CN109314317B - 扫描天线 - Google Patents

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Abstract

一种扫描天线具有TFT基板、缝隙基板和液晶层(LC)，TFT基板的传输端子部(PT)具有由与贴片电极(15)相同的低电阻金属膜形成的贴片连接部(15p)、形成在贴片连接部(15p)上的第一保护金属层(25)、和具有露出第一保护金属层的上表面的一部分的开口部(18p)的第一绝缘层(17)，缝隙基板的端子部具有由与缝隙电极55相同的低电阻金属膜形成的缝隙连接部(55M)、形成在缝隙连接部上的第二保护金属层(45a)、(45b)、和具有露出第二保护金属层的上表面的一部分的开口部(58a)的第二绝缘层(58)，第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且厚度为18nm以上。

Description

扫描天线
技术领域
本发明涉及扫描天线，特别是涉及天线单位(有时也称为“振子天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)及其制造方法。
背景技术
移动体通信或卫星广播用天线需要改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beam steering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scanned antenna)。)，已知具备天线单位的相控阵天线。但是，现有的相控阵天线的价格高，这成为向消费品普及的障碍。特别是，当天线单位的数量增加时，成本会显著上升。
因此，已提出利用了液晶材料(包含向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1～4和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。
在专利文献3和非专利文献1中，记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2007-116573号公报
专利文献2：日本专利特开2007-295044号公报
专利文献3：特表2009-538565号公报
专利文献4：特表2013-539949号公报
非专利文献
非专利文献1：R.A.Stevenson et al.,“Rethinking Wireless Communications：Advanced Antenna Design using LCD Technology”,SID 2015DIGEST,pp.827-830.
非专利文献2：M.ANDO et al.,“A Radial Line Slot Antenna for 12GHzSatellite TV Reception”,IEEE Transactions of Antennas and Propagation,Vol.AP-33,No.12,pp.1347-1353(1985).
发明内容
本发明所要解决的技术问题
如上所述，虽然已知通过应用LCD技术来实现价格低的扫描天线这样的想法，但是没有具体地记载利用LCD技术的扫描天线的结构、其制造方法以及其驱动方法的文献。
因此，本发明的目的在于提供能利用现有的LCD的制造技术批量生产的扫描天线。
解决问题的方案
根据本发明的一实施方式的扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线具有：
TFT基板，其具有第一电介质基板(例如玻璃基板)、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；
缝隙基板，其具有第二电介质基板(例如玻璃基板)、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面(与所述第一电介质基板相对的面)上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；
液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及
反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，
所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第二保护金属层，其形成在所述缝隙连接部上；以及第二绝缘层，其具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部，
所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且，厚度为18nm以上。所述第一以及第二保护金属层的厚度优选分别独立地在28nm以上。所述第一以及第二保护金属层的厚度的上限例如为300nm。所述第一低电阻金属层例如，是具有0.3μm以上2μm以下的厚度的Al层。所述第二低电阻金属层例如，是厚度为2μm以上6μm以下的Cu层。所述传输端子部还可以具有形成在所述第一保护金属层上的透明导电层。所述端子部还可以具有形成在所述第二保护金属层上的透明导电层。所述透明导电层的厚度例如是20nm以上250nm以下。
在一实施方式中，所述传输端子部还具有在所述贴片连接部与所述第一保护金属层之间的第一高熔点金属含有层。第一高熔点金属含有层的厚度例如是10nm以上200nm以下。
在一实施方式中，所述端子部还具有在所述缝隙连接部与所述第二保护金属层之间的第二高熔点金属含有层。第二高熔点金属含有层的厚度例如是10nm以上300nm以下。
在一实施方式中，所述第一或第二高熔点金属含有层包含Mo或MoN。
在一实施方式中，在将所述第一电介质基板的表面设为基准时，从所述第一绝缘层的所述开口部露出的所述第一保护金属层的上表面位于高于所述第一绝缘层的位置。
在一实施方式中，所述第一及第二绝缘层是厚度为0.2μm以下的氮化硅层。
在一实施方式中，所述第二保护金属层覆盖所述缝隙连接部的整个上表面以及整个侧面。
根据本发明的其它实施方式的扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线具有：
TFT基板，其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；
缝隙基板，其具有第二电介质基板、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；
液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，
所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；以及第二保护金属层，其覆盖所述缝隙连接部的整个上表面和整个侧面，
所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成。
在一实施方式中，所述端子部还具有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出所述缝隙连接部的上表面的一部分的开口部，所述第二保护金属层形成在所述第二绝缘层上。
在一实施方式中，所述端子部还具有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部。
在一实施方式中，所述第一及第二绝缘层是厚度为0.2μm以下的氮化硅层。
在一实施方式中，所述端子部还具有透明导电层，所述透明导电层形成在所述第二保护金属层上。所述透明导电层的厚度例如是20nm以上250nm以下。
发明效果
根据本发明的某实施方式，可提供能利用现有的LCD的制造技术批量生产的扫描天线。
附图说明
图1是示意性地表示第一实施方式的扫描天线1000的一部分的剖面图。
图2的(a)和(b)分别是表示扫描天线1000中的TFT基板101和缝隙基板201的示意性俯视图。
图3的(a)和(b)分别是示意性地表示TFT基板101的天线单位区域U的剖面图和俯视图。
图4的(a)～(c)分别是示意性地表示TFT基板101的栅极端子部GT、源极端子部ST以及传输端子部PT的剖面图。
图5是表示TFT基板101的制造工序的一个例子的图。
图6是示意性地表示缝隙基板201的天线单位区域U和端子部IT的剖面图。
图7是用于说明TFT基板101和缝隙基板201的传输部的示意性剖面图。
图8的(a)～(c)分别是表示第二实施方式的TFT基板102的栅极端子部GT、源极端子部ST以及传输端子部PT的剖面图。
图9是表示TFT基板102的制造工序的一个例子的图。
图10的(a)～(c)分别是表示第三实施方式的TFT基板103的栅极端子部GT、源极端子部ST以及传输端子部PT的剖面图。
图11是表示TFT基板103的制造工序的一个例子的图。
图12是用于说明TFT基板103和缝隙基板203的传输部的示意性剖面图。
图13的(a)是具有加热器用电阻膜68的TFT基板104的示意性俯视图，图13的(b)是用于说明缝隙57和贴片电极15的尺寸的示意性俯视图。
图14的(a)和(b)是表示电阻加热结构80a和80b的示意性结构和电流的分布的图。
图15的(a)～(c)是表示电阻加热结构80c～80e的示意性结构和电流的分布的图。
图16的(a)是具有加热器用电阻膜68的液晶面板100Pa的示意性剖面图，图16的(b)是具有加热器用电阻膜68的液晶面板100Pb的示意性剖面图。
图17是表示本发明的实施方式的扫描天线的一个天线单位的等效电路的图。
图18的(a)～(c)、(e)～(g)是表示在实施方式的扫描天线的驱动中使用的各信号的波形的例子的图，图18的(d)是表示进行点反转驱动的LCD面板的显示信号的波形的图。
图19的(a)～(e)是表示在实施方式的扫描天线的驱动中使用的各信号的波形的另一例的图。
图20的(a)～(e)是表示在实施方式的扫描天线的驱动中使用的各信号的波形的又一例的图。
图21是示例出第四实施方式中的TFT基板107的示意性俯视图。
图22的(a)～(e)分别是TFT基板107的示意性剖面图。
图23是TFT基板107中的源极-栅极连接部SG和源极端子部ST的示意性剖面图。
图24的(a)～(e)分别是用于说明TFT基板107的制造方法的一例的示意性剖面图。
图25的(f)～(i)分别是用于说明TFT基板107的制造方法的一例的示意性工序剖面图。
图26的(j)和(k)分别是用于说明TFT基板107的制造方法的一例的示意性工序剖面图。
图27的(l)～(n)分别是用于说明TFT基板107的制造方法的一例的示意性工序剖面图。
图28的(a)和(b)是TFT基板所具有的传输端子部PT-1、PT-2的示意性剖面图。
图29的(a)～(c)是传输端子部PT-3～5的示意性剖面图。
图30的(a)～(c)是传输端子部PT-6～8的示意性剖面图。
图31的(a)～(g)是说明传输端子部PT-4的制造方法的示意性剖面图。
图32的(a)和(b)是传输端子部PT-9及PT-10的示意性剖面图。
图33的(a)和(b)是传输端子部PT-11及PT-12的示意性剖面图。
图34的(a)和(b)是传输端子部PT-13及PT-14的示意性剖面图。
图35的(a)和(b)是传输端子部PT-15及PT-16的示意性剖面图。
图36的(a)～(c)是说明传输端子部PT-10的制造方法的示意性剖面图。
图37的(a)～(g)是说明传输端子部PT-12的制造方法的示意性剖面图。
图38的(a)是缝隙基板204的示意性俯视图，图38的(b)是沿着图38的(a)中的H-H’线的示意性剖面图。
图39的(a)是端子部IT-1的示意性剖面图，图39的(b)是端子部IT-2的示意性剖面图，且均为沿图38的(a)中的I-I’线或J-J’的示意性剖面图。
图40的(a)～(c)是端子部IT-3～5的示意性剖面图。
图41的(a)～(c)是端子部IT-6～8的示意性剖面图。
图42的(a)～(c)是端子部IT-9～11的示意性剖面图。
图43的(a)～(c)是端子部IT-12～14的示意性剖面图。
图44的(a)～(e)是说明端子部IT-4的制造方法的示意性剖面图。
图45的(a)～(c)是说明端子部IT-7的制造方法的示意性剖面图。
图46是说明端子部IT-10的制造方法的示意性剖面图。
图47是说明端子部IT-13的制造方法的示意性剖面图。
图48的(a)是表示现有的LCD900的结构的示意图，图48的(b)是LCD面板900a的示意性剖面图。
具体实施例
以下，参照附图说明本发明的实施方式的扫描天线及其制造方法。在以下的说明中，首先，说明公知的TFT型LCD(以下称为“TFT-LCD”。)的结构和制造方法。不过，针对在LCD的技术领域周知的事项，有时省略说明。关于TFT-LCD的基本技术，请参照例如LiquidCrystals，Applications and Uses，Vol.1-3(Editor：Birenda Bahadur，Publisher：WorldScientific Pub Co Inc)等。为了参考，在本说明书中引用上述文献的全部公开内容。
参照图48的(a)和(b)说明典型的透射型TFT-LCD(以下简称为“LCD”。)900的结构和动作。在此，例示在液晶层的厚度方向上施加电压的纵向电场模式(例如TN模式或垂直取向模式)的LCD900。对LCD的液晶电容施加的电压的帧频率(典型地为极性反转频率的2倍)例如在4倍速驱动下也为240Hz，作为LCD的液晶电容的电介质层的液晶层的介电常数ε与相对于微波(例如卫星广播、Ku频带(12～18GHz)、K频带(18～26GHz)、Ka频带(26～40GHz))的介电常数M(εM)不同。
如在图48的(a)中示意性地表示的透射型LCD900具备液晶显示面板900a、控制电路CNTL、背光源(未图示)以及电源电路(未图示)等。液晶显示面板900a包括：液晶显示单元LCC；以及包含栅极驱动器GD和源极驱动器SD的驱动电路。驱动电路例如可以安装于液晶显示单元LCC的TFT基板910，驱动电路的一部分或者全部也可以与TFT基板910一体化(单片化)。
在图48的(b)中示意性地示出LCD900所具有的液晶显示面板(以下称为“LCD面板”。)900a的剖面图。LCD面板900a具有TFT基板910、相对基板920以及设置于它们之间的液晶层930。TFT基板910和相对基板920均具有玻璃基板等透明基板911、921。作为透明基板911、921，除了玻璃基板以外，有时也使用塑料基板。塑料基板例如用透明的树脂(例如聚酯)和玻璃纤维(例如无纺布)形成。
LCD面板900a的显示区域DR包括排列成矩阵状的像素P。在显示区域DR的周边形成有无助于显示的边框区域FR。液晶材料由以包围显示区域DR的方式形成的密封部(未图示)密封到显示区域DR内。密封部例如通过使包含紫外线固化性树脂和间隔物(例如树脂珠或者硅胶珠)的密封材料固化而形成，将TFT基板910与相对基板920相互粘合、固定。密封材料中的间隔物将TFT基板910与相对基板920的间隙、即液晶层930的厚度控制为恒定。为了抑制液晶层930的厚度的面内不匀，在显示区域DR内的被遮光的部分(例如配线上)使用紫外线固化性树脂形成柱状间隔物。近年来，如在液晶电视或智能电话用LCD面板中可以看到的，无助于显示的边框区域FR的宽度变得非常窄。
在TFT基板910中，在透明基板911上形成有TFT912、栅极总线(扫描线)GL、源极总线(显示信号线)SL、像素电极914、辅助电容电极(未图示)、CS总线(辅助电容线)(未图示)。CS总线与栅极总线平行地设置。或者有时也将下一级的栅极总线作为CS总线使用(CS导通栅极结构)。
像素电极914由控制液晶的取向的取向膜(例如聚酰亚胺膜)覆盖。取向膜以与液晶层930接触的方式设置。TFT基板910多配置于背光源侧(与观察者相反的一侧)。
相对基板920多配置于液晶层930的观察者侧。相对基板920在透明基板921上具有彩色滤光片层(未图示)、相对电极924以及取向膜(未图示)。相对电极924设置为与构成显示区域DR的多个像素P共用，因此也被称为共用电极。彩色滤光片层包括按每一像素P设置的彩色滤光片(例如红滤光片、绿滤光片、蓝滤光片)和用于遮挡对于显示而言不需要的光的黑矩阵(遮光层)。黑矩阵例如以对显示区域DR内的像素P之间和边框区域FR进行遮光的方式配置。
TFT基板910的像素电极914、相对基板920的相对电极924以及它们之间的液晶层930构成液晶电容Clc。各个液晶电容与像素对应。为了保持对液晶电容Clc施加的电压(为了提高所谓的电压保持率)，形成有与液晶电容Clc电并联连接的辅助电容CS。辅助电容CS典型地包括与像素电极914设为相同电位的电极、无机绝缘层(例如栅极绝缘层(SiO2层))以及连接到CS总线的辅助电容电极。从CS总线典型地供应与相对电极924相同的共用电压。
作为对液晶电容Clc施加的电压(有效电压)降低的原因，有(1)基于作为液晶电容Clc的容量值CClc与电阻值R的乘积的CR时间常数的原因、(2)由液晶材料中包含的离子性杂质导致的界面极化和/或液晶分子的取向极化等。其中，液晶电容Clc的CR时间常数带来的贡献较大，通过设置电并联连接到液晶电容Clc的辅助电容CS，能增大CR时间常数。此外，液晶电容Clc的作为电介质层的液晶层930的体积电阻率在是通用的向列液晶材料的情况下，超过1012Ω·cm的量级。
对像素电极914供应的显示信号是在根据从栅极驱动器GD供应到栅极总线GL的扫描信号而选择的TFT912成为导通状态时对连接到该TFT912的源极总线SL供应的显示信号。因而，连接到某栅极总线GL的TFT912同时成为导通状态，此时，从连接到该行的像素P的各个TFT912的源极总线SL供应对应的显示信号。从第一行(例如显示面的最上行)到第m行(例如显示面的最下行)为止依次进行该动作，从而在由m行的像素行构成的显示区域DR中写入、显示一个图像(帧)。当像素P按m行n列排列成矩阵状时，与各像素列对应地设置至少一根源极总线SL，而总共设置至少n根源极总线SL。
这种扫描被称为线顺序扫描，从选择一个像素行到选择下一行为止的时间被称为水平扫描期间(1H)，从选择某行到再次选择该行为止的时间被称为垂直扫描期间(1V)或者帧。此外，一般来说，1V(或者1帧)成为将选择全部m个像素行的期间m·H加上消隐期间而得到的期间。
例如，输入视频信号为NTSC信号的情况下，现有的LCD面板的1V(＝1帧)是1/60sec(16.7msec)。NTSC信号是隔行信号，帧频率为30Hz，场频率为60Hz，但在LCD面板中需要在各场中对全部像素供应显示信号，因此以1V＝(1/60)sec驱动(60Hz驱动)。此外，近年来，为了改善动态图像显示特性，也有以2倍速驱动(120Hz驱动、1V＝(1/120)sec)驱动的LCD面板、还有为了进行3D显示而以4倍速(240Hz驱动、1V＝(1/240)sec)驱动的LCD面板。
