩阵1035。着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)、黑矩阵也可以被保护层1036覆盖。另外，作为密封衬底1031，使用具有透光性的衬底。另外，虽然在此示出了以红色、绿色、蓝色、白色的四个颜色进行全彩色显示的例子，但是并不局限于此。此外，也可以以红色、黄色、绿色、蓝色的四个颜色或红色、绿色、蓝色的三个颜色进行全彩色显示。
在顶部发射型发光装置中，可以优选地适用微腔结构。将反射电极用作第一电极且将半透射半反射电极用作第二电极，由此可以得到具有微腔结构的发光器件。在反射电极与半透射半反射电极之间至少含有EL层，并且至少含有成为发光区域的发光层。
注意，反射电极的可见光反射率为40％至100％，优选为70％至100％，并且其电阻率为1×10-2Ωcm以下。另外，半透射半反射电极的可见光反射率为20％至80％，优选为40％至70％，并且其电阻率为1×10-2Ωcm以下。
从EL层所包含的发光层射出的光被反射电极和半透射半反射电极反射，并且谐振。
在该发光器件中，通过改变透明导电膜、上述复合材料或载流子传输材料等的厚度而可以改变反射电极与半透射半反射电极之间的光程。由此，可以在反射电极与半透射半反射电极之间加强谐振的波长的光且使不谐振的波长的光衰减。
被反射电极反射回来的光(第一反射光)会给从发光层直接入射到半透射半反射电极的光(第一入射光)带来很大的干涉，因此优选将反射电极与发光层的光程调节为(2n-1)λ/4(注意，n为1以上的自然数，λ为要增强的光的波长)。通过调节该光程，可以使第一反射光与第一入射光的相位一致，由此可以进一步增强从发光层发射的光。
另外，在上述结构中，EL层可以含有多个发光层，也可以只含有一个发光层。例如，可以组合上述结构与上述串联型发光器件的结构，其中在一个发光器件中以其间夹着电荷产生层的方式设置多个EL层，并且，在每个EL层中形成一个或多个发光层。
通过采用微腔结构，可以加强指定波长的正面方向上的发光强度，由此可以实现低功耗化。注意，在为使用红色、黄色、绿色以及蓝色的四个颜色的子像素显示图像的发光装置的情况下，因为可以获得由于黄色发光的亮度提高效果，而且可以在所有的子像素中采用适合各颜色的波长的微腔结构，所以能够实现具有良好的特性的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置使用实施方式2所示的发光器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，使用实施方式2所示的发光器件的发光效率良好，由此可以实现低功耗的发光装置。
虽然到这里说明了有源矩阵型发光装置，但是下面说明无源矩阵型发光装置。图5示出通过使用本发明制造的无源矩阵型发光装置。注意，图5A是示出发光装置的透视图，并且图5B是沿图5A的线X-Y切断而获得的截面图。在图5中，在衬底951上的电极952与电极956之间设置有EL层955。电极952的端部被绝缘层953覆盖。在绝缘层953上设置有隔离层954。隔离层954的侧壁具有如下倾斜，即越接近衬底表面，两个侧壁之间的间隔越窄。换句话说，隔离层954的短边方向的截面是梯形，底边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953接触的边)比上边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953不接触的边)短。如此，通过设置隔离层954，可以防止起因于静电等的发光器件的不良。另外，在无源矩阵型发光装置中，通过使用实施方式2所示的发光器件，也可以得到可靠性良好的发光装置或者低功耗的发光装置。
以上说明的发光装置能够控制配置为矩阵状的微小的多个发光器件中的每一个，所以作为进行图像的显示的显示装置可以适当地利用。
另外，本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。
(实施方式4)
在本实施方式中，对本发明的一个方式的发光装置(也称为显示面板)的结构例子及制造方法例子进行说明。可以将实施方式1所示的材料用于本实施方式所示的发光装置(也称为显示面板)所包括的发光器件中的EL层103。
<发光装置700的结构例子1>
图6A所示的发光装置700包括发光器件550B、发光器件550G、发光器件550R以及分隔壁528。此外，发光器件550B、发光器件550G、发光器件550R以及分隔壁528形成于设置在第一衬底510上的功能层520上。功能层520除了由多个晶体管构成的栅极线驱动电路、源极线驱动电路等以外还包括使它们电连接的布线等。注意，这些驱动电路与发光器件550B、发光器件550G、发光器件550R电连接，并可以驱动这些器件。此外，发光装置700在功能层520及各发光器件上包括绝缘层705，绝缘层705具有使第二衬底770和功能层520贴合的功能。
注意，发光器件550B、发光器件550G以及发光器件550R具有实施方式2所示的器件结构。尤其示出图1A所示的结构中的EL层103在各发光器件中不同的情况。
发光器件550B包括电极551B、电极552、EL层103B以及阻挡层107。注意，各层的具体结构具有如实施方式2所示那样的结构。此外，EL层103B具有由包括发光层的功能不同的多个层构成的叠层结构。在图6A中，作为包括在具有发光层的EL层103B中的层，只示出空穴注入/传输层104B，但是本发明不局限于此。注意，作为空穴注入/传输层104B示出具有实施方式2所示的空穴注入层及空穴传输层的功能的层，也可以具有叠层结构。注意，在本说明书中，在任何发光器件中都可以将空穴注入/传输层换称为上述那样的层。另外，EL层103B也可以包括电子注入/传输层。与空穴注入/传输层同样，电子注入/传输层也是具有电子注入层及电子传输层的功能的层，也可以具有叠层结构。
另外，阻挡层107以覆盖形成在电极551B上的EL层103B的方式形成。此外，如图6A所示，EL层103B具有侧面(或端部)。因此，阻挡层107以与EL层103B的侧面(或端部)接触的方式形成。由此，可以抑制从EL层103B的侧面向内部进入氧、水分或其构成元素。阻挡层107可以使用实施方式2所示的空穴传输材料。
另外，电极552形成在阻挡层107上。注意，电极551B和电极552具有彼此重叠的区域。此外，在电极551B与电极552之间包括EL层103B。因此，阻挡层107的一部分位于电极552与EL层103B的侧面(或端部)之间。由此，可以防止EL层103B与电极552间，更具体而言，EL层103B所包括的空穴注入/传输层104B与电极552间电短路。
图6A所示的EL层103B具有与在实施方式2中说明的EL层103同样的结构。此外，EL层103B例如可以发射蓝色光。
发光器件550G包括电极551G、电极552、EL层103G以及阻挡层107。注意，各层的具体结构具有如实施方式3所示那样的结构。此外，EL层103G具有由包括发光层的功能不同的多个层构成的叠层结构。在图6A中，包括在具有发光层的EL层103G中的层中只示出空穴注入/传输层104G，但是本发明不局限于此。注意，空穴注入/传输层104G示出包括具有实施方式2所示的空穴注入层及空穴传输层的功能的层，也可以具有叠层结构。
另外，阻挡层107以覆盖形成在电极551G上的EL层103G的方式形成。此外，如图6A所示，EL层103G具有侧面(或端部)。因此，阻挡层107以与EL层103G的侧面(或端部)接触的方式形成。由此，可以抑制从EL层103G的侧面向内部进入氧、水分或其构成元素。阻挡层107可以使用实施方式2所示的空穴传输材料。
另外，电极552形成在阻挡层107上。注意，电极551G和电极552具有彼此重叠的区域。此外，在电极551G与电极552之间包括EL层103G。因此，阻挡层107的一部分位于电极552与EL层103G的侧面之间。由此，可以防止EL层103G与电极552间，更具体而言，EL层103G所包括的空穴注入/传输层104G与电极552间电短路。
图6A所示的EL层103G具有与在实施方式2中说明的EL层同样的结构。此外，EL层103G例如可以发射绿色光。
发光器件550R包括电极551R、电极552、EL层103R以及阻挡层107。注意，各层的具体结构具有如实施方式2所示那样的结构。此外，EL层103R具有由包括发光层的功能不同的多个层构成的叠层结构。在图6A中，包括在具有发光层的EL层103R中的层中只示出空穴注入/传输层104R，本发明不局限于此。注意，空穴注入/传输层104R示出包括具有实施方式2所示的空穴注入层及空穴传输层的功能的层，也可以具有叠层结构。
