CN109379845A - 一种含ptfe的多层电路板加工工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种含PTFE的多层电路板加工工艺方法，包括以下步骤：①开料：按照设计尺寸裁剪覆铜板；②内层和外层图形转移：覆铜板表面贴上干膜，然后使用板内孔进行对位，对干膜进行曝光，再显影，在内层和外层电路板上蚀刻出所需图形；③压合：将内层电路板与外层电路板进行压合粘贴，制成多层电路板；④钻孔：对步骤③制成的多层电路板钻孔，钻孔方式采用分段式钻孔，先将PTFE板层钻穿，再钻穿余下的材料；⑤沉铜电镀：对电路板进行沉铜电镀，实现孔金属化。使用本发明所提供的技术方案，可避免电路板钻孔过程中所产生的钻污问题，获得较好的孔壁质量，同时又可以节约成本、提升工作效率。
Description
【技术领域】
本发明涉及混压多层电路板制造相关技术领域，具体涉及一种含PTFE的多层电路板加工工艺方法。
【背景技术】
随着通信技术的不断进步发展，越来越多的PCB基板选择采用高频高速材料进行加工制作，其基板的主要材料基本上属于PTFE+玻纤+陶瓷的组份结构，广泛应用于航天、航空、卫星通讯、导航、雷达等高科技领域。由于工作场所的特殊性，对PCB产品提出了更高的可靠性要求。PTFE为热塑性材料，在机械加工过程中极易出现内层互联位置出现钻污和残留的PTFE余胶，同时PTFE材料的化学稳定性非常高，常规除胶方法对PTFE材料的除胶效果微乎其微。整个业界针对此类产品加工也存在相当大的困难，现主要是对钻孔进刀速度、转速进行优化控制，并严格控制钻咀寿命来实现。
因PTFE为热塑性材料，局部受热易形成熔融状态，并随钻头的下降粘附在内层铜层上，上述现有技术主要存在以下缺点：一次钻孔成形，钻咀产生大量的热量，导致PTFE材料受热形成熔胶，粘附在钻头与内层铜上，在后工序地加工过程中无法去除，影响信号传输质量。
【发明内容】
为避免现有技术中存在的上述技术问题，本发明提供了一种含PTFE混压多层电路板钻孔加工工艺方法，该方法可解决PTFE板层在钻孔加工过程中出现钻污的问题，避免电路板成品出现信号传递受干扰以及产品结合力出现异常的问题。为解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明的主要技术方案如下：
一种含PTFE的多层电路板加工工艺方法，包括以下步骤：
①开料：按照设计尺寸裁剪多个覆铜板，所述覆铜板至少有一个的组分中含PTFE；
②内层和外层图形转移：覆铜板表面贴上干膜，然后使用板内孔进行对位，对干膜进行曝光，再显影，在内层和外层电路板上蚀刻出所需图形；
③压合：将内层电路板与外层电路板进行压合粘结，制成多层电路板，含PTFE的所述覆铜板形成多层电路板中的PTFE板层；
④钻孔：对步骤③制成的多层电路板进行钻孔，实行分段钻孔，分段先将PTFE板层钻穿，停顿，待钻刀冷却后，再钻穿不含PTFE的板层。
⑤沉铜电镀：对电路板进行沉铜电镀，实现孔金属化。
进一步地，所述分段钻孔的方式为：先根据多层电路板上表面到PTFE板层下表面的距离确定第一次下钻深度，将PTFE的板层钻穿后，停顿，待钻刀冷却后再进行下一步钻孔。
进一步地，所述PTFE板层的组分包括PTFE、陶瓷和玻璃布。
进一步地，所述钻刀的进刀速度为2.5-3.5m/min，钻孔速度为40-70Kr/min。
进一步地，所述PTFE板层的组分包括PTFE和玻璃布。
进一步地，所述钻刀进刀速度为1.0-2.0m/min，钻孔速度为75-100Kr/min。