当对液晶层930施加直流电压时，有效电压降低，像素P的亮度降低。在该有效电压的降低中有上述的界面极化和/或取向极化的贡献，因此即使设置辅助电容CS也难以完全防止。例如，当将与某中间灰度级对应的显示信号按每一帧写入全部像素时，亮度会按每一帧变动，而被观察为闪烁。另外，当对液晶层930长时间施加直流电压时，有时会发生液晶材料的电解。另外，有时也会是杂质离子偏析于单侧的电极，而无法对液晶层施加有效的电压，液晶分子无法动作。为了防止这些情况，LCD面板900a进行所谓的交流驱动。典型地进行使显示信号的极性按每一帧(每一垂直扫描期间)反转的帧反转驱动。例如在现有的LCD面板中，按每1/60sec进行极性反转(极性反转的周期为30Hz)。
另外，为了在1帧内也使施加的电压的极性不同的像素均匀地分布，而进行点反转驱动或者线反转驱动等。其原因是，正极性与负极性时，难以使对液晶层施加的有效电压的大小完全一致。例如液晶材料的体积电阻率超过1012Ω·cm的量级时，若按每1/60sec进行点反转或者线反转驱动，则几乎不会看到闪烁。
基于从控制电路CNTL向栅极驱动器GD和源极驱动器SD供应的信号，LCD面板900a中的扫描信号和显示信号从栅极驱动器GD和源极驱动器SD分别供应到栅极总线GL和源极总线SL。例如，栅极驱动器GD和源极驱动器SD分别连接到设置于TFT基板910的对应的端子。栅极驱动器GD和源极驱动器SD例如有时作为驱动器IC安装于TFT基板910的边框区域FR，有时以单片形成于TFT基板910的边框区域FR。
相对基板920的相对电极924经由被称为传输(转移)的导电部(未图示)电连接到TFT基板910的端子(未图示)。传输是通过例如与密封部重叠或者对密封部的一部分赋予导电性而形成的。这是为了缩窄边框区域FR。从控制电路CNTL对相对电极924直接或者间接地供应共用电压。典型地，共用电压如上所述也对CS总线供应。
使用了利用液晶材料的大的介电常数M(εM)的各向异性(双折射率)的天线单位的扫描天线对施加于与LCD面板的像素对应的天线单位的各液晶层的电压进行控制，使各天线单位的液晶层的有效的介电常数M(εM)变化，从而由静电电容不同的天线单位形成二维图案(与由LCD进行的图像的显示对应。)。从天线出射或者由天线接收的电磁波(例如微波)被赋予与各天线单位的静电电容相应的相位差，根据由静电电容不同的天线单位形成的二维图案而在特定的方向上具有强指向性(波束扫描)。例如，从天线出射的电磁波是通过考虑由各天线单位赋予的相位差而对输入电磁波入射到各天线单位并在各天线单位散射后得到的球面波进行积分而得到的。也能够认为各天线单位作为“移相器：phaseshifter”发挥功能。关于使用液晶材料的扫描天线的基本结构和动作原理，请参照专利文献1～4和非专利文献1、2。非专利文献2公开了排列有螺旋状缝隙的扫描天线的基本结构。为了参考，在本说明书中引用专利文献1～4和非专利文献1、2的全部公开内容。
此外，本发明的实施方式的扫描天线的天线单位虽然与LCD面板的像素类似，但是与LCD面板的像素的结构不同，且多个天线单位的排列也与LCD面板中的像素的排列不同。参照示出后面详细说明的第一实施方式的扫描天线1000的图1来说明本发明的实施方式的扫描天线的基本结构。扫描天线1000是缝隙排列成同心圆状的径向线缝隙天线，但本发明的实施方式的扫描天线不限于此，例如缝隙的排列也可以是公知的各种排列。
图1是示意性地表示本实施方式的扫描天线1000的一部分的剖面图，示意性地表示从设置于排列成同心圆状的缝隙的中心近旁的供电销72(参照图2的(b))起沿着半径方向的剖面的一部分。
扫描天线1000具备TFT基板101、缝隙基板201、配置在它们之间的液晶层LC、以及以隔着空气层54与缝隙基板201相对的方式配置的反射导电板65。扫描天线1000从TFT基板101侧发送、接收微波。
TFT基板101具有玻璃基板等电介质基板1、形成于电介质基板1上的多个贴片电极15以及多个TFT10。各贴片电极15连接到对应的TFT10。各TFT10连接到栅极总线和源极总线。
缝隙基板201具有玻璃基板等电介质基板51和形成于电介质基板51的液晶层LC侧的缝隙电极55。缝隙电极55具有多个缝隙57。
反射导电板65配置成隔着空气层54与缝隙基板201相对。能够使用相对于微波的介电常数M小的电介质(例如PTFE等氟素树脂)形成的层来代替空气层54。缝隙电极55和反射导电板65以及它们之间的电介质基板51及空气层54作为波导路径301发挥功能。
贴片电极15、包含缝隙57的缝隙电极55的部分以及它们之间的液晶层LC构成天线单位U。在各天线单位U中，一个贴片电极15隔着液晶层LC与包含一个缝隙57的缝隙电极55的部分相对，构成液晶电容。贴片电极15与缝隙电极55隔着液晶层LC相对的结构与图48所示的LCD面板900a的像素电极914与相对电极924隔着液晶层930相对的结构类似。即，扫描天线1000的天线单位U与LCD面板900a中的像素P具有类似的构成。另外，天线单位在具有与液晶电容电并联连接的辅助电容(参照图13的(a)、图17)方面也具有与LCD面板900a中的像素P相似的构成。但是，扫描天线1000与LCD面板900a具有许多不同点。
首先，扫描天线1000的电介质基板1、51所要求的性能不同于LCD面板的基板所要求的性能。
LCD面板一般使用在可见光透明的基板，例如使用玻璃基板或塑料基板。在反射型的LCD面板中，背面侧的基板不需要有透明性，因此有时也使用半导体基板。而作为天线用的电介质基板1、51，优选相对于微波的介电损耗(将相对于微波的介电耗角表示为tanδM。)小。电介质基板1、51的tanδM为大致0.03以下，进一步优选为0.01以下。具体地，能使用玻璃基板或者塑料基板。玻璃基板与塑料基板相比尺寸稳定性、耐热性优异，适用使用LCD技术形成TFT、配线、电极等电路要素。例如在形成波导路径的材料是空气和玻璃的情况下，玻璃的上述介电损耗较大，因此从较薄的玻璃更能减小导波损耗这一观点来看，优选是400μm以下，更优选是300μm以下。没有特别的下限，只要在制造工艺中能无破损地进行处理即可。
电极所使用的导电材料也是不同的。在LCD面板的像素电极、相对电极中多使用ITO膜作为透明导电膜。但是，ITO相对于微波的tanδM大，无法作为天线中的导电层使用。缝隙电极55与反射导电板65一起作为波导路径301的壁发挥功能。因而，为了抑制波微波透射过导路径301的壁，优选波导路径301的壁的厚度、即金属层(Cu层或者Al层)的厚度大。已知金属层的厚度若是表皮深度的3倍，则电磁波衰减为1/20(-26dB)，若是5倍，则衰减为1/150(-43dB)左右。因而，若金属层的厚度是表皮深度的5倍，则能将电磁波的透射率降低为1％。例如，当针对10GHz的微波使用厚度为3.3μm以上的Cu层、和厚度为4.0μm以上的Al层时，能将微波降低到1/150。另外，当针对30GHz的微波使用厚度为1.9μm以上的Cu层和厚度为2.3μm以上的Al层时，能将微波降低到1/150。这样，优选缝隙电极55由比较厚的Cu层或者Al层形成。Cu层或者Al层的厚度没有特别的上限，能考虑成膜时间、成本而适当地设定。当使用Cu层时，能得到与使用Al层相比形成为较薄的优点。不仅能采用在LCD的制造工艺中使用的薄膜沉积法，还能采用将Cu箔或者Al箔贴附于基板等其他方法来形成比较厚的Cu层或者Al层。金属层的厚度例如是2μm以上30μm以下。在使用薄膜沉积法形成的情况下，优选金属层的厚度是6μm以下。此外，反射导电板65能使用例如厚度为数mm的铝板、铜板等。
贴片电极15并不是如缝隙电极55那样构成波导路径301，因此能使用与缝隙电极55相比厚度较小的Cu层或者Al层。但是，为了避免缝隙电极55的缝隙57附近的自由电子的振动被诱发为贴片电极15内的自由电子的振动时转化为热的损耗，而优选电阻低的贴片电极15。从批量生产性的观点来看，与Cu层相比优选使用Al层，优选Al层的厚度例如是0.3μm以上2μm以下。
另外，天线单位U的排列间距与像素间距大为不同。例如，当考虑12GHz(Kuband)的微波用的天线时，波长λ例如是25mm。这样，如专利文献4所记载的，天线单位U的间距是λ/4以下和/或λ/5以下，因此成为6.25mm以下和/或5mm以下。这比LCD面板的像素的间距大10倍以上。因而，天线单位U的长度和宽度也会比LCD面板的像素长度和宽度大约10倍。
当然，天线单位U的排列可与LCD面板中的像素的排列不同。在此，示出排列成同心圆状的例子(例如参照日本特开2002-217640号公报)，但不限于此，例如也可以如非专利文献2所记载的那样排列成螺旋状。而且，也可以如专利文献4所记载的那样排列成矩阵状。
扫描天线1000的液晶层LC的液晶材料所要求的特性与LCD面板的液晶材料所要求的特性不同。LCD面板通过像素的液晶层的折射率变化而对可见光(波长380nm～830nm)的偏振光赋予相位差，从而使偏振光状态变化(例如使直线偏振光的偏振光轴方向旋转或者使圆偏振光的圆偏振光度变化)，由此进行显示。而实施方式的扫描天线1000通过使天线单位U所具有的液晶电容的静电电容值变化而使从各贴片电极激振(再辐射)的微波的相位变化。因此，优选液晶层的相对于微波的介电常数M(εM)的各向异性(ΔεM)大，优选tanδM小。例如能适于M.Wittek et al.，SID 2015DIGESTpp.824-826中记载的ΔεM为4以上且tanδM为0.02以下(均为19Gz的值)。除此之外，能使用在九鬼、高分子55卷8月号pp.599-602(2006)中记载的ΔεM为0.4以上、tanδM为0.04以下的液晶材料。
液晶材料的介电常数一般具有频率分散性，但相对于微波的介电各向异性ΔεM与相对于可见光的折射率各向异性Δn存在正相关关系。因而可以说，就相对于微波的天线单位用的液晶材料而言，优选是相对于可见光的折射率各向异性Δn大的材料。LCD用的液晶材料的折射率各向异性Δn是用相对于550nm的光的折射率各向异性来评价的。当在此也将相对于550nm的光的Δn(双折射率)用作指标时，在针对微波的天线单位中使用Δn为0.3以上、优选为0.4以上的向列液晶。Δn没有特别的上限。不过，Δn大的液晶材料存在极性强的倾向，因此有可能使可靠性降低。从可靠性的观点来看，优选Δn是0.4以下。液晶层的厚度例如是1μm～500μm。
以下，更详细地说明本发明的实施方式的扫描天线的结构和制造方法。
(第一实施方式)
首先，参照图1和图2。图1如详述那样是扫描天线1000的中心附近的示意性局部剖面图，图2的(a)和(b)分别是表示扫描天线1000中的TFT基板101和缝隙基板201的示意性俯视图。
扫描天线1000具有按二维排列的多个天线单位U，在此例示的扫描天线1000中，多个天线单位排列成同心圆状。在以下的说明中，将与天线单位U对应的TFT基板101的区域和缝隙基板201的区域称为“天线单位区域”，标注与天线单位相同的附图标记U。另外，如图2的(a)和图2的(b)所示，在TFT基板101和缝隙基板201中，将由按二维排列的多个天线单位区域划定的区域称为“发送接收区域R1”、将发送接收区域R1以外的区域称为“非发送接收区域R2”。在非发送接收区域R2中设置端子部、驱动电路等。
图2的(a)是表示扫描天线1000中的TFT基板101的示意性俯视图。
在图示的例子中，从TFT基板101的法线方向观察时，发送接收区域R1是环状。非发送接收区域R2包括位于发送接收区域R1的中心部的第一非发送接收区域R2a和位于发送接收区域R1的周缘部的第二非发送接收区域R2b。发送接收区域R1的外径例如是200mm～1500mm，是根据通信量等设定的。
在TFT基板101的发送接收区域R1中设有由电介质基板1支撑的多根栅极总线GL和多根源极总线SL，利用这些配线来规定天线单位区域U。天线单位区域U在发送接收区域R1中排列成例如同心圆状。天线单位区域U各自包括TFT和电连接到TFT的贴片电极。TFT的源极电极连接到源极总线SL，TFT的栅极电极连接到栅极总线GL。另外，TFT的漏极电极与贴片电极电连接。
在非发送接收区域R2(R2a、R2b)中以包围发送接收区域R1的方式配置有密封区域Rs。对密封区域Rs赋予密封材料(未图示)。密封材料使TFT基板101和缝隙基板201相互粘合，并且在这些基板101、201之间封入液晶。
在非发送接收区域R2中的密封区域Rs的外侧设置有栅极端子部GT、栅极驱动器GD、源极端子部ST以及源极驱动器SD。栅极总线GL各自经由栅极端子部GT连接到栅极驱动器GD。源极总线SL各自经由源极端子部ST连接到源极驱动器SD。此外，在该例中，源极驱动器SD和栅极驱动器GD形成于电介质基板1上，但这些驱动器中的一方或者双方也可以设置于另一电介质基板上。
在非发送接收区域R2中还设置有多个传输端子部PT。传输端子部PT与缝隙基板201的缝隙电极55(图2的(b))电连接。在本说明书中，将传输端子部PT与缝隙电极55的连接部称为“传输部”。如图所示，传输端子部PT(传输部)可以配置于密封区域Rs内。在该情况下，可以使用含有导电性粒子的树脂作为密封材料。由此，能使液晶封入TFT基板101与缝隙基板201之间，并且能确保传输端子部PT与缝隙基板201的缝隙电极55的电连接。在该例中，在第一非发送接收区域R2a和第二非发送接收区域R2b两者中均配置有传输端子部PT，但也可以仅配置于任意一者。
此外，传输端子部PT(传输部)也可以不配置于密封区域Rs内。例如也可以配置于非发送接收区域R2中的密封区域Rs的外侧。
图2的(b)是例示扫描天线1000中的缝隙基板201的示意性俯视图，示出缝隙基板201的液晶层LC侧的表面。
在缝隙基板201中，在电介质基板51上，跨发送接收区域R1和非发送接收区域R2形成有缝隙电极55。
在缝隙基板201的发送接收区域R1中，多个缝隙57配置于缝隙电极55。缝隙57与TFT基板101中的天线单位区域U对应配置。在图示的例子中，多个缝隙57为了构成径向线缝隙天线，而使在相互大致正交的方向上延伸的一对缝隙57排列成同心圆状。由于具有相互大致正交的缝隙，因此扫描天线1000能发送、接收圆偏振波。
缝隙电极55的端子部IT在非发送接收区域R2中设置有多个。端子部IT与TFT基板101的传输端子部PT(图2的(a))电连接。在该例中，端子部IT配置于密封区域Rs内，通过含有导电性粒子的密封材料与对应的传输端子部PT电连接。
另外，在第一非发送接收区域R2a中，供电销配置于缝隙基板201的背面侧。微波通过供电销72进入由缝隙电极55、反射导电板65以及电介质基板51构成的波导路径301。供电销72连接到供电装置70。从排列有缝隙57的同心圆的中心进行供电。供电的方式可以是直接连结供电方式和电磁耦合方式中的任意一种，能采用公知的供电结构。
以下，参照附图更详细地说明扫描天线1000的各构成要素。
<TFT基板101的结构>
·天线单位区域U
图3的(a)和(b)分别是示意性地表示TFT基板101的天线单位区域U的剖面图和俯视图。
天线单位区域U各自具备：电介质基板(未图示)；TFT10，其支撑于电介质基板；第一绝缘层11，其覆盖TFT10；贴片电极15，其形成于第一绝缘层11上，电连接到TFT10；以及第二绝缘层17，其覆盖贴片电极15。TFT10例如配置于栅极总线GL和源极总线SL的交点近旁。
TFT10具备栅极电极3、岛状的半导体层5、配置于栅极电极3与半导体层5之间的栅极绝缘层4、源极电极7S以及漏极电极7D。TFT10的结构没有特别限定。在该例子中，TFT10是具有底栅结构的沟道蚀刻型的TFT。
栅极电极3电连接到栅极总线GL，由栅极总线GL供应扫描信号。源极电极7S电连接到源极总线SL，由源极总线SL供应数据信号。栅极电极3和栅极总线GL可以由相同的导电膜(栅极用导电膜)形成。源极电极7S、漏极电极7D以及源极总线SL可以由相同的导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜和源极用导电膜例如为金属膜。在本说明书中，有时将使用栅极用导电膜形成的层(layer)称为“栅极金属层”，将使用源极用导电膜形成的层称为“源极金属层”。
半导体层5以隔着栅极绝缘层4与栅极电极3重叠的方式配置。在图示的例子中，在半导体层5上形成有源极接触层6S和漏极接触层6D。源极接触层6S和漏极接触层6D分别配置于半导体层5中的形成沟道的区域(沟道区域)的两侧。半导体层5可以为本征非晶硅(i-a-Si)层，源极接触层6S和漏极接触层6D可以为n+型非晶硅(n+-a-Si)层。
源极电极7S以与源极接触层6S接触的方式设置，并经由源极接触层6S而与半导体层5连接。漏极电极7D以与漏极接触层6D接触的方式设置，并经由漏极接触层6D而与半导体层5连接。
第一绝缘层11具有到达TFT10的漏极电极7D的接触孔CH1。
贴片电极15设置于第一绝缘层11上和接触孔CH1内，在接触孔CH1内与漏极电极7D接触。贴片电极15包含金属层。贴片电极15也可以是仅由金属层形成的金属电极。贴片电极15的材料也可以与源极电极7S和漏极电极7D相同。不过，贴片电极15中的金属层的厚度(贴片电极15为金属电极的情况下是贴片电极15的厚度)设定为大于源极电极7S和漏极电极7D的厚度。在贴片电极15中的金属层的厚度在由Al层形成的情况下，例如设定为0.3μm以上。
可以使用与栅极总线GL相同的导电膜来设置CS总线CL。CS总线CL可以以隔着栅极绝缘层4与漏极电极(或者漏极电极的延长部分)7D重叠的方式配置，构成以栅极绝缘层4为电介质层的辅助电容CS。
也可以在比栅极总线GL靠电介质基板侧形成有对准标记(例如金属层)21和覆盖对准标记21的基底绝缘膜2。关于对准标记21，在由一个玻璃基板制作例如m个TFT基板的情况下，若光掩模的个数为n个(n<m)，则需要将各露光工序分为多次进行。这样，在光掩模的个数(n个)比由一个玻璃基板1制作的TFT基板101的个数(m个)少时，用于光掩模的对准。对准标记21能省略。
在本实施方式中，在与源极金属层不同的层内形成贴片电极15。由此，能得到如下优点。
由于源极金属层通常是使用金属膜形成的，所以还可以考虑在源极金属层内形成贴片电极。但是，优选贴片电极是不阻碍电子的振动程度的低电阻，例如由厚度为0.3μm以上的比较厚的Al层形成。从天线性能的观点来看，优选厚的贴片电极。然而，虽也取决于TFT的构成，但有时会产生如下问题：若将具有例如超过1μm的厚度的贴片电极形成为源极金属层，则不能够得到期望的图案化精度。例如，产生如下问题：不能以高精度控制源极电极和漏极电极的间隙(相当于TFT的沟道长度)。对此，在本实施方式中，与源极金属层分开地形成贴片电极15，因此能独立地控制源极金属层的厚度和贴片电极15的厚度。因而能确保形成源极金属层时的控制性且形成所希望厚度的贴片电极15。
在本实施方式中，能与源极金属层的厚度分开地以高自由度设定贴片电极15的厚度。此外，贴片电极15的尺寸无需如源极总线SL等那样被严格地控制，因此即使由于增厚贴片电极15而致使线宽度变动(与设计值的偏差)变大也不要紧。此外，并不排除贴片电极15的厚度与源极金属层的厚度相等的情况。