另外，阻挡层107以覆盖形成在电极551R上的EL层103R的方式形成。此外，如图6A所示，EL层103R具有侧面(或端部)。因此，阻挡层107以与EL层103R的侧面(或端部)接触的方式形成。由此，可以抑制从EL层103R的侧面向内部进入氧、水分或其构成元素。阻挡层107可以使用实施方式2所示的空穴传输材料。
另外，电极552形成在阻挡层107上。注意，电极551R和电极552具有彼此重叠的区域。此外，在电极551R与电极552之间包括EL层103R。因此，阻挡层107的一部分位于电极552与EL层103R的侧面之间。由此，可以防止EL层103R与电极552间，更具体而言，EL层103R所包括的空穴注入/传输层104R与电极552间电短路。
图6A所示的EL层103R具有与在实施方式2中说明的EL层103同样的结构。此外，EL层103R例如可以发射红色光。
在EL层103B、EL层103G、EL层103R之间分别包括间隙580。在各EL层中，由于在很多情况下尤其包括在位于阳极与发光层之间的空穴传输区域的空穴注入层的导电率高，所以当作为在相邻的发光器件中共同使用的层形成空穴注入层时，有时导致串扰。因此，如本结构例子所示，通过在各EL层之间设置间隙580，可以抑制相邻的发光器件间发生的串扰。
在超过1000ppi的高清晰发光装置(显示面板)中，在EL层103B、EL层103G、EL层103R之间产生电导通时，发生串扰，因此发光装置的能够显示的色域变窄。通过在超过1000ppi的高清晰显示面板、优选超过2000ppi的高清晰显示面板、更优选超过5000ppi的超高清晰显示面板中设置间隙580，可以提供能够显示鲜艳的色彩的显示面板。
如图6B所示，分隔壁528包括开口部528B、开口部528G、开口部528R。注意，如图6A所示，开口部528B与电极551B重叠，开口部528G与电极551G重叠，开口部528R与电极551R重叠。
注意，由于在这些EL层(EL层103B、EL层103G以及EL层103R)的分离加工中利用光刻法进行图案形成，所以可以制造高清晰发光装置(显示面板)。此外，利用光刻法进行图案形成来加工的EL层的端部(侧面)成为具有大致同一表面(或者，位于大致同一平面上)的形状。此外，此时，设置于各EL层之间的间隙580优选为5μm以下，更优选为1μm以下。
在EL层中，由于在很多情况下尤其包括在位于阳极与发光层之间的空穴传输区域的空穴注入层的导电率高，所以当作为在相邻的发光器件中共同使用的层形成空穴注入层时，有时导致串扰。因此，如本结构例子所示，通过进行利用光刻法的图案形成使EL层分离加工，可以抑制在相邻的发光器件间发生的串扰。
在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模版)制造的器件称为MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为MML(Metal Mask Less)结构的器件。
此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光器件(这里为蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为SBS(Side By Side)结构。此外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光器件称为白色发光器件。白色发光器件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以实现以全彩色显示的显示装置。
另外，发光器件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个EL层，而且该EL层包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，以两个以上的发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的结构。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。
串联结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元(EL层)，而且各发光单元(EL层)包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，采用组合从多个发光单元(EL层)的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的结构与单结构中的结构同样。此外，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元(EL层)间设置电荷产生层等中间层。
另外，在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和SBS结构的发光器件进行比较的情况下，可以使SBS结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。在想要降低功耗时优选采用SBS结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造程序比SBS结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。
<发光装置的制造方法例子1>
如图7A所示，形成电极551B、电极551G以及电极551R。例如，在形成在第一衬底510上的功能层520上形成导电膜，利用光刻法将该导电膜加工为规定形状。
注意，导电膜可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作为CVD法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法或热CVD法等。另外，作为热CVD法的方法之一，可以举出有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
导电膜的加工除了上述光刻法以外也可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，可以利用金属掩模等遮蔽掩模的成膜方法直接形成岛状的薄膜。
光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻等对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在形成感光性薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。
在光刻法中，作为用于曝光的光，例如可以使用i线(波长365nm)、g线(波长436nm)、h线(波长405nm)或将这些光混合了的光。此外，还可以使用紫外光、KrF激光或ArF激光等。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。此外，作为用于曝光的光，也可以使用极紫外(EUV：Extreme Ultra-violet)光或X射线。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其精细的加工，所以是优选的。注意，在通过利用电子束等光束进行扫描而进行曝光时，不需要光掩模。
作为使用抗蚀剂掩模的薄膜蚀刻，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法、喷砂法等。
接着，如图7B所示，在电极551B、电极551G、电极551R之间形成分隔壁528。例如，覆盖电极551B、电极551G及电极551R形成绝缘膜，利用光刻法形成开口部，使电极551B、电极551G以及电极551R的一部分露出，由此可以形成分隔壁528。注意，作为能够用于分隔壁528的材料，可以举出无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等。具体而言，可以使用无机氧化物膜、无机氮化物膜或无机氧氮化物膜等或者层叠选自上述中的多个膜的叠层材料，更具体而言，可以使用氧化硅膜、含有丙烯酸树脂的膜或含有聚酰亚胺的膜等或者层叠选自上述中的多个膜的叠层材料。
