CN109390468B - 一种应用于柔性显示领域的ofet器件 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims abstract description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- AGHYMXKKEXDUTA-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 AGHYMXKKEXDUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- IKXKTLBKRBLWNN-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21.C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 IKXKTLBKRBLWNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 16
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 16
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 16
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 16
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 8
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 3
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 2
- RESSOZOGQXKCKT-UHFFFAOYSA-N ethene;propane-1,2-diol Chemical compound C=C.CC(O)CO RESSOZOGQXKCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- SDQQBPKWLSANJO-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methylprop-2-enoate;toluene Chemical compound COC(=O)C(C)=C.CC1=CC=CC=C1 SDQQBPKWLSANJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- MPOKJOWFCMDRKP-UHFFFAOYSA-N gold;hydrate Chemical compound O.[Au] MPOKJOWFCMDRKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
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Abstract
本发明主要研究一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管（OFET）结构设计，包括：柔性衬底材料PET，在PET上真空蒸镀AL作为栅电极，旋涂聚合物甲基丙烯酸甲酯溶液作为介电层，真空蒸镀有机小分子材料并五苯及有机材料环已基二[N，N（4‑甲基苯基）苯胺]作为有机层，最后真空蒸镀金属金作为源漏电极，有机层采用体异质结结构提高载流子传输能力，定制不同沟道宽长比的源漏电极掩膜板，在其它工艺参数不变的情况下，选择最优的沟道宽长比，进一步提高载流子的传输能力，使得载流子的传输速率能够达到商用标准1cm2/（v.s）。
Description
技术领域
本发明涉及具有柔性衬底/绝缘层/栅电极/有机层/源漏电极的有机场效应晶体管（OFET），尤其涉及柔性显示领域（柔性存储、柔性有机集成电路、柔性传感器阵列、柔性射频标签等）中使用的有机场效应晶体管（OFET）结构设计。本发明还涉及不同沟道宽长比源漏电极掩膜板的设计。
背景技术
据国际知名有机电子资询机构IDTechEx计算，有机电子器件在未来20年里，有可能占据3000亿美元的市场份额，成为一个庞大的商业领域。有机功能柔性电路最少有几百亿美元的市场容量，并且还在不断增长。基于有机场效应晶体管（OFET）的诸多优势和广泛应用，将有机场效应晶体管（OFET）与柔性衬底相结合迫在眉睫。有机场效应晶体管（OFET）有质量轻、易弯曲、成本低、可在低温下处理和可以实现辊接辊制备的优势，使其与柔性衬底的结合得以实现，可以制备各种柔性器件和电路。因此，有机场效应晶体管（OFET）在低成本、大面积、柔性电路中具有非常光明的应用前景。尤其是柔性全有机薄膜场效应晶体管，将是柔性点阵显示驱动中最主要的电子器件之一。相信在不久的将来，柔性有机场效应晶体管（OFET）将走出实验室，实现大规模产业化，在低成本、大面积柔性显示、柔性集成电路、柔性射频标签和柔性传感器等领域大显身手，其前景非常广阔。
发明内容
本发明的目的就是为了提供一种能应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管（OFET）结构设计，分子的轨道重叠越多，越有利于载流子的传输，作用较强的层状堆积有机半导体材料有较高的载流子传输速率，但是价格昂贵。本发明采用性价比较高有机小分子材料并五苯（pentacene）作为有机层，为了提高载流子传输效率，加入高载流子移动率有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC），通过一定工艺形成体异质结。为了避免体异质结内大量的施体/受体界面对载流子传输的影响，制备过程中有机小分子材料并五苯（pentacene）与有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）交替生长，形成超晶格结构。自制不同沟道宽长比的源漏电极掩膜板，在相同的工艺条件下，同时制备9个有机场效应晶体管（OFET），选择最优化的沟道宽长比，进一步提高载流子的传输速率，达到商用标准1cm2/（v·s）。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管（OFET），包括：作为柔性衬底的透明聚合物PET ，