贴片电极15可以包含Cu层或者Al层作为主层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻相关，主层的厚度以得到所希望的电阻的方式设定。从电阻的观点来看，存在与Al层相比，能够减小Cu层贴片电极15的厚度的可能性。
·栅极端子部GT、源极端子部ST以及传输端子部PT
图4的(a)～(c)分别是示意性表示栅极端子部GT、源极端子部ST以及传输端子部PT的剖面图。
栅极端子部GT具备形成于电介质基板上的栅极总线GL、覆盖栅极总线GL的绝缘层以及栅极端子用上部连接部19g。栅极端子用上部连接部19g在形成于绝缘层的接触孔CH2内与栅极总线GL接触。在该例中，覆盖栅极总线GL的绝缘层从电介质基板侧起包含栅极绝缘层4、第一绝缘层11和第二绝缘层17。栅极端子用上部连接部19g例如是由设置于第二绝缘层17上的透明导电膜形成的透明电极。
源极端子部ST具备形成于电介质基板上(在此为栅极绝缘层4上)的源极总线SL、覆盖源极总线SL的绝缘层、以及源极端子用上部连接部19s。源极端子用上部连接部19s在形成于绝缘层的接触孔CH3内与源极总线SL接触。在该例中，覆盖源极总线SL的绝缘层包含第一绝缘层11和第二绝缘层17。源极端子用上部连接部19s例如是由设置于第二绝缘层17上的透明导电膜形成的透明电极。
传输端子部PT具有形成于第一绝缘层11上的贴片连接部15p、覆盖贴片连接部15p的第二绝缘层17以及传输端子用上部连接部19p。传输端子用上部连接部19p在形成于第二绝缘层17的接触孔CH4内与贴片连接部15p接触。贴片连接部15p由与贴片电极15相同的导电膜形成。传输端子用上部连接部(也称为上部透明电极。)19p例如是由设置于第二绝缘层17上的透明导电膜形成的透明电极。在本实施方式中，各端子部的上部连接部19g、19s和19p由相同的透明导电膜形成。
在本实施方式中，有如下优点：能透过在形成了第二绝缘层17后的蚀刻工序同时形成各端子部的接触孔CH2、CH3、CH4。后述详细的制造工艺。
<TFT基板101的制造方法>TFT基板101例如能用以下的方法来制造。图5是例示TFT基板101的制造工序的图。
首先，在电介质基板上形成金属膜(例如Ti膜)，并对其进行图案化，从而形成对准标记21。作为电介质基板，例如能使用玻璃基板、具有耐热性的塑料基板(树脂基板)等。接着，以覆盖对准标记21的方式形成基底绝缘膜2。例如使用SiO2膜作为基底绝缘膜2。
接下来，在基底绝缘膜2上形成包含栅极电极3和栅极总线GL的栅极金属层。
栅极电极3能与栅极总线GL一体地形成。在此，在电介质基板上通过溅射法等形成未图示的栅极用导电膜(厚度：例如为50nm以上500nm以下)。接着，通过对栅极用导电膜进行图案化，得到栅极电极3和栅极总线GL。栅极用导电膜的材料没有特别限定。能适当地使用包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或者其金属氮化物的膜。在此，形成依次层叠MoN(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为200nm)以及MoN(厚度：例如为50nm)而成的层叠膜作为栅极用导电膜。
接着，以覆盖栅极金属层的方式形成栅极绝缘层4。栅极绝缘层4能通过CVD法等形成。能适当地使用氧化硅(SiO2)层、氮化硅(SiNx)层、氧化氮化硅(SiOxNy；x>y)层、氮化氧化硅(SiNxOy；x>y)层等作为栅极绝缘层4。栅极绝缘层4也可以具有层叠结构。在此，形成SiNx层(厚度：例如为410nm)作为栅极绝缘层4。
接着，在栅极绝缘层4上形成半导体层5和接触层。在此，将本征非晶硅膜(厚度：例如为125nm)和n+型非晶硅膜(厚度：例如为65nm)按顺序形成并对其进行图案化，从而得到岛状的半导体层5和接触层。在半导体层5中使用的半导体膜不限于非晶硅膜。例如也可以形成氧化物半导体层作为半导体层5。在该情况下，可以不在半导体层5与源极/漏极电极之间设置接触层。
接着，在栅极绝缘层4上和接触层上形成源极用导电膜(厚度：例如为50nm以上500nm以下)，并对其进行图案化，从而形成包含源极电极7S、漏极电极7D及源极总线SL的源极金属层。此时，接触层也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6S和漏极接触层6D。
源极用导电膜的材料没有特别限定。能适当地使用包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或者其金属氮化物的膜。在此，形成依次层叠MoN(厚度：例如为30nm)、Al(厚度：例如为200nm)及MoN(厚度：例如为50nm)而成的层叠膜作为源极用导电膜。此外，也可以取而代之，而形成依次层叠Ti(厚度：例如为30nm)、MoN(厚度：例如为30nm)、Al(厚度：例如为200nm)以及为MoN(厚度：例如50nm)而成的层叠膜作为源极用导电膜。
在此，例如用溅射法形成源极用导电膜，通过湿式蚀刻进行源极用导电膜的图案化(源极/漏极分离)。之后，例如通过干式蚀刻将接触层中的位于成为半导体层5的沟道区域的区域上的部分除去而形成间隙部，分离成源极接触层6S和漏极接触层6D。此时，在间隙部中，半导体层5的表面附近也被蚀刻(过蚀刻)。
此外，也可以在使用例如依次层叠Ti膜和Al膜而成的层叠膜作为源极用导电膜的情况下，在使用例如磷酸醋酸硝酸水溶液以湿法蚀刻进行Al膜的图案化之后，以干法蚀刻同时将Ti膜和接触层(n+型非晶硅层)6图案化。或者，也能够一并对源极用导电膜和接触层进行蚀刻。但是，在同时对源极用导电膜或者其下层与接触层6进行蚀刻的情况下，有时难以控制基板整体的半导体层5的蚀刻量(间隙部的挖深量)的分布。相对于此，如上述那样，若通过独立的蚀刻工序进行源极/漏极分离与间隙部的形成，能够更加容易地控制间隙部的蚀刻量。
接着，以覆盖TFT10的方式形成第一绝缘层11。在该例中，第一绝缘层11以与半导体层5的沟道区域接触的方式配置。另外，通过公知的光刻在第一绝缘层11形成到达漏极电极7D的接触孔CH1。
第一绝缘层11例如可以是氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮化氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等无机绝缘层。在此，例如通过CVD法形成厚度例如为330nm的SiNx层作为第一绝缘层11。
接着，在第一绝缘层11上和接触孔CH1内形成贴片用导电膜，并对其进行图案化。由此，在发送接收区域R1形成贴片电极15，在非发送接收区域R2形成贴片连接部15p。贴片电极15在接触孔CH1内与漏极电极7D接触。此外，在本说明书中，有时将由贴片用导电膜形成的、包含贴片电极15、贴片连接部15p的层称为“贴片金属层”。
能使用与栅极用导电膜或源极用导电膜同样的材料作为贴片用导电膜的材料。不过，贴片用导电膜设定为比栅极用导电膜和源极用导电膜厚。由此，通过减小贴片电极的片电阻，能降低贴片电极内的自由电子的振动转化为热的损耗。贴片用导电膜的合适厚度例如是0.3μm以上。若比其薄，片电阻变成0.10Ω/sq以上，可能产生损耗变大的问题。贴片用导电膜的厚度例如为3μm以下，更加优选为2μm以下。若比其厚，则有时产生基板的翘曲。若翘曲较大，则在量产工艺中，有时发生输送故障、基板的缺损、或者基板的开裂等问题。
在此，形成依次层叠MoN(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为1000nm)及MoN(厚度：例如为50nm)而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为贴片用导电膜。此外，也可以取而代之，形成依次层叠Ti(厚度：例如为50nm)、MoN(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为2000nm)及MoN(厚度：例如为50nm)而成的层叠膜(MoN/Al/MoN/Ti)。或者，还可以取而代之，形成依次层叠Ti(厚度：例如为50nm)、MoN(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为500nm)及MoN(厚度：例如为50nm)而成的层叠膜(MoN/Al/MoN/Ti)。或者还可以使用依次层叠Ti膜、Cu膜及Ti膜而成的层叠膜(Ti/Cu/Ti)、或者依次层叠Ti膜和Cu膜而成的层叠膜(Cu/Ti)。
接着，在贴片电极15和第一绝缘层11上形成第二绝缘层(厚度：例如为100nm以上300nm以下)17。作为第二绝缘层17没有特别地限定，例如能适当地使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、及氮化氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。在此，例如形成厚度为200nm的SiNx层作为第二绝缘层17。
之后，例如通过使用了氟系气体的干式蚀刻对无机绝缘膜(第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4)一并进行蚀刻。在蚀刻中，贴片电极15、源极总线SL及栅极总线GL作为蚀刻阻挡物发挥功能。由此，在第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4形成到达栅极总线GL的接触孔CH2，在第二绝缘层17和第一绝缘层11形成到达源极总线SL的接触孔CH3。另外，在第二绝缘层17形成到达贴片连接部15p的接触孔CH4。
在该例中，由于对无机绝缘膜一并进行蚀刻，因此在所得到的接触孔CH2的侧壁，第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4的侧面相匹配，在接触孔CH3的侧壁，第二绝缘层17和第一绝缘层11的侧壁相匹配。此外，在本说明书中，在接触孔内不同的两个以上的层的“侧面相匹配”不仅包括这些层中的在接触孔内露出的侧面在垂直方向上齐平的情况，还包括以连续的方式构成锥形等倾斜面的情况。这种结构例如通过使用同一掩模对上述层进行蚀刻、或者将一个层作为掩模来进行另一个层的蚀刻等而得到。
接着，在第二绝缘层17上、和接触孔CH2、CH3、CH4内，例如通过溅射法形成透明导电膜(厚度：50nm以上200nm以下)。能够使用例如ITO(氧化铟锡)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等作为透明导电膜。在此，使用厚度例如是100nm的ITO膜作为透明导电膜。
接着，通过对透明导电膜进行图案化而形成栅极端子用上部连接部19g、源极端子用上部连接部19s及传输端子用上部连接部19p。栅极端子用上部连接部19g、源极端子用上部连接部19s及传输端子用上部连接部19p用于保护在各端子部露出的电极或配线。这样，得到栅极端子部GT、源极端子部ST及传输端子部PT。
<缝隙基板201的结构>接着，更具体地说明缝隙基板201的结构。
图6是示意性地表示缝隙基板201中的天线单位区域U和端子部IT的剖面图。
缝隙基板201具备：具有表面和背面的电介质基板51；形成在电介质基板51的表面的第三绝缘层52；形成在第三绝缘层52上的缝隙电极55；以及覆盖缝隙电极55的第四绝缘层58。反射导电板65以经由电介质层(空气层)54而与电介质基板51的背面相对的方式配置。缝隙电极55和反射导电板65作为波导路径301的壁发挥功能。
在发送接收区域R1中，在缝隙电极55形成有多个缝隙57。缝隙57是贯通缝隙电极55的开口。在该例子中，在各天线单位区域U配置有一个缝隙57。
第四绝缘层58形成在缝隙电极55上和缝隙57内。第四绝缘层58的材料可以与第三绝缘层52的材料相同。由第四绝缘层58覆盖缝隙电极55，由此缝隙电极55与液晶层LC不直接接触，因此能够提高可靠性。若缝隙电极55由Cu层形成，则有时Cu熔出于液晶层LC。并且，若使用薄膜堆积技术由Al层形成缝隙电极55，则有时Al层含有孔隙。第四绝缘层58能够防止液晶材料侵入到Al层的孔隙中。此外，若将铝箔通过粘接材料粘贴于电介质基板51，并对其进行图案化，来制作缝隙电极55，则能够避免孔隙的问题。
缝隙电极55包含Cu层、Al层等的主层55M。缝隙电极55可以具有包含主层55M以及以夹着主层55M的方式配置的上层55U和下层55L的层叠结构。主层55M的厚度根据材料并考虑表皮效应而进行设定，例如可以为2μm以上30μm以下。主层55M的厚度通常大于上层55U和下层55L的厚度。
在图示的例子中，主层55M为Cu层，上层55U和下层55L为Ti层。通过在主层55M与第三绝缘层52之间配置下层55L，由此能够提高缝隙电极55与第三绝缘层52的紧贴性。并且，通过设置上层55U，能够抑制腐蚀主层55M(例如Cu层)。
反射导电板65构成波导路径301的壁，因此优选具有表皮深度的3倍以上、更优选具有5倍以上的厚度。反射导电板65例如能够使用通过切削而制作出的厚度为几mm的铝板、铜板等。
在非发送接收区域R2设置有端子部IT。端子部IT具备缝隙电极55、覆盖缝隙电极55的第四绝缘层58、以及上部连接部60。第四绝缘层58具有到达缝隙电极55的开口。上部连接部60在开口内与缝隙电极55接触。在本实施方式中，端子部IT配置在密封区域Rs内，并通过含有导电性粒子的密封树脂而与TFT基板中的传输端子部连接(传输部)。
·传输部
图7是用于说明将TFT基板101的传输端子部PT与缝隙基板201的端子部IT连接的传输部的示意性剖面图。在图7中，对与图1～图4同样的构成要素标注相同的附图标记。
在传输部中，端子部IT的上部连接部60与TFT基板101中的传输端子部PT的传输端子用上部连接部19p电连接。在本实施方式中，将上部连接部60与上部连接部19p1经由包含导电性珠(例如Au珠)71的树脂(密封树脂)73(有时也称为“密封部73”。)连接。
上部连接部60、19p均为ITO膜、IZO膜等透明导电层，透明导电层的厚度例如以使片电阻小于0.10Ω/sq的方式设定。透明导电层的厚度例如是20nm以上250nm以下。
传输部既可以配置于扫描天线1000的中心部和周缘部(即，从扫描天线1000的法线方向观察时的环状的发送接收区域R1的内侧和外侧)这两者，也可以仅配置于任意一者。传输部既可以配置在将液晶封入的密封区域Rs内，也可以配置在密封区域Rs的外侧(与液晶层相反一侧)。
<缝隙基板201的制造方法>
缝隙基板201例如能用以下的方法制造。
首先，在电介质基板上形成第三绝缘层(厚度：例如为200nm)52。能够使用玻璃基板、树脂基板等、相对于电磁波的透射率高的(介电常数εM和介电损耗tanδM较小)基板作为电介质基板。为了抑制电磁波的衰减，优选电介质基板较薄。例如，也可以在玻璃基板的表面通过后述的工艺形成缝隙电极55等构成要素之后，使玻璃基板从背面侧薄板化。由此，能够将玻璃基板的厚度降低为例如500μm以下。
在使用树脂基板作为电介质基板的情况下，既可以将TFT等构成要素直接形成在树脂基板上，也可以使用转印法而形成在树脂基板上。若利用转印法，则例如，在玻璃基板上形成树脂膜(例如聚酰亚胺膜)，并在树脂膜上通过后述的工艺形成构成要素之后，使形成有构成要素的树脂膜与玻璃基板分离。通常，与玻璃相比，树脂的介电常数εM和介电损耗tanδM较小。树脂基板的厚度例如为3μm～300μm。除聚酰亚胺之外，例如也能够使用液晶高分子作为树脂材料。
作为第三绝缘层52，没有特别地限定，例如能适当地使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、及氮化氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。
接着，在第三绝缘层52之上形成金属膜，并对其进行图案化，由此得到具有多个缝隙57的缝隙电极55。作为金属膜，可以使用厚度为2μm～6μm的Cu膜(或者Al膜)。在此，使用依次层叠Ti膜、Cu膜及Ti膜而成的层叠膜。此外，也可以取而代之，形成依次层叠Ti(厚度：例如为50nm)和Cu(厚度：例如为5000nm)而成的层叠膜。
之后，在缝隙电极55上和缝隙57内形成第四绝缘层(厚度：例如为100nm或200nm)58。第四绝缘层58的材料可以与第三绝缘层的材料相同。之后，在非发送接收区域R2中，在第四绝缘层58形成到达缝隙电极55的开口部。
接着，在第四绝缘层58上和第四绝缘层58的开口部内形成透明导电膜，并对其进行图案化，由此形成在开口部内与缝隙电极55接触的上部连接部60。由此，得到端子部IT。
<TFT10的材料和结构>
在本实施方式中，使用将半导体层5设为活性层的TFT作为配置于各像素的开关元件。半导体层5并不限于非晶硅层，也可以是多晶硅层、氧化物半导体层。
在使用氧化物半导体层的情况下，氧化物半导体层所包含的氧化物半导体既可以是非晶质氧化物半导体，也可以是具有晶质部分的晶质氧化物半导体。能够列举多晶氧化物半导体、微晶氧化物半导体、c轴以与层面大致垂直的方式取向的晶质氧化物半导体等作为晶质氧化物半导体。
氧化物半导体层可以具有两层以上的层叠结构。在氧化物半导体层具有层叠结构的情况下，氧化物半导体层可以包含非晶质氧化物半导体层与晶质氧化物半导体层。或者，也可以包含结晶结构不同的多个晶质氧化物半导体层。并且，还可以包含多个非晶质氧化物半导体层。在氧化物半导体层具有包含上层与下层的双层结构的情况下，优选上层所包含的氧化物半导体的能隙大于下层所包含的氧化物半导体的能隙。但是，在上述层的能隙之差比较小的情况下，下层的氧化物半导体的能隙也可以大于上层的氧化物半导体的能隙。
非晶质氧化物半导体和上述各晶质氧化物半导体的材料、结构、成膜方法、具有层叠结构的氧化物半导体层的结构等例如在日本特开2014-007399号公报有所记载。为了参考，在本说明书中援用日本特开2014-007399号公报的全部公开内容。
氧化物半导体层例如可以包含In、Ga以及Zn中的至少一种金属元素。在本实施方式中，氧化物半导体层例如包含In-Ga-Zn-O系的半导体(例如氧化铟镓锌)。此处，In-Ga-Zn-O类半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元类氧化物，In、Ga和Zn的比例(组成比)并无特别限定，例如能够为In：Ga：Zn＝2：2：1、In：Ga：Zn＝1：1：1、In：Ga：Zn＝1：1：2等。这种氧化物半导体层能够由包含In-Ga-Zn-O系的半导体的氧化物半导体膜形成。此外，有时将具有包含In-Ga-Zn-O系的半导体等、氧化物半导体的活性层的沟道蚀刻型TFT称为“CE-OS-TFT”。
In-Ga-Zn-O类半导体可以是非晶体，也可以是晶体。优选c轴以与层面大致垂直的方式取向的晶质In-Ga-Zn-O系的半导体作为晶质In-Ga-Zn-O系的半导体。
