CN109411469A - 电气装置 - Google Patents

电气装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109411469A
CN109411469A CN201810228835.0A CN201810228835A CN109411469A CN 109411469 A CN109411469 A CN 109411469A CN 201810228835 A CN201810228835 A CN 201810228835A CN 109411469 A CN109411469 A CN 109411469A
Authority
CN
China
Prior art keywords
variable inductor
capacitor
electric device
electrically connected
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810228835.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109411469B (zh
Inventor
孔政渊
林弘毅
李德章
谢盛祺
陈建桦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Original Assignee
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Engineering Inc filed Critical Advanced Semiconductor Engineering Inc
Publication of CN109411469A publication Critical patent/CN109411469A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109411469B publication Critical patent/CN109411469B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/40—Structural association with built-in electric component, e.g. fuse
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
    • H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2847—Sheets; Strips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G15/00—Structural combinations of capacitors or other devices covered by at least two different main groups of this subclass with each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G17/00—Structural combinations of capacitors or other devices covered by at least two different main groups of this subclass with other electric elements, not covered by this subclass, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/10—Inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
    • H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
    • H01F2021/125—Printed variable inductor with taps, e.g. for VCO
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种电气装置包括衬底、第一电介质层、第一裸片、可调电感器和第二裸片。所述衬底具有第一表面。所述第一电介质层被安置在所述衬底的所述第一表面上，且具有第一表面。所述第一裸片被所述第一电介质层包围。所述可调电感器被电连接到所述第一裸片。所述可调电感器包括由所述第一电介质层包围的多个导柱、安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第一金属条，以及安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第二金属条。所述第二金属条中的至少一个的宽度与所述第一金属条中的至少一个的宽度不同。所述第二裸片被电连接到所述可调电感器。

Description

电气装置
技术领域
本发明涉及电气装置，且涉及包含可调电容器和可调电感器的电气装置。
背景技术
在半导体装置封装中，无源组件(例如电感器或电容器)可用于阻抗匹配。然而，无源组件的大小可能不利地影响半导体装置封装的小型化。
这一问题的一个可能的解决方案是将无源组件内嵌在半导体衬底中。然而，可能难以轻易地对此类嵌入无源组件进行配置、修改或代替以进行阻抗匹配。
发明内容
在一或多个实施例中，根据一个方面，一种电气装置包含衬底、第一电介质层、第一裸片、可调电感器和第二裸片。所述衬底具有第一表面。所述第一电介质层被安置在所述衬底的所述第一表面上且具有第一表面。所述第一裸片被所述第一电介质层包围。所述可调电感器被电连接到所述第一裸片。所述可调电感器包含被所述第一电介质层包围的多个导柱、安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第一金属条，以及被安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第二金属条。所述第二金属条中的至少一个的宽度与所述第一金属条中的至少一个的宽度不同。所述第二裸片被电连接到所述可调电感器。