进一步地，所述停顿时间为200-500ms。
相较于现有技术，本发明的有益效果如下：
使用本发明所提供的钻孔加工工艺方法，可有效解决PTFE材料在钻孔加工过程中出现钻污的问题，避免了混压多层电路板成品出现信号传递受干扰以及产品结合力出现异常的问题，有效控制钻孔的孔粗与钉头，获得较好的孔壁质量。同时，还可节约成本、提升含PTFE多层电路板的加工效率。
【附图说明】
图1为PTFE板层与玻璃布板层混压的多层电路板，PTFE为芯板，其中，PTFE板层包含PTFE、玻璃布和陶瓷；
图2为PTFE板层与玻璃布板层混压的多层电路板，玻璃布板层为芯板，其中，PTFE板层包含PTFE和玻璃布；
图3为多个PTFE板层混压的多层电路板，其中PTFE板层包含PTFE和玻璃布。
其中，1、铜箔层；2、玻璃布板层；3、PTFE板层。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
如图1所示，PTFE板层与玻璃布板层混压的多层电路板，中间芯板为PTFE板层，其中，PTFE板层包含PTFE、玻璃布和陶瓷，其加工工艺方法包括以下步骤：
①开料：按照设计尺寸裁剪含PTFE的覆铜板和由玻璃布制成的覆铜板；
②内层电路板和外层电路板图形转移：覆铜板表面贴上干膜，然后使用板内孔进行对位，对干膜进行曝光，再显影，在内层电路板和外层电路板蚀刻出所需图形；
③压合：将内层电路板与外层电路板进行压合粘贴，制成多层电路板，其中芯板为PTFE板层。
④钻孔：对步骤③制成的多层电路板钻孔，钻孔方式采用分段式钻孔，先将PTFE板层下表面以上的材料钻穿，再钻穿玻璃布板层，具体操作如下：分两步钻孔，第一步，先确定多层电路板上表面到PTFE板层下表面的距离d，根据d确定第一次下刀的深度，钻刀进刀速度为2.5-3.5m/min，钻孔速度为40-70Kr/min，将PTFE板层钻穿后，停顿200-300ms，待钻刀冷却；第二步，钻穿余下的铜箔层和玻璃布板层。
⑤沉铜电镀：对电路板进行沉铜电镀，实现孔金属化。
实施例2
如图2所示，PTFE板层与玻璃布板层混压的多层电路板，中间芯板为玻璃布板层，其中，PTFE板层包含PTFE和玻璃布，其制备方法包括以下步骤：
①开料：按照设计尺寸裁剪覆铜板，其中两个覆铜板的组分包含PTFE和玻璃布；
②内层电路板和外层电路板图形转移：覆铜板表面贴上干膜，然后使用板内孔进行对位，对干膜进行曝光，再显影，在内层电路板和外层电路板蚀刻出所需图形；
③压合：将内层电路板与外层电路板进行压合粘贴，制成多层电路板。
④钻孔：对步骤③制成的多层电路板钻孔，钻孔方式采用分段式钻孔，分三步钻孔，第一步，先确定多层电路板上表面到PTFE板层下表面的距离d1，根据d1确定第一次下刀的深度，钻刀进刀速度为1.0-2.0m/min，钻孔速度为75-100Kr/min，将PTFE板层钻穿后，停顿200ms，待钻刀冷却；第二步，确定第一层PTFE板层下表面到第二层PTFE板层下表面的距离d2，根据d2确定第二次下刀的深度，钻孔速度为75-100Kr/min，将第二层PTFE钻穿，停顿200ms，待钻刀冷却；第三步，钻穿多层电路板下表面的铜箔层。
⑤沉铜电镀：对电路板进行沉铜电镀，实现孔金属化。
实施例3
如图3所示，多个PTFE板层混压的多层电路板，其制备方法包括以下步骤：
①开料：按照设计尺寸裁剪覆铜板，每个覆铜板均包含PTFE和玻璃布；
②内层电路板和外层电路板图形转移：覆铜板表面贴上干膜，然后使用板内孔进行对位，对干膜进行曝光，再显影，在内层电路板和外层电路板蚀刻出所需图形；