此外，晶质In-Ga-Zn-O系的半导体的结晶结构例如在上述的日本特开2014-007399号公报、日本特开2012-134475号公报、及日本特开2014-209727号公报等中公开。为了进行参照，在本说明书中引用日本特开2012-134475号公报和日本特开2014-209727号公报的全部公开内容。具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT具有高移动度(与a-SiTFT相比超20倍)和低漏极流(与a-SiTFT相比不足百分之一)，因此优选用作驱动TFT(例如，设置于非发送接收区域的驱动电路所包含的TFT)和设置于各天线单位区域的TFT。
代替In-Ga-Zn-O系半导体，氧化物半导体层也可以包含其他氧化物半导体。例如也可以包含In-Sn-Zn-O系半导体(例如In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。In-Sn-Zn-O系半导体为In(铟)、Sn(锡)以及Zn(锌)的三元氧化物。或者，氧化物半导体层也可以包含In-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体、Al-Ga-Zn-O系半导体、以及Ga-Zn-O系半导体等。
在图3所示的例子中，TFT10为具有底栅结构的沟道蚀刻型TFT。在“沟道蚀刻型的TFT”中，在沟道区域上没有形成蚀刻停止层，源极和漏极电极的沟道侧的端部下表面以与半导体层的上表面接触的方式配置。沟道蚀刻型的TFT例如在半导体层上形成源极/漏极电极用的导电膜，并通过进行源极/漏极分离而形成。在源极/漏极分离工序中，有时沟道区域的表面部分被蚀刻。
此外，TFT10也可以是在沟道区域上形成有蚀刻停止层的蚀刻停止层型TFT。在蚀刻停止层型TFT中，源极和漏极电极的沟道侧的端部下表面例如位于蚀刻停止层上。蚀刻停止层型的TFT例如通过在形成覆盖半导体层中成为沟道区域的部分的蚀刻停止层之后，在半导体层和蚀刻停止层上形成源极/漏极电极用的导电膜，进行源极/漏极分离而形成。
另外，对于TFT10而言，源极和漏极电极具有与半导体层的源极/漏极电极上表面接触的顶接触结构，但源极和漏极电极也可以以与半导体层的下表面接触的方式配置(底接触结构)。进一步，TFT10既可以是在半导体层的电介质基板侧具有栅极电极的底栅结构，也可以是在半导体层的上方具有栅极电极的顶栅结构。
(第二实施方式)
参照附图说明第二实施方式的扫描天线。本实施方式的扫描天线中的TFT基板与图2所示的TFT基板101的不同之处在于，作为各端子部的上部连接部的透明导电层设置在TFT基板中的第一绝缘层与第二绝缘层之间。
图8的(a)～(c)分别是表示本实施方式中的TFT基板102的栅极端子部GT、源极端子部ST及传输端子部PT的剖面图。对与图4同样的构成要素标注相同的附图标记，并省略说明。此外，天线单位区域U的剖面结构与上述的实施方式(图3)相同，因此省略图示和说明。
本实施方式的栅极端子部GT具备形成于电介质基板上的栅极总线GL、覆盖栅极总线GL的绝缘层、以及栅极端子用上部连接部19g。栅极端子用上部连接部19g在形成于绝缘层的接触孔CH2内与栅极总线GL接触。在该例中，覆盖栅极总线GL的绝缘层包含栅极绝缘层4和第一绝缘层11。在栅极端子用上部连接部19g和第一绝缘层11上形成有第二绝缘层17。第二绝缘层17具有将栅极端子用上部连接部19g的一部分露出的开口部18g。在该例中，第二绝缘层17的开口部18g可以以将整个接触孔CH2露出的方式配置。
源极端子部ST具备形成于电介质基板上(在此为栅极绝缘层4上)的源极总线SL、覆盖源极总线SL的绝缘层、以及源极端子用上部连接部19s。源极端子用上部连接部19s在形成于绝缘层的接触孔CH3内与源极总线SL接触。在该例中，覆盖源极总线SL的绝缘层仅包含第一绝缘层11。第二绝缘层17延伸设置于源极端子用上部连接部19s和第一绝缘层11上。第二绝缘层17具有将源极端子用上部连接部19s的一部分露出的开口部18s。第二绝缘层17的开口部18s也可以以将整个接触孔CH3露出的方式配置。
传输端子部PT具有：源极连接配线7p，其由与源极总线SL相同的导电膜(源极用导电膜)形成；第一绝缘层11，其延伸设置于源极连接配线7p上；以及传输端子用上部连接部19p和贴片连接部15p，它们形成于第一绝缘层11上。
在第一绝缘层11设置有将源极连接配线7p露出的接触孔CH5和接触孔CH6。传输端子用上部连接部19p配置于第一绝缘层11上和接触孔CH5内，并在接触孔CH5内与源极连接配线7p接触。贴片连接部15p配置于第一绝缘层11上和接触孔CH6内，并在接触孔CH6内与源极连接配线7p接触。传输端子用上部连接部19p是由透明导电膜形成的透明电极。贴片连接部15p由与贴片电极15相同的导电膜形成。此外，各端子部的上部连接部19g、19s及19p也可以由相同的透明导电膜形成。
第二绝缘层17延伸设置于传输端子用上部连接部19p、贴片连接部15p及第一绝缘层11上。第二绝缘层17具有将传输端子用上部连接部19p的一部分露出的开口部18p。在该例中，第二绝缘层17的开口部18p以将整个接触孔CH5露出的方式配置。另一方面，贴片连接部15p被第二绝缘层17覆盖。
这样，在本实施方式中，通过需于源极金属层的源极连接配线7p将传输端子部PT的传输端子用上部连接部19p与贴片连接部15p电连接。虽未图示，但与上述的实施方式同样地，传输端子用上部连接部19p通过含有导电性颗粒的密封树脂与缝隙基板201中的缝隙电极连接。
在上述的实施方式中，在第二绝缘层17的形成之后，一并形成深度不同的接触孔CH1～CH4。例如在栅极端子部GT上，蚀刻比较厚的绝缘层(栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17)，而在传输端子部PT，仅蚀刻第二绝缘层17。因此，作为浅的接触孔的基底的导电膜(例如贴片电极用导电膜)在蚀刻时可能受到大的损伤。
而在本实施方式中，在形成第二绝缘层17之前形成接触孔CH1～3、CH5、CH6。这些接触孔仅形成于第一绝缘层11或者形成于第一绝缘层11和栅极绝缘层4的层叠膜，因此与上述的实施方式相比，能减小一并形成的接触孔的深度的差。因而，能减小对作为接触孔的基底的导电膜的损伤。特别是，在贴片电极用导电膜使用Al膜的情况下，若使ITO膜与Al膜直接接触，则无法得到良好的接触，所以有时在Al膜的上层形成MoN层等盖层。在这种情况下，不需要考虑蚀刻时的损伤而增大盖层的厚度，因此是有利的。
<TFT基板102的制造方法>
例如用如下方法制造TFT基板102。图9是例示TFT基板102的制造工序的图。此外，以下，在各层的材料、厚度、形成方法等与上述的TFT基板101相同的情况下省略说明。
首先，用与TFT基板102同样的方法在电介质基板上形成对准标记、基底绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、接触层以及源极金属层，得到TFT。在形成源极金属层的工序中，由源极用导电膜形成源极和漏极电极、源极总线以及源极连接配线7p。
接着，以覆盖源极金属层的方式形成第一绝缘层11。之后，一并蚀刻第一绝缘层11和栅极绝缘层4，形成接触孔CH1～3、CH5、CH6。在蚀刻中，源极总线SL和栅极总线GL作为蚀刻阻挡物发挥功能。由此，在发送接收区域R1中，在第一绝缘层11形成到达TFT的漏极电极的接触孔CH1。另外，在非发送接收区域R2中，在第一绝缘层11和栅极绝缘层4形成到达栅极总线GL的接触孔CH2、在第一绝缘层11形成到达源极总线SL的接触孔CH3和到达源极连接配线7p的接触孔CH5、CH6。可以将接触孔CH5配置于密封区域Rs，将接触孔CH6配置于密封区域Rs的外侧。或者也可以将两者均配置于密封区域Rs的外部。
接着，在第一绝缘层11上和接触孔CH1～3、CH5、CH6形成透明导电膜，并对其进行图案化。由此，形成在接触孔CH2内与栅极总线GL接触的栅极端子用上部连接部19g、在接触孔CH3内与源极总线SL接触的源极端子用上部连接部19s、以及在接触孔CH5内与源极连接配线7p接触的传输端子用上部连接部19p。
接着，在第一绝缘层11上、栅极端子用上部连接部19g、源极端子用上部连接部19s、传输端子用上部连接部19p上、以及接触孔CH1、CH6内形成贴片电极用导电膜，并进行图案化。由此，在发送接收区域R1形成在接触孔CH1内与漏极电极7D接触的贴片电极15、在非发送接收区域R2形成在接触孔CH6内与源极连接配线7p接触的贴片连接部15p。可以通过湿式蚀刻进行贴片电极用导电膜的图案化。在此，使用能增大透明导电膜(ITO等)与贴片电极用导电膜(例如Al膜)的蚀刻选择比的蚀刻剂。由此，在贴片电极用导电膜的图案化时，能够使透明导电膜作为蚀刻阻挡物发挥功能。源极总线SL、栅极总线GL及源极连接配线7p中的通过接触孔CH2、CH3、CH5露出的部分被蚀刻阻挡物(透明导电膜)覆盖，因此未被蚀刻。
接下来，形成第二绝缘层17。之后，例如通过使用氟系气体的干式蚀刻进行第二绝缘层17的图案化。由此，在第二绝缘层17设置将栅极端子用上部连接部19g露出的开口部18g、将源极端子用上部连接部19s露出的开口部18s以及将传输端子用上部连接部19p露出的开口部18p。这样，得到TFT基板102。
(第三实施方式)
参照附图说明第三实施方式的扫描天线。本实施方式的扫描天线中的TFT基板与图8所示的TFT基板102不同之处在于，不将包括透明导电膜的上部连接部设置于传输端子部。
图10的(a)～(c)分别是表示本实施方式中的TFT基板103的栅极端子部GT、源极端子部ST及传输端子部PT的剖面图。对与图8同样的构成要素标注相同的附图标记，并省略说明。此外，天线单位区域U的结构与上述的实施方式(图3)相同，因此省略图示和说明。
栅极端子部GT和源极端子部ST的结构与图8所示的TFT基板102的栅极端子部和源极端子部的结构相同。
传输端子部PT具有形成于第一绝缘层11上的贴片连接部15p和层叠于贴片连接部15p上的保护导电层23。第二绝缘层17延伸设置于保护导电层23上，并具有将保护导电层23的一部分露出的开口部18p。另一方面，贴片电极15被第二绝缘层17覆盖。
<TFT基板103的制造方法>
例如用如下方法制造TFT基板103。图11是例示TFT基板103的制造工序的图。此外，以下，在各层的材料、厚度、形成方法等与上述的TFT基板101相同的情况下省略说明。
首先，用与TFT基板101同样的方法在电介质基板上形成对准标记、基底绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、接触层以及源极金属层，得到TFT。
接着，以覆盖源极金属层的方式形成第一绝缘层11。之后，一并蚀刻第一绝缘层11和栅极绝缘层4，形成接触孔CH1～CH3。在蚀刻中，源极总线SL和栅极总线GL作为蚀刻阻挡物发挥功能。由此，在第一绝缘层11形成到达TFT的漏极电极的接触孔CH1，并且在第一绝缘层11和栅极绝缘层4形成到达栅极总线GL的接触孔CH2，在第一绝缘层11形成到达源极总线SL的接触孔CH3。不在形成传输端子部的区域形成接触孔。
接着，在第一绝缘层11上和接触孔CH1、CH2、CH3内形成透明导电膜，并对其进行图案化。由此，形成在接触孔CH2内与栅极总线GL接触的栅极端子用上部连接部19g、以及在接触孔CH3内与源极总线SL接触的源极端子用上部连接部19s。在形成传输端子部的区域，透明导电膜被除去。
接着，在第一绝缘层11上、栅极端子用上部连接部19g和源极端子用上部连接部19s上、及接触孔CH1内形成贴片电极用导电膜，并进行图案化。由此，在发送接收区域R1形成在接触孔CH1内与漏极电极7D接触的贴片电极15，在非发送接收区域R2形成贴片连接部15p。与上述的实施方式同样地，在贴片电极用导电膜的图案化中使用能确保透明导电膜(ITO等)与贴片电极用导电膜的蚀刻选择比的蚀刻剂。
接下来，在贴片连接部15p上形成保护导电层23。能使用Ti层、ITO层及IZO(铟锌氧化物)层等(厚度：例如为50nm以上100nm以下)作为保护导电层23。在此，使用Ti层(厚度：例如为50nm)作为保护导电层23。此外，也可以将保护导电层形成于贴片电极15之上。
接着，形成第二绝缘层17。之后，例如通过使用氟系气体的干式蚀刻进行第二绝缘层17的图案化。由此，在第二绝缘层17设置将栅极端子用上部连接部19g露出的开口部18g、将源极端子用上部连接部19s露出的开口部18s、以及将保护导电层23露出的开口部18p。这样，得到TFT基板103。
<缝隙基板203的结构>
图12是用于说明本实施方式的将TFT基板103的传输端子部PT与缝隙基板203的端子部IT连接的传输部的示意性剖面图。在图12中，对与上述的实施方式同样的构成要素标注相同的附图标记。
首先，说明本实施方式的缝隙基板203。缝隙基板203具备电介质基板51、形成于电介质基板51的表面的第三绝缘层52、形成于第三绝缘层52上的缝隙电极55、以及覆盖缝隙电极55的第四绝缘层58。反射导电板65以经由电介质层(空气层)54而与电介质基板51的背面相对的方式配置。缝隙电极55和反射导电板65作为波导路径301的壁发挥功能。
缝隙电极55具有将Cu层或Al层设为主层55M的层叠结构。在发送接收区域R1中，在缝隙电极55形成有多个缝隙57。发送接收区域R1中的缝隙电极55的结构与参照图6说明的上述的缝隙基板201的结构相同。
在非发送接收区域R2设置有端子部IT。在端子部IT中，在第四绝缘层58设置有将缝隙电极55的表面露出的开口。缝隙电极55的露出的区域成为接触面55c。这样，在本实施方式中，缝隙电极55的接触面55c未被第四绝缘层58覆盖。
在传输部中，经由包含导电性珠71的树脂(密封树脂)将TFT基板103中的覆盖贴片连接部15p的保护导电层23与缝隙基板203中的缝隙电极55的接触面55c连接。
本实施方式的传输部与上述的实施方式同样地，既可以设置于扫描天线的中心部和周缘部这两者，也可以配置于任意一者。另外，既可以配置于密封区域Rs内，也可以配置于密封区域Rs的外侧(与液晶层相反的一侧)。
在本实施方式中，不在传输端子部PT和端子部IT的接触面设置透明导电膜。因此，能够使保护导电层23与缝隙基板203的缝隙电极55经由含有导电性颗粒的密封树脂连接。
另外，在本实施方式中，与第一实施方式(图3和图4)相比，一并形成的接触孔的深度的差较小，因此能降低作为接触孔的基底的导电膜的损伤。
<缝隙基板203的制造方法>
如下制造缝隙基板203。各层的材料、厚度及形成方法与缝隙基板201相同，因此省略说明。
首先，用与缝隙基板201相同的方法在电介质基板上形成第三绝缘层52和缝隙电极55，在缝隙电极55形成多个缝隙57。接着，在缝隙电极55上和缝隙内形成第四绝缘层58。之后，为了将缝隙电极55的作为接触面的区域露出而在第四绝缘层58设置开口部18p。这样来制造缝隙基板203。
<内部加热器结构>
如上所述，优选在天线的天线单位中使用的液晶材料的介电各向异性ΔεM大。但是，介电各向异性ΔεM大的液晶材料(向列液晶)的粘度大，存在响应速度慢的问题。特别是，当温度降低时，粘度上升。移动体(例如船舶、飞机、汽车)多搭载的扫描天线的环境温度会发生变动。因而，优选能将液晶材料的温度调整为某程度以上、例如30℃以上、或者45℃以上。优选设定温度以向列液晶材料的粘度成为大致10cP(厘泊)以下的方式设定。
优选本发明的实施方式的扫描天线除了具有上述的结构以外，还具有内部加热器结构。优选将利用焦耳热的电阻加热方式的加热器作为内部加热器。作为加热器用电阻膜的材料，没有特别地限定，例如能使用ITO、IZO等电阻率比较高的导电材料。另外，为了进行电阻值的调整，也可以用金属(例如、镍铬合金、钛、铬、白金、镍、铝、铜)的细线、丝网来形成电阻膜。还能够使用ITO、IZO等细线、丝网。只要根据所要求的发热量设定电阻值即可。
例如，为了在直径为340mm的圆的面积(约90，000mm2)中以100V交流(60Hz)将电阻膜的发热温度设为30℃，只要将电阻膜的电阻值设为139Ω、将电流设为0.7A、将功率密度设为800W/m2即可。为了在相同的面积中以100V交流(60Hz)将电阻膜的发热温度设为45℃，只要将电阻膜的电阻值设为82Ω、将电流设为1.2A、将功率密度设为1350W/m2即可。
加热器用电阻膜只要不影响扫描天线的动作就可以设置于任意的部位，但为了对液晶材料高效地进行加热，优选设置在液晶层的附近。例如像图13的(a)所示的TFT基板104那样，可以在电介质基板1的大致整个面形成电阻膜68。图13的(a)是具有加热器用电阻膜68的TFT基板104的示意性俯视图。电阻膜68例如被图3所示的基底绝缘膜2覆盖。基底绝缘膜2形成为具有足够的绝缘耐压。
优选电阻膜68具有开口部68a、68b以及68c。在使TFT基板104与缝隙基板贴合时，缝隙57处于与贴片电极15相对的位置。此时，为了在从缝隙57的边缘起距离为d的周围不存在电阻膜68，而配置开口部68a。d例如是0.5mm。另外，优选在辅助电容CS的下部还配置开口部68b，在TFT的下部还配置开口部68c。
此外，天线单位U的尺寸例如是4mm×4mm。另外，如图13的(b)所示，例如缝隙57的宽度s2是0.5mm，缝隙57的长度s1是3.3mm，缝隙57的宽度方向的贴片电极15的宽度p2是0.7mm，缝隙的长度方向的贴片电极15的宽度p1是0.5mm。此外，天线单位U、缝隙57以及贴片电极15的尺寸、形状、配置关系等不限于图13的(a)和(b)所示的例子。
为了进一步降低来自加热器用电阻膜68的电场的影响，也可以形成屏蔽导电层。屏蔽导电层例如在基底绝缘膜2之上形成于电介质基板1的几乎整个面。虽然不需要对屏蔽导电层像电阻膜68那样设置开口部68a、68b，但优选设置开口部68c。屏蔽导电层例如由铝层形成，并设为接地电位。
另外，为了能对液晶层均匀地进行加热，优选使电阻膜的电阻值具有分布。优选在液晶层的温度分布中，最高温度-最低温度(温度不匀)为例如15℃以下。当温度不匀超过15℃时，有时会发生如下缺陷：相位差调制在面内不匀，无法形成良好的波束。另外，当液晶层的温度接近Tni点(例如125℃)时，ΔεM变小，因此并不优选。
参照图14的(a)、(b)和图15的(a)～(c)，说明电阻膜的电阻值的分布。在图14的(a)、(b)和图15的(a)～(c)中，示出电阻加热结构80a～80e的示意性结构与电流的分布。电阻加热结构具备电阻膜和加热器用端子。
图14的(a)所示的电阻加热结构80a具有第一端子82a和第二端子84a以及连接到它们的电阻膜86a。第一端子82a配置于圆的中心，第二端子84a沿着整个圆周配置。在此，圆与发送接收区域R1对应。当对第一端子82a与第二端子84a之间供应直流电压时，例如电流IA从第一端子82a以辐射状向第二端子84a流动。因而，电阻膜86a即使是面内的电阻值恒定，也能均匀地发热。当然，电流的流动方向也可以是从第二端子84a朝向第一端子82a的方向。
在图14的(b)中，电阻加热结构80b具有第一端子82b、第二端子84b以及连接到它们的电阻膜86b。第一端子82b和第二端子84b沿着圆周相互邻接配置。为了使电阻膜86b中的第一端子82b与第二端子84b之件流动的电流IA产生的每单位面积的发热量保持恒定，电阻膜86b的电阻值具有面内分布。电阻膜86b的电阻值的面内分布例如在用细线构成电阻膜86的情况下，只要以细线的粗细、细线的密度进行调整即可。