接着，如图8A所示，在电极551B、电极551G、电极551R以及分隔壁528上形成EL层103B。注意，在本结构例子中，仅示出EL层103B所包括的空穴注入/传输层104B。例如，利用真空蒸镀法在电极551B、电极551G、电极551R以及分隔壁528上以覆盖它们的方式形成EL层103B。
接着，如图8B所示，将电极551B上的EL层103B加工成规定形状。例如，通过光刻法形成抗蚀剂，通过蚀刻去除电极551G上的EL层103G及电极551R上的EL层103R，加工成具有侧面(或侧面露出)的形状或者在与纸面交叉的方向上延伸的带状形状。具体而言，使用在与电极551B重叠的EL层103B上形成的抗蚀剂REG，进行干蚀刻(参照图8B)。另外，分隔壁528可以被用作蚀刻停止层。注意，在本实施方式中通过光刻法形成各EL层的图案时，可以采用公知方法。也就是说，可以使用适于有机材料的公知抗蚀剂材料，具体地可以举出水性抗蚀剂材料。
接着，如图8C所示，在形成有抗蚀剂REG的状态下，在抗蚀剂REG、电极551G、电极551R以及分隔壁528上形成EL层103G(包括空穴注入/传输层104G)。例如，利用真空蒸镀法在电极551G、电极551R以及分隔壁528上以覆盖它们的方式形成EL层103G。
接着，如图9A所示，将电极551G上的EL层103G加工成规定形状。例如，通过光刻法在电极551G上的EL层103G上形成抗蚀剂，通过蚀刻去除电极551B上的EL层103G及电极551R上的EL层103G，加工成具有侧面(或侧面露出)的形状或者在与纸面交叉的方向上延伸的带状形状。具体而言，使用在与电极551G重叠的EL层103G上形成的抗蚀剂REG，进行干蚀刻。另外，分隔壁528可以被用作蚀刻停止层。
接着，如图9B所示，在电极551B及电极551G上形成有抗蚀剂REG的状态下，在抗蚀剂REG、电极551R及分隔壁528上形成EL层103R(包括空穴注入/传输层104R)。例如，利用真空蒸镀法在电极551R、抗蚀剂REG及分隔壁528上以覆盖它们的方式形成EL层103R。
接着，如图9C所示，将电极551R上的EL层103R加工成规定形状。例如，通过光刻法在电极551R上的EL层103R上形成抗蚀剂，去除电极551B上的EL层103R及电极551G上的EL层103R，加工成具有侧面(或侧面露出)的形状或者在与纸面交叉的方向上延伸的带状形状。具体而言，使用在与电极551R重叠的EL层103R上形成的抗蚀剂REG，进行干蚀刻。另外，分隔壁528可以被用作蚀刻停止层。
接着，如图10A所示，在EL层(103B、103G、103R)及分隔壁528上形成阻挡层107。例如，利用真空蒸镀法在EL层(103B、103G、103R)及分隔壁528上以覆盖它们的方式形成阻挡层107。此时，如图10A所示，阻挡层107以与各EL层(103B、103G、103R)的侧面接触的方式形成。由此，能够抑制氧、水分或其构成元素从各EL层(103B、103G、103R)的侧面进入到内部。另外，作为用于阻挡层107的材料，可以使用实施方式2中说明的空穴传输材料。
接着，如图10B所示，在阻挡层107上形成电极552。电极552例如利用真空蒸镀法形成。注意，电极552形成于阻挡层107上。此外，阻挡层107的一部分位于电极552与各EL层(103B、103G、103R)的侧面之间。由此，可以防止各EL层(103B、103G、103R)与电极552电短路，更具体而言，可以防止各EL层(103B、103G、103R)各自包括的空穴注入/传输层(104B、104G、104R)与电极552电短路。
通过上述工序，可以对发光器件550B、发光器件550G以及发光器件550R中的EL层103B、EL层103G以及EL层103R进行分离加工。
注意，由于在这些EL层(EL层103B、EL层103G以及EL层103R)的分离加工中利用光刻法进行图案形成，所以可以制造高清晰发光装置(显示面板)。此外，利用光刻法进行图案形成来加工的EL层的端部(侧面)成为具有大致同一表面(或者，位于大致同一平面上)的形状。
在EL层中，由于在很多情况下尤其包括在位于阳极与发光层之间的空穴传输区域的空穴注入层的导电率高，所以当作为在相邻的发光器件中共同使用的层形成空穴注入层时，有时导致串扰。因此，如本结构例子所示，通过进行利用光刻法的图案形成使EL层分离加工，可以抑制在相邻的发光器件间发生的串扰。
<发光装置700的结构例子2>
图11A所示的发光装置700包括发光器件550B、发光器件550G、发光器件550R以及分隔壁528。此外，发光器件550B、发光器件550G、发光器件550R以及分隔壁528形成在设置在第一衬底510上的功能层520上。功能层520除了由多个晶体管构成的栅极线驱动电路、源极线驱动电路等驱动电路以外还包括使它们电连接的布线等。注意，这些驱动电路与发光器件550B、发光器件550G、发光器件550R电连接，并可以驱动这些器件。
注意，发光器件550B、发光器件550G以及发光器件550R具有实施方式2所示的器件结构。尤其是，示出各发光器件共同包括具有图1B所示的结构，所谓串联结构的EL层103。
发光器件550B包括电极551B、电极552、EL层(103P、103Q)、电荷产生层106B以及阻挡层107，并具有图11A所示的叠层结构。注意，各层的具体结构具有如实施方式2所示那样的结构。此外，电极551B与电极552重叠。此外，EL层103P与EL层103Q夹着电荷产生层106B层叠，且在电极551B与电极552之间包括EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106B。注意，EL层103P及103Q与在实施方式2中说明的EL层103同样地具有由包括发光层的功能不同的多个层构成的叠层结构。此外，EL层103P例如可以发射蓝色光，EL层103Q例如可以发射黄色光。
在图11A中，包括在EL层103P中的层中只示出空穴注入/传输层104P，包括在EL层103Q中的层中只示出空穴注入/传输层104Q。因此，以后在也可以说明包括在各EL层中的层时，为了方便起见，使用EL层(EL层103P及EL层103Q)进行说明。
另外，阻挡层107以覆盖形成在电极551B上的EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106B的方式形成。如图11A所示，EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106B具有侧面(或端部)。因此，阻挡层107以与EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106B的各侧面(或端部)接触的方式形成。由此，可以抑制从EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106B的侧面向内部进入氧、水分或其构成元素。阻挡层107可以使用实施方式2所示的空穴传输材料。
另外，电极552形成在阻挡层107上。注意，电极551B与电极552重叠。此外，在电极551B与电极552之间包括EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106B。因此，阻挡层107的一部分位于电极552与EL层103P的侧面(或端部)之间、电极552与EL层103Q的侧面之间以及电极552与电荷产生层106B的侧面之间。由此，可以防止EL层103P与电极552间，更具体而言，EL层103P所包括的空穴注入/传输层104P与电极552间、EL层103Q与电极552间，更具体而言，EL层103Q所包括的空穴注入/传输层104Q与电极552间或者电荷产生层106B与电极552间电短路。
发光器件550G包括电极551G、电极552、EL层(103P、103Q)、电荷产生层106G以及阻挡层107，并具有图11A所示的叠层结构。注意，各层的具体结构具有如实施方式2所示那样的结构。此外，电极551G与电极552重叠。此外，EL层103P与EL层103Q夹着电荷产生层106G层叠，且在电极551G与电极552之间包括EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106G。
