CN109396659B - Micro SD卡异形边框切割工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Micro SD卡异形边框切割工艺,其涉及Micro SD卡封装技术领域。旨在解决使用传统切割工艺对异形边框切割,效率低、精度低以及污染环境的问题。其技术方案要点包括以下步骤:S100,将整条材料放置在切割平台上;S200,对整条材料进行定位;S300,使用激光对异形部位进行切割;S400,切割完成后使用视觉系统检测切割位置尺寸;S500,使用刀具将整条材料切割成若干单颗产品;S600,对若干单颗产品进行水洗。本发明达到了能够提高Micro SD卡异形边框切割效率及精度的效果。
Description
技术领域
本发明涉及Micro SD卡封装技术领域,更具体地说,它涉及一种Micro SD卡异形边框切割工艺。
背景技术
Micro SD卡是目前主流的SD卡封装类型之一,具有尺寸小(产品外观尺寸为11mm*15mm*1mm),可靠性高以及电性能好等优点。
通常把非互相垂直或带有圆角的产品边框称之为异形边框(不规则边框),MicroSD卡的异形边框切割一直是行业内的一个难点。
目前国内针对异形边框切割的工艺技术,通常采用先将产品切割成豆腐块(方型)形状,再将豆腐块形状的单颗产品在打磨设备上通过金属治具将异形边框打磨成最终产品所需要的形状。
但是上述工艺技术中,打磨机依靠治具对产品进行打磨,过程中需要用到研磨剂,易造成产品污染且对环境不友好;通常一次只能进行三颗产品打磨,UPH(Unit Per Hour每小时的产出)较低,成本较高;纯机械定位,打磨精度较低,产品良率波动大。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种Micro SD卡异形边框切割工艺,其具有能够提高产品精度和加工效率的优势。
为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:
一种Micro SD卡异形边框切割工艺,包括以下步骤:
S100,将整条材料放置在切割平台上;
S200,对整条材料进行定位;
S300,使用激光对异形部位进行切割;
S400,切割完成后使用视觉系统检测切割位置尺寸;
S500,使用刀具将整条材料切割成若干单颗产品;
S600,对若干单颗产品进行水洗。
通过采用上述技术方案,在整条材料上,使用激光对所有异形部位进行切割,然后再使用刀具将整条材料切割成单颗,即可得到成型的产品;与传统的切割工艺技术相比,无需事先将整条材料切割预切割成单颗,能够大幅提高UPH,减少了封装工艺流程,降低成本。
激光切割的效率低于使用刀具进行机械切割,所以只使用激光在整条材料上对异形部位进行切割,而非直接一次成型,然后再使用刀具将整条材料切割成单颗产品,能够提高产能和UPH,降低成本。
在激光切割前对整条材料进行定位,在切割完成后,使用视觉系统对切割位置尺寸进行检测,能够提高产品精度,方便管控产品良率。
激光切割会在产品表面形成焦痕,在激光切割后对产品进行水洗,能够彻底去除焦痕,避免外观不良的问题。
进一步地,在步骤S100中,所述切割平台为真空吸附平台,且真空值小于-60kPa。
通过采用上述技术方案,切割平台为真空吸附平台,则无需使用机械夹具,即可对整条材料进行定位;真空值小于-60kPa,能够确保材料在切割过程中无法移动,从而能够提高产品的加工精度。
进一步地,在步骤S200中,对整条材料使用视觉系统进行定位。
通过采用上述技术方案,对整条材料可以使用机械夹具进行定位,但是受限于机械夹具本身的加工精度,而产品尺寸小(外观尺寸为11mm*15mm*1mm),所以为了提高产品的加工精度,本发明中使用视觉系统,配合真空吸附平台,即可准确对材料进行定位。
进一步地,在步骤S300中,激光功率为50~54W,激光切割圈数为7~20圈。
通过采用上述技术方案,激光功率为50~54W,低于该值无法切透材料,而高于该值则会导致材料烧焦。激光切割圈数为7~20圈,能够确保材料切透,同时兼顾产能要求。
进一步地,步骤S600包括:
S610,上料;
S620,超声波药水淋浴;
S630,去离子水淋浴;
S640,热风烘干;
S650,冷风风刀吹干;
S660,下料。
通过采用上述技术方案,超声波药水淋浴,能够去除产品表面的焦痕,去离子水淋浴,能够去除产品表面的药水,然后使用热风烘干,即可去除产品表面的水分;产品烘干后温度高,无法直接下料,使用冷风对产品降温,能够提高产品的UPH;采用冷风风刀吹干,是将冷风集中吹至产品,能够提高产品的降温速度,从而能够提高产品的UPH。
进一步地,在步骤S600中,产品在清洗过程中使用传送带运输,且传送带速度为0.65~0.75m/min。
进一步地,在步骤S620中,混合水温为50~70℃;在步骤S630中,混合水温为60~80℃。
进一步地,在步骤S620中,所述药水为除垢脱脂剂,包括氢氧化钠、非离子性界面活性剂、阴离子界面活性剂以及有机盐类清洗助剂。
通过采用上述技术方案,产品表面是镭射切割产生的焦痕,所以药水选用除垢脱脂剂,能够彻底去除焦痕。
进一步地,所述药水浓度为10%~17%。