图15的(a)所示的电阻加热结构80c具有第一端子82c、第二端子84c及连接到它们的电阻膜86c。第一端子82c沿着圆的上侧半个圆周配置，第二端子84c沿着圆的下侧半个圆周配置。例如用在第一端子82c与第二端子84c之间上下延伸的细线构成电阻膜86c的情况下，为了使电流IA的每单位面积的发热量在面内保持恒定，例如将中央附近的细线的粗细、密度调高。
图15的(b)所示的电阻加热结构80d具有第一端子82d、第二端子84d及连接到它们的电阻膜86d。第一端子82d和第二端子84d分别以沿着圆的直径在上下方向、左右方向延伸的方式设置。在图中虽然进行了简化，但第一端子82d与第二端子84d是相互绝缘的。
另外，图15的(c)所示的电阻加热结构80e具有第一端子82e、第二端子84e及连接到它们的电阻膜86e。电阻加热结构80e与电阻加热结构80d不同，第一端子82e和第二端子84e均具有从圆的中心向上下左右四个方向延伸的四个部分。相互成90度的第一端子82e的部分与第二端子84e的部分配置成电流IA顺时针流动。
在电阻加热结构80d和电阻加热结构80e的任意一个中，为了使每单位面积的发热量在面内保持均匀，均以离圆周越近电流IA越多、例如加粗距圆周近的一侧的细线、并提高密度的方式进行调整。
这种内部加热器结构例如可以检测扫描天线的温度并在低于预先设定的温度时自动动作。当然，也可以响应使用者的操作而动作。
<外部加热器结构>
本发明的实施方式的扫描天线也可以代替上述的内部加热器结构、或者与内部加热器结构一起还具有外部加热器结构。能够使用公知的各种加热器作为外部加热器，但优选利用焦耳热的电阻加热方式的加热器。将加热器内发热的部分称为加热器部。以下，说明将电阻膜用作加热器部的例子。以下，电阻膜也用附图标记68表示。
例如，如图16的(a)和(b)所示的液晶面板100Pa或者100Pb那样，优选配置加热器用电阻膜68。在此，液晶面板100Pa和100Pb具有：图1所示的扫描天线1000的TFT基板101、缝隙基板201、以及设置在它们之间的液晶层LC，而且在TFT基板101的外侧具有包含电阻膜68的电阻加热结构。虽然可以将电阻膜68形成在TFT基板101的电介质基板1的液晶层LC侧，但TFT基板101的制造工艺复杂化，因此优选配置在TFT基板101的外侧(液晶层LC的相反侧)。
图16的(a)所示的液晶面板100Pa具有：加热器用电阻膜68，其形成于TFT基板101的电介质基板1的外侧的表面；和保护层69a，其覆盖加热器用电阻膜68。也可以将保护层69a省略。扫描天线例如收纳于塑料制的壳体，因此用户不会直接接触到电阻膜68。
电阻膜68能够例如使用公知的薄膜沉积技术(例如溅射法、CVD法)、涂布法或者印刷法形成于电介质基板1的外侧的表面。电阻膜68根据需要进行图案化。图案化例如通过光刻工艺进行。
作为加热器用电阻膜68的材料，如针对内部加热器结构像上述那样，没有特别限定，例如能使用ITO、IZO等电阻率比较高的导电材料。另外，为了调整电阻值，也可以通过金属(例如镍铬合金、钛、铬、白金、镍、铝、铜)的细线、丝网形成电阻膜68。还能够使用ITO、IZO等细线、丝网。只要根据所要求的发热量设定电阻值即可。
保护层69a由绝缘材料形成，并以覆盖电阻膜68的方式形成。可以将电阻膜68图案化，并在将电介质基板露出的部分不形成保护层69a。对电阻膜68如所述那样以不使天线的性能下降的方式进行图案化。由于存在形成保护层69a的材料，在天线的性能下降的情况下，与电阻膜68同样地，优选使用图案化后的保护层69a。
保护层69a可以通过湿式工艺、干式工艺的任意一种工艺形成。例如，通过对形成有电阻膜68的电介质基板1的表面施加液状的固化性树脂(或者树脂的前体)或者溶液之后，使固化性树脂固化而形成。液状的树脂或者树脂的溶液通过各种涂布法(例如缝隙式涂布机、旋涂机、喷雾器)或者各种印刷法以变成规定的厚度的方式被施加到电介质基板1的表面。之后，根据树脂的种类，进行室温固化、加热固化、或者光固化，由此能够由绝缘性树脂膜形成保护层69a。绝缘性树脂膜例如能通过光刻工艺进行图案化。
作为形成保护层69a的材料，能够适宜使用固化性树脂材料。固化性树脂材料包含热固化型和光固化型。另外，热固化型包含热交联型和热聚合型。
作为热交联型的树脂材料，例如列举有环氧系化合物(例如环氧树脂)与胺系化合物的组合、环氧系化合物与酰肼系化合物的组合、环氧系化合物与醇系化合物(例如包含酚醛树脂)的组合、环氧系化合物与羧酸系化合物(例如包含酸酐)的组合、异氰酸酯系化合物与胺系化合物的组合、异氰酸酯系化合物与酰肼系化合物的组合、异氰酸酯系化合物与醇系化合物的组合(例如包含聚氨酯树脂)、以及异氰酸酯系化合物与羧酸系化合物的组合。另外，作为阳离子聚合型粘合材料，例如列举有环氧系化合物与阳离子聚合引发剂的组合(代表性的阳离子聚合引发剂、芳香族锍盐)。作为自由基聚合型的树脂材料，例如各种丙烯、异丁烯、聚氨酯改性丙烯(异丁烯)树脂等包含乙烯基的单体和/或低聚物与自由基聚合引发剂的组合(代表性的自由基聚合引发剂：偶氮系化合物(例如AIBN(偶氮二异丁腈)))，作为开环聚合型的树脂材料，例如列举有环氧乙烷系化合物、乙烯亚胺系化合物、硅氧烷系化合物。除此之外，能够使用马来酰亚胺树脂、马来酰亚胺树脂与胺的组合、马来酰亚胺与异丁烯化合物的组合、双马来酰亚胺-三嗪树脂以及聚苯醚树脂。另外，也能够适宜使用聚酰亚胺。此外，“聚酰亚胺”以包含作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸的意思而使用。聚酰亚胺例如与环氧系化合物或者异氰酸酯系化合物组合而使用。
从耐热性、化学稳定性、机械性能的观点出发，优选使用热固化性类型的树脂材料。特别是，优选包含环氧树脂或者聚酰亚胺树脂的树脂材料，从机械性能(特别是机械强度)和吸湿性的观点出发，优选包含聚酰亚胺树脂的树脂材料。也能将聚酰亚胺树脂与环氧树脂混合使用。另外，也可以对聚酰亚胺树脂和/或环氧树脂混合热可塑性树脂和/或弹性体。进一步，作为聚酰亚胺树脂和/或环氧树脂，也可以混合橡胶改性后的材料。通过混合热可塑性树脂或者弹性体，能够使柔软性、韧性(韧度)提高。使用橡胶改性的材料也能够获得同样的效果。
光固化型通过紫外线或者可见光产生交联反应和/或聚合反应，并固化。在光固化型中，例如存在自由基聚合型与阳离子聚合型。作为自由基聚合型，是以丙烯酸树脂(环氧改性丙烯酸树脂、聚氨酯改性丙烯酸树脂、有机硅改性丙烯酸树脂)与光聚合引发剂的组合为代表的。作为紫外光用自由基聚合引发剂，例如列举有苯乙酮型和二苯甲酮型。作为可见光用自由基聚合引发剂，例如能够列举有苄基型和噻吨酮型。作为阳离子聚合型，是以环氧系化合物与光阳离子聚合引发剂的组合为代表的。光阳离子聚合引发剂例如能够列举碘盐系化合物。此外，也能够使用兼有光固化性与热固化性的树脂材料。
图16的(b)所示的液晶面板100Pb与液晶面板100Pa的不同之处在于，在电阻膜68与电介质基板1之间还具有粘合层67。另外，保护层69b使用预先制作出的高分子膜或者玻璃板而形成的这一点不同。
例如，保护层69b由高分子膜形成的液晶面板100Pb如以下那样而制造。
首先，准备成为保护层69b的绝缘性的高分子膜。作为高分子膜，例如使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、聚苯砜、以及聚酰亚胺、聚酰胺等超级工程塑料的膜。高分子膜的厚度(即，保护层69b的厚度)例如是5μm以上200μm以下。
在该高分子膜的一个表面上形成电阻膜68。电阻膜68能通过上述的方法形成。电阻膜68可以进行图案化，高分子膜可以根据需要而进行图案化。
使用粘合材料将形成有电阻膜68的高分子膜(即，将保护层69b与电阻膜68一体形成的部件)粘贴于电介质基板1。作为粘合材料，能够使用与上述的保护层69a的形成所使用的固化性树脂相同的固化性树脂。进一步，也能够使用热熔型的树脂材料(粘合材料)。热熔型的树脂材料以热可塑性树脂为主要成分，通过加热而熔融，通过冷却而固化。例示了聚烯烃系(例如聚乙烯、聚丙烯)、聚酰胺系、乙烯-醋酸乙烯系。另外，也销售具有反应性的聚氨酯系的热熔树脂材料(粘合材料)。从粘合性和耐久性的观点出发，优选反应性的聚氨酯系。
另外，粘合层67也可以与电阻膜68以及保护层(高分子膜)69b同样地进行图案化。不过，粘合层67只要能将电阻膜68和保护层69b固定于电介质基板1即可，因此粘合层67也可以比电阻率膜68和保护层69b小。
也能够代替高分子膜，而使用玻璃板形成保护层69b。制造工艺可以与使用高分子膜的情况相同。玻璃板的厚度优选是1mm以下，进一步优选是0.7mm以下。玻璃板的厚度没有特别的限制，但从处理性的观点出发，优选玻璃板的厚度是0.3mm以上。
在图16的(b)所示的液晶面板100Pb中，经由粘合层67将形成于保护层(高分子膜或者玻璃板)69b的电阻膜68固定于电介质基板1，但将电阻膜68以与电介质基板1接触的方式配置即可，并非一定需要将电阻膜68和保护层69b固定(粘合)于电介质基板1。即，也可以省略粘合层67。例如，可以将形成有电阻膜68的高分子膜(即，将保护层69与电阻膜68一体形成的部件)以电阻膜68与电介质基板1接触的方式配置，并通过收纳扫描天线的壳体将电阻膜68向电介质基板1按压。例如，若仅通过单纯放置形成有电阻膜68的高分子膜，则存在接触热电阻变高的担忧，因此优选通过按压而使接触热电阻下降。若采用这样的构成，则能够将与电阻膜68和保护层(高分子膜或者玻璃板)69b形成为一体的部件取下。
此外，在电阻膜68(以及保护层69b)如后述那样进行图案化的情况下，优选以天线的性能不下降的方式，将电阻膜68(以及保护层69b)固定成相对于TFT基板的位置不偏离的程度。
加热器用电阻膜68只要不影响扫描天线的动作，设置在何处均可，但为了有效地加热液晶材料，优选设置在液晶层的附近。因此，如图16的(a)和(b)所示，优选设置于TFT基板101的外侧。另外，与如图16的(b)所示，隔着粘合层67将电阻膜68设置于电介质基板1的外侧相比，如图16的(a)所示，直接在TFT基板101的电介质基板1的外侧设置电阻膜68的情况下，能量效率更高、且温度的控制性也更高，因此优选。
电阻膜68例如也可以相对于图13的(a)所示的TFT基板104，设置于电介质基板1的几乎整个面。关于内部加热器结构如上所述，优选电阻膜68具有开口部68a、68b及68c。
保护层69a和69b也可以以覆盖电阻膜68的方式形成于整个面。如上述那样，在保护层69a或者69b对天线特性带来不良影响的情况下，也可以设置与电阻膜68的开口部68a、68b及68c对应的开口部。在该情况下，保护层69a或者69b的开口部形成在电阻膜68的开口部68a、68b及68c的内侧。
为了进一步降低来自加热器用电阻膜68的电场的影响，也可以形成屏蔽导电层。屏蔽导电层例如隔着绝缘膜形成在电阻膜68的电介质基板1侧。屏蔽导电层形成于电介质基板1的几乎整个面。虽然不需要对屏蔽导电层像电阻膜68那样设置开口部68a、68b，但优选设置开口部68c。屏蔽导电层例如由铝层形成，并设为接地电位。另外，为了能对液晶层均匀地进行加热，优选使电阻膜的电阻值具有分布。它们针对内部加热器结构也如上述所述那样。
电阻膜只要能对发送接收区域R1的液晶层LC进行加热即可，因此如例示那样，只要在与发送接收区域R1对应的区域设置电阻膜即可，但并不限于此。例如，如图2所示，在TFT基板101具有能够划定包含发送接收区域R1的矩形的区域那样的外形的情况下，可以在与包含发送接收区域R1的矩形的区域对应的区域设置电阻膜。当然，电阻膜的外形并不限于矩形，可以是包含发送接收区域R1的任意的形状。
在上述的例子中，在TFT基板101的外侧配置了电阻膜，但也可以在缝隙基板201的外侧(液晶层LC的相反侧)配置电阻膜。该情况下，也与图16的(a)的液晶面板100Pa同样地，可以在电介质基板51直接形成电阻膜，也可以与图16的(b)的液晶面板100Pb同样地，隔着粘合层将形成于保护层(高分子膜或者玻璃板)的电阻膜固定于电介质基板51。或者，还可以省略粘合层，将形成有电阻膜的保护层(即将保护层与电阻膜一体形成的部件)以电阻膜与电介质基板51接触的方式配置。例如，若仅通过单纯放置形成有电阻膜的高分子膜，则存在接触热电阻变高的担忧，因此优选通过按压而使接触热电阻下降。若采用这样的构成，则能够将电阻膜和保护层(高分子膜或者玻璃板)形成为一体的部件取下。此外，在电阻膜(及保护层)进行图案化的情况下，优选以天线的性能不下降的方式，将电阻膜(及保护层)相对于缝隙基板的位置固定成不偏离的程度。
当在缝隙基板201的外侧配置电阻膜的情况下，优选在与电阻膜的缝隙57对应的位置设置开口部。另外，优选电阻膜是能充分透射微波的厚度。
这里，说明了使用电阻膜作为加热器部的例子，但作为加热器部，除此之外，例如能够使用镍铬合金线(例如绕组)、红外线加热器部等。在这种情况下，也优选以不使天线的性能下降的方式配置加热器部。
这种外部加热器结构例如可以检测扫描天线的温度，并在低于预先设定的温度时自动动作。当然，也可以响应使用者的操作而动作。
作为用于使外部加热器结构自动动作的温度控制装置，例如能够使用公知的各种恒温器。例如，在连接到电阻膜的两个端子的中的一个端子与电源之间，连接使用了双金属的恒温器即可。当然，也可以使用温度检测器，以不低于预先设定的温度的方式，对外部加热器结构使用从电源供应电流那样的温度控制装置。
<驱动方法>
本发明的实施方式的扫描天线所具有的天线单位的阵列具有与LCD面板类似的结构，因此与LCD面板同样地进行线顺序驱动。但是，若应用现有的LCD面板的驱动方法，则有可能产生以下问题。参照图17所示的扫描天线的一个天线单位的等效电路图来说明可能在扫描天线中产生的问题。
首先，如上所述，微波区域的介电各向异性ΔεM(相对于可见光的双折射Δn)大的液晶材料的电阻率低，因此若直接应用LCD面板的驱动方法，则无法充分保持对液晶层施加的电压。这样，对液晶层施加的有效电压降低，液晶电容的静电电容值达不到目标值。
这样，若对液晶层施加的电压偏离规定的值，则天线的增益变成最大的方向偏离所希望的方向。这样，例如就无法准确地追踪通信卫星。为了防止该情况，以与液晶电容Clc电并联的方式设置辅助电容CS，使辅助电容CS的电容值C-Ccs足够大。优选以液晶电容Clc的电压保持率成为90％以上的方式适当地设定辅助电容CS的电容值C-Ccs。
另外，若使用电阻率低的液晶材料，则也引起由于界面极化和/或取向极化所致的电压下降。为了防止这些极化所致的电压下降，可以考虑施加将电压降低量估计在内的足够高的电压。但是，当对电阻率低的液晶层施加高电压时，有可能发生动态散射效应(DS效应)。DS效应起因于液晶层中的离子性杂质的对流，液晶层的介电常数εM接近平均值((εM∥+2εM⊥)/3)。另外，为了以多级(多灰度级)控制液晶层的介电常数εM，也无法始终施加足够高的电压。
为了抑制上述的DS效应和/或极化所致的电压降低，使对液晶层施加的电压的极性反转周期足够短即可。如已知的那样，当缩短施加电压的极性反转周期时，产生DS效应的阈值电压变高。因而，只要以使对液晶层施加的电压(绝对值)的最大值不足发生DS效应的阈值电压的方式决定极性反转频率即可。若极性反转频率是300Hz以上，则例如即使对电阻率为1×1010Ω·cm、介电各向异性Δε(@1kHz)为-0.6左右的液晶层施加绝对值为10V的电压，也能确保良好的动作。另外，若极性反转频率(典型地与帧频率的2倍相同)是300Hz以上，则也能抑制由于上述的极化所导致的电压下降。从功耗等的观点出发，优选极性反转周期的上限是约5kHz以下。
如上所述，液晶材料的粘度依赖于温度，因此优选适当地控制液晶层的温度。在此叙述的液晶材料的物理性质和驱动条件是液晶层的动作温度下的值。反而言之，优选以用上述条件能够驱动的方式控制液晶层的温度。
参照图18的(a)～(g)说明在扫描天线的驱动中使用的信号的波形的例子。在此，在18的(d)中，为了进行比较，而示出了供给至LCD面板的源极总线的显示信号Vs(LCD)的波形。
图18的(a)表示向栅极总线G-L1供应的扫描信号Vg的波形，图18的(b)表示向栅极总线G-L2供应的扫描信号Vg的波形，图18的(c)表示向栅极总线G-L3供应的扫描信号Vg的波形，图18的(e)表示向源极总线供应的数据信号Vda的波形，图18的(f)表示向缝隙基板的缝隙电极(缝隙电极)供应的缝隙电压Vidc的波形，图18的(g)表示向天线单位的液晶层施加的电压的波形。
如图18的(a)～(c)所示，向栅极总线供应的扫描信号Vg的电压依次从低电平(VgL)切换为高电平(VgH)。VgL和VgH可根据TFT的特性适当地设定。例如是VgL＝-5V～0V，Vgh＝+20V。另外，也可以为VgL＝-20V，Vgh＝+20V。将从某栅极总线的扫描信号Vg的电压从低电平(VgL)切换为高电平(VgH)的时刻起直至其下一栅极总线的电压从VgL切换为VgH的时刻为止的期间称为一个水平扫描期间(1H)。另外，将各栅极总线的电压变为高电平(VgH)的期间称为选择期间PS。在该选择期间PS，连接到各栅极总线的TFT变成导通状态，向源极总线供应的数据信号Vda此时的电压被供应到对应的贴片电极。数据信号Vda例如是-15V～+15V(绝对值为15V)，例如使用与12灰度级、优选16灰度级对应的绝对值不同的数据信号Vda。
在此，例示对所有天线单位施加某中间电压的情况。即，数据信号Vda的电压相对于所有天线单位(设为连接到m根栅极总线。)是恒定的。这与在LCD面板中显示作为整个面的中间灰度级的情况对应。此时，在LCD面板中进行点反转驱动。即，在各帧中以相互邻接的像素(点)的极性互为相反的方式供应显示信号电压。
图18的(d)表示进行点反转驱动的LCD面板的显示信号的波形。如图18的(d)所示，Vs(LCD)的极性按每1H反转。对与被供应具有该波形的Vs(LCD)的源极总线邻接的源极总线供应的Vs(LCD)的极性与图18的(d)所示的Vs(LCD)的极性是相反的。另外，对全部像素供应的显示信号的极性按每一帧反转。在LCD面板中，正极性与负极性时，难以使对液晶层施加的有效电压的大小完全一致，且有效电压的差成为亮度的差，而被观察为闪烁。为了不易观察到该闪烁，使施加极性不同的像素(点)在空间上分散在各帧中。典型地，通过进行点反转驱动，使极性不同的像素(点)按方格花纹排列。
而在扫描天线中，闪烁本身不会成为问题。即，液晶电容的静电电容值是所希望的值即可，各帧中的极性的空间分布不会成为问题。因此，从低功耗等的观点出发，优选减小从源极总线供应的数据信号Vda的极性反转的次数，即延长极性反转的周期。例如像图18的(e)所示，只要将极性反转的周期设为10H(按每5H进行极性反转)即可。当然，当连接到各源极总线的天线单位的数量(典型地与栅极总线的个数相等。)设为m个时，也可以将数据信号Vda的极性反转的周期设为2m·H(按每m·H进行极性反转)。数据信号Vda的极性反转的周期也可以等于2帧(按每一帧进行极性反转)。
另外，也可以将从所有源极总线供应的数据信号Vda的极性设为相同。因此，例如可以在某一帧，从所有源极总线供应正极性的数据信号Vda，在下一帧，从所有源极总线供应负极性的数据信号Vda。