另外，阻挡层107以覆盖形成在电极551G上的EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106G的方式形成。如图11A所示，EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106G具有侧面(或端部)。因此，阻挡层107以与EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106G的各侧面(或端部)接触的方式形成。由此，可以抑制从EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106G的侧面向内部进入氧、水分或其构成元素。阻挡层107可以使用实施方式2所示的空穴传输材料。
另外，电极552形成在阻挡层107上。注意，电极551G与电极552重叠。此外，在电极551G与电极552之间包括EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106G。因此，阻挡层107的一部分位于电极552与EL层103P的侧面(或端部)之间、电极552与EL层103Q的侧面之间以及电极552与电荷产生层106G的侧面之间。由此，可以防止EL层103P与电极552间，更具体而言，EL层103P所包括的空穴注入/传输层104P与电极552间、EL层103Q与电极552间，更具体而言，EL层103Q所包括的空穴注入/传输层104Q与电极552间或者电荷产生层106G与电极552间电短路。
发光器件550R包括电极551R、电极552、EL层(103P、103Q)、电荷产生层106R以及阻挡层107，并具有图11A所示的叠层结构。注意，各层的具体结构具有如实施方式2所示那样的结构。此外，电极551R与电极552重叠。此外，EL层103P与EL层103Q夹着电荷产生层106R层叠，且在电极551R与电极552之间包括EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106R。
另外，阻挡层107以覆盖形成在电极551R上的EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106R的方式形成。如图11A所示，EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106R具有侧面(或端部)。因此，阻挡层107以与EL层103P、EL层103Q及电荷产生层106R的各侧面(或端部)接触的方式形成。由此，可以抑制从EL层103P、EL层103Q以及电荷产生层106R的侧面向内部进入氧、水分或其构成元素。阻挡层107可以使用实施方式2所示的空穴传输材料。
另外，电极552形成在阻挡层107上。注意，电极551R与电极552重叠。另外，在电极551R与电极552之间包括(103P、103Q)。注意，阻挡层107的一部分位于电极552与EL层(103P、103Q)的侧面(或端部)之间以及电极552与电荷产生层106R的侧面之间。由此，可以防止EL层103P与电极552间，更具体而言，EL层103P所包括的空穴注入/传输层104P与电极552间、EL层103Q与电极552间，更具体而言，EL层103Q所包括的空穴注入/传输层104Q与电极552间或者电荷产生层106R与电极552间电短路。
注意，在对各发光器件所包括的EL层(103P、103Q)以及电荷产生层106R按每发光器件进行分离加工时，由于进行利用光刻法的图案形成，所以被加工的EL层的端部(侧面)成为具有大致同一表面(或者，位于大致同一平面上)的形状。
各发光器件所包括的EL层(103P、103Q)以及电荷产生层106R在相邻的发光器件之间分别包括间隙580。由于在很多情况下EL层(103P、103Q)中的空穴传输区域所包括的空穴注入层以及电荷产生层106R的导电率高，所以在作为相邻的发光器件中共同使用的层形成空穴注入层以及电荷产生层106R时，有时导致串扰。因此，如本结构例子所示，通过设置间隙580，可以抑制在相邻的发光器件间发生的串扰。
在超过1000ppi的高清晰发光装置(显示面板)中，在EL层103B、EL层103G、EL层103R之间产生电导通时，发生串扰，因此发光装置的能够显示的色域变窄。通过在超过1000ppi的高清晰显示面板、优选超过2000ppi的高清晰显示面板、更优选超过5000ppi的超高清晰显示面板中设置间隙580，可以提供能够显示鲜艳的色彩的显示面板。
在本结构例子中，发光器件550B、发光器件550G以及发光器件550R都发射白色光。因此，第二衬底770包括着色层CFB、着色层CFG以及着色层CFR。注意，这些着色层如图11A所示也可以部分重叠。通过使上述着色层部分重叠，也可以将重叠部分用作遮光膜。在本结构例子中，例如，着色层CFB使用优先透过蓝色光(B)的材料，着色层CFG使用优先透过绿色光(G)的材料，着色层CFR使用优先透过红色光(R)的材料。
图11B示出发光器件550B、发光器件550G以及发光器件550R是发射白色光的发光器件时的发光器件550B的结构。在电极551B上夹着电荷产生层106B层叠EL层103P以及EL层103Q。此外，EL层103P包括发射蓝色光EL(1)的发光层113B，EL层103Q包括发射绿色光EL(2)的发光层113G以及发射红色光EL(3)的发光层113R。
注意，可以使用颜色转换层代替上述着色层。例如，可以将纳米粒子、量子点等用于颜色转换层。
例如，可以使用将蓝色光转换为绿色光的颜色转换层代替着色层CFG。由此，可以将发光器件550G所发射的蓝色光转换为绿色光。另外，可以使用将蓝色光转换为红色光的颜色转换层代替着色层CFR。由此，可以将发光器件550R所发射的蓝色光转换为红色光。
本实施方式所示的结构可以适当地与其他实施方式所示的结构组合而使用。
(实施方式5)
在本实施方式中，参照图12对将实施方式2所示的发光器件用于照明装置的例子进行说明。通过将实施方式2所示的发光器件用于照明装置，可以实现放松效果高的照明装置、可以抑制用户的眼睛疲劳而提高睡眠质量的照明装置或者光疗法用照明装置。图12B是照明装置的俯视图，图12A是沿着图12B的线e-f的截面图。
在本实施方式的照明装置中，在用作支撑体的具有透光性的衬底400上形成有第一电极401。第一电极401相当于实施方式2中的第一电极101。当从第一电极401一侧取出光时，第一电极401使用具有透光性的材料形成。
另外，在衬底400上形成用来对第二电极404供应电压的焊盘412。
在第一电极401上形成有EL层403。EL层403相当于实施方式2中的EL层103的结构或组合第一发光单元511、第二发光单元512以及电荷产生层513的结构等。注意，作为它们的结构，参照各记载。
以覆盖EL层403的方式形成第二电极404。第二电极404相当于实施方式2中的第二电极102。当从第一电极401一侧取出光时，第二电极404使用反射率高的材料形成。通过使第二电极404与焊盘412连接，将电压供应到第二电极404。
如上所述，本实施方式所示的照明装置具备包括第一电极401、EL层403以及第二电极404的发光器件。由于该发光器件是发光效率高的发光器件，所以本实施方式的照明装置可以是低功耗的照明装置。
使用密封材料405、406将形成有具有上述结构的发光器件的衬底400和密封衬底407固定来进行密封，由此制造照明装置。另外，也可以仅使用密封材料405和406中的一个。另外，也可以使内侧的密封材料406(在图12B中未图示)与干燥剂混合，由此可以吸收水分而提高可靠性。
另外，通过以延伸到密封材料405、406的外部的方式设置焊盘412和第一电极401的一部分，可以将其用作外部输入端子。另外，也可以在外部输入端子上设置安装有转换器等的IC芯片420等。
如上所述，本实施方式所记载的照明装置在EL元件中使用实施方式2所示的发光器件，可以实现低功耗的照明装置。
(实施方式6)
在本实施方式中，对在其一部分包括实施方式2所示的发光器件的电子设备的例子进行说明。实施方式2所示的发光器件是发光效率良好且功耗低的发光器件。其结果是，本实施方式所记载的电子设备可以实现包括功耗低的发光部的电子设备。
作为采用上述发光器件的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视机或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。以下，示出这些电子设备的具体例子。
