CN109385279A - 一种量子点的后处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种量子点的后处理方法,方法包括步骤:提供初始的量子点溶液;向所述量子点溶液中加入第一多元硫醇,进行第一次配体交换,使量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;去除第一次配体交换后的量子点混合液中的液相,得到第一次配体交换后的量子点;将所述第一次配体交换后的量子点分散到溶剂中,加入第二多元硫醇,进行第二次配体交换,得到第二次配体交换后的量子点溶液。本发明的后处理方法通过对初始的量子点溶液进行步骤简单且普遍适用的后续处理,在不引入沉淀剂的情况下,不仅有效实现了量子点与未反应前驱体的有效分离,同时也实现了所得到的高纯度量子点固体样品的有效重新分散溶解。
Description
技术领域
本发明涉及量子点领域,尤其涉及一种量子点的后处理方法。
背景技术
量子点近年来在平板显示、固态照明、光伏太阳能等光电领域均展现出了广泛的应用前景。这得益于量子点自身所具有的量子限域效应,从而使其具有了诸多独特的纳米性质:发射波长连续可调、发光波长窄、吸收光谱宽、发光强度高以及荧光寿命长等。
在光电领域中,光电器件例如半导体显示器件、照明器件以及太阳能器件等,对于光电材料的纯度要求非常高,微量杂质的引入不仅会对光电材料本身的光学和电学等特性造成影响,更重要的是,也会对整体光电器件中的载流子和激子等的行为造成影响,从而大大降低了相应光电器件的性能。当前用于光电领域的半导体胶体量子点大多是通过金属有机物热分解合成法来制备的。在这种方法中,阴离子前驱体和阳离子前驱体的反应体系在高温下达到反应物的瞬间过饱和从而发生短时间内的成核反应和后续的生长反应,最终形成具有良好尺寸单分布性的量子点。由于不同前驱体反应活性的差异以及所形成的量子点组分的不同要求,在量子点形成后,反应体系中往往仍然存在一种或几种过量或者残余的前驱体反应物;常规的方法是通过加入沉淀剂进行多次沉淀离心分离来去除,但最终样品的纯度对于沉淀步骤时沉淀剂的加入量和加入种类非常敏感,沉淀剂加入量过量或者所加种类沉淀效应过强均非常容易导致剩余未反应的前驱体反应物与量子点同时沉淀出来,大大影响了量子点产物的纯度;而沉淀剂加入量过少或者所加种类沉淀效应过弱又会导致量子点无法沉淀出来或者损失大量产物。
为了解决上述技术问题 ,现有技术方案中,通过在含有残留或者过量未反应前驱体的量子点反应体系或者溶液体系中加入一定比例的多元硫醇,并在合适的温度下反应后,直接进行离心分离及冲洗干燥后获得高纯度量子点固体样品;然后将上述量子点固体样品与所要溶解的溶剂混合后加入一定比例的一元硫醇,并在合适的温度下反应后,即可获得高纯度的量子点溶液。但在上述方案中,重新溶解高纯度量子点固体样品时加入的一元硫醇由于配体活性一般,因此量子点固体样品很多时候无法很好地重新分散在所要溶解的溶剂中,从而无法得到分散良好可用于光电器件制备的量子点溶液。
因此需对上述技术方案进行改善,在实现量子点产物与体系杂质有效分离的同时实现量子点高纯度产物在指定溶剂中的有效重新溶解分散。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点的后处理方法,旨在解决现有方法无法实现量子点产物与体系杂质有效分离的同时实现量子点高纯度产物在指定溶剂中的有效重新溶解分散的问题。
本发明的技术方案如下:
一种量子点的后处理方法,其中,包括步骤:
提供初始的量子点溶液;
向所述量子点溶液中加入第一多元硫醇,进行第一次量子点配体交换,使溶液中量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;
去除第一次配体交换后的量子点混合液中的液相,得到第一次配体交换后的量子点;
将所述第一次配体交换后的量子点、第二多元硫醇分散到溶剂中,进行第二次量子点配体交换,得到第二次配体交换后的量子点溶液。
所述的量子点的后处理方法,其中,所述第一多元硫醇中巯基的取代位置为碳链的两个末端碳原子。