在一或多个实施例中，根据另一方面，一种电气装置包含衬底、第一可调电容器、第一电介质层、第二电介质层、第一裸片、第一可调电感器和第二裸片。所述衬底具有第一表面。所述第一可调电容器被安置在所述衬底上。所述第一电介质层被安置在所述衬底的所述第一表面上。所述第一电介质层包围所述第一可调电容器。所述第二电介质层被安置在所述第一电介质层上。所述第一裸片被电连接到所述第一可调电容器。所述第一可调电感器被电连接到所述第一可调电容器。所述第一可调电感器包含多个导柱。所述导柱中的每一个被所述第二电介质层包围。所述第二裸片被电连接到所述第一可调电感器。
在一或多个实施例中，根据另一方面，一种电气装置包含衬底、第一可调电容器、第一裸片、第一可调电感器和第二裸片。所述衬底具有第一表面。所述第一可调电容器被安置在所述衬底的所述第一表面上。所述第一裸片被电连接到所述第一可调电容器。所述第一可调电感器被电连接到所述第一可调电容器。所述第一可调电感器包含围绕第一轴线螺旋的螺旋结构。所述第一轴线穿过所述第一可调电容器。所述第二裸片被电连接到所述第一可调电感器。
附图说明
图1是根据本发明的一些实施例的电气装置的俯视图。
图2是图1中展示的电气装置的横截面视图。
图3是根据本发明的一些实施例的可调电容器的俯视图。
图4是根据本发明的一些实施例的可调电感器的俯视图。
图5A和图5B是根据本发明的一些实施例的电气装置的俯视图。
图5C是图5A中展示的电气装置的示意性电路图。
图6A是根据本发明的一些实施例的电气装置的俯视图。
图6B是图6A中展示的电气装置的示意性电路图。
图7A是根据本发明的一些实施例的电气装置的俯视图。
图7B是图7A中展示的电气装置的示意性电路图。
图8A是根据本发明的一些实施例的电气装置的俯视图。
图8B是图8A中展示的电气装置的示意性电路图。
贯穿图式和详细描述使用共同参考编号来指示相同或相似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易地理解本发明的实施例。
具体实施方式
本发明中所描述的技术被用于提供包含可调电容器和可调电感器的电气装置。
空间描述，包含例如“上方”、“下方”、“向上”、“左侧”、“右侧”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“旁侧”、“较高”、“较低”、“上部”、“跨越”、“下面”等等的术语，除非另外规定，否则在本文中相对于相对应图式中展示的取向使用。应理解，本文中所使用的空间描述是出于说明的目的，并且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何取向或方式在空间上布置，其限制条件为本发明的实施例的优点不因此布置而有偏差。
图1是根据本发明的一些实施例的电气装置1的俯视图。电气装置1包含裸片20(还被称作“裸片1”)和裸片22(还被称作“裸片2”)、可调电感器30和30'，以及可调电容器60和60'。
在一或多个实施例中，可调电容器60包含至少两个电容器62和64。电容器62的电容与电容器64的电容不同。可通过选择包含在可调电容器60中的电容器的不同电连接组合，来调整可调电容器60的有效电容。在一或多个实施例中，可调电容器60'包含至少两个电容器62'和64'。电容器62'的电容与电容器64'的电容不同。可通过选择包含在可调电容器60'中的电容器的不同电连接组合，来调整可调电容器60'的有效电容。
在一或多个实施例中，可调电容器60被电连接到裸片20，且可调电容器60'被电连接到裸片22。可调电容器60被安置为邻近于裸片20，且可调电容器60'被安置为邻近于裸片22。可调电容器60被安置为邻近于可调电容器60'。可调电容器60可被安置在可调电容器60'与裸片20之间。可调电容器60'可被安置在可调电容器60与裸片22之间。
在一些实施例中，可调电感器30和30'彼此被电连接。可调电感器30与裸片20邻接，且可调电感器30'与裸片22邻接。在一或多个实施例中，可调电感器30被电连接到可调电容器60，且可调电感器30'被电连接到可调电容器60'。可调电感器30包含围绕轴线90螺旋的导电性螺旋结构。轴线90穿过可调电容器60。可调电感器30'包含围绕轴线92螺旋的导电性螺旋结构。轴线92穿过可调电容器60'。在一或多个实施例中，轴线90大体上平行于轴线92。在一或多个实施例中，电气装置1可包含超过两个可调电容器和可调电感器。半导体结构的可调电感器30和30'以及可调电容器60和60'可在阻抗匹配期间实现灵活性。可调电感器30可包含区域32，其包含金属条；且可包含区域34，其包含相较于区域32的那些金属条更粗的金属条(如图4所示)。可调电感器30'可包含区域32'和34'，其分别类似于区域32和区域34。
图2是图1中展示的电气装置1的横截面视图。电气装置1包含衬底10、电介质层40和42、钝化层50、裸片20和裸片22、可调电感器30、可调电容器60和导电性互连结构99。可调电感器30'和可调电容器60'可被包含在电气装置1中，但未被展示。如下文详细描述，电介质层40可支持多个导柱80，以及一或多个金属条82，以及一或多个金属条84。可调电容器60的结构类似于可调电容器60'的结构。可调电感器30的结构类似于可调电感器30'的结构。半导体结构的可调电感器30和30'以及可调电容器60和60'可减小电气装置1的厚度。在一或多个实施例中，可调电容器60'被电连接到可调电感器30，且可调电容器60被电连接到可调电感器30和可调电感器30'。
衬底10包含玻璃、硅、二氧化硅(SiO2)，或其组合。衬底10具有顶部表面101和与表面101相对的表面102。电介质层42被安置在衬底10的表面101上。电介质层42具有顶部表面421。电介质层40被安置在电介质层42的顶部表面421上。裸片20被电介质层40包围。电介质层40具有顶部表面401。裸片20被电连接到可调电容器60。可调电感器30被电连接到可调电容器60。裸片22被电连接到可调电感器30。