或者，还可以将从相互邻接的源极总线供应的数据信号Vda的极性设为互为相反极性。例如在某一帧，从奇数列的源极总线供应正极性的数据信号Vda，从偶数列的源极总线供应负极性的数据信号Vda。然后，在下一帧，从奇数列的源极总线供应负极性的数据信号Vda，从偶数列的源极总线供应正极性的数据信号Vda。这种驱动方法在LCD面板中被称为源极线反转驱动。若将从邻接的源极总线供应的数据信号Vda设为相反极性，则使在帧之间供应的数据信号Vda的极性反转之前，将邻接的源极总线相互连接(使其短路)，由此能使充电到液晶电容的电荷在邻接的列之间抵消。因而，可得到如下优点，即能减小在各帧从源极总线供应的电荷量。
如图18的(f)所示，缝隙电极的电压Vidc例如是DC电压，典型地是接地电位。天线单位的电容(液晶电容和辅助电容)的电容值大于LCD面板的像素电容的电容值(例如与20英寸左右的LCD面板相比约30倍)，因此不存在由TFT的寄生电容引起的馈通电压的影响，即使将缝隙电极的电压Vidc设为接地电位，将数据信号Vda以接地电位为基准设为正负对称的电压，向贴片电极供应的电压也成为正负对称的电压。在LCD面板中，考虑TFT的馈通电压，而调整相对电极的电压(共用电压)，由此对像素电极施加正负对称的电压，但针对扫描天线的缝隙电压则不必这样，也可以是接地电位。另外，虽在图18中未图示，但向CS总线供应与缝隙电压Vidc相同的电压。
向天线单位的液晶电容施加的电压是相对于缝隙电极的电压Vidc(图18的(f))的贴片电极的电压(即，图18的(e)所示的数据信号Vda的电压)，因此在缝隙电压Vidc是接地电位时，如图18的(g)所示，与图18的(e)所示的数据信号Vda的波形一致。
扫描天线的驱动所使用的信号的波形不限于上述的例子。例如像参照图19和图20并在下面说明的那样，也可以使用具有振动波形的Viac作为缝隙电极的电压。
例如能使用像在图19的(a)～(e)中例示那样的信号。在图19中，省略了向栅极总线供应的扫描信号Vg的波形，但在此，也使用参照图18的(a)～(c)所说明的扫描信号Vg。
如图19的(a)所示，与在图18的(e)中示出的同样地，例示数据信号Vda的波形按10H周期(每5H)进行极性反转的情况。在此，作为数据信号Vda，示出振幅为最大值|Vdamax|的情况。如上所述，也可以使数据信号Vda的波形按2帧周期(每一帧)进行极性反转。
在此，如图19的(c)所示，缝隙电极的电压Viac设为极性与数据信号Vda(ON)相反，振动的周期与数据信号Vda(ON)相同的振动电压。缝隙电极的电压Viac的振幅等于数据信号Vda的振幅的最大值|Vdamax|。即，缝隙电压Viac设为极性反转的周期与数据信号Vda(ON)相同，极性与数据信号Vda(ON)相反(相位相差180°)，成为在-Vdamax与+Vdamax之间振动的电压。
向天线单位的液晶电容施加的电压Vlc是相对于缝隙电极的电压Viac(图19的(c))的贴片电极的电压(即，图19的(a)所示的数据信号Vda(ON)的电压)，因此在数据信号Vda的振幅以±Vdamax振动时，对液晶电容施加的电压如图19的(d)所示变成以Vdamax的2倍的振幅振动的波形。因而，为了将对液晶电容施加的电压Vlc的最大振幅设为±Vdamax而需要的数据信号Vda的最大振幅变成±Vdamax/2。
通过使用这种缝隙电压Viac，能将数据信号Vda的最大振幅设为一半，因此可得到如下优点：例如能使用耐压为20V以下的通用的驱动器IC作为输出数据信号Vda的驱动器电路。
此外，如图19的(e)所示，为了将向天线单位的液晶电容施加的电压Vlc(断开)设为零，如图19的(b)所示，只要将数据信号Vda(断开)设为与缝隙电压Viac相同的波形即可。
例如考虑将对液晶电容施加的电压Vlc的最大振幅设为±15V的情况。作为缝隙电压使用图18的(f)所示的Vidc，设Vidc＝0V时，图18的(e)所示的Vda的最大振幅变成±15V。而作为缝隙电压使用图19的(c)所示的Viac，将Viac的最大振幅设为±7.5V时，图19的(a)所示的Vda(ON)的最大振幅变成±7.5V。
在将向液晶电容施加的电压Vlc设为0V的情况下，只要将图18的(e)所示的Vda设为0V即可，图19的(b)所示的Vda(断开)的最大振幅只要设为±7.5V即可。
在使用图19的(c)所示的Viac的情况下，对液晶电容施加的电压Vlc的振幅与Vda的振幅不同，因此需要适当地转换。
还能使用如图20的(a)～(e)中例示的信号。图20的(a)～(e)所示的信号与图19的(a)～(e)所示的信号同样地，将缝隙电极的电压Viac如图20的(c)所示设为振动的相位与数据信号Vda(ON)相差180°的振动电压。不过，如在图20的(a)～(c)中分别所示，将数据信号Vda(ON)、Vda(断开)以及缝隙电压Viac均设为在0V与正的电压之间振动的电压。缝隙电极的电压Viac的振幅等于数据信号Vda的振幅的最大值|Vdamax|。
当使用这种信号时，驱动电路只要仅输出正的电压即可，这有助于低成本化。这样，即使是使用在0V与正的电压之间振动的电压，也如图20的(d)所示，对液晶电容施加的电压Vlc(ON)发生极性反转。在图20的(d)所示的电压波形中，+(正)表示贴片电极的电压高于缝隙电压，-(负)表示贴片电极的电压低于缝隙电压。即，对液晶层施加的电场的方向(极性)与其他例子同样进行反转。对液晶电容施加的电压Vlc(ON)的振幅是Vdamax。
此外，如图20的(e)所示，为了将向天线单位的液晶电容施加的电压Vlc(断开)设为零，如图20的(b)所示，只要将数据信号Vda(断开)设为与缝隙电压Viac相同的波形即可。
使参照图19和图20说明的缝隙电极的电压Viac振动(反转)的驱动方法若以LCD面板的驱动方法来说，则与使相对电压反转的驱动方法对应(有时被称为“普通反转驱动”。)。在LCD面板中，由于无法充分地抑制闪烁，所以不采用普通反转驱动。而在扫描天线中，闪烁不会成为问题，因此能使缝隙电压反转。例如按每一帧进行振动(反转)(将图19和图20中的5H设为1V(垂直扫描期间或者帧))。
在上述的说明中，说明了缝隙电极的电压Viac为施加一个电压的例子、即对全部贴片电极设置有共用的缝隙电极的例子，但也可以将缝隙电极与贴片电极的一行或两个以上的行对应地进行分割。在此，行是指经由TFT连接到一根栅极总线的贴片电极的集合。若这样将缝隙电极分割为多个行部分，则能使缝隙电极各部分的电压的极性相互独立。例如在任意的帧中，能将对贴片电极施加的电压的极性在连接到邻接的栅极总线的贴片电极之间设为互为相反的。这样，不仅能进行使极性按贴片电极的每一行反转的行反转(1H反转)，还能进行使极性按每两个以上的行反转的m行反转(mH反转)。当然，可将行反转与帧反转组合。
从驱动的简单性的观点出发，优选在任意的帧中使对贴片电极施加的电压的极性全部相同且极性按每一帧反转的驱动。
<天线单位的排列、栅极总线、源极总线的连接例>
在本发明的实施方式的扫描天线中，天线单位例如排列成同心圆状排列。
例如，在排列成m个同心圆的情况下，栅极总线例如相对于各圆各设置一条，设置合计m根栅极总线。若将发送接收区域R1的外径例如设为800mm，则m例如为200。若将最内侧的栅极总线设为第一根，则在第一根栅极总线连接有n个(例如为30个)天线单位，在第m根栅极总线连接有nx个(例如为620个)天线单位。
在这种排列中，连接到各栅极总线的天线单位的数量不同。另外，连接到构成最外侧的圆的nx个天线单位的nx根源极总线连接着m个天线单位，但连接到构成内侧的圆的天线单位的源极总线所连接的天线单位的数量小于m。
这样，扫描天线中的天线单位的排列与LCD面板中的像素(点)的排列不同，连接的天线单位的数量根据栅极总线和/或源极总线而不同。因此，若将全部的天线单位的电容(液晶电容+辅助电容)设为相同，则根据栅极总线和/或源极总线，而使连接的电负载不同。于是，存在向天线单位的电压写入产生偏差这一问题。
因此，为了防止该情况，例如，优选对辅助电容的电容值进行调整，或者对连接到栅极总线和/或源极总线的天线单位的数量进行调整，由此使连接到各栅极总线和各源极总线的电负载大致相同。
(第四实施方式)
以下，说明第四实施方式的扫描天线。
扫描天线中的TFT基板也可以在非发送接收区域，具备将各源极总线电连接至栅极金属层内的连接配线(以下、“栅极连接配线”)的源极-栅极连接部。源极-栅极连接部设置于每根源极总线。源极端子部也可以利用栅极连接配线来构成。
经过本发明者们的研究，当在扫描天线用的TFT基板设置源极-栅极连接部时，则可能产生如下问题。
在扫描天线用的TFT基板中，使用比较厚的导电膜(贴片用导电膜)来形成贴片电极。在制造这样的TFT基板时，在贴片用导电膜的图案化中，例如使用包含磷酸、硝酸及醋酸的腐蚀液。另外，蚀刻时间和过蚀刻时间也变得比其他层的蚀刻工序长。因此，在形成贴片用导电膜时的图案化工序中，位于源极-栅极连接部的源极用导电膜或栅极用导电膜有可能受到蚀刻损伤。例如，在形成源极-栅极连接部的过程中，源极总线以及栅极连接配线的一部分，在位于其上层的绝缘膜所形成的开口部内露出。这些配线的露出来的部分若在贴片用导电膜的图案化工序被蚀刻，则可能会产生接触不良。在源极端子部以及栅极端子部也有可能产生相同的问题。
对此，本发明者发现了一种在保护了源极用导电膜以及栅极用导电膜的状态下，能够进行贴片用导电膜的图案化的TFT基板的构成。下面，具体说明TFT基板的构成。在下面的说明中，主要说明与前述的实施方式不同的方面，并适当省略重复的说明。
在本实施方式的源极-栅极连接部中，源极总线经由设置在与源极总线相比靠上层的导电体部与栅极连接配线电连接。导电体部也可以使用贴片用导电膜而形成。或者，导电体部也可以使用设置在包含源极总线的源极金属层和包含贴片电极的贴片金属层之间的其它导电体膜(例如透明导电膜)而形成。
图21是示例出本实施方式中的TFT基板107的示意性俯视图。
TFT基板107具有排列了多个天线单位区域U的发送接收区域R1、和设置了端子部等的非发送接收区域R2。非发送接收区域R2包含有以包围发送接收区域R1的方式设置的密封区域Rs。密封区域Rs例如，位于配置端子部的端子部区域与发送接收区域R1之间。图21示出发送接收区域R1的天线单位区域U、设置在非发送接收区域R2的传输端子部PT、源极-栅极连接部SG、栅极端子部GT、CS端子部CT以及源极端子部ST。传输端子部(也称为传输端子的一部分)PT包含位于密封区域Rs的第一传输端子部PT1、和设置于比密封区域Rs靠外侧的第二传输端子部PT2。在该例子中，第一传输端子部PT1沿着密封区域Rs以包围发送接收区域R1的方式延伸。
一般而言，栅极端子部GT和源极端子部ST分别设置于每根栅极总线和每根源极总线。在图21中，以与栅极端子部GT并排的方式图示了CS端子部CT和第二传输端子部PT2，但CS端子部CT和第二传输端子部PT2的个数和配置分别与栅极端子部GT相独立地进行设定。通常，CS端子部CT和第二传输端子部PT2的个数小于栅极端子部GT的个数，并考虑CS电极和缝隙电极的电压的均匀性而适当地进行设定。并且，在形成有第一传输端子部PT1的情况下，可以省略第二传输端子部PT2。
图22的(a)～(e)分别是TFT基板107的示意性剖面图。图22的(a)示出沿着图21所示的A-A’线的天线单位区域U的剖面，图22的(b)示出沿着图21所示的B-B’线的传输端子部PT的剖面，图22的(c)示出沿着图21所示的C-C’线的源极-栅极连接部SG的剖面，图22的(d)示出沿着图21所示的D-D’线的源极端子部ST的剖面，图22的(e)示出沿着图21所示的E-E’线以及F-F’线的传输端子部PT的剖面。
此外，图23是源极-栅极连接部SG和源极端子部ST的示意性剖面图。图23示出沿着图21所示的G-G’线的剖面。
·天线单位区域U
如图21以及图22的(a)所示，TFT基板107中的各天线单位区域U具有：形成在电介质基板1上的栅极总线GL以及源极总线SL、TFT10、覆盖TFT10的第一绝缘层11、以及形成在第一绝缘层11上的多个贴片电极15。第一绝缘层11以及贴片电极15上形成有第二绝缘层17。
TFT10具备栅极电极3、岛状的半导体层5、接触层6S和6D、配置于栅极电极3与半导体层5之间的栅极绝缘层4、源极电极7S以及漏极电极7D。TFT10的构成与参照图3等边前述的构成相同。各TFT10的源极电极7S与源极总线SL连接，漏极电极7D与贴片电极15连接，栅极电极3与栅极总线GL连接。
此外，TFT基板107也可以具备CS总线(辅助电容线)CL。在该例中，CS总线CL使用与栅极总线GL相同的导电膜而形成。CS总线CL与栅极总线GL大致平行地延伸。CS总线CL的一部分隔着栅极绝缘层4而与漏极电极7D的一部分对置，并形成有辅助电容。在本说明书中，将CS总线CL之中成为辅助电容的下部电极的部分称为下部电容电极3C，将漏极电极7D之中成为辅助电容的上部电极的部分称为上部电容电极7C。下部电容电极3C的宽度大于下部电容电极3C以外的CS总线CL的宽度，并且上部电容电极7C的宽度也可以大于上部电容电极7C以外的漏极电极7D的宽度。
在该例中，从电介质基板1的法线方向观察时，贴片电极15横跨由下部电容电极3C、上部电容电极7C以及栅极绝缘层4构成的辅助电容而延伸。此外，辅助电容与贴片电极15的配置关系并不限于图示的例子。
·传输端子部PT
如图21以及图22的(b)所示，第一传输端子部PT1具有：栅极连接部3p、覆盖栅极连接部3p的栅极绝缘层4和第一绝缘层11、传输端子用贴片连接部15p、第二绝缘层17、以及传输端子用上部连接部19p。
栅极连接部3p使用与栅极总线GL相同的导电膜来形成，并且与CS总线CL连接(一体地形成)。传输端子用贴片连接部15p使用与贴片电极15相同的导电膜来形成，并且与贴片电极15电隔离。
栅极连接部3p经由传输端子用贴片连接部15p，而与传输端子用上部连接部19p电连接。具体地，栅极绝缘层4以及第一绝缘层11中设有到达至栅极连接部3p的开口部(栅极接触孔)12p。传输端子用贴片连接部15p形成于第一绝缘层11上和开口部12p内，并在开口部12p内与栅极连接部3p接触。第二绝缘层17形成在传输端子用贴片连接部15p以及第一绝缘层11上，且具有到达至传输端子用贴片连接部15p的开口部18p。传输端子用上部连接部19p设置于第二绝缘层17上和开口部18p内，并在开口部18p内与传输端子用贴片连接部15p接触。传输端子用上部连接部19p例如通过包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用上部连接部连接(参照图7)。
在该例中，传输端子用贴片连接部15p以及传输端子用上部连接部19p横跨栅极总线GL而延伸。另一方面，栅极连接部3p配置在密封区域Rs上相互邻接的两根栅极总线GL之间。夹着栅极总线GL并分离地配置的多个栅极连接部3p经由传输端子用贴片连接部15p以及传输端子用上部连接部19p相互电连接。
此外，这里，栅极连接部3p通过多个开口部12p而与传输端子用贴片连接部15p连接，但开口部12p只要相对于一个栅极连接部3p设置一个以上即可。此外，也可以在CS端子部CT内进行栅极连接部3p与传输端子用贴片连接部15p的连接。
从基板1的法线方向观察时，传输端子用贴片连接部15p构成有向外侧(与发送接收区域R1相反的一侧)延伸的第二传输端子部PT2。
第二传输端子部PT2设置于密封区域Rs的外侧(与发送接收区域R1相反一侧)。第二传输端子部PT2除了不具有栅极连接部3p以及开口部12p的方面以外，具有与图22的(b)相同的剖面构造。即、如图22(e)所示，第二传输端子部PT2具有传输端子用贴片连接部15p、第二绝缘层17以及传输端子用上部连接部19p。传输端子用上部连接部19p在第二绝缘层17的开口部内与传输端子用贴片连接部15p接触。在第二传输端子部PT2中，传输端子用上部连接部19p也可以通过例如包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用上部连接部连接。此外，均不与第一传输端子部PT1之中的、栅极总线GL和栅极连接部3p重叠的剖面(沿图21的F-F’线的剖面)的构造与第二传输端子部PT2的剖面构造相同。
·源极-栅极连接部SG
如图21、图22的(c)以及图23所示，源极-栅极连接部SG电连接源极总线SL和栅极连接配线3sg。在该例中，将源极总线SL和栅极连接配线3sg经由SG用贴片连接部15sg而电连接。栅极连接配线3sg使用与栅极总线GL相同的导电膜来形成，并且与栅极总线GL电隔离。SG用贴片连接部15sg使用与贴片电极15相同的导电膜来形成，并且与贴片电极15电隔离。此外，在本说明书中，有时将源极总线SL之中位于源极-栅极连接部SG的部分称为“源极连接部7sg”。源极连接部7sg的宽度可以大于源极总线SL的宽度。
更具体地，源极-栅极连接部SG具有：被电介质基板1支撑的栅极连接配线3sg、在栅极连接配线3sg上延伸设置的栅极绝缘层4、形成在栅极绝缘层4上的源极总线SL、在源极总线SL上延伸设置的第一绝缘层11、以及SG用贴片连接部15sg。从电介质基板1的法线方向观察时，栅极连接配线3sg的至少一部分以与源极总线SL不重叠的方式配置。第一绝缘层11中形成有到达至源极总线SL(源极连接部7sg)的第一开口部12sg(1)。栅极绝缘层4以及第一绝缘层11中形成有到达至栅极连接配线3sg的第二开口部12sg(2)。SG用贴片连接部15sg配置于第一绝缘层11上、开口部12sg(1)内以及开口部12sg(2)内，在开口部12sg(1)内与源极总线SL接触，在开口部12sg(2)内与栅极连接配线3sg接触。由此，源极总线SL与栅极连接配线3sg电连接。SG用贴片连接部15sg也可以被第二绝缘层17覆盖。
并且，开口部12sg(1)以及开口部12sg(2)也可以是连续的。即、也可以形成将源极总线SL的一部分以及栅极连接配线3sg的一部分露出的单个开口部，并且在开口部内设置SG用贴片连接部15sg。
·源极端子部ST、栅极端子部GT、CS端子部CT
如图21、图22(d)以及图23所示，源极端子部ST具有：从源极-栅极连接部SG延伸设置的栅极连接配线3sg、覆盖栅极连接配线3sg的栅极绝缘层4、第一绝缘层11和第二绝缘层17、以及源极端子用上部连接部19s。栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17中设置有到达至栅极连接配线3sg的开口部18s。源极端子用上部连接部19s配置于第二绝缘层17上和开口部18s内，并在开口部18s内与栅极连接配线3sg接触。
如图21所示，栅极端子部GT和CS端子部CT也可以具有与源极端子部ST同样的结构。在该例中，栅极端子部GT具有在开口部18g内与栅极总线GL接触的栅极端子用上部连接部19g，该开口部18g形成于栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17。在该例中，CS端子部GT具有在开口部18c内与CS总线CL接触的CS端子用上部连接部19c，该开口部18c形成于栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17。