通过采用上述技术方案,药水浓度为10%~17%,能够确保将产品清洗干净,且无多余药液残留。
进一步地,在步骤S300中,对激光切割产生的粉尘进行收集。
通过采用上述技术方案,对激光切割产生的粉尘进行收集,杜绝了二次污染,对环境友好。
综上所述,本发明具有以下有益效果:
1、采用了激光切割与刀具切割相结合,从而产生能够大幅提高UPH,减少了封装工艺流程,降低成本的效果;
2、采用了视觉系统进行定位及检测,从而产生能够提高产品精度,方便管控良品率的效果;
3、采用了超声波药水淋浴与去离子水淋浴,从而产生能够彻底去除产品表面焦痕,避免外观不良的效果。
附图说明
图1为实施例中单颗产品的结构示意图,用于体现异形部位。
图中:1、异形部位;2、指扣部位。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
本具体实施例仅仅是对本发明的解释,其并不是对本发明的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
实施例:
一种Micro SD卡异形边框切割工艺,其包括以下步骤:
S100,将整条材料放置在切割平台上,切割平台为真空吸附平台,且真空值小于-60kPa,能够确保材料在切割过程中无法移动,从而能够提高产品的加工精度。
S200,对整条材料使用视觉系统进行定位,本实施例中视觉系统为BIV系统。
S300,参照图1,使用激光对整条材料上所有产品的异形部位1进行切割,本实施例中单颗产品上包括五个异形部位1,与传统的切割工艺技术相比,无需事先将整条材料切割预切割成单颗,能够大幅提高UPH,减少了封装工艺流程,降低成本;
激光功率为50~54W,低于该值无法切透材料,而高于该值则会导致材料烧焦;
激光切割圈数为7~20圈,能够确保材料切透,同时兼顾产能要求;本实施例中产品指扣部位2的厚度大于其他部位的厚度,为了确保指扣部位2能够切透,则对指扣部位2切割时,需要增加2圈激光切割圈数。
激光切割过程中,使用集尘箱对激光切割产生的粉尘进行收集,能够杜绝二次污染,对环境友好。
S400,切割完成后使用视觉系统检测切割位置尺寸,本实施例中视觉系统为BIV系统,能够提高产品精度,方便管控产品良率。
S500,使用刀具将整条材料切割成若干单颗产品,激光切割的效率低于使用刀具进行机械切割,所以只使用激光在整条材料上对异形部位进行切割,而非直接一次成型,然后再使用刀具将整条材料切割成单颗产品,能够提高产能和UPH,降低成本。
S600,对若干单颗产品进行水洗,具体包括以下步骤:
S610,上料,本实施例中产品在清洗过程中使用传送带运输,传送带速度为0.65~0.75m/min。
S620,超声波药水淋浴,用于去除产品表面的焦痕;本实施例中药水为高效能除垢脱脂剂,型号为YF-500,主要成分包括氢氧化钠、非离子性界面活性剂、阴离子界面活性剂以及有机盐类清洗助剂,混合水温为50~70℃,且药水浓度为10%~17%,从而能够确保将产品清洗干净,且无多余药液残留。
S630,去离子水淋浴,用于去除产品表面的药水,混合水温为60~80℃。
S640,热风烘干,用于去除产品表面的水分。
S650,冷风风刀吹干,对产品进行降温,方便快速下料,提高产品UPH。
S660,下料。
工作原理如下:
在整条材料上,使用激光对所有异形部位进行切割,然后再使用刀具将整条材料切割成单颗,即可得到成型的产品;与传统的切割工艺技术相比,无需事先将整条材料切割预切割成单颗,能够大幅提高UPH,减少了封装工艺流程,降低成本。
激光切割的效率低于使用刀具进行机械切割,所以只使用激光在整条材料上对异形部位进行切割,而非直接一次成型,然后再使用刀具将整条材料切割成单颗产品,能够提高产能和UPH,降低成本。
在激光切割前对整条材料进行定位,在切割完成后,使用视觉系统对切割位置尺寸进行检测,能够提高产品精度,方便管控产品良率。
激光切割会在产品表面形成焦痕,在激光切割后对产品进行水洗,能够彻底去除焦痕,避免外观不良的问题。
Claims (1)
1.一种Micro SD卡异形边框切割工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S100,将整条材料放置在切割平台上,所述切割平台为真空吸附平台,且真空值小于-60kPa;
S200,对整条材料使用视觉系统进行定位;
S300,使用激光对异形部位进行切割,对激光切割产生的粉尘进行收集,激光功率为50~54W,激光切割圈数为7~20圈;
S400,切割完成后使用视觉系统检测切割位置尺寸;
S500,使用刀具将整条材料切割成若干单颗产品;
S600,对若干单颗产品进行水洗,产品在清洗过程中使用传送带运输,且传送带速度为0.65~0.75m/min;
步骤S600包括:
S610,上料;
S620,超声波药水淋浴,混合水温为50~70℃,所述药水为除垢脱脂剂,包括氢氧化钠、非离子性界面活性剂、阴离子界面活性剂以及有机盐类清洗助剂,所述药水浓度为10%~17%;
S630,去离子水淋浴,混合水温为60~80℃;
S640,热风烘干;
S650,冷风风刀吹干;
S660,下料。
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