所述的量子点的后处理方法,其中,所述第一多元硫醇为具有如下结构式的二元硫醇:
;
其中,n为大于等于1的整数;R1-R6独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。
所述的量子点的后处理方法,其中,所述向所述初始量子点溶液中加入第一多元硫醇的步骤中,所述第一多元硫醇加入体积为初始的量子点溶液体积的0.002-0.5倍,优选为0.005-0.25倍。
所述的量子点的后处理方法,其中,所述进行第一次配体交换的步骤中,配体交换的反应温度为10-400℃,优选为25-320℃,配体交换的反应时间为1分钟至10小时,优选为5分钟至8小时。
所述的量子点的后处理方法,其中,
所述第二多元硫醇为至少有2个相邻的碳原子上的氢原子被巯基取代的多元硫醇。
优选的,所述第二多元硫醇为具有如下结构式的二元硫醇:
;
其中,R1-R4独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。
优选的,所述第二多元硫醇为具有如下结构式的三元硫醇:
;
其中,R5-R9独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。所述的量子点的后处理方法,
优选的,所述将所述第一次配体交换后的量子点、第二多元硫醇分散到溶剂中的步骤中,所述第二多元硫醇的加入体积为所述溶剂的0.002-0.5倍,优选为0.005-0.4倍;
优选的,所述将第一次配体交换后的量子点、第二多元硫醇分散到溶剂中的步骤中,按所述第一次配体交换后的量子点的质量与所述溶剂的体积比为5-200mg: 1mL,优选为10-100mg: 1mL,将第一次配体交换后的量子点分散到溶剂中。
所述的量子点的后处理方法,其中,所述进行第二次量子点配体交换的步骤中,所述第二次量子点配体交换的反应温度为10-300℃,优选为25-280℃,所述第二次配体交换的反应时间为1分钟至10小时,优选为5分钟至8小时。
有益效果:本发明的后处理方法通过对初始的量子点溶液进行步骤简单且普遍适用的后续处理,在不引入沉淀剂的情况下,不仅有效实现了量子点与未反应前驱体的有效分离,同时也实现了所得到的高纯度量子点固体样品的有效重新分散。
附图说明
图1为本发明的一种量子点的后处理方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明的第一多元硫醇中的含有两个-SH的二元硫醇的分子结构示意图。
图3为本发明的第二多元硫醇中的含有两个-SH的二元硫醇的分子结构示意图。
图4为本发明的第二多元硫醇中的含有三个-SH的三元硫醇的分子结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点的后处理方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1为本发明的一种量子点的后处理方法较佳实施例的流程图,如图所示,其包括步骤:
提供初始的量子点溶液;
向所述量子点溶液中加入第一多元硫醇,进行第一次量子点配体交换,使量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;
去除第一次配体交换后的量子点混合液中的液相,得到第一次配体交换后的量子点;
将所述第一次配体交换后的量子点分散到溶剂中,加入第二多元硫醇,进行第二次量子点配体交换,得到第二次配体交换后的量子点溶液。
所述初始的量子点溶液,可以是另一制备过程结束后得到的未经处理的量子点溶液;也可以将另一制备过程得到的量子点材料重新分散在溶剂中形成的溶液体系。所述初始的量子点溶液中往往含有残留或过量的未反应前驱体,所述初始量子点溶液中,量子点的浓度为5-200 mg/mL。