·TFT基板107的制造方法
如上所述，在本实施方式中，TFT基板107在电介质基板1上，依次具有：栅极金属层、栅极绝缘层4、源极金属层、第一绝缘层11、贴片金属层、第二绝缘层17、上部透明导电层。栅极金属层包含栅极总线GL、TFT的栅极电极3、栅极连接配线3sg、栅极连接部3p。源极金属层包含源极总线SL、TFT的源极电极7S以及漏极电极7D。贴片金属层包含贴片电极15、SG用贴片连接部15sg、传输端子用贴片连接部15p。上部透明导电层包含各端子部的上部连接部19s、19g、19c、19p。
图24的(a)～图27的(n)是示出TFT基板107的制造方法的一例的工序剖面图。这些图是分别示出对应于图22的(a)～(e)的剖面。各层的材料、厚度、形成方法等只要与参照图5的前述的方法相同，则适当省略说明。
首先，如图24的(a)所示，利用溅射法等在电介质基板1上形成栅极用导电膜3’。这里，作为栅极用导电膜3’，使用依次包含Al膜(150nm)和MoN膜(10nm)的层叠膜。接着，如图24的(b)所示，通过将栅极用导电膜3’图案化，得到包含栅极电极3、栅极总线GL、下部电容电极3C、CS总线CL、栅极连接部3p、栅极连接配线3sg的栅极金属层。
之后，如图24的(c)所示，以覆盖栅极金属层的方式依次形成栅极绝缘层4、本征非晶硅膜5’及n+型非晶硅膜6’。接着，对本征非晶硅膜5’和n+型非晶硅膜6’进行图案化，由此如图24的(d)所示，得到岛状的半导体层5和接触层6。
接着，如图24的(e)所示，在栅极绝缘层4上和接触层6上形成源极用导电膜7’。这里，形成依次层叠MoN(厚度：例如为10nm)、Al(厚度：例如为200nm)以及MoN(厚度：例如为10nm)而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为源极用导电膜7’。
接着，如图25(f)所示，通过将源极用导电膜7’图案化来形成包含源极总线SL(包含源极连接部7sg)、源极电极7S、上部电容电极7C、以及漏极电极7D的源极金属层。此时，接触层6也被蚀刻，形成彼此分离的源极接触层6S与漏极接触层6D。这样，得到TFT10。
接着，如图25的(g)所示，以覆盖TFT10和源极金属层的方式形成第一绝缘层11。在该例中，第一绝缘层11以与半导体层5的沟道区域接触的方式配置。接着，如图25(h)所示，利用公知的光刻，在第一绝缘层11以及栅极绝缘层4，设置在传输端子部形成区域内到达至栅极连接部3p的开口部12p、以及在源极-栅极连接部形成区域内到达至栅极连接配线3sg的开口部12sg(2)(未图示)，同时，在第一绝缘层11，形成在源极-栅极连接部形成区域内到达至源极总线SL的开口部12sg(1)、以及在天线单位区域U内到达至漏极电极7D的开口部12a。
接着，如图25的(i)所示，在第一绝缘层11以及开口部12a、12p、12sg(1)、12sg(2)内形成贴片用导电膜15’。这里，作为贴片用导电膜15’，使用依次包含Al膜(厚度：例如为2000nm)和MoN膜(厚度：例如为10nm)的层叠膜(MoN/Al)。
接着，通过公知的光刻工艺将贴片用导电膜15’图案化。由此，如图26(j)所示，在天线单位区域U内形成贴片电极15、在传输端子部形成区域形成传输端子用贴片连接部15p、在源极-栅极连接部形成区域形成SG用贴片连接部15sg。贴片电极15在开口部12a内与漏极电极7D接触。传输端子用贴片连接部15p在开口部12p内与栅极连接部3p接触。SG用贴片连接部15sg在开口部12sg(1)内与源极总线SL接触，并在未图示的开口部12sg(2)内与栅极连接配线3sg接触。
对于贴片用导电膜15’的图案化，可使用例如磷酸/硝酸/醋酸的混酸溶液以作为蚀刻液。因为贴片用导电膜15’比较厚(例如0.3μm以上)，所以蚀刻时间以及过蚀刻时间也变长。由此，在贴片用导电膜15’的图案化之时，若不能充分保护栅极用导电膜以及源极用导电膜，则这些金属也可能被蚀刻。详细内容后文叙述。在本实施方式中，在贴片用导电膜15’的图案化之时，端子部形成区域内的栅极连接配线3sg被无机绝缘膜覆盖。此外，在源极-栅极连接部形成区域内的源极总线SL之中从无机绝缘膜露出的部分上，作为SG用贴片连接部15sg残留着贴片用导电膜15’。如此，在栅极用导电膜以及源极用导电膜被以无机绝缘膜(栅极绝缘层4以及第一绝缘层11)或贴片用导电膜15’保护的状态下，能够进行贴片用导电膜15’的图案化，因此不会产生如上所述的问题。
接着，如图26的(k)所示，在贴片金属层以及第一绝缘层11上形成第二绝缘层17。之后，例如通过使用氟系气体的干式蚀刻进行第二绝缘层17的蚀刻。由此，如图27(l)所示，在传输端子部形成区域形成露出传输端子用贴片连接部15p的一部分的开口部18p。此外，在该蚀刻工序中，在端子部形成区域内，第二绝缘层17、第一绝缘层11以及栅极绝缘层4一并地被蚀刻，并形成露出栅极连接配线3sg的开口部18s。得到的开口部18s的侧壁与第二绝缘层17、第一绝缘层11以及栅极绝缘层4的侧面对齐。
接着，如图27的(m)所示，在第二绝缘层17上以及开口部18s、18sg、18p内例如用溅射法形成透明导电膜19’。在此，作为透明导电膜，使用厚度例如是70nm的ITO膜。接着，将透明导电膜19’图案化。由此，如图27(n)所示，形成在开口部18p内与传输端子用贴片连接部15p接触的传输端子用上部连接部19p、以及在开口部18s内与栅极连接配线3sg接触的源极端子用上部连接部19s。由此，可以得到传输端子部PT以及源极端子部ST。并且，虽未图示，但CS端子部CT以及栅极端子部GT能够用与源极端子部ST相同的方法形成。这样来制造TFT基板107。
(第五实施方式)
以下，说明第五实施方式的扫描天线。
第五实施方式的扫描天线的特征在于，传输部的构造。在此说明的传输部的构造均可适用于上述的任一个实施方式。针对传输部以外的构造，有时省略说明。
参照图28～图37，对TFT基板所具有的传输端子部PT-1～16的构造进行说明。传输端子部PT-1～16也可以是位于密封区域Rs的第一传输端子部PT1以及设置于比密封区域Rs靠外侧的第二传输端子部PT2(参照图21)中的任一个。缝隙基板所具有的端子部IT(例如，参照图6)也可以具有与传输端子部PT-1～16相同的构造。一个扫描天线所具有的TFT基板的传输端子部的构造、和缝隙基板所具有的端子部IT的构造可以相互独立地被选择。
首先，参照图28的(a)和(b)。图28的(a)以及(b)是TFT基板所具有的传输端子部PT-1、PT-2的示意性剖面图，例如，对应于图21所示的TFT基板107的第一传输端子部PT1或第二传输端子部PT2的剖面图。然而，传输端子部PT-1以及PT-2不具有用透明导电膜形成的传输端子用上部连接部19p。
图28的(a)所示的传输端子部PT-1具有：在第一绝缘层11上形成的贴片连接部15p、在贴片连接部15p上形成的高熔点金属含有层24a、以及具有露出高熔点金属含有层24a的上表面的一部分的开口部18p的第二绝缘层17。第二绝缘层17覆盖高熔点金属含有层24a的周边部分、和贴片连接部15p的整个侧面。在本说明书中，“高熔点金属”是指钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铌(Nb)，“高熔点金属含有层”是指高熔点金属、包含高熔点金属的合金、及高熔点金属氮化物、以及包含高熔点金属或高熔点金属的合金和高熔点金属氮化物的固溶体中的任意一种形成的层。
图28的(b)所示的传输端子部PT-2与传输端子部PT-1的不同之处在于，传输端子部PT-2还具有在第一绝缘层11与贴片连接部15p之间的高熔点金属含有层24b。
关于先前的实施方式的扫描天线如已说明般，贴片连接部15p由与贴片电极15相同的低电阻金属膜(Al膜、Cu膜、Au膜或Ag膜)形成。贴片连接部15p例如，优选从具有0.3μm以上2μm以下的厚度的Al层形成。并且，在本实施方式中，贴片电极15的膜构造(包含层叠构造)可以与传输端子部PT-1～16的膜构造(包含层叠构造)不同。在本实施方式的说明中，为了说明传输端子部PT-1的膜构造，假设贴片连接部15p仅由贴片电极15中所包含的低电阻金属膜(Al膜、Cu膜、Au膜或Ag膜)形成。并且，有时将由贴片电极15以及贴片连接部15p中所包含的低电阻金属膜形成的层称为“低电阻金属层”。在将贴片电极15及贴片连接部15p设为层叠结构的情况下，Al层的厚度优选为0.3μm以上，Cu层的厚度优选为0.2μm以上。
高熔点金属含有层24a、24b例如，由Mo或MoN形成。高熔点金属含有层24a、24b的厚度优选为10nm以上200nm以下，例如是10nm。通过设置高熔点金属含有层24a，在以蚀刻形成贴片连接部15p时，可以比较容易控制锥形状。贴片连接部15p的锥形状例如，优选位于梯形的下底的两端的内角(有时也称为底角、锥角。)为15°以上75°以下。并且，可以省略高熔点金属含有层24b。
第二绝缘层17例如能够适当地使用氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SixNy)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮化氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。作为第二绝缘层17，例如形成厚度为200nm的SiNx层。作为第二绝缘层17，优选厚度为20nm以上200nm以下的SiNx层。若第二绝缘层17的厚度超过200nm，则微波损耗变大。
然而，若隔着导电性粒子(导电性间隔件)而将具有传输端子部PT-1或PT-2的TFT基板、具有与传输端子部PT-1或PT-2相同构造的端子部IT的缝隙基板相互粘合，则会有产生如液晶层的厚度(基板间隔)改变的问题。这个问题发生在于，作为导电性间隔件，使用玻璃纤维、玻璃珠(包含导电涂层的构成。以下，称为“玻璃间隔件”。)之时。由于贴片连接部15p由与贴片电极15相同的低电阻金属膜形成的较厚的层(低电阻金属层，例如0.3μm以上的Al层)形成的构成，所以容易变形。当使用玻璃间隔件时，因为在使基板贴合时的外力下，间隔件下陷至传输端子部PT-1、PT-2以及端子部IT而产生。此外，有时得到的扫描天线的耐湿可靠性不够，传输部中发生腐蚀。
参照图29～图37说明的传输端子部PT-3～16能够同时解决上述的两个问题。
图29的(a)～(c)是传输端子部PT-3～5的示意性剖面图。图29的(a)所示的传输端子部PT-3在图28的(b)中示出的传输端子部PT-2中的高熔点金属含有层24a之上具有保护金属层25，还具有覆盖在第二绝缘层17的开口部18p内露出的保护金属层25的透明导电层(上部连接部)19p。第二绝缘层17覆盖保护金属层25的周边部分、高熔点金属含有层24a以及贴片连接部15p的整个侧面。
在此，保护金属层25由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的一种层形成。即、保护金属层25可以由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的一种层形成，也可以层叠形成两种以上的层。保护金属层25的厚度例如是18nm以上。厚度为18nm以上的Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层或MoNbNiN层能够充分抑制玻璃间隔件凹陷。为了更有效地抑制玻璃间隔件凹陷，保护金属层25的厚度优选为28nm以上。保护金属层25的厚度的上限例如是300nm。另外，保护金属层25能够使得耐湿可靠性提高。
传输端子部PT-3在保护金属层25上还具有透明导电层19p。作为透明导电层19p，可使用ITO(氧化铟锡)层或IZO(氧化铟锌，IZO是出光兴产株式会社的注册商标)层、ZnO(氧化锌)层。透明导电层19p的厚度例如是20nm以上250nm以下。通过设置由氧化物形成的透明导电层19p，能够进一步提高耐湿可靠性。
图29的(b)所示的传输端子部PT-4是省略了图29的(a)的传输端子部PT-3中的高熔点金属含有层24b的构成，图29的(c)所示的传输端子部PT-5是省略了图29的(a)的传输端子部PT-3中的高熔点金属含有层24a、24b的双方的构成。图示虽省略，但也可以省略图29的(a)的传输端子部PT-3中的高熔点金属含有层24a。并且，虽在设置高熔点金属含有层24a时，容易控制贴片连接部15p的锥角，但即使省略高熔点金属含有层24a，也能够通过调整蚀刻条件，而得到期望的锥角。
图30的(a)～(c)所示的传输端子部PT-6～8分别相当于省略了图29的(a)～(c)所示的传输端子部PT-3～5中的透明导电层19p的构成。
如此，通过在贴片连接部15p之上形成保护金属层25，进一步地，形成覆盖保护金属层25的上表面的周边部分、以及贴片连接部15p与保护金属层25的整个侧面的第二绝缘层17(优选SixNy层)，能够解决上述的问题。并且，缝隙基板中也形成与传输端子部PT-3～8中的任一个相同构成的端子部IT。然而，端子部IT所具有的缝隙电极55的主层55M比传输端子部PT所具有的贴片连接部15p厚，例如形成为厚度2μm以上6μm以下的Cu层。
接着，参照图31的(a)～(g)，说明传输端子部PT-4(图29的(b))的制造方法。图31的(a)～(g)是说明传输端子部PT-4的制造方法的示意性剖面图。
例如，经过与参照图5而说明的TFT基板101的制造方法相同的工序，在形成具有特定接触孔的第一绝缘层11后，如图31的(a)所示，在第一绝缘层(未图示)上几乎整面地形成贴片用导电膜15’以及高熔点金属含有膜24a’。
接着，如图31的(b)所示，通过蚀刻贴片用导电膜15’以及高熔点金属含有膜24a’，得到贴片连接部15p以及高熔点金属含有层24a。例如，使用光阻来形成蚀刻掩膜，并使用酸性化学液体来蚀刻。此时，由于在贴片用导电膜15’上形成高熔点金属含有膜24a’，因此能够比较容易地将贴片连接部15p的锥角控制在15°以上75°以下的范围。
接着，如图31的(c)所示，在几乎整个面上形成保护金属膜25’，并如图31的(d)所示，通过将保护金属膜25’图案化，而在高熔点金属含有层24a上形成保护金属膜25。
然后，如图31的(e)所示，在几乎整个面上形成第二绝缘膜17’，并如图31的(f)所示，通过将第二绝缘膜17’图案化，而形成具有开口部18p的第二绝缘层17。
之后，如图31的(g)所示，在几乎整个面上形成透明导电膜19p’，并通过将透明导电膜19p’图案化，能够得到具有透明导电膜(传输端子用上部连接部)19p的传输端子部PT-4(图29的(b))。
上述制造方法中的各个工序可以用公知的方法得到，因此省略详细的说明。此外，其它的传输端子部PT-1～3以及5～8通过改变上述的制造方法而制造，对于本领域人员而言是明确的，因此省略说明。
图32的(a)、(b)图33的(a)和(b)中示出传输端子部PT-9～12的示意性剖面图。
图32的(a)所示的传输端子部PT-9在图29的(a)中示出的传输端子部PT-3中的与保护金属层25对应的第一保护金属层25a上，还具有第二保护金属层25b。第二绝缘层17覆盖高熔点金属含有层24a的周边部分、以及贴片连接部15p的整个侧面，在第二绝缘层17的开口部18p中被露出的第一保护金属层25a上形成有第二保护金属层25b。形成覆盖整个第二保护金属层25b的、到达至开口部18p的周边的第二绝缘层17的透明导电层19p。
传输端子部PT-9的最高的位置(例如，以玻璃基板的表面为基准)有一形成在第二保护金属层25b上的透明导电层19p的上表面。对此，在图29的(a)中示出的传输端子部PT-3中，最高的位置有一形成在开口部18p的周边的第二绝缘层17上的透明导电层19的上表面，保护金属层25上的透明导电层19p的上表面位于开口部18p内的凹陷的位置。如此，在包含导电性间隔件的树脂形成传输部时，导电性间隔件(球状或圆柱状)的位置不稳定，其结果是，液晶层的厚度(基板间隔)可能不恒定。如传输端子部PT-9般地，若在第二保护金属层25b上形成的透明导电层19p位于高于第二绝缘层17的位置，则位于第二保护金属层25b上的透明导电层19p之上的导电性间隔件能够稳定地保持液晶层的厚度(基板间隔)。
图32的(b)所示的传输端子部PT-10是省略了图32的(a)的传输端子部PT-9中的高熔点金属含有层24b的构成。
图33的(a)所示的传输端子部PT-11是省略了图32的(a)的传输端子部PT-9中的高熔点金属含有层24a的构成，图33的(b)所示的传输端子部PT-12是省略了图32的(a)的传输端子部PT-9中的高熔点金属含有层24a、24b的双方的构成。
图34的(a)、(b)所示的传输端子部PT-13～14分别相当于省略了图32的(a)、(b)所示的传输端子部PT-9～10中的透明导电层19p的构成。
图35的(a)、(b)所示的传输端子部PT-15～16分别相当于省略了图33的(a)、(b)所示的传输端子部PT-11～12中的透明导电层19p的构成。
如传输端子部PT-9～16般地，若形成在第二绝缘层17的开口部18p内的第二保护金属层25b的上表面位于高于第二绝缘层(开口部18p的周边的第二绝缘层)17的位置，则如上所述，能够稳定的保持液晶层的厚度(基板间隔)。
接着，参照图36的(a)～(c)，说明传输端子部PT-10(参照图32的(b))的制造方法。图36的(a)～(c)是说明传输端子部PT-10的制造方法的示意性剖面图。
首先，经过与参照图31的(a)～(g)说明的传输端子部PT-4的制造方法相同的工序，形成具有开口部18p的第二绝缘层17，该开口部18p露出第一保护金属层25a的上表面的一部分(除去周边部分的中央部分)。
之后，如图36的(a)所示，在几乎整个面上形成第二保护金属膜25b’，并如图36的(b)所示，通过将第二保护金属膜25b’图案化，而在第一保护金属层25a上形成第二保护金属层25b。
之后，如图36的(c)所示，在几乎整个面上形成透明导电膜19p’，并通过将透明导电膜19p’图案化，而能够得到具有透明导电层(传输端子用上部连接部)19p的传输端子部PT-10(图32的(b))。
接着，参照图37的(a)～(g)，说明传输端子部PT-12(参照图33的(b))的制造方法。图37的(a)～(g)是说明传输端子部PT-12的制造方法的示意性剖面图。
例如，经过与参照图5而说明的TFT基板101的制造方法相同的工序，在形成具有特定接触孔的第一绝缘层11后，如图37的(a)所示，在第一绝缘层(未图示)上几乎整面地形成贴片用导电膜15’以及第一保护金属膜25a’。
接着，如图37的(b)所示，通过蚀刻贴片用导电膜15’以及第一保护金属膜25a’，得到贴片连接部15p以及第一保护金属层25a。例如，使用光阻来形成蚀刻掩膜，并使用酸性化学液体来蚀刻。此时，由于在贴片用导电膜15’上形成第一保护金属膜25a’，因此能够比较容易地将贴片连接部15p的锥角控制在15°以上75°以下的范围。