在一些实施例中，电介质层40包含合适的绝缘材料。例如，电介质层40可包含无机薄膜(例如氮化硅(SiNx)薄膜或氧化物薄膜)或有机薄膜(例如聚酰亚胺薄膜)；然而，可另外或替代地使用其它合适的材料。
可调电感器30被电连接到裸片20。可调电感器30被安置在电介质层42上。在一些实施例中，可调电感器30包含多个被电介质层40包围的多个导柱80、安置在电介质层40的表面401上且被电连接到多个导柱80的多个金属条82，安置在上电介质层40的表面401上且被电连接到多个导柱80的多个金属条84，以及安置在电介质层42的顶部表面421上的多个金属条86。金属条82中的每一个通过导柱80中的相应一个被连接到金属条86中的相应一个。可调电感器30包含安置在电介质层42的表面421上的多个金属条86。金属条84可具有大体上相同的宽度。金属条82可具有大体上相同的宽度。金属条84的宽度可不同于金属条82的宽度(例如，金属条84的宽度可大于金属条82的宽度)。
在一些实施例中，对应于金属条84的多个导柱80中的一个导柱80(例如，在其上安置金属条84的导柱80)的宽度大于对应于金属条82的多个导柱80中的另一个导柱80(例如，在其上安置金属条82的导柱80)的宽度。在一些实施例中，对应于金属条84的导柱80的宽度大体上与对应于金属条82的多个导柱80的宽度相同。
在一些实施例中，导柱80中的每一个被电介质层40包围。导柱80，以及金属条82、84和86包含铝(Al)、铜(Cu)、另一种、金属，或其合金(例如AlCu)中的一或多个。
可调电感器30包含安置在电介质层40的表面401上的接触焊盘88。接触焊盘88被电连接到金属条82中的至少一个和/或金属条84中的至少一个。可调电感器30至少部分地被钝化层50覆盖。钝化层50界定暴露接触焊盘88的开口52。接触焊盘88包含Al、Cu、另一种金属，或其合金(例如AlCu)中的一或多个。导电性互连结构99可被安置在钝化层50上。
可调电容器60包含电容器62和64。可调电容器60被安置在衬底10的表面101上且被电介质层42包围。电容器62的结构类似于电容器64的结构。在一或多个实施例中，电容器64包含底部电极601、安置在底部电极601上的绝缘层602，以及安置在绝缘层602上的顶部电极603。电容器62还可包含底部电极601、安置在底部电极601上的绝缘层602，以及顶部电极603。电容器62可包含与电容器64相同的底部电极601。
图3是根据本发明的一些实施例的可调电容器60的俯视图。图3中的可调电容器60包含八个电容器，包含电容器62、64，和电容器66，以及其它电容器。在一或多个实施例中，可调电容器60可包含最多两个电容器62和64。电容器的电容可大体上与电容器的电极面积成比例。图3中展示的电容器被标记以展示每个电容器的电极面积的相对大小—例如，电容器62包含面积是电容器66的电极面积的八倍大小的电极。电容器62的电容可因此为电容器66的电容的约八倍。在其它实施例中，电容器可包含面积不是最小电容器的电极面积的整数倍，而是这一面积的某一其它倍数的电极。在一或多个实施例中，可调电容器60可包含超过八个电容器。可调电容器60的有效电容可通过电连接电容器的不同组合来调整。
图4是根据本发明的一些实施例的可调电感器30的俯视图。在一或多个实施例中，图4中展示的可调电感器30包含焊盘0.25t、1t、1.25t、2t、0T、0.75T、1T、1.75T、2.75T、2T、3T、3.75T、4T、4.75T、5T、5.75T，以及6T。焊盘2t和0T还可分别被称作焊盘88和焊盘89。可调电感器30进一步包含金属条82、金属条84，以及导柱80(未展示)。金属条84中的一个的宽度与金属条82中的一个的宽度不同。对应于金属条84的导柱80中的一个的宽度大于对应于金属条82的导柱80中的另一个的宽度。可调电感器30的有效电感可通过电连接焊盘的不同组合来调整。
图5A是根据本发明的一些实施例的电气装置1的俯视图。可调电容器60经由第一导电性互连结构99被电连接到输出电极。输出电极被电连接到裸片20。可调电容器60'经由第二导电性互连结构99被电连接到输入电极。输入电极被电连接到裸片22。可调电容器60'被电连接到可调电容器60。可调电容器60被电连接到可调电感器30。可调电感器30被电连接到接地。这些电连接可例如经由导电性互连结构99被实施。
图5B是根据本发明的一些实施例的电气装置1的俯视图。图5B中的电气装置1的电路结构与图5A中的电气装置1的电路结构类似，例外为图5B中展示的导电性互连结构99的厚度和/或宽度大于图5A中展示的导电性互连结构99的厚度和/或宽度。
图5C是图5A中展示的电气装置1的示意性电路图。可分别对应于可调电容器60和60'的电容器C1和C2被串联。可对应于可调电感器30和30'中的至少一个的电感器L1的一端被连接到串接的电容器C1和C2之间的节点，且电感器L1的另一端被连接到接地。电容器C1和C2以及电感器L1的电路组合可被连接于裸片20与22之间，且那些组件的电容和电感值可被设定成调整在裸片20与22之间的阻抗(例如用于阻抗匹配)。
图6A是根据本发明的一些实施例的电气装置1的俯视图。可调电容器60经由第一导电性互连结构99被电连接到输出电极。输出电极被电连接到裸片20。可调电容器60'经由第二导电性互连结构99被电连接到输入电极。输入电极被电连接到裸片22。可调电容器60和60'各自被电连接到可调电感器30。可调电容器60和60'各自被电连接到接地。这些电连接可例如经由导电性互连结构99被实施。
图6B是图6A中展示的电气装置1的示意性电路图。电容器C1和C2，其可分别对应于可调电容器60和60'，被并联连接在可对应于可调电感器30和30'中的至少一个的电感器L1与接地之间。电容器C1和C2以及电感器L1的电路组合可被连接于裸片20与22之间，且那些组件的电容和电感值可被设定成调整在裸片20与22之间的阻抗(例如用于阻抗匹配)。