图13A示出电视装置的一个例子。在电视装置中，外壳7101中组装有显示部7103。另外，在此示出利用支架7105支撑外壳7101的结构。可以利用显示部7103显示图像，并且将实施方式2所示的发光器件排列为矩阵状而构成显示部7103。
可以通过利用外壳7101所具备的操作开关、另行提供的遥控操作机7110进行电视装置的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以控制频道、音量，由此可以控制显示在显示部7103上的图像。另外，也可以在遥控操作机7110中设置用来显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107。
另外，电视装置采用具备接收机、调制解调器等的结构。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，能够进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图13B示出计算机，该计算机包括主体7201、外壳7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。另外，该计算机通过将实施方式2所示的发光器件排列为矩阵状并用于显示部7203而制造。图13B中的计算机也可以为如图13C所示的方式。图13C所示的计算机设置有第二显示部7210代替键盘7204及指向装置7206。第二显示部7210是触摸面板，通过利用指头或专用笔操作显示在第二显示部7210上的输入用显示，能够进行输入。另外，第二显示部7210不仅能够显示输入用显示，而且可以显示其他图像。另外，显示部7203也可以是触摸面板。因为两个屏面通过铰链部连接，所以可以防止在收纳、搬运时发生问题如屏面受伤、破坏等。
图13D示出便携式终端的一个例子。移动电话机具备组装在外壳7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，移动电话机包括将实施方式2所示的发光器件排列为矩阵状而制造的显示部7402。
图13D所示的便携式终端也可以具有用指头等触摸显示部7402来输入信息的结构。在此情况下，能够用指头等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。
显示部7402主要有三种屏面模式。第一是以图像的显示为主的显示模式，第二是以文字等的信息的输入为主的输入模式。第三是混合显示模式和输入模式的两个模式的显示输入模式。
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，可以采用将显示部7402主要用于输入文字的文字输入模式而输入在屏面上显示的文字。在此情况下，优选在显示部7402的屏面的大部分上显示键盘或号码按钮。
另外，通过在便携式终端内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，可以判断便携式终端的方向(纵或横)而自动进行显示部7402的屏面显示的切换。
另外，通过触摸显示部7402或对外壳7401的操作按钮7403进行操作，来进行屏面模式的切换。或者，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类切换屏面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏面模式切换成显示模式，而当该图像信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。
另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号而得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制以将屏面模式从输入模式切换成显示模式。
也可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或指头触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，能够进行个人识别。另外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光源或发射近红外光的感测用光源，也能够拍摄指静脉、手掌静脉等。
图14A是示出扫地机器人的一个例子的示意图。
扫地机器人5100包括顶面上的显示器5101及侧面上的多个照相机5102、刷子5103及操作按钮5104。虽然未图示，但是扫地机器人5100的底面设置有轮胎和吸入口等。此外，扫地机器人5100还包括红外线传感器、超音波传感器、加速度传感器、压电传感器、光传感器、陀螺仪传感器等各种传感器。另外，扫地机器人5100包括无线通信单元。
扫地机器人5100可以自动行走，检测垃圾5120，可以从底面的吸入口吸引垃圾。
另外，扫地机器人5100对照相机5102所拍摄的图像进行分析，可以判断墙壁、家具或台阶等障碍物的有无。另外，在通过图像分析检测布线等可能会绕在刷子5103上的物体的情况下，可以停止刷子5103的旋转。
可以在显示器5101上显示电池的剩余电量、所吸引的垃圾的量等。可以在显示器5101上显示扫地机器人5100的行走路径。另外，显示器5101可以是触摸面板，可以将操作按钮5104显示在显示器5101上。
扫地机器人5100可以与智能手机等便携式电子设备5140互相通信。照相机5102所拍摄的图像可以显示在便携式电子设备5140上。因此，扫地机器人5100的拥有者在出门时也可以知道房间的情况。另外，可以使用智能手机等便携式电子设备5140确认显示器5101的显示内容。
可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示器5101。
图14B所示的机器人2100包括运算装置2110、照度传感器2101、麦克风2102、上部照相机2103、扬声器2104、显示器2105、下部照相机2106、障碍物传感器2107及移动机构2108。
麦克风2102具有检测使用者的声音及周围的声音等的功能。另外，扬声器2104具有发出声音的功能。机器人2100可以使用麦克风2102及扬声器2104与使用者交流。
显示器2105具有显示各种信息的功能。机器人2100可以将使用者所希望的信息显示在显示器2105上。显示器2105可以安装有触摸面板。显示器2105可以是可拆卸的信息终端，通过将该信息终端设置在机器人2100的所定位置，可以进行充电及数据的收发。
上部照相机2103及下部照相机2106具有对机器人2100的周围环境进行摄像的功能。另外，障碍物传感器2107可以检测机器人2100使用移动机构2108移动时的前方的障碍物的有无。机器人2100可以使用上部照相机2103、下部照相机2106及障碍物传感器2107认知周围环境而安全地移动。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示器2105。
图14C是示出护目镜型显示器的一个例子的图。护目镜型显示器例如包括外壳5000、显示部5001、扬声器5003、LED灯5004、连接端子5006、传感器5007(它具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风5008、显示部5002、支撑部5012、耳机5013等。
可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示部5001及显示部5002。
图15示出将实施方式2所示的发光器件用于作为照明装置的台灯的例子。图15所示的台灯包括外壳2001和光源2002，并且作为光源2002也可以使用实施方式4所示的照明装置。
图16示出将实施方式2所示的发光器件用于室内的照明装置3001的例子。由于实施方式2所示的发光器件是发光效率高的发光器件，所以可以提供低功耗的照明装置。另外，因为实施方式2所示的发光器件能够实现大面积化，所以能够用于大面积的照明装置。另外，因为实施方式2所示的发光器件的厚度薄，所以能够制造实现薄型化的照明装置。
还可以将实施方式2所示的发光器件安装在汽车的挡风玻璃或仪表盘上。图17示出将实施方式2所示的发光器件用于汽车的挡风玻璃或仪表盘的一个方式。显示区域5200至显示区域5203是使用实施方式2所示的发光器件设置的显示区域。