在PET上蒸镀铝作为栅电极，
旋涂聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶液作为介电层，
蒸镀有机小分子材料并五苯（pentacene）及有机材料环已基二[N ，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）作为有机层，
最后蒸镀金属金（Au）作为源漏电极。
所述的柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯PET，尺寸是30 mm*30 mm。作为栅电极的铝薄膜的厚度为60-100 nm。
所述的介电层层厚度200-800 nm，材质为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
所述有机层厚度50-100 nm，材质为有机小分子材料并五苯（pentacene）及有机材料环已基二[N ，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）。
作为源漏电极的金属金薄膜的厚度为60-100nm ，源漏电极间距20-200 μm。
一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管（OFET）的制备方法，采用如下步骤：
a)柔性衬底PET处理：使用无尘布加丙酮擦拭基片，用洗洁精超声15分钟，用丙酮超声15分钟，用去离子水超声15分钟，用乙丙醇超声15分钟，用纯氮气烘干；
b)将PET衬底放在样品架上，放入有机光电子器件超高真空制备系统（QX-500），辉光处理5-10 min；
c)在真空度不低于10-4 Pa的真空环境下将AL热蒸镀到PET上形成栅电极；
d)用甲醛溶液溶解聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），配置好的溶液旋涂在AL栅电极上；
e)在真空度不低于10-4Pa的真空环境下以10 nm/（1-2）nm的比例交替蒸镀有机小分子材料并五苯（pentacene）及有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC），形成体异质结；
f)在真空度不低于10-4 Pa的真空环境下将Au热蒸镀到有机层上形成源漏电极，得到有机场效应晶体管（OFET）。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1. 有机层引入空穴传输层材料（TAPC），进一步提高载流子的传输效率，为了避免体异质结内大量的施体/受体界面对载流子传输的影响，制备过程中有机小分子材料并五苯（pentacene）及有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）交替生长，形成超晶格结构，使得场效应迁移率达到商用标准（大于无定型硅迁移率1 cm2/（v .s））。
2. 自制不同沟道宽长比的源漏电极掩膜板，在相同的工艺条件下，同时制备9个有机场效应晶体管（OFET），研究器件性能最优的沟道宽长比，进一步提高场效应迁移率。
3 .本技术制备工艺简单，成本低廉，便于大规模商用推广。
附图说明
图1本发明设计的OFET结构。
图2本发明设计的OFET器件源漏电极掩膜板整体结构图，它包含9个子掩膜板。图3本发明设计的OFET器件源漏电极子掩膜板结构图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施对本发明进行详细说明。
实施例1
结合图1有机场效应晶体管（OFET）制备a)衬底处理：柔性衬底PET分子式COC6H4COOCH2CH2O，熔点250-255 ℃。由于具有透明度高、成本低和传输性好等优点，成为当前广泛研究的柔性材料。处理具体步骤：使用无尘布加丙酮擦拭基片去除粉尘，用洗洁精（洗洁精3-4滴加去离子水）超声15分钟清洗大颗粒、油污等，用丙酮超声15分钟清洗小颗粒，用去离子水超声15分钟，用乙丙醇超声15分钟（乙丙醇易挥发易干燥），用纯氮气烘干；将PET衬底放在样品架上，放入有机光电子器件超高真空制备系统（QX-500），当预处理室真空度低于10-1Pa时，辉光处理5-10 min，辉光放电时气体分子激发活化并吸向电极至基材的表面产生物理化学反应，使基材表面活化，增加粘结力。辉光处理条件：氧流量116 sccm、电压580 V、占空比80%、频率50 KHz、时间8 min。
b)栅电极制备：栅电极材料铝AL，熔点低，导电性能好，价格便宜，当无机腔真空度低于 10-4Pa时，开始蒸镀。对金属源加电流，即对钨丝加热，当电流达到35 A时，AL丝开始融化，为了保证器件的柔性，金属AL膜厚度不超过100 nm，实验过程中蒸了2300个点，金属AL膜厚度 100 nm。
c)介电层制备：绝缘层材料聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），其分子式[CH3CH2COOCH3]-N，介电常数3 .5，透光率可达90%~92%，可以很好的溶解在多种有机溶剂中，如甲苯、乙酸乙酯、乙苯、苯酚，苯甲醚等溶剂，是迄今为止合成透明材料中质地最优异，价格又比较适宜的品种。本实验选用的溶剂为高纯度甲苯溶液，聚甲基丙烯酸甲酯颗粒经过一段时间低温加热能够充分溶解在其中，实验配置浓度比为50 mg/ml的PMMA-甲苯溶液，在不同旋涂速率情况下旋涂15分钟，测试PMMA薄膜厚度及有机场效应晶体管（OFET）的电学参数，实验结果显示最佳的PMMA薄膜厚度在300nm-500nm左右，具有良好的介电性能。
d)有机层制备：有机层采用有机小分子材料并五苯(pentacene) ，其分子式C22H14，分子的最高占据轨道（HOMO）能级为-5 .14ev ，能带间隙（Eg）为1 .77Ev ，是性价比较高的有机半导体材料，采取的是鱼骨状堆积方式，分子的轨道重叠不多，载流子传输能力不是-作用较强的堆积方式。为了便于大规模生产，本次实验没有选取价格较为昂贵的-作用较强的层状堆积有机半导体材料，而是用体异质结结构，引入空穴传输层材料环已基二[N ，N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC），其分子式C46H46N2 ，TAPC中载流子的移动率达1 .0×10-2cm2/（v .s），是目前所报道空穴传送材料中载流子移动率最高的有机半导体材料，在真空度不低于10-4Pa的真空环境下以10nm/1nm的比例交替蒸镀有机小分子材料并五苯（pentacene）及空穴传送材料环已基二[N ，N(4-甲基苯基)苯胺](TAPC) ，形成超晶格结构，提高载流子传输能力，有机层总的厚度70nm。并五苯(pentacene)熔点（280-300 ℃），每次蒸镀150个点，蒸镀6层，TAPC熔点（120-140 ℃），每次蒸镀18个点，蒸镀5层。