本发明通过在所述初始的量子点溶液中加入第一多元硫醇,利用第一多元硫醇在量子点表面进行有效的配体交换反应,配体交换反应结束后去除量子点混合液中的液相,即可获得高纯度量子点产物;然后将上述所获得的高纯度量子点产物分散于溶剂中加入第二多元硫醇,将高纯度量子点产物分散于溶剂中和加入第二多元硫醇的顺序没有严格的限制,即可先将高纯度量子点产物分散于溶剂中,再将第二多元硫醇加入含有高纯度量子点产物的溶液;也可先将第二多元硫醇加入溶剂中,然后再将所述高纯度量子点产物加入,在合适的温度下再次进行配体交换反应后,即可获得分散良好的量子点溶液。
与现有技术相比,本发明的后处理方法通过对初始的量子点溶液进行步骤简单且普遍适用的后续处理,在不引入沉淀剂的情况下,不仅有效实现了量子点与未反应前驱体的有效分离,同时也实现了所得到的高纯度量子点固体样品的有效重新分散溶解。
本发明所提供的一种量子点的后处理方法,所适用的量子点可以为II-VI族量子点材料体系、III-V族量子点材料体系、IV-VI族量子点材料体系中的一种。
所述量子点材料体系中,量子点结构可以为但不限于量子点均一二元组分单核结构、量子点均一多元合金组分单核结构、量子点多元合金组分渐变单核结构、量子点二元组分分立核壳结构、量子点多元合金组分分立核壳结构、量子点多元合金组分渐变核壳结构中的一种。
作为举例,所述量子点包括:II-VI族的CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe;III-V族的InP、InAs、InAsP;IV-VI族的PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe,及上述量子点任意的组合,但不限于此。
所述初始的量子点溶液,可以是另一制备过程结束后得到的未经处理的量子点溶液;也可以将另一制备过程得到的量子点材料重新分散在溶剂中形成的溶液体系。所述初始的量子点溶液中往往含有未反应前驱体,所述未反应前驱体可以为阳离子前驱体和阴离子前驱体中的一种或两种,其中所述阳离子前驱体可以为但不限于脂肪酸镉、脂肪酸锌、脂肪酸铅、脂肪酸铟中任意一种,其中脂肪酸可以为单不饱和脂肪酸、多不饱和脂肪酸、饱和脂肪酸中任意一种,其中单不饱和脂肪酸可以为油酸、肉豆蔻油酸、棕榈油酸、芥酸中任意一种,多不饱和脂肪酸可以为二十碳五烯酸(EPA)、二十二碳六烯酸(DHA)等中任意一种,饱和脂肪酸可以为辛酸、癸酸、月桂酸、豆蔻酸、软脂酸、硬脂酸、花生酸等中任意一种。
所述阴离子前驱体可以为但不限于硫、硒、碲三种元素与如下有机物的任意组合所形成的化合物,有机物包括:三辛基膦(Trioctylphosphine,简写为TOP,下同)、十八烯(1-Octadecene,简写为ODE,下同)、油酸(Oleic acid,简写为OA,下同)、十八烷基胺(Octadecylamine,简写为ODA,下同)、三辛胺(Trioctylamine,简写为TOA,下同)、十八烷基膦酸(Octadecylphosphonic acid,简写为ODPA,下同)、9-十八烯胺(Oleylamine)。
本发明所述第一多元硫醇为碳链的两个末端碳原子均被巯基取代且仅在两个末端碳原子被巯基取代的多元硫醇。所述第一多元硫醇可以为但不限于具有如图2所示结构式的二元硫醇,其中n为大于等于1的整数;R1-R6独立选自H、烃类取代基或芳香取代基。例如,可以为但不限于1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,11-十一烷二硫醇、1,16-十六烷二硫醇等中的一种或多种。
为保证量子点配体交换率,使初始量子点溶液中的量子点充分得到回收,优选地,所述向所述量子点溶液中加入第一多元硫醇的步骤中,所述第一多元硫醇加入的体积为初始的量子点溶液体积的0.002-0.5倍,优选为0.005-0.25倍。
为保证量子点配体交换率,使初始量子点溶液中的量子点得到交联,使初始量子点溶液中的量子点充分得到回收,优选地,所述第一次量子点配体交换的步骤中,配体交换的反应温度为10-400℃,优选为25-320℃,配体交换的反应时间为1分钟至10小时,优选为5分钟至8小时。
优选地,所述第一次量子点配体交换的步骤中,第一次量子点配体交换反应的体系氛围可以为惰性气氛、空气气氛或真空(压强 <100 Pa)中的一种。