接着，如图37的(c)所示，在几乎整个面上形成第二绝缘膜17’，并如图37的(d)所示，通过将第二绝缘膜17’图案化，而形成具有开口部18p的第二绝缘层17。
然后，如图37(e)所示，在几乎整个面上形成第二保护金属膜25b’，并如图37(f)所示，通过将第二保护金属膜25b’图案化，而在第二绝缘层17的开口部18p内所露出的第一保护金属层25a的上表面之上形成第二保护金属层25b。
之后，如图37的(g)所示，在几乎整个面上形成透明导电膜19p’，并通过将透明导电膜19p’图案化，能够得到具有透明导电膜(传输端子用上部连接部)19p的传输端子部PT-12(图33的(b))。
上述制造方法中的各个工序可以用公知的方法得到，因此省略详细的说明。此外，其它的传输端子部PT-9、11、13～16通过改变上述的制造方法而制造，对于本领域人员而言是明确的，因此省略说明。
若使用传输端子部PT-9～16，则与使用了传输端子部PT-3～8的情况同样地，能够解决上述的问题。并且，缝隙基板的端子部IT中也形成与传输端子部PT-3～16中的任一个相同构成的端子部IT。然而，端子部IT所具有的缝隙电极55的主层55M比传输端子部PT所具有的贴片连接部15p厚，例如形成为厚度2μm以上6μm以下的Cu层。将缝隙电极55的主层55M称为“低电阻金属层”，将在端子部IT中，由低电阻金属层形成的、传输端子部PT-3～16中的与贴片连接部15p对应的部分称为“缝隙连接部”。并且，缝隙电极55例如，可以直接形成在玻璃基板51上。缝隙电极55也可以在被形成在玻璃基板51上的第三绝缘层52上形成。
(第六实施方式)
以下，说明第六实施方式的扫描天线。第六实施方式的扫描天线的特征在于，缝隙基板的端子部IT的构造。在此说明的缝隙基板的端子部IT的构造均可适用于上述的任一个实施方式。然而，关于传输部的构造，优选与第五实施方式的扫描天线的传输端子部PT-3～16组合。在下面，针对传输部以外的构造，有时省略说明。。
缝隙基板所具有的端子部IT具有缝隙电极55的主层55M(缝隙连接部，例如Cu膜或Al膜，厚度为2μm以上6μm以下)，因此在覆盖端子部IT的缝隙电极55的第四绝缘层58中有时产生裂缝等，从而耐湿可靠性降低。本实施方式的扫描天线的缝隙基板能够解决这个问题。
首先，参照图38的(a)、(b)以及图39的(a)、(b)，说明在缝隙基板204的端子部IT处发生的问题。
图38的(a)是缝隙基板204的示意性俯视图，图38的(b)是沿着图38的(a)中的H-H’线的示意性剖面图。图39的(a)以及(b)是沿着图38的(a)中的I-I’线或J-J’线的示意性剖面图。
缝隙基板204例如，具有形成于玻璃基板51上的缝隙电极55、和覆盖缝隙电极55的第四绝缘层58。缝隙电极55在发送接收区域R1内具有多个缝隙57。第四绝缘层58中，在非发送接收区域R2内的第一端子部IT1以及第二端子部IT2中分别具有开口部58a以及58b。第一端子部IT1以及第二端子部IT2中例如，分别与传输部形成TFT基板的第一传输端子部PT1以及第二传输端子部PT2(参照图21)。第四绝缘层58除了开口部58a以及58b以外，覆盖缝隙基板204的几乎整个面。在第四绝缘层58的开口部58a以及58b内露出有缝隙电极55，覆盖开口部58a以及58b的上部连接部(透明导电层)60在开口部58a以及58b内与缝隙电极55接触。
图39的(a)所示的端子部IT-1中，缝隙电极55具有主层55M与上层55U。主层55M是例如，厚度为2μm以上6μm以下的Cu层或Al层，上层55U是高熔点金属含有层55U，例如由Mo或MoN形成。高熔点金属含有层55U的厚度例如是10nm以上300nm以下，例如为10nm。
图39的(b)所示的端子部IT-2中，缝隙电极55具有主层55M和下层55L。主层55M是例如，厚度为2μm以上6μm以下的Cu层或Al层，下层55L是高熔点金属含有层55L，例如由Mo或MoN形成。高熔点金属含有层55L的厚度例如是10nm以上300nm以下，例如为10nm。
端子部IT-1和IT-2中的第四绝缘层58例如，能够适当地使用氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SixNy)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮化氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。作为第四绝缘层58，例如形成厚度为200nm的SiNx层。作为第四绝缘层58，优选厚度为20nm以上200nm以下的SiNx层。若第四绝缘层58的厚度超过200nm，则微波损耗变得不必要的大。
作为透明导电层60，可以使用ITO(氧化铟锡)层或IZO(氧化铟锌)层、ZnO(氧化锌)层。透明导电层60的厚度例如，被设定为片电阻小于0.10Ω/sq。透明导电层60的厚度例如是20nm以上250nm以下。
如图39的(a)以及(b)所示，在端子部IT-1以及IT-2中，有时在第四绝缘层58中形成裂缝CR，通过从裂缝侵入的水分而对主层55M的Cu层或Al层发生腐蚀CO。裂缝容易发生在主层55M与上层55U的界面以及主层55M与下层55L的界面处。
参照图40～图43说明的端子部IT-3～14能够解决上述的问题。
图40的(a)～(c)中示出端子部IT-3～5的示意性剖面图。
图40的(a)所示的端子部IT-3以替代图39的(a)中示出的端子部IT-1中的透明导电层60，具有覆盖在第四绝缘层58的开口部18p内露出的高熔点金属含有层55U以及第四绝缘层58的侧面的保护金属层45a。保护金属层45a与第五实施方式的保护金属层25同样地，由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的一种层形成。即、保护金属层45a可以由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的一种层形成，也可以层叠形成两种以上的层。保护金属层45a的厚度与第五实施方式的保护金属层25同样地，例如为18nm以上，优选28nm以上。
图40的(b)所示的端子部IT-4以替代图39的(b)的端子部IT-2中的透明导电层60，具有覆盖在第二绝缘层17的开口部18p内露出的高熔点金属含有层55U以及第四绝缘层58的整个侧面的保护金属层45a。
图40(c)所示的端子部IT-5是省略了图40(b)的传输端子部PT-4中的高熔点金属含有层55L的构成。图示虽省略，但也可以在图40的(a)的端子部IT-3中的主层55M的下方设置高熔点金属含有层55L。
图41的(a)～(c)所示的端子部IT-6～8分别相当于与在图40的(a)～(c)所示的端子部IT-3～5中的第四绝缘层58与保护金属层45a的层叠顺序相反的构成。
图41的(a)所示的端子部IT-6具有覆盖主层55M以及高熔点金属含有层55U的整个上表面以及整个侧面的保护金属层45b。端子部IT-6具有覆盖保护金属层45b的上表面的周边部分和整个侧面的第四绝缘层58(优选SixNy层)。图41的(b)所示的端子部IT-7具有覆盖主层55M的上表面、以及主层55M与高熔点金属含有层55L的整个侧面的保护金属层45b。图41的(c)所示的端子部IT-8具有覆盖主层55M的上表面和整个侧面的保护金属层45b。图示虽省略，但也可以在图41的(a)的端子部IT-6中的主层55M的下方设置高熔点金属含有层55L。
图42的(a)～(c)所示的端子部IT-9～11分别相当于在图40的(a)～(c)所示的端子部IT-3～5中的保护金属层45a之上形成透明导电层60的构成。利用进一步设置透明导电层60，能够进一步提高耐湿可靠性。
图43的(a)～(c)所示的端子部IT-12～14分别相当于在图41的(a)～(c)所示的端子部IT-6～8中的保护金属层45b之上形成透明导电层60的构成。在端子部IT-12～14中，第四绝缘层58以覆盖保护金属层45b的上表面的周边部分和整个侧面的方式形成，因此在透明导电层60与保护金属层45b之间存在第四绝缘层58。
接着，参照图44，说明端子部IT-4(图40的(b))的制造方法。
如图44的(a)所示，例如，在玻璃基板(未图示)上，几乎整面地形成高熔点金属含有膜55L’以及成为缝隙电极55的主层的Cu膜55M’。
接着，如图44的(b)所示，通过蚀刻Cu膜55M’以及高熔点金属含有膜55L’，从而得到高熔点金属含有层55L以及主层55M。例如，使用光阻来形成蚀刻掩膜，并使用酸性化学液体来蚀刻。此时，通过调整蚀刻条件，可以将高熔点金属含有层55L以及主层55M的锥角控制在15°以上75°以下的范围。
接着，如图44的(c)所示，在几乎整个面上形成第四绝缘膜58’，并如图44的(d)所示，通过将第四绝缘膜58’图案化，而形成具有开口部58a的第四绝缘层58。
接着，如图44的(e)所示，在几乎整个面上形成保护金属膜45a’，并通过将保护金属膜45a’图案化，而能够得到端子部IT-4(图40的(b))。
接着，参照图45的(a)～(c)，说明端子部IT-7(图41的(b))的制造方法。
首先，经过与参照图44的(a)以及(b)说明过的相同的工序，得到高熔点金属含有层55L以及主层55M。
之后，如图45的(a)所示，在几乎整个面上形成保护金属膜45b’，并如图45的(b)所示，通过将保护金属膜45b’图案化，而形成保护金属层45b。
之后，如图45(c)所示，在几乎整个面上形成第四绝缘膜58’。通过将第四绝缘膜58’图案化，从而形成具有开口部58a的第四绝缘层58，并得到端子部IT-7(参照图41的(b))。
图42的(b)中示出的端子部IT-10通过在图44的(e)中示出的工序之后，如图46所示，在几乎整个面上形成透明导电膜60’，之后，将透明导电膜60’以及保护金属膜45b’图案化而形成。
图43的(b)中示出的端子部IT-13通过在经过参照图45的(a)～(c)而说明的工序而形成图41的(b)中示出的端子部IT-7之后，如图47所示，在几乎整个面上形成透明导电膜60’，将透明导电膜60’图案化而形成。
上述制造方法中的各个工序可以用公知的方法得到，因此省略详细的说明。此外，其它的端子部IT-1～3以及5、6、8～9、11以及12通过改变上述的制造方法而制造，对于本领域人员而言是明确的，因此省略说明。
若使用端子部IT-3～14，则因为保护金属层45a或45b覆盖主层55M(以及上层55U以及/或下层55L)的整个上表面以及整个侧面，因此能够解决上述问题。即、具备缝隙基板的扫描天线具有优异的耐湿可靠性，该缝隙基板具有端子部IT-3～14。通过在保护金属层45a或45b上形成透明导电层60，能够进一步提高耐湿可靠性。此外，将保护金属层45a或45b的厚度设为18nm以上，优选地，设为28nm以上，并使保护金属层45a或45b通过与第五实施方式中说明的传输端子部PT-3～16组合使用，能够得到与第五实施方式相同的效果。
并且，端子部IT-3～14所具有的主层55M由与发送接收区域R1的缝隙电极55所具有的主层55M相同的低电阻金属膜形成。端子部IT-3～14所具有的上层55U以及/或下层55L也可以由与发送接收区域R1的缝隙电极55所具有的上层55U以及/或下层55L相同的膜形成，也可以相互独立地形成。
然而，保护金属层45a或45b、以及透明导电层60优选为，仅在非发送接收区域R2中形成有端子部IT-3～14上形成，且不形成在发送接收区域R1的缝隙电极55上。若将保护金属层45a或45b、以及透明导电层60形成于发送接收区域R1的缝隙电极55上，则有可能使微波损耗变大。
另一方面，第四绝缘层58如上所述，为了抑制Cu从缝隙电极55溶出至液晶层LC，优选在整个发送接收区域R1以及非发送接收区域R2内形成，但也可以省略。尤其是，在形成于非发送接收区域R2的端子部中，由于保护金属层45a或45b覆盖主层55M(以及上层55U以及/或下层55L)的整个上表面以及整个侧面，因此能够解决上述问题。
本发明的实施方式的扫描天线根据需要例如收纳于塑料制的框体。优选对框体使用不影响微波的收发的介电常数εM小的材料。并且，也可以在与框体的发送接收区域R1对应的部分设置贯通孔。进一步，也可以设置遮光结构，以使液晶材料不被曝光。遮光结构例如设置成对从TFT基板101的电介质基板1和/或缝隙基板201的电介质基板51的侧面在电介质基板1和/或电介质基板51内传播，并向液晶射入的光进行遮光。介电各向异性ΔεM大的液晶材料易光劣化，优选不仅紫外线，即使在可见光中短波长的蓝光也进行遮光。遮光结构例如使用黑色的胶带等遮光性带而能够容易地形成在需要的地方。
工业的可利用性
本发明的实施方式例如用于搭载于移动体(例如船舶、飞机、汽车)的卫星通信、卫星广播用的扫描天线。
附图标记说明
1：电介质基板
2：基底绝缘膜
3：栅极电极
4：栅极绝缘层
5：半导体层
6D：漏极接触层
6S：源极接触层
7D：漏极电极
7S：源极电极
7p：源极连接配线
11：第一绝缘层
15：贴片电极
15p：贴片连接部
17：第二绝缘层
18g、18s、18p：开口部
19g：栅极端子用上部连接部
19p：传输端子用上部连接部(透明导电层)
19s：源极端子用上部连接部
21：对准标记
23：保护导电层
24、24a、24b：高熔点金属含有层
25、25a、25b、45a、45b：保护金属层
51：电介质基板
52：第三绝缘层
54：电介质层(空气层)
55：缝隙电极
55L：下层
55M：主层
55U：上层
55c：接触面
57：缝隙
58：第四绝缘层
60：上部连接部
65：反射导电板
67：粘合层
68：加热器用电阻膜
70：供电装置
71：导电性珠
72：供电销
73：密封部
101、102、103、104：TFT基板
201、203：缝隙基板
1000：扫描天线
CH1、CH2、CH3、CH4、CH5、CH6：接触孔
GD：栅极驱动器
GL：栅极总线
GT：栅极端子部
SD：源极驱动器
SL：源极总线
ST：源极端子部
PT：传输端子部
IT：端子部
LC：液晶层
R1：发送接收区域
R2：非发送接收区域
Rs：密封区域
U、U1、U2：天线单位、天线单位区域

Claims (12)

1.一种扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线的特征在于，具有：
TFT基板，其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；
缝隙基板，其具有第二电介质基板、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；
液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及
反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，
所述多个TFT分别连接到所述多根栅极总线中的任一根和多根源极总线中的任一根，
所述多个天线单位分别包含：所述多个贴片电极中的任一个、包含所述多个缝隙中的任一个的所述缝隙电极的部分以及它们之间的所述液晶层，
所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，
所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第二保护金属层，其形成在所述缝隙连接部上；以及第二绝缘层，其具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部，
所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且，厚度为18nm以上。
2.根据权利要求1所述的扫描天线，其特征在于，所述传输端子部还具有在所述贴片连接部与所述第一保护金属层之间的第一高熔点金属含有层。
3.根据权利要求1或2所述的扫描天线，其特征在于，
所述端子部还具有在所述缝隙连接部与所述第二保护金属层之间的第二高熔点金属含有层。
4.根据权利要求3所述的扫描天线，其特征在于，所述第一或第二高熔点金属含有层包含Mo或MoN。
5.根据权利要求1或2所述的扫描天线，其特征在于，
在将所述第一电介质基板的表面设为基准时，从所述第一绝缘层的所述开口部露出的所述第一保护金属层的上表面位于高于所述第一绝缘层的位置。
6.根据权利要求1或2所述的扫描天线，其特征在于，
所述第一以及第二绝缘层是厚度为0.2μm以下的氮化硅层。
7.根据权利要求1或2所述的扫描天线，其特征在于，
所述第二保护金属层覆盖所述缝隙连接部的整个上表面以及整个侧面。
8.一种扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线的特征在于，具有：
TFT基板，其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；
缝隙基板，其具有第二电介质基板、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；
液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及
反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，
所述多个TFT分别连接到所述多根栅极总线中的任一根和多根源极总线中的任一根，
所述多个天线单位分别包含：所述多个贴片电极中的任一个、包含所述多个缝隙中的任一个的所述缝隙电极的部分以及它们之间的所述液晶层，
所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，
所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；以及第二保护金属层，其覆盖所述缝隙连接部的整个上表面和整个侧面，
所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成。
9.根据权利要求8所述的扫描天线，其特征在于，
所述端子部还具有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出所述缝隙连接部的上表面的一部分的开口部，所述第二保护金属层形成在所述第二绝缘层上。
10.根据权利8所述的扫描天线，其特征在于，
所述端子部还具有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部。
11.根据权利要求9或10所述的扫描天线，其特征在于，所述第一以及第二绝缘层是厚度为0.2μm以下的氮化硅层。
12.根据权利要求8至10中的任一项所述的扫描天线，其特征在于，所述端子部还具有透明导电层，所述透明导电层形成在所述第二保护金属层上。
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