e)源漏电极制备：源漏电极材料金Au，熔点1063 ℃，Au的功函数-5 .1 ev ，与有机小分子
材料并五苯HOMO能级-5 .14ev接近，形成低势垒空穴注入，有利于空穴的注入，提高器件载流子传输能力，当无机腔真空度低于10-4Pa时，开始蒸镀。金熔点较高，实验过程中采用的金水，加热融化后有较强的附着能力，为了保证器件的柔性，实验中金薄膜厚度100nm。
制备得到的有机场效应晶体管（OFET），迁移率可达1cm2/（v .s）。
实施例2
介电层聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶液制备，实验采用的溶剂是纯度为40%的甲醛溶液， 甲醛化学式HCHO ，熔点-92 ℃，液体密度0 .815 g/cm3，配制出浓度比为30 mg/ml、40 mg/ml、50mg/ml、60mg/ml的PMMA-甲苯溶液，为了让PMMA白色粉末充分溶解，溶液放入SX-5-12型箱式电磁炉控制箱恒温（60℃-80℃）加热30 min，然后以不同的旋涂速率2000r/min、3000 r/min、4000 r/min、5000 r/min、6000 r/min旋涂15分钟，根据测试的薄膜厚度跟器件电学参数，确定最终使用的溶液浓度为50 mg/ml。
实施例3
定制不同沟道宽长源漏电极淹膜板，结合图2，图3电极掩膜板结构图，图2是掩膜板整体结构图，掩膜板总面积170 mm×170 mm，有9个30 mm×30 mm子掩膜构成。每个子掩膜结构设计如图3，每个子掩膜有4组完全相同的源漏电极结构，9个子掩膜沟道尺寸都不相同，沟道宽度1000 μm-2000 μm，长度50 μm-200 μm，图3所示沟道宽度2000 μm，长度200 μm，源漏电极面积为4000 μm×4000 μm+（4000 μm-L/2）×W。在器件其它工艺条件完全相同的情况下，同时制备9 个不同沟道宽长比的有机场效应晶体管（OFET），选择最优化的沟道宽长比，进一步提高载流子的传输能力。
Claims (8)
1.一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，包括：作为柔性衬底的透明聚合物PET，在PET上蒸镀铝作为栅电极，旋涂聚合物甲基丙烯酸甲酯(PMMA）溶液作为介电层，蒸镀有机小分子材料并五苯(pentacene)及有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基）苯胺](TAPC)作为有机层，所述有机小分子材料并五苯和有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基）苯胺］交替形成层状结构，且并五苯与环已基二[N，N(4-甲基苯基）苯胺］按照10nm:l nm-10 nm:2 nm的比例蒸镀，有机层的总厚度为65-70 nm，最后蒸镀金属金(Au)作为源漏电极，为了进一步提高载流子的传输能力，定制不同沟道宽长比的源漏电极掩膜板。
2.根据权利要求1所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，所述的柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯PET，尺寸是30 mm*30 mm。
3.根据权利要求1所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，作为栅电极的铝薄膜的厚度为60-100 nm。
4.根据权利要求1所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，所述的介电层厚度200-800 nm。
5.根据权利要求1所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，所述有机层厚度50-100 nm。
6.根据权利要求1所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，作为源漏电极的金属金薄膜的厚度为60-100 nm，源漏电极间距20-200 μm。
7.根据权利要求1所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)，其特征在于，实验中定制了9个不同沟道宽长比的源漏电极掩膜板，宽度1000 μm-2000 μm，长度50 μm-200 μm。
8.如权利要求1-6中任一项所述的一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管(OFET)的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：
a)柔性衬底PET处理：使用无尘布加丙酮擦拭基片，用洗洁精超声15分钟，用丙酮超声15分钟，用去离子水超声15分钟，用乙丙醇超声15分钟，用纯氮气烘干；
b)将PET衬底放在样品架上，放入有机光电子器件超高真空制备系统（QX-500），辉光处理5-10 min；
c)在真空度不低于10-4 Pa的真空环境下将AL热蒸镀到PET上形成栅电极；
d)用甲醛溶液溶解聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），配置好的溶液旋涂在AL栅电极上；
e) 在真空度不低于10-4Pa的真空环境下以10 nm/(1-2) nm的比例交替蒸镀有机小分子材料并五苯（pentacene）及有机材料环已基二[N，N(4-甲基苯基）苯胺]（TAPC），形成体异质结；