所述第一次量子点配体交换后制备得到的混合液的液相中包括初始的量子点溶液中的溶剂和残留或过量的未反应前驱体、第一次量子点配体交换后以液相存在的原结合于量子点表面的配体、第一多元硫醇等,所述去除所述混合液中的液相的方法包括:干燥、离心、清洗等方法或上述方法的组合,但不限于此。例如,在其中一种具体的实施方式中,所述去除第一次配体交换后的量子点混合液中的液相的步骤具体为,对所述第一次配体交换后的量子点混合液进行离心分离,弃去液相后,用冲洗剂冲洗量子点若干次后干燥,即可获得高纯度量子点产物。
优选地,冲洗剂可以为非极性有机溶剂,所述非极性有机溶剂可以为氯仿、甲苯、氯苯、正己烷、正辛烷、十氢萘、十三烷等中的一种或多种。
优选地,冲洗完后的量子点的干燥条件可以为空气中自然干燥、真空干燥、空气中加热干燥、真空加热干燥中的一种。
本发明所述第一多元硫醇加入到含有残留或过量未反应前驱体的初始的量子点溶液中,由于巯基官能团更容易与量子表面结合,从而第一多元硫醇在初始量子点溶液中的量子点表面发生配体交换反应,使单个第一多元硫醇能与不同的量子点发生交联。应当理解的是,能发挥上述作用的硫醇都可以用作本发明的第一多元硫醇,并且,本发明的第一硫醇并不局限于仅在碳链末端的巯基与量子点表面进行配体交换。
在其中一种具体的实施方式中,所述的量子点的后处理方法,其中,所述第一多元硫醇为具有如下结构式的二元硫醇:
;
其中,n为大于等于1的整数;R1-R6独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。
在其中一种具体的实施方式中,由于第一多元硫醇的分子碳链的两侧末端均具有巯基官能团(巯基的取代位置包括碳链的两个末端碳原子),因此位于两端的巯基官能团更倾向于与不同量子点之间进行配体交换反应,从而发生量子点之间的交联,进一步的可以使量子点产生团聚,在一种优选的具体实施方式中,巯基取代的位置仅为两个末端碳原子。
体系中的残留或过量未反应前驱体不会受到第一多元硫醇的影响,因而使量子点能够从体系中有效分离出来,通过分离液相的操作,即可获得高纯度的量子点。
本发明所述第二多元硫醇为至少有2个相邻的碳原子上被巯基取代的多元硫醇。优选的,所述第二多元硫醇所包括的含有两个-SH的二元硫醇和含有三个-SH的三元硫醇的分子结构示意图分别如图3和图4所示,其中R1-R9选自H、烃类取代基或芳香取代基。例如,可以为但不限于1,2-乙二硫醇、2,3-丁二硫醇、1,2-己二硫醇、2,3,4-辛三硫醇等中的一种或多种。
为保证量子点配体交换率,使第二多元硫醇充分交换掉第一多元硫醇,优选地,所述将第一次配体交换后的量子点分散到溶剂中,本发明所述第二多元硫醇的加入体积为用于分散的溶剂体积的0.002-0.5倍,优选为0.005-0.4倍。
经多次实验验证,为保证量子点配体交换率,使溶液中的量子点分散,使得溶剂中量子点得到充分分散,并且能满足好的量子点发光性能要求和量子点大小和分布要求。优选地,本发明所述第二次量子点配体交换的步骤中,所述第二次配体交换的反应温度为10-300℃,优选为25-280℃,所述第二次配体交换的反应时间为1分钟至10小时,优选为5分钟至8小时。
优选地,所述第二次量子点配体交换的步骤中,第二次配体交换反应的体系氛围可以为惰性气氛、空气气氛或真空(压强 <100 Pa)中的一种。
优选地,所述将第一次配体交换后的量子点分散到溶剂中,加入第二多元硫醇,进行第二次量子点配体交换的步骤中,按所述第一次配体交换后的量子点的质量与所述溶剂的体积比为5-200mg: 1mL,优选为10-100mg: 1mL,将第一次配体交换后的量子点分散到溶剂中。用于分散量子点的所述溶剂可以为非极性有机溶剂,所述非极性有机溶剂可以为但不限于氯仿、甲苯、氯苯、正己烷、正辛烷、十氢萘、十三烷、十八烯等中的任意一种。