图7A是根据本发明的一些实施例的电气装置1的俯视图。可调电感器30经由第一导电性互连结构99被电连接到输出电极。可调电感器30'经由第二导电性互连结构99被电连接到输入电极。可调电感器30被电连接到可调电感器30'。可调电感器30被电连接到可调电容器60'。这些电连接可例如经由导电性互连结构99实施。可调电容器60'经由第三导电性互连结构99被电连接到接地。
图7B是图7A中展示的电气装置的示意性电路图。可分别对应于可调电感器30和30'的电感器L1和L2被串联。电容器C1的一端，其可对应于可调电容器60和60'中的至少一个，被连接到电感器L1与L2之间的节点，且电容器C1的另一端被连接到接地。电容器C1以及电感器L1和L2的电路组合可被连接于裸片20与22之间，且那些组件的电容和电感值可被设定成调整在裸片20与22之间的阻抗(例如用于阻抗匹配)。
图8A是根据本发明的一些实施例的电气装置1的俯视图。可调电容器60经由导电性互连结构99被电连接到输出和输入电极。输出电极被电连接到裸片20。输入电极被电连接到裸片22。可调电容器60被电连接到可调电感器30和30'。可调电感器30和30'被电连接到接地。这些电连接可例如经由导电性互连结构99被实施。
图8B是图8A中展示的电气装置的示意性电路图。电感器L1和L2，其可对应于可调电感器30和30'中的至少一个，被并联连接在可对应于可调电容器60和60'中的至少一个的电容器C1与接地之间。电容器C1以及电感器L1和L2的电路组合可被连接于裸片20与22之间，且那些组件的电容和电感值可被设定成调整在裸片20与22之间的阻抗(例如用于阻抗匹配)。
如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“大体”及“约”用以描述并考虑较小变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指事件或情形准确发生的例子以及事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，所述术语可指小于或等于数值的±10％的变化，例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％。举例来说，“大体上”平行可指相对于0°的小于或等于±10°(例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°、或小于或等于±0.05°)的角度变化范围。例如，关于两个值的术语“大致相等”或“大体上”相同可指两个值的比率处于0.9与1.1(含端值)之间的范围内。
此外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此范围格式是为了便利和简洁而使用，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围极限的数值，而且包含涵盖在那个范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值和子范围一般。
如果两个表面之间的位移不超过0.5μm、不超过1μm、不超过5μm、不超过10μm或不超过15μm，那么可认为这两个表面或侧面是对齐的。在一些实施例的描述中，提供在另一组件“上”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
如本文中所使用，术语“导电(conductive/electrically conductive)”和“电导率”是指转移电流的能力。导电材料通常指示对电流流动呈现极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(S/m)。通常，导电材料为电导率大于约104S/m(例如至少105S/m或至少106S/m)的一种材料。材料的电导率有时可随温度而变化。除非另外指定，否则材料的电导率是在室温下测量。
虽然已参考本发明的具体实施例描述并说明本发明，但这些描述和说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，可在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下，作出各种改变且取代等效物。所述图示可能未必按比例绘制。由于制造工艺及公差，本发明中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说明的本发明的其它实施例。应将本说明书和图式视为说明性的而非限定性的。可做出修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或过程适应于本发明的目标、精神和范围。所有此类修改是既定在所附权利要求书的范围内。虽然本文中所揭示的方法已参考按特定次序执行的特定操作加以描述，但应理解，可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序及分组不是对本发明的限制。

Claims (22)

1.一种电气装置，其包括：
衬底，其具有第一表面；
第一电介质层，其被安置在所述衬底的所述第一表面上，且具有第一表面；
第一裸片，其被所述第一电介质层包围；
可调电感器，其被电连接到所述第一裸片，所述可调电感器包括：被所述第一电介质层包围的多个导柱、安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第一金属条，以及安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第二金属条，
其中所述第二金属条中的至少一个的宽度与所述第一金属条中的至少一个的宽度不同；以及
第二裸片，其被电连接到所述可调电感器。
2.根据权利要求1所述的电气装置，其中所述可调电感器进一步包括接触焊盘，其被安置在所述第一电介质层的所述第一表面上，且被电连接到所述第一金属条中的至少一个或所述第二金属条中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的电气装置，其进一步包括第一钝化层，其中所述可调电感器被所述第一钝化层覆盖，且所述第一钝化层界定了暴露所述接触焊盘的开口。