③压合：将内层电路板与外层电路板进行压合粘贴，制成混压多层电路板。
④钻孔：对步骤③制成的多层电路板钻孔，钻孔方式采用分段式钻孔，先将PTFE板层钻穿，再钻穿余下的材料，具体操作如下：分四步钻孔，第一步：确定多层混压多层电路板上表面到第一个PTFE板层下表面的距离d1，根据d1确定第一次下刀的深度，钻刀进刀速度为1.0-2.0m/min，钻孔速度为90Kr/min，将第一个PTFE板层钻穿后，停顿250ms，待钻刀冷却；第二步：根据第一个PTFE板层下表面到第二个PTFE板层下表面的距离d2，根据d2确定第二次下刀的深度，钻孔速度为90Kr/min，将第二个PTFE板层钻穿，停顿250ms，待钻刀冷却；第三步：根据第二个PTFE板层下表面到第三个PTFE板层下表面的距离d3确定第三次下钻深度，钻孔速度为90Kr/min，将第三个PTFE板层钻穿后，停顿250ms，待钻刀冷却；第四步：钻穿余下的铜箔层。
⑤沉铜电镀：对电路板进行沉铜电镀，实现孔金属化。
以上所有的具体实施例中，未作详细描述的步骤①②③⑤，均属于现有多层电路板加工常用的方式，属于现有技术。
通过上述技术方案，可有效解决PTFE材料在钻孔加工过程中出现钻污导致电路板成品出现信号干扰以及产品结合力出现异常的问题，同时还可以节约成本、提高含PTFE多层电路板的加工效率。
以上内容是结合具体的优选技术方案对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的专业技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种含PTFE的多层电路板加工工艺方法，包括以下步骤：
①开料：按照设计尺寸裁剪多个覆铜板；
②内层和外层图形转移：覆铜板表面贴上干膜，然后使用板内孔进行对位，对干膜进行曝光，再显影，在内层和外层电路板上蚀刻出所需图形；
③压合：将内层电路板与外层电路板进行压合粘结，制成多层电路板；
④钻孔：对步骤③制成的多层电路板进行钻孔。
⑤沉铜电镀：对电路板进行沉铜电镀，实现孔金属化；
其特征在于，所述覆铜板至少有一个的组分中含PTFE，形成多层电路板中的PTFE板层，所述步骤④实行分段钻孔，分段先将含PTFE板层钻穿，停顿，待钻刀冷却后，再钻穿不含PTFE的板层。
2.根据权利要求1所述的含PTFE的多层电路板加工工艺方法，其特征在于，所述分段钻孔的方式为：先根据多层电路板上表面到PTFE板层下表面的距离确定第一次下钻深度，将PTFE板层钻穿后，停顿，待钻刀冷却后再进行下一步钻孔。
3.根据权利要求1所述的含PTFE的多层电路板加工工艺方法，其特征在于，所述PTFE板层的组分包括PTFE、陶瓷和玻璃布。
4.根据权利要求3所述的含PTFE的多层电路板加工工艺方法，其特征在于，所述钻刀的进刀速度为2.5-3.5m/min；钻孔速度为40-70Kr/min。
5.根据权利要求1所述的含PTFE的多层电路板加工工艺方法，其特征在于，所述PTFE板层的组分包括PTFE和玻璃布。
6.根据权利要求5所述的含PTFE的多层电路板加工工艺方法，其特征在于，所述钻刀进刀速度为1.0-2.0m/min；钻孔速度为75-100Kr/min.
7.根据权利要求1所述的含PTFE的多层电路板加工工艺方法，其特征在于，所述停顿的时间为200-500ms。
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