在其中一种具体的实施方式中,本发明所述第二多元硫醇加入到量子点和溶剂的混合体系中后,所述第二多元硫醇能够与体系中的量子点发生配体交换反应。在一种具体的实施方式中,由于第二多元硫醇中的巯基官能团均位于相邻的碳原子上,空间位阻效应使得第二多元硫醇分子中的所有巯基官能团倾向于与同一个量子点颗粒发生配体交换反应,通过配体交换反应替换原有的连接在量子点表面的第一多元硫醇分子;第二多元硫醇分子由于具有多个巯基官能团且均倾向于连接在同一量子点表面形成非常牢固的“爪式”连接,不易脱附,且由于具有更强的反应驱动力更易置换掉原先量子点表面作为交联团聚剂的第一多元硫醇;第二多元硫醇分子连接在量子点表面后其伸展于溶剂体系中的有机碳链能够显著提升量子点溶解分散性,因而使得第二多元硫醇配体交换后的量子点得以有效分散在所指定的溶剂中。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
本实施例的量子点的后处理方法,包括如下步骤:
(1)提供新制的CdSe/ZnS量子点溶液(体积为20mL,浓度为120mg/mL);
(2)将所述CdSe/ZnS量子点溶液的温度升至320℃,在惰性气氛下,向所述CdSe/ZnS量子点溶液中加入5mL的1,6-己二硫醇,保持温度在320℃下进行第一次配体交换5分钟,使量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;
(3)将第一次配体交换后的量子点混合液冷却至室温后,通过高速离心机在8000转/分钟下离心5分钟后,弃掉液相;用氯仿冲洗剩下的固相,然后离心分离并弃掉液相,将此过程再重复1遍;将得到的固相真空干燥后,即获得高纯度的CdSe/ZnS量子点样品;
(4)将1000 mg上述高纯度的CdSe/ZnS量子点固体样品,分散到10 mL正辛烷溶剂中,在混合体系中加入4mL的2,3-丁二硫醇,保持在25℃下进行第二次配体交换8小时后,获得分散良好的CdSe/ZnS量子点溶液。
实施例2
本实施例的量子点的后处理方法,包括如下步骤:
(1)提供初始的InP/ZnS量子点溶液(体积为15mL,量子点溶液中的溶剂为正己烷,浓度为80mg/mL);
(2)在空气气氛下,向所述InP/ZnS量子点溶液中加入0.5mL的1,11-十一烷二硫醇,保持在25℃下进行第一次配体交换8小时,使量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;
(3)将第一次配体交换后的量子点混合液冷却至室温后,通过高速离心机在8000转/分钟下离心5分钟后,弃掉液相;用正己烷冲洗剩下的固相,然后离心分离并弃掉液相,将此过程再重复3遍;将得到的固相在空气中自然干燥后,即获得高纯度的InP/ZnS量子点样品;
(4)将200 mg上述高纯度的InP/ZnS量子点固体样品,分散到5 mL的氯仿溶剂中,在混合体系中加入0.4mL的2,3,4-辛三硫醇,保持在80℃下进行第二次配体交换120分钟后,获得分散良好的InP/ZnS量子点溶液。
实施例3
本实施例的量子点的后处理方法,包括如下步骤:
(1)提供新制的CdS/ZnS量子点溶液(体积为20mL,浓度为20mg/mL);
(2)将所述CdS/ZnS量子点溶液的温度由300℃降至100℃,在惰性气氛下,向所述CdS/ZnS量子点溶液中加入0.1mL的1,8-辛二硫醇,保持温度在100℃下进行第一次配体交换60分钟,使量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;
(3)将第一次配体交换后的量子点混合液冷却至室温后,通过高速离心机在8000转/分钟下离心5分钟后,弃掉液相;用氯仿冲洗剩下的固相,然后离心分离并弃掉液相,将此过程再重复1遍;将得到的固相真空干燥后,即获得高纯度的CdS/ZnS量子点样品;
(4)将200 mg上述高纯度的CdS/ZnS量子点固体样品,分散到20 mL十八烯溶剂中,在混合体系中加入0.1mL的2,3,4-辛三硫醇,保持在280℃下进行第二次配体交换5分钟后,获得分散良好的CdS/ZnS量子点溶液。