f)在真空度不低于10-4Pa的真空环境下将Au热蒸镀到有机层上形成源漏电极，得到有机场效应晶体管（OFET）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710683714.0A CN109390468B (zh) | 2017-08-11 | 2017-08-11 | 一种应用于柔性显示领域的ofet器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710683714.0A CN109390468B (zh) | 2017-08-11 | 2017-08-11 | 一种应用于柔性显示领域的ofet器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109390468A CN109390468A (zh) | 2019-02-26 |
| CN109390468B true CN109390468B (zh) | 2021-01-05 |
Family
ID=65414526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710683714.0A Active CN109390468B (zh) | 2017-08-11 | 2017-08-11 | 一种应用于柔性显示领域的ofet器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109390468B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112510166B (zh) * | 2020-11-19 | 2022-03-25 | 南京大学 | 一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104779350A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-15 | 南京邮电大学 | 一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结 |
| CN105336860A (zh) * | 2015-11-09 | 2016-02-17 | 南京邮电大学 | 一种柔性低电压有机场效应晶体管及其制备方法 |
| CN106684244A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-05-17 | 南京邮电大学 | 一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器 |
| CN207834357U (zh) * | 2017-08-15 | 2018-09-07 | 电子科技大学中山学院 | 一种应用于柔性显示领域的ofet器件 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10008683B2 (en) * | 2012-09-07 | 2018-06-26 | The Regents Of The University Of California | Flexible organic transistors with controlled nanomorphology |
-
2017
- 2017-08-11 CN CN201710683714.0A patent/CN109390468B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104779350A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-15 | 南京邮电大学 | 一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结 |
| CN105336860A (zh) * | 2015-11-09 | 2016-02-17 | 南京邮电大学 | 一种柔性低电压有机场效应晶体管及其制备方法 |
| CN106684244A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-05-17 | 南京邮电大学 | 一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器 |
| CN207834357U (zh) * | 2017-08-15 | 2018-09-07 | 电子科技大学中山学院 | 一种应用于柔性显示领域的ofet器件 |
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| Title |
|---|
| Discrepancies in performance for heterojunction organic field-effect transistors with different channel lengths;Yu Xinge,et al;《Journal of Vacuum Science & Technology B》;20120921;第30卷(第6期);摘要、第062401(1)页右栏第2段至第062401(2)页及图1 * |
| Enhanced charge carrier injection in heterojunction organic field-effect transistor by inserting an MoO3 buffer layer;Yu Xinge,et al;《Chin. Phys. B》;20121231;第21卷(第11期);摘要、第117307（1）页右栏最后1段至117307（2）页左栏第2段及图1 * |
| Pentacene Organic Field Effect Transistors on Flexible substrates with polymer dielectrics;S.P. Tiwari,et al;《IEEE》;20070702;全文 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109390468A (zh) | 2019-02-26 |
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| PB01 | Publication | ||
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