4.根据权利要求3所述的电气装置，其进一步包括第一可调电容器，所述第一可调电容器至少包括第一电容器和第二电容器，且其中所述第一电容器的电容与所述第二电容器的电容不同，且其中所述可调电感器被电连接到所述第一可调电容器。
5.根据权利要求4所述的电气装置，其进一步包括安置在具有所述衬底的所述第一表面上的第二电介质层，其中所述第一可调电容器被所述第二电介质层包围，且其中所述第一电容器包括底部电极、安置在所述底部电极上的绝缘层，以及安置在所述绝缘层上的顶部电极。
6.根据权利要求5所述的电气装置，其中对应于所述第二金属条中的一个的所述导柱中的一个的宽度与对应于所述第一金属条中的一个的所述导柱中的另一个的宽度不同。
7.根据权利要求4所述的电气装置，其进一步包括被电连接到所述可调电感器的第二可调电容器。
8.根据权利要求4所述的电气装置，其进一步包括第二可调电容器，其中所述第二可调电容器至少包括第二电容器和第三电容器。
9.一种电气装置，其包括：
衬底，其具有第一表面；
第一可调电容器，其被安置在所述衬底上；
第一电介质层，其被安置在所述衬底的所述第一表面上，所述第一电介质层包围所述第一可调电容器；
第二电介质层，其被安置在所述第一电介质层上；
第一裸片，其被电连接到所述第一可调电容器；
第一可调电感器，其被电连接到所述第一可调电容器，所述第一可调电感器包括多个导柱，其中所述导柱中的每一个被所述第二电介质层包围；以及
第二裸片，其被电连接到所述第一可调电感器。
10.根据权利要求9所述的电气装置，其中所述第一可调电感器被安置在所述第一电介质层上，且其中所述第一可调电感器包括被安置在所述第一电介质层的第一表面上的多个第一金属条，以及被安置在所述第二电介质层的第一表面上的多个第二金属条，其中所述第一金属条中的每一个借助于所述导柱中的一个被对应地连接到所述第二金属条中的一个。
11.根据权利要求10所述的电气装置，其中所述第一可调电感器包括被安置在所述第一电介质层的所述第一表面上的多个第三金属条，且所述第二金属条中的至少一个的宽度与所述第一金属条中的至少一个的宽度不同。
12.根据权利要求11所述的电气装置，其中所述第一可调电感器进一步包括接触焊盘，其被安置在所述第二电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述第一金属条中的至少一个或所述第二金属条中的至少一个。
13.根据权利要求12所述的电气装置，其进一步包括第一钝化层，其中所述第一可调电感器被所述第一钝化层覆盖，且所述第一钝化层界定暴露所述接触焊盘的开口。
14.根据权利要求13所述的电气装置，其中所述第一可调电容器包括底部电极、安置在所述底部电极上的绝缘层，以及安置在所述绝缘层上的顶部电极。
15.根据权利要求13所述的电气装置，其中对应于所述第二金属条中的一个的所述导柱中的一个的宽度大于对应于所述第一金属条中的一个的所述导柱中的另一个的宽度。
16.根据权利要求10所述的电气装置，其中所述第一可调电容器至少包括第一电容器和第二电容器，且所述第一电容器的电容与所述第二电容器的电容不同。
17.根据权利要求16所述的电气装置，其进一步包括被电连接到所述第一可调电感器的第二可调电容器。
18.根据权利要求9所述的电气装置，其进一步包括第二可调电感器，其中所述第一可调电容器被电连接到所述第一可调电感器和所述第二可调电感器。
19.一种电气装置，其包括：
衬底，其具有第一表面；
第一可调电容器，其被安置在所述衬底的所述第一表面上；
第一裸片，其被电连接到所述第一可调电容器；
第一可调电感器，其被电连接到所述第一可调电容器，所述第一可调电感器包括围绕第一轴线螺旋的螺旋结构，其中所述第一轴线穿过所述第一可调电容器；以及第二裸片，其被电连接到所述第一可调电感器。
20.根据权利要求19所述的电气装置，其进一步包括安置在所述衬底的所述第一表面上的第二可调电容器，其中所述第一可调电容器被安置为邻近于所述第一裸片，所述第二可调电容器被安置为邻近于所述第二裸片，且所述第一可调电容器被安置为邻近于所述第二可调电容器。
21.根据权利要求20所述的电气装置，其进一步包括第二可调电感器，其中所述第一可调电感器与所述第一裸片邻接且所述第二可调电感器与所述第二裸片邻接，且所述第二可调电感器包括围绕第二轴线螺旋的螺旋结构，其中所述第二轴线穿过所述第二可调电容器。
22.根据权利要求21所述的电气装置，其中所述第一轴线大致上平行于所述第二轴线。
CN201810228835.0A 2017-08-17 2018-03-20 电气装置 Active CN109411469B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/680,059 US10490341B2 (en) 2017-08-17 2017-08-17 Electrical device
US15/680,059 2017-08-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109411469A true CN109411469A (zh) 2019-03-01
CN109411469B CN109411469B (zh) 2024-04-30

Family

ID=65360737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810228835.0A Active CN109411469B (zh) 2017-08-17 2018-03-20 电气装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10490341B2 (zh)
CN (1) CN109411469B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022222405A1 (zh) * 2021-04-23 2022-10-27 京东方科技集团股份有限公司 可调滤波器及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10861840B2 (en) * 2017-08-30 2020-12-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Integrated passive component and method for manufacturing the same