综上所述,本发明提供的一种量子点的后处理方法,本发明通过对含有残留或者过量未反应前驱体的量子点反应体系或溶液体系进行步骤简单且普遍适用的后续处理,在不引入沉淀剂的情况下,不仅有效实现了量子点与以上未反应前驱体的有效分离,同时也实现了所得到的高纯度量子点固体样品的有效重新分散溶解,使其能够充分满足光电器件应用对于量子点纯度的要求。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种量子点的后处理方法,其特征在于,包括步骤:
提供初始的量子点溶液;
向所述量子点溶液中加入第一多元硫醇,进行第一次量子点配体交换,使量子点之间发生交联,得到第一次配体交换后的量子点混合液;
去除所述第一次配体交换后的量子点混合液中的液相,得到第一次配体交换后的量子点;
将所述第一次配体交换后的量子点、第二多元硫醇分散到溶剂中,进行第二次量子点配体交换,得到第二次配体交换后的量子点溶液。
2.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第一多元硫醇的巯基取代位置包括碳链的两个末端碳原子。
3.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第一多元硫醇为具有如下结构式的二元硫醇:
;
其中,n为大于等于1的整数;R1-R6独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。
4.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述向初始量子点溶液中加入第一多元硫醇的步骤中,所述第一多元硫醇加入的体积为初始的量子点溶液体积的0.005-0.25倍。
5.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第一次量子点配体交换的步骤中,配体交换的反应温度为25-320℃,配体交换的反应时间为5分钟至8小时。
6.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第二多元硫醇为至少有2个相邻的碳原子上的氢原子被巯基取代的多元硫醇。
7.根据权利要求6所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第二多元硫醇为具有如下结构式的二元硫醇:
;
其中,R1-R4独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。
8.根据权利要求6所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第二多元硫醇为具有如下结构式的三元硫醇:
;
其中,R5-R9独立地选自H、烃类取代基或芳香取代基。
9.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,将所述第一次配体交换后的量子点、第二多元硫醇分散到溶剂中,进行第二次量子点配体交换的步骤中,所述第二多元硫醇的加入体积为所述溶剂体积的0.005-0.4倍;
和/或所述将第一次配体交换后的量子点、第二多元硫醇分散到溶剂中,进行第二次量子点配体交换的步骤中,按所述第一次配体交换后的量子点质量与所述溶剂的体积比为10-100mg: 1mL,将所述第一次配体交换后的量子点分散到所述溶剂中。
10.根据权利要求1所述的量子点的后处理方法,其特征在于,所述第二次量子点配体交换的步骤中,所述第二次量子点配体交换的反应温度为25-280℃,所述第二次量子点配体交换的反应时间为5分钟至8小时。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201710691803.XA CN109385279A (zh) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | 一种量子点的后处理方法 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN109385279A (zh) |
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