显示区域5200和显示区域5201是设置在汽车的挡风玻璃上的安装有实施方式2所示的发光器件的显示装置。通过使用具有透光性的电极制造实施方式2所示的发光器件的第一电极和第二电极，可以得到能看到对面的景色的所谓的透视式显示装置。若采用透视式显示，即使设置在汽车的挡风玻璃上，也不妨碍视界。另外，在设置用来驱动的晶体管等的情况下，优选使用具有透光性的晶体管，诸如使用有机半导体材料的有机晶体管、使用氧化物半导体的晶体管等。
显示区域5202是设置在立柱部分的安装有实施方式2所示的发光器件的显示装置。通过在显示区域5202上显示来自设置在车厢上的成像单元的图像，可以补充被立柱遮挡的视界。另外，同样地，设置在仪表盘部分上的显示区域5203通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的图像，能够补充被车厢遮挡的视界的死角，而提高安全性。通过显示图像以补充不看到的部分，更自然且简单地确认安全。
显示区域5203还可以提供导航信息、速度、转速数、行车距离、燃料的剩余量、排档状态、空调的设定等各种信息。使用者可以适当地改变显示内容、布置等。另外，这些信息也可以显示在显示区域5200至显示区域5202上。另外，也可以将显示区域5200至显示区域5203用作照明装置。
图18A和图18B示出可折叠的便携式信息终端5150。可折叠的便携式信息终端5150包括外壳5151、显示区域5152及弯曲部5153。图18A示出展开状态的便携式信息终端5150。图18B示出折叠状态的便携式信息终端。虽然便携式信息终端5150具有较大的显示区域5152，但是通过将便携式信息终端5150折叠，便携式信息终端5150变小而可便携性好。
可以由弯曲部5153将显示区域5152折叠成一半。弯曲部5153由可伸缩的构件和多个支撑构件构成，在折叠时，可伸缩的构件被拉伸，以弯曲部5153具有2mm以上，优选为3mm以上的曲率半径的方式进行折叠。
另外，显示区域5152也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入/输出装置)。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示区域5152。
此外，图19A至图19C示出能够折叠的便携式信息终端9310。图19A示出展开状态的便携式信息终端9310。图19B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的便携式信息终端9310。图19C示出折叠状态的便携式信息终端9310。便携式信息终端9310在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
显示面板9311由铰链9313所连接的三个外壳9315支撑。注意，显示面板9311也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入/输出装置)。另外，通过在两个外壳9315之间的铰链9313处弯折显示面板9311，可以使便携式信息终端9310从展开状态可逆性地变为折叠状态。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示面板9311。
另外，本实施方式所示的结构可以与实施方式1至实施方式5所示的结构适当地组合来使用。
另外，本发明的一个方式的化合物可以用于有机薄膜太阳能电池(OPV)、有机光二极管(OPD)等光电转换元件。更具体而言，该化合物具有载流子传输性，因此可以将其用于载流子传输层及载流子注入层。此外，通过使用与供体物质的混合膜，可以被用作电荷产生层。此外，由于产生光激发，所以可以被用作发电层及活性层。
如上所述，具备实施方式2所示的发光器件的发光装置的应用范围极为广泛，而能够将该发光装置用于各种领域的电子设备。通过使用实施方式2所示的发光器件，可以得到功耗低的电子设备。
[实施例1]
<<合成例1>>
在本实施例中，说明实施方式1中由结构式(100)表示的本发明的有机金属配合物的一个方式双[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC][2-(6-苯基-4-嘧啶基-κN3)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(pqn)2(dppm)])的合成方法。以下示出[Ir(pqn)2(dppm)]的结构。
[化学式12]
<步骤1：2-苯基喹啉(简称：Hpqn)的合成>
将7.8g(38mmol)的2-溴喹啉、5.5g(45mmol)的苯基硼酸、113mL的2M碳酸钾水溶液以及125mL的1，2-二甲氧基乙烷(DME)放入300mL三口烧瓶中，用氮气置换烧瓶内的空气。对该混合物加入1.2g(1.0mmol)的四(三苯基膦)钯，在90℃下进行3.5小时的加热回流。对所得到的反应溶液加入水，用乙酸乙酯进行萃取。用饱和食盐水洗涤得到的萃取溶液，并对有机层加入无水硫酸镁进行干燥。对所得到的混合物进行重力过滤而得到滤液。浓缩该滤液而得到固体。将该固体溶解于甲苯，通过依次层叠硅藻土、矾土、硅藻土而成的叠层进行抽滤。浓缩滤液而得到固体。通过硅胶柱层析法生成该固体。作为展开溶剂使用甲苯。浓缩所得到的馏分，以95％的收率得到7.3g的白色固体。下述式(a-1)示出步骤1的合成方案。
[化学式13]
<步骤2：二-μ-氯-四[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC]二铱(III)(简称：[Ir(pqn)2Cl]2])的合成>
将通过上述步骤1的合成方法得到的3g(15mmol)的Hpqn、1.97g(6.6mmol)的IrCl3·H2O、81mL的2-乙氧基乙醇以及27mL的水放入三口烧瓶中，用氩气置换烧瓶内的空气。在400W且100℃的条件下对该混合物照射1小时的微波而进行加热，由此进行反应。经过指定时间之后，对所得到的混合物进行抽滤，用水、乙醇洗涤固体。对所得到的滤液进行浓缩，依次用水、乙醇进行洗涤而得到固体。对通过两次抽滤得到的固体进行合并，用甲苯进行洗涤，由此以53％的收率得到2.2g的橙色固体。下述式(a-2)示出步骤2的合成方案。
[化学式14]
<步骤3：双[2-(2-喹啉基-κN)苯基-κC][2-(6-苯基-4-嘧啶基-κN3)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(pqn)2(dppm)])的合成>
将通过上述步骤2得到的2.2g(1.73mmol)的[Ir(pqn)2Cl]2以及200mL的二氯甲烷放入三口烧瓶中，对其滴加0.89g(3.5mmol)的三氟甲磺酸银(简称：AgOTf)与15mL的甲醇的混合溶液，在室温下搅拌16小时。经过指定时间后，通过硅藻土过滤所得到的混合物，浓缩滤液而得到2.32g的深红色固体。将所得到的固体、1.2g(5.19mmol)的2，6-二苯基嘧啶(简称：Hdppm)以及130mL的乙醇放入三口烧瓶中，进行25小时的加热回流。浓缩所得到的混合物，对其加入3mL的乙醇进行抽滤。通过硅胶柱层析法使所得到的固体纯化。作为展开溶剂使用二氯甲烷。并且，通过高效液相层析法对所得到的0.79g的固体进行纯化。流动相的溶剂使用氯仿。用己烷洗涤所得到的固体，以24％的收率得到0.680g的红色固体。利用梯度升华方法对所得到的0.59g的红色固体进行两次升华纯化。在升华纯化中，在压力为1.5至1.7×10-3Pa且氩流量为0mL/min的条件下以285℃至295℃加热固体。升华纯化之后，以24％的收率得到目的物的红色固体。下述式(a-3)示出步骤3的合成方案。
[化学式15]
利用核磁共振法(NMR)对通过上述步骤3得到的红色固体的质子(1H)进行测量。以下示出所得到的值。另外，图20示出1H-NMR谱。由此可知，在本合成例中得到了由上述结构式(100)表示的本发明的有机金属配合物的一个方式[Ir(pqn)2(dppm)]。
1H-NMR.δ(CD2Cl2)：6.44(d，1H)，6.55(t，2H)，6.72-6.77(m，4H)，6.83(t，1H)，6.94-6.99(m，2H)，7.04(t，1H)，7.25-7.31(m，2H)，7.48-7.49(m，3H)，7.66(d，1H)，7.33-7.78(m，3H)，7.92(d，1H)，7.96(d，1H)，8.05-8.10(m，4H)，8.13(d，1H)，8.20(d，1H)，8.25-8.29(m，2H)，8.34(s，1H).
接着，测量[Ir(pqn)2(dppm)]的二氯甲烷溶液的紫外可见吸收光谱(以下简称为“吸收光谱”)及发射光谱。使用紫外可见分光光度计(由日本分光株式会社制造的V550型)测量吸收光谱。将二氯甲烷溶液(0.0123mmol/L)放在石英皿中，在室温下进行测量。注意，从将二氯甲烷溶液(0.0123mmol/L)放在石英皿中而测量的吸收光谱减去仅将二氯甲烷的放在石英皿中而测量的吸收光谱来示出吸收光谱。发射光谱的测量使用绝对PL量子产率测量装置(由日本滨松光子学株式会社制造的C11347-01)。在手套箱(由日本Bright株式会社制造的LABstarM13(1250/780)中，在氮气氛下将二氯甲烷脱氧溶液(0.0123mmol/L)放在石英皿中，密封，并在室温下测量。
图21示出吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。
如图21所示，[Ir(pqn)2(dppm)]在606nm具有发光峰，二氯甲烷溶液中观察到红橙色发光。另外，[Ir(pqn)2(dppm)]的发射光谱的半宽为104nm。
[实施例2]
在本实施例中，说明作为本发明的一个方式的发光器件的将实施例1中说明的[Ir(pqn)2(dppm)]用于发光层的发光器件1的元件结构及其特性。表1示出本实施例中使用的发光器件1的具体结构。此外，以下示出在本实施例中使用的材料的化学式。
[表1]
*2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(pqn)2(dppm)](0.8:0.2:0.1 40nm)
[化学式16]
<<发光器件1的制造>>
如图22所示，本实施例所示的发光器件1具有如下结构：在形成在衬底900上的第一电极901上依次层叠有空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914以及电子注入层915，且在电子注入层915上层叠有第二电极903。
首先，在衬底900上形成第一电极901。电极面积为4mm2(2mm×2mm)。另外，作为衬底900使用玻璃衬底。第一电极901通过利用溅射法形成厚度为70nm的包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)而形成。
在此，作为预处理，利用水对衬底表面进行洗涤，在200℃的温度下焙烧1小时，然后进行UV臭氧处理370秒。然后，将衬底放入其内部被减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，在170℃的温度下进行真空焙烧60分钟，然后对衬底进行冷却30分钟左右。
接着，在第一电极901上形成空穴注入层911。在真空蒸镀装置内被减压到10-4Pa之后，将4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)和氧化钼(简称：MoOx)以DBT3P-II：氧化钼＝2：1(质量比)且厚度为70nm的方式共蒸镀，来形成空穴注入层911。
接着，在空穴注入层911上形成空穴传输层912。以厚度为20nm的方式蒸镀4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)，来形成空穴传输层912。
接着，在空穴传输层912上形成发光层913。
将2-[3-(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)和[Ir(pqn)2(dppm)]以2mDBTBPDBq-II：PCBBiF：[Ir(pqn)2(dppm)]＝0.8：0.2：0.1且厚度为40nm的方式共蒸镀，来形成发光层913。
接着，在发光层913上形成电子传输层914。在以厚度为30nm的方式蒸镀2mDBTBPDBq-II之后以厚度为15nm的方式蒸镀2，9-二(2-萘基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)，来形成电子传输层914。
接着，在电子传输层914上形成电子注入层915。电子注入层915通过以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂(LiF)而形成。
接着，在电子注入层915上形成第二电极903。第二电极903通过以厚度为200nm的方式蒸镀铝而形成。在本实施例中，第二电极903被用作阴极。
通过上述工序在衬底900上形成在一对电极之间夹有EL层的发光器件1。另外，上述工序中说明的空穴注入层911、空穴传输层912、发光层913、电子传输层914以及电子注入层915是构成本发明的一个方式中的EL层的功能层。另外，在上述制造方法的蒸镀过程中，都利用电阻加热法进行蒸镀。
以不暴露于大气的方式在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光器件1(将密封剂涂敷于器件的周围，并且在密封时进行UV处理并以80℃进行1小时的热处理)。
<<发光器件1的工作特性>>
接着，测量发光器件1的工作特性。在室温(气氛保持在25℃下)下进行该测量。图23示出发光器件1的亮度-电流密度特性，图24示出电流效率-亮度特性，图25示出亮度-电压特性，图26示出电流-电压特性。另外，以下表2示出发光器件1的1000cd/m2附近的主要初始特性值。
[表2]
图27示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光器件1时的发射光谱。从图27可知，发光器件1的发射光谱在603nm具有峰，发光器件1呈现来源于用于其EL层的有机金属配合物[Ir(pqn)2(dppm)]的发光。另外，发光器件1的发射光谱的半宽为100nm。
当电致发光光谱的半宽这样宽时提高显色性所以是优选的，但是电致发光光谱的半宽较宽是由于使用的发光材料的迁移状态下的结构变化大而引起的，所以有发光效率下降的问题。但是，可知通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物可以得到高效率发光器件。本发明的一个方式的有机金属配合物是适用于这种高效率且电致发光光谱的半宽较宽的暖色发光器件的材料。
接着，进行发光器件1的可靠性测试。图28示出可靠性测试的结果。在图28中，纵轴表示初始亮度为100％时的归一化亮度(％)，横轴表示元件的驱动时间(h)。可靠性测试是以2mA进行的恒流驱动测试。
由图28所示的可靠性测试结果可知，使用本发明的一个方式的有机金属配合物的发光器件1呈现高可靠性。此外，在本发明的一个方式的有机金属配合物中，HOMO和LUMO分别分布于不同的配体而在空间上分离，由此可以实现在整体上HOMO浅且LUMO深的有机金属配合物。也就是说，在用作发光器件1中的发光材料的有机金属配合物中，在传输载流子和处于激发状态这双方的时候，空穴分布于对空穴的耐性高的配体(HOMO容易分布的第二配体)，电子分布于对电子的耐性高的配体(LUMO容易分布的第一配体)。由此，传输载流子和处于激发状态时的稳定性得到提高，可以制造长寿命发光器件。
另外，通过这种HOMO与LUMO的分离，有机金属配合物本身可以传输双方的载流子。本发明的一个方式的有机金属配合物包括两个主要分布有HOMO的苯基喹啉化合物以及一个主要分布有LUMO的苯基嘧啶化合物作为配体。由此可知，不但有机金属配合物的空穴注入性及电子注入性得到改善，而且空穴传输性与电子传输性的平衡得到改善，发光区域也不易变窄，元件的可靠性得到提高。这也可认为是使用本发明的一个方式的有机金属配合物的发光器件实现长寿命化的原因之一。
[符号说明]
101：第一电极、102：第二电极、103：EL层、103B：EL层、103G：EL层、103R：EL层、103P：EL层、103Q：EL层、104B：空穴注入/传输层、104G：空穴注入/传输层、104R：空穴注入/传输层、104P：空穴注入/传输层、104Q：空穴注入/传输层、106B：电荷产生层、106G：电荷产生层、106R：电荷产生层、107：阻挡层、111：空穴注入层、112：空穴传输层、113：发光层、113B：发光层、113G：发光层、113R：发光层、114：电子传输层、115：电子注入层、116：电荷产生层、117：P型层、118：电子中继层、119：电子注入缓冲层、400：衬底、401：第一电极、403：EL层、404：第二电极、405：密封材料、406：密封材料、407：密封衬底、412：焊盘、420：IC芯片、501：阳极、502：阴极、510：衬底、511：第一发光单元、512：第二发光单元、513：电荷产生层、520：功能层、528：分隔壁、528B：开口部、528G：开口部、528R：开口部、550B：发光器件、550G：发光器件、550R：发光器件、551B：电极、551G：电极、551R：电极、552：电极、580：间隙、601：驱动电路部(源极线驱动电路)、602：像素部、603：驱动电路部(栅极线驱动电路)、604：密封衬底、605：密封材料、607：空间、608：布线、609：FPC(柔性电路板)、610：元件衬底、611：开关FET、612：电流控制FET、613：第一电极、614：绝缘物、616：EL层、617：第二电极、618：发光器件、700：发光装置、705：绝缘层、770：衬底、900：衬底、901：第一电极、903：第二电极、911：空穴注入层、912：空穴传输层、913：发光层、914：电子传输层、915：电子注入层、951：衬底、952：电极、953：绝缘层、954：隔离层、955：EL层、956：电极、1001：衬底、1002：基底绝缘膜、1003：栅极绝缘膜、1006：栅电极、1007：栅电极、1008：栅电极、1020：第一层间绝缘膜、1021：第二层间绝缘膜、1022：电极、1024W：第一电极、1024R：第一电极、1024G：第一电极、1024B：第一电极、1025：分隔壁、1028：EL层、1029：第二电极、1031：密封衬底、1032：密封材料、1033：透明基材、1034R：红色着色层、1034G：绿色着色层、1034B：蓝色着色层、1035：黑矩阵、1036：覆盖层、1037：第三层间绝缘膜、1040：像素部、1041：驱动电路部、1042：周边部、2001：外壳、2002：光源、2100：机器人、2110：运算装置、2101：照度传感器、2102：麦克风、2103：上部照相机、2104：扬声器、2105：显示器、2106：下部照相机、2107：障碍物传感器、2108：移动机构、3001：照明装置、5000：外壳、5001：显示部、5002：显示部、5003：扬声器、5004：LED灯、5006：连接端子、5007：传感器、5008：麦克风、5012：支撑部、5013：耳机、5100：扫地机器人、5101：显示器、5102：照相机、5103：刷子、5104：操作按钮、5150：便携式信息终端、5151：外壳、5152：显示区域、5153：弯曲部、5120：垃圾、5200：显示区域、5201：显示区域、5202：显示区域、5203：显示区域、7101：外壳、7103：显示部、7105：支架、7107：显示部、7109：操作键、7110：遥控操作机、7201：主体、7202：外壳、7203：显示部、7204：键盘、7205：外部连接端口、7206：指向装置、7210：第二显示部、7401：外壳、7402：显示部、7403：操作按钮、7404：外部连接端口、7405：扬声器、7406：麦克风、9310：便携式信息终端、
9311：显示面板、9313：铰链、9315：外壳

Claims (13)

1.一种由通式(G1)表示的有机金属配合物，
[化学式1]
(在通式(G1)中，R1至R16分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。)
2.一种由通式(G2)表示的有机金属配合物，
[化学式2]
(在通式(G2)中，R1至R15以及R17至R21分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基中的任一个。)
3.根据权利要求1或2所述的有机金属配合物，
其中发射光谱的半宽为90nm以上且120nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机金属配合物，
其中发射光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下。
5.一种由结构式(100)表示的有机金属配合物，
[化学式3]
6.一种使用权利要求1至5中任一项所述的有机金属配合物的发光器件。
7.一种发光器件，包括：
一对电极间的EL层，
其中，所述EL层包含权利要求1至5中任一项所述的有机金属配合物。
8.一种发光器件，包括：
一对电极间的EL层，
其中，所述EL层包括发光层，
并且，所述发光层包含权利要求1至5中任一项所述的有机金属配合物。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的发光器件，
其中电致发光光谱的半宽为90nm以上且120nm以下。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的发光器件，
其中电致发光光谱的峰值波长为590nm以上且620nm以下。
11.一种发光装置，包括：
权利要求6至10中任一项所述的发光器件；以及
晶体管和衬底中的至少一个。
12.一种电子设备，包括：
权利要求11所述的发光装置；以及
麦克风、照相机、操作按钮、外部连接部和扬声器中的至少一个。
13.一种照明装置，包括：
权利要求6至10中任一项所述的发光器件；以及
外壳。
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