US20230170131A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-01 Dialog Semiconductor (Uk) Limited 3D MIS-FO Hybrid for Embedded Inductor Package Structure

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030207501A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Schoenfeld Aaron M. Semiconductor component with adjustment circuitry and method of fabrication
CN1519867A (zh) * 2003-01-31 2004-08-11 Tdk��ʽ���� 电感元件、叠层电子元件、叠层电子元件模块及制造这些元件和模块的方法
KR20060102493A (ko) * 2005-03-23 2006-09-27 스미다 코포레이션 인덕터
CN1875484A (zh) * 2003-09-25 2006-12-06 高通股份有限公司 用于集成电路和印刷电路板的可变电感器
WO2007063884A1 (ja) * 2005-11-30 2007-06-07 Holy Loyalty International Co., Ltd. 面状インダクタ装置
EP1939979A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-02 Broadcom Corporation An integrated circuit antenna structure
US20100072572A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Peter Baumgartner Semiconductor device
CN202205737U (zh) * 2011-09-21 2012-04-25 登丰微电子股份有限公司 多芯片封装结构及电感芯片
WO2013177299A2 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Three dimensional microelectronic components and fabrication methods for same
US20150340151A1 (en) * 2013-02-19 2015-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Inductor bridge and electronic device
US20160217904A1 (en) * 2015-01-22 2016-07-28 International Business Machines Corporation Symmetric multi-port inductor for differential multi-band rf circuits
US20160233292A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and semiconductor manufacturing process

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5808527A (en) * 1996-12-21 1998-09-15 Hughes Electronics Corporation Tunable microwave network using microelectromechanical switches
US5952896A (en) 1997-01-13 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Impedance matching network
US5914695A (en) * 1997-01-17 1999-06-22 International Business Machines Corporation Omnidirectional dipole antenna
US7894205B2 (en) * 2007-04-05 2011-02-22 Mitsubishi Electric Corporation Variable device circuit and method for manufacturing the same
US8138876B2 (en) * 2008-01-29 2012-03-20 International Business Machines Corporation On-chip integrated voltage-controlled variable inductor, methods of making and tuning such variable inductors, and design structures integrating such variable inductors
CN101952961B (zh) 2008-02-25 2013-01-30 飞兆半导体公司 包括集成薄膜电感器的微模块及其制造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030207501A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Schoenfeld Aaron M. Semiconductor component with adjustment circuitry and method of fabrication
CN1519867A (zh) * 2003-01-31 2004-08-11 Tdk��ʽ���� 电感元件、叠层电子元件、叠层电子元件模块及制造这些元件和模块的方法
CN1875484A (zh) * 2003-09-25 2006-12-06 高通股份有限公司 用于集成电路和印刷电路板的可变电感器
KR20060102493A (ko) * 2005-03-23 2006-09-27 스미다 코포레이션 인덕터
WO2007063884A1 (ja) * 2005-11-30 2007-06-07 Holy Loyalty International Co., Ltd. 面状インダクタ装置
EP1939979A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-02 Broadcom Corporation An integrated circuit antenna structure
US20100072572A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Peter Baumgartner Semiconductor device
CN202205737U (zh) * 2011-09-21 2012-04-25 登丰微电子股份有限公司 多芯片封装结构及电感芯片
WO2013177299A2 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Three dimensional microelectronic components and fabrication methods for same
US20150340151A1 (en) * 2013-02-19 2015-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Inductor bridge and electronic device
US20160217904A1 (en) * 2015-01-22 2016-07-28 International Business Machines Corporation Symmetric multi-port inductor for differential multi-band rf circuits
US20160233292A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and semiconductor manufacturing process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022222405A1 (zh) * 2021-04-23 2022-10-27 京东方科技集团股份有限公司 可调滤波器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190057809A1 (en) 2019-02-21
CN109411469B (zh) 2024-04-30
US10490341B2 (en) 2019-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103582945B (zh) 半导体器件
CN106571357A (zh) 半导体装置
CN109411469A (zh) 电气装置
US9443825B2 (en) Multi-function miniaturized surface-mount device and process for producing the same
CN107799499A (zh) 半导体封装结构及其制造方法
DE60026895T2 (de) Mikrodeckelgehäuse auf Scheibenniveau
US20180233457A1 (en) Semiconductor device package and method of manufacturing the same
CN105452853B (zh) 温湿度传感器
TWI545596B (zh) 電感器組件及製造電感器組件之方法
JP5827476B2 (ja) 半導体モジュール及びその製造方法
US10672860B2 (en) Multi-terminal inductor for integrated circuit
CN104575935A (zh) 电感器及其制造方法
CN108447851B (zh) 半导体装置
JP2009533869A (ja) 少なくとも１つのオンチップコンデンサを備えた複数ダイを有する集積回路のための方法および装置
CN108122862A (zh) 半导体装置封装及其制造方法
CN103378049B (zh) 用于ic封装的应力减小结构
KR102541387B1 (ko) 인덕터들을 갖는 유리 웨이퍼를 이용한 진보된-노드 soc(system-on-chip)를 갖는 인덕터들의 통합 및 웨이퍼간 결합
DE3619226A1 (de) Verdrahtungstraeger
CN109755387A (zh) 电容器结构
CN105244340B (zh) 封装基板、覆晶封装电路及其制作方法
CN109427728A (zh) 集成型无源组件和其制造方法
CN109399550B (zh) Mems装置封装及其制造方法
Riou et al. 3D TSV system in package (SiP) for aerospace applications
CN206412357U (zh) 三维玻璃电感结构
CN104617075A (zh) 一种引线框架的封装结构及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant