CN109289946A - 一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法 - Google Patents

一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109289946A
CN109289946A CN201811056355.7A CN201811056355A CN109289946A CN 109289946 A CN109289946 A CN 109289946A CN 201811056355 A CN201811056355 A CN 201811056355A CN 109289946 A CN109289946 A CN 109289946A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pdms
chip
terahertz
preparation
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811056355.7A
Other languages
English (en)
Inventor
陈麟
殷恒辉
杨冰洋
雍有
杨涵
杨洁
许恩豪
朱亦鸣
庄松林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201811056355.7A priority Critical patent/CN109289946A/zh
Publication of CN109289946A publication Critical patent/CN109289946A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
    • B01L3/50—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
    • B01L3/502—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
    • B01L3/5027—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
    • B01L3/502707—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip characterised by the manufacture of the container or its components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
    • B01L3/50—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
    • B01L3/502—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
    • B01L3/5027—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3577—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing liquids, e.g. polluted water
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2200/00—Solutions for specific problems relating to chemical or physical laboratory apparatus
    • B01L2200/10—Integrating sample preparation and analysis in single entity, e.g. lab-on-a-chip concept
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2300/00—Additional constructional details
    • B01L2300/08—Geometry, shape and general structure
    • B01L2300/0887—Laminated structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2300/00—Additional constructional details
    • B01L2300/12—Specific details about materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明提出的一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法，包括以下步骤：步骤1：制备太赫兹芯片；步骤2：制备PDMS膜；步骤2.1：添加硅胶基料与固化剂至PDMS(聚二甲基硅氧烷)混合液内，充分搅拌后制得PDMS基底液；步骤2.2：抽滤PDMS基底液；步骤2.3：将PDMS基底液通过导管均匀浇灌于一掩膜版上；步骤2.4：加热掩膜版，制得固化的PDMS膜；步骤2.5：对PDMS膜进行切割和打孔；步骤3：PDMS膜键合于太赫兹芯片的谐振环处，形成微流控型谐振腔。在本申请中,结构简单，采用了金或其他导体材料作为金属层的材质，目的是克服太赫兹芯片在液体的测量方式上存在着的一定缺陷，使用PDMS来制作谐振腔，从而可以实现定点定量，实时的液体测量，且工序简单可实现批量生产。

Description

一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法。
背景技术
太赫兹(THz)波是位于微波和远红外线之间的电磁波。近年来，随着超快激光技术的发展，使得太赫兹脉冲的产生有了稳定、可靠的激发光源，从此使得人们能够研究太赫兹。太赫兹在生物医学、安全监测、无损伤探测、天文学、光谱与成像技术以及信息科学等领域有着广泛的应用，所以研究太赫兹有着重大意义。表面太赫兹凹槽结构可以传输太赫兹表面波，在太赫兹集成电路及太赫兹芯片传感领域有着重要的应用。但是在太赫兹芯片在液体的测量方式上存在着一定的缺陷，并不能定点定量，实时的测量液体成分。
发明内容
本发明的目的是为了提供一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法，使用PDMS来制作谐振腔，从而可以实现定点定量，实时的液体测量，且工序简单可实现批量生产。
为了实现上述目的，本发明提出一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制备太赫兹芯片；
步骤2：制备PDMS膜；
步骤2.1：配置基底液：添加硅胶基料与固化剂至PDMS(聚二甲基硅氧烷)混合液内，充分搅拌后制得PDMS基底液；
步骤2.2：抽滤:抽滤所述PDMS基底液；
步骤2.3：定型：将所述PDMS基底液通过导管均匀浇灌于一掩膜版上；
步骤2.4：固化：加热所述掩膜版，制得固化的PDMS膜；
步骤2.5：裁切：对所述PDMS膜进行切割和打孔；
步骤3：键合：所述PDMS膜键合于所述太赫兹芯片的谐振环处，形成微流控型谐振腔。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，所述太赫兹芯片的制备步骤如下：
步骤1.1：清洗：采用超声波对硅基片进行清洗，依次选用去离子水10min、甲醇15min、丙酮30min、甲醇10min、去离子水10min。
步骤1.2：镀石英层：将所述硅基片进行抽真空处理，并在所述硅基片表面镀化一层石英层，即得镀有石英层的硅基片；
步骤1.3：涂底：将所述硅基片烘烤并冷却至室温后，使用光刻胶对所述硅基片进行静态滴胶，使所述硅基片的所述石英层表面形成光刻胶涂层；
步骤1.4：前烘：将所述硅基片置于100℃下烘烤3min；
步骤1.5：对准、曝光和显影：将所需图形在所述硅基片表面上准确定位，曝光70～72s，通过曝光将所需图形转移到所述光刻胶涂层上；而后显影1～3min，将未感光的负胶或感光的正胶去除，在所述光刻胶涂层上显示出所需图形；
步骤1.6：后烘：将硅基片置于120℃下烘烤3min，然后于室温内冷却。
步骤1.7：镀金属层：将所述硅基片进行抽真空处理，并在所述光刻胶涂层表面镀化一层具有导体作用的金属层，即得太赫兹芯片，所述金属层即为所述谐振环；
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤1.2中，使用真空蒸镀机对所述硅基片进行抽真空处理，真空度达到1.3×10-2～1.3×10-3P1.1；石英在高温下融化，冷却还原后在所述硅基片表面形成石英层。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤1.3中，所述硅基片进行烘烤的温度为2100℃，烘烤的时间为30min。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤1.5中，所述曝光时间为71s，所述显影时间为2min。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤1.7中，使用真空蒸镀机对所述硅基片进行抽真空处理，真空度达到1.3×10-2～1.3×10-3P1.1；金在1200℃～1400℃的温度下溶化并蒸发成气态金，所述气态金的微粒在所述硅基片表面沉积，经冷却还原后于所述光刻胶涂层表面形成所述金属层；所述金属层的厚度为300～500nm。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤2.1中，所述硅胶基料与固化剂的配置质量比为10：1。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤2.3至2.4中，所述掩膜版的图形厚度为50μm，所述掩膜版置放于一培养皿内，所述培养皿放置在恒温加热箱内烘烤，在80℃下烘烤2h。
进一步地，在所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法中，在步骤2.5中，利用打孔器在所述PDMS膜的进液口及出液口处打孔。
本发明还提出一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片，结构自上而下依次包括PDMS膜、金属层、光刻胶涂层、石英层和硅基片，使用上述的制备方法制备得到。
与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：结构简单，采用了金或其他导体材料作为金属层的材质，目的是克服太赫兹芯片在液体的测量方式上存在着的一定缺陷，使用PDMS来制作谐振腔，从而可以实现定点定量，实时的液体测量，且工序简单可实现批量生产。
附图说明
图1为本发明中太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片制备方法的流程示意图；
图2为本发明中太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的俯视结构示意图；
图3为本发明中太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的剖面结构示意图。
其中：硅基片1、金属层2、PDMS膜3、进液口31、出液口32。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
如图1所示，本发明提出一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制备太赫兹芯片；
步骤1.1：清洗：采用超声波对硅基片1进行清洗，依次选用去离子水10min、甲醇15min、丙酮30min、甲醇10min、去离子水10min。
步骤1.2：镀石英层：使用真空蒸镀机对硅基片1进行抽真空处理，真空度达到1.3×10-2～1.3×10-3P1.1；石英在高温下融化，冷却还原后在硅基片1表面形成石英层，即得镀有石英层的硅基片1；
步骤1.3：涂底：硅基片1置于2100℃的烘箱内烘烤30min，取出后静置，直至硅基片1的温度与室温相差不大时，使用光刻胶对硅基片1进行静态滴胶，使硅基片1的石英层表面形成光刻胶涂层；
步骤1.4：前烘：将硅基片1置于100℃的烘箱内烘烤3min，促进光刻胶涂层内溶剂充分挥发，使光刻涂胶层干燥，增加其粘附性及耐磨性；
步骤1.5：对准、曝光和显影：将所需图形在硅基片1表面上准确定位，曝光71s，通过曝光将所需图形转移到光刻胶涂层上；而后显影2min，未感光的负胶或感光的正胶溶解在显影液中并去除，在光刻胶涂层上显示出所需图形；
步骤1.6：后烘：将硅基片1置于120℃的烘箱内烘烤3min，去除光刻涂胶层上残留的显影液，增强光刻涂胶层与石英层之间的附着力，然后放置室温冷却。
步骤1.7：镀金属层2：使用真空蒸镀机对硅基片1进行抽真空处理，真空度达到1.3×10-2～1.3×10-3P1.1；加热坩锅使高纯度的金在1200℃～1400℃的温度下溶化并蒸发成气态金，气态金的微粒在移动的硅基片1表面沉积，经冷却还原后于光刻胶涂层表面形成一层连续而光亮的金属层2，即得太赫兹芯片，金属层2即为谐振环；通过控制金的蒸发速度、硅基片1的移动速度以及真空蒸镀机内的真空度，使金属层2的厚度为300～500nm。
步骤2：制备PDMS膜3；
步骤2.1：配置基底液：采用PDMS(聚二甲基硅氧烷)混合液作为基底，硅胶基料与固化剂按照质量比10：1进行配制，两者按量混合后充分搅拌5分钟，使制得的PDMS基底液中浓度均匀；
步骤2.2：抽滤:将PDMS基底液置于真空箱中进行抽滤，反复抽真空，直至PDMS基底液内无明显气泡；
步骤2.3：定型：事先制作一3寸的掩膜版，掩膜版的图形厚度为50μm，将掩膜版置放于一培养皿内，PDMS基底液通过导管均匀浇灌于掩膜版上；
步骤2.4：固化：将浇灌后的培养皿置于恒温加热箱内，在80℃下烘烤2h，制得固化的PDMS膜3；
步骤2.5：裁切：对PDMS膜3按需求进行切割，利用打孔器在进液口31以及出液口32处打孔；
步骤3：键合：PDMS膜3键合于太赫兹芯片的谐振环处，即PDMS膜3键合于金属层2上，PDMS膜3的腔体与金属层2结合形成微流控型谐振腔。
进一步地，在本实施例中，光刻胶使用正胶AZp4620，曝光区域更加容易溶解于显影液。同时，制作芯片时采用的金属层2材质亦可为除金以外的其他导体材料。
本发明还提出一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片，如图2至图3所示，结构自上而下依次包括PDMS膜3、金属层2、光刻胶涂层、石英层和硅基片1，使用上述的制备方法制备得到。其中，PDMS膜3底侧具有空腔结构，空腔结构将金属层2全部覆盖，PDMS膜3顶侧开设的进液口31以及出液口32分别通过90°直角的通道与空腔结构连通，方便液体从进液口31流入空腔结构内，与金属层2表面充分完全接触后，再从出液口32流出。
综上，在本实施例中，提出的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片及其制备方法，结构简单，采用了金或其他导体材料作为金属层的材质，目的是克服太赫兹芯片在液体的测量方式上存在着的一定缺陷，使用PDMS来制作谐振腔，从而可以实现定点定量，实时的液体测量，且工序简单可实现批量生产。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：制备太赫兹芯片；
步骤2：制备PDMS膜；
步骤2.1：配置基底液：添加硅胶基料与固化剂至PDMS(聚二甲基硅氧烷)混合液内，充分搅拌后制得PDMS基底液；
步骤2.2：抽滤:抽滤所述PDMS基底液；
步骤2.3：定型：将所述PDMS基底液通过导管均匀浇灌于一掩膜版上；
步骤2.4：固化：加热所述掩膜版，制得固化的PDMS膜；
步骤2.5：裁切：对所述PDMS膜进行切割和打孔；
步骤3：键合：所述PDMS膜键合于所述太赫兹芯片的谐振环处，形成微流控型谐振腔。
2.根据权利要求1所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，所述太赫兹芯片的制备步骤如下：
步骤1.1：清洗：采用超声波对硅基片进行清洗，依次选用去离子水10min、甲醇15min、丙酮30min、甲醇10min、去离子水10min。
步骤1.2：镀石英层：将所述硅基片进行抽真空处理，并在所述硅基片表面镀化一层石英层，即得镀有石英层的硅基片；
步骤1.3：涂底：将所述硅基片烘烤并冷却至室温后，使用光刻胶对所述硅基片进行静态滴胶，使所述硅基片的所述石英层表面形成光刻胶涂层；
步骤1.4：前烘：将所述硅基片置于100℃下烘烤3min；
步骤1.5：对准、曝光和显影：将所需图形在所述硅基片表面上准确定位，曝光70～72s，通过曝光将所需图形转移到所述光刻胶涂层上；而后显影1～3min，将未感光的负胶或感光的正胶去除，在所述光刻胶涂层上显示出所需图形；
步骤1.6：后烘：将硅基片置于120℃下烘烤3min，然后于室温内冷却。
步骤1.7：镀金属层：将所述硅基片进行抽真空处理，并在所述光刻胶涂层表面镀化一层具有导体作用的金属层，即得太赫兹芯片，所述金属层即为所述谐振环。
3.根据权利要求2所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤1.2中，使用真空蒸镀机对所述硅基片进行抽真空处理，真空度达到1.3×10-2～1.3×10-3P1.1；石英在高温下融化，冷却还原后在所述硅基片表面形成石英层。
4.根据权利要求2所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤1.3中，所述硅基片进行烘烤的温度为2100℃，烘烤的时间为30min。
5.根据权利要求2所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤1.5中，所述曝光时间为71s，所述显影时间为2min。
6.根据权利要求2所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤1.7中，使用真空蒸镀机对所述硅基片进行抽真空处理，真空度达到1.3×10-2～1.3×10-3P1.1；金在1200℃～1400℃的温度下溶化并蒸发成气态金，所述气态金的微粒在所述硅基片表面沉积，经冷却还原后于所述光刻胶涂层表面形成所述金属层；所述金属层的厚度为300～500nm。
7.根据权利要求1所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤2.1中，所述硅胶基料与固化剂的配置质量比为10：1。
8.根据权利要求1所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤2.3至2.4中，所述掩膜版的图形厚度为50μm，所述掩膜版置放于一培养皿内，所述培养皿放置在恒温加热箱内烘烤，在80℃下烘烤2h。
9.根据权利要求1所述的太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片的制备方法，其特征在于，在步骤2.5中，利用打孔器在所述PDMS膜的进液口及出液口处打孔。
10.一种太赫兹PDMS微流控型谐振腔芯片，其特征在于，结构自上而下依次包括PDMS膜、金属层、光刻胶涂层、石英层和硅基片，使用权利要求1-8中任意一项所述的制备方法制备得到。
CN201811056355.7A 2018-09-11 2018-09-11 一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法 Pending CN109289946A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811056355.7A CN109289946A (zh) 2018-09-11 2018-09-11 一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811056355.7A CN109289946A (zh) 2018-09-11 2018-09-11 一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109289946A true CN109289946A (zh) 2019-02-01

Family

ID=65166555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811056355.7A Pending CN109289946A (zh) 2018-09-11 2018-09-11 一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109289946A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110596037A (zh) * 2019-09-29 2019-12-20 张阳 一种通用型纳米级流体的生物分子太赫兹传感芯片的制备方法及其应用
CN110609009A (zh) * 2019-09-29 2019-12-24 张阳 一种适用于生物样品太赫兹特异性检测的样品前处理系统及应用
CN110658154A (zh) * 2019-09-29 2020-01-07 张阳 一种可再生的太赫兹生物样品检测池的制备和应用
CN111272690A (zh) * 2019-12-31 2020-06-12 长春理工大学 有机胶粘剂粘接固化特性的太赫兹表征方法
CN111790460A (zh) * 2019-09-19 2020-10-20 中国计量大学 一种基于太赫兹超材料的微流控芯片、制备方法及其应用
TWI798869B (zh) * 2021-10-15 2023-04-11 財團法人工業技術研究院 微流道感測晶片及其量測系統

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103499534A (zh) * 2013-07-25 2014-01-08 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法
CN104931137A (zh) * 2015-05-25 2015-09-23 上海理工大学 一种太赫兹谐振腔型等离子芯片及其制备方法
CN105233891A (zh) * 2015-10-21 2016-01-13 哈尔滨工业大学 一种用于捕捉和旋转微尺度颗粒的微流控芯片及其制备方法与应用
CN106645016A (zh) * 2016-11-23 2017-05-10 电子科技大学 基于l形结构超材料的透射型太赫兹微流通道传感器
CN107034191A (zh) * 2017-05-17 2017-08-11 东华大学 一种在微流控芯片中利用透明质酸功能化的磁珠识别和分离循环肿瘤细胞的方法
CN107677601A (zh) * 2017-10-23 2018-02-09 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 检测微量液体太赫兹波谱的衰减全反射微流控棱镜及制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103499534A (zh) * 2013-07-25 2014-01-08 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法
CN104931137A (zh) * 2015-05-25 2015-09-23 上海理工大学 一种太赫兹谐振腔型等离子芯片及其制备方法
CN105233891A (zh) * 2015-10-21 2016-01-13 哈尔滨工业大学 一种用于捕捉和旋转微尺度颗粒的微流控芯片及其制备方法与应用
CN106645016A (zh) * 2016-11-23 2017-05-10 电子科技大学 基于l形结构超材料的透射型太赫兹微流通道传感器
CN107034191A (zh) * 2017-05-17 2017-08-11 东华大学 一种在微流控芯片中利用透明质酸功能化的磁珠识别和分离循环肿瘤细胞的方法
CN107677601A (zh) * 2017-10-23 2018-02-09 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 检测微量液体太赫兹波谱的衰减全反射微流控棱镜及制作方法

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
（美）杰弗里 • H. 朗（JEFFREY H. LANG）: "《MEMS多晶圆旋转机械-涡轮机、发电机和发动机》", 30 June 2016, 国防工业出版社 *
CHEN, LIN: "Double channel mechanically tunable terahertz filter based on parallel plate waveguide cavities", 《INFRARED, MILLIMETER-WAVE, AND TERAHERTZ TECHNOLOGIES II》 *
TANG, QI: "Development of terahertz (THz) microfluidic devices for "Lab-on-a-Chip" applications", 《TERAHERTZ AND ULTRASHORT ELECTROMAGNETIC PULSES FOR BIOMEDICAL APPLICATIONS》 *
徐开先等: "《传感器实用技术》", 31 December 2016, 国防工业出版社 *
范宁等: "夹心式太赫兹微流控芯片", 《光谱学与光谱分析》 *
韩雪等: "一种太赫兹微流控芯片", 《太赫兹科学与电子信息学报》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111790460A (zh) * 2019-09-19 2020-10-20 中国计量大学 一种基于太赫兹超材料的微流控芯片、制备方法及其应用
CN111790460B (zh) * 2019-09-19 2023-08-04 中国计量大学 一种基于太赫兹超材料的微流控芯片、制备方法及其应用
CN110596037A (zh) * 2019-09-29 2019-12-20 张阳 一种通用型纳米级流体的生物分子太赫兹传感芯片的制备方法及其应用
CN110609009A (zh) * 2019-09-29 2019-12-24 张阳 一种适用于生物样品太赫兹特异性检测的样品前处理系统及应用
CN110658154A (zh) * 2019-09-29 2020-01-07 张阳 一种可再生的太赫兹生物样品检测池的制备和应用
CN110658154B (zh) * 2019-09-29 2023-01-03 张阳 可再生的太赫兹生物样品检测池的制备、检测方法和应用
CN111272690A (zh) * 2019-12-31 2020-06-12 长春理工大学 有机胶粘剂粘接固化特性的太赫兹表征方法
CN111272690B (zh) * 2019-12-31 2023-04-07 长春理工大学 有机胶粘剂粘接固化特性的太赫兹表征方法
TWI798869B (zh) * 2021-10-15 2023-04-11 財團法人工業技術研究院 微流道感測晶片及其量測系統

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109289946A (zh) 一种太赫兹pdms微流控型谐振腔芯片及其制备方法
CN103033496B (zh) 一种大面积表面增强拉曼散射基底的制备方法
CN107176588A (zh) 一种中空微通道结构的制备方法
US20130210148A1 (en) Curved and flexible microfluidics
CN109374570A (zh) 一种太赫兹生物传感器件
CN105261555B (zh) 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法
CN104941706A (zh) 一种光流微流孪生通道芯片及其制备方法
US10989867B2 (en) Microsphere based patterning of metal optic/plasmonic sensors including fiber based sensors
CN106290296A (zh) 一种基于金属点阵的sers基底及其制备方法和利用该基底进行拉曼检测的方法
CN108563101A (zh) 一种光刻胶、微纳温湿敏感智能器件及其制备方法
CN106783655A (zh) 一种制备半导体集成电路器件金属横截面样品的方法
CN110364822A (zh) 双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面及制备方法
JP3651854B2 (ja) アンスラキノン化合物及びそれを用いたカラーフィルター
Ye et al. Consecutive synthesis of gold nanobipyramids with controllable morphologies using a microfluidic platform
CN110350288A (zh) 太赫兹空芯矩形波导的批量高效整体制造方法
CN109940278A (zh) 采用飞秒激光制作钙钛矿结晶图案化电路微结构的方法
Gryka et al. Controlled dissolution of freeform 3D printed carbohydrate glass scaffolds in hydrogels using a hydrophobic spray coating
CN109445139A (zh) 一种新型液晶显示屏的制造工艺
Standaert et al. Three techniques for the fabrication of high precision, mm-sized metal components based on two-photon lithography, applied for manufacturing horn antennas for THz transceivers
JP5441148B2 (ja) レジストの積層構造体およびレジストパターンの形成方法
Kuge et al. Preparation of gelatin layer film with gold clusters in using photographic film
CN115005503A (zh) 一种雾化芯的制备方法及雾化芯
CN104808284A (zh) 光子晶体或微纳光栅结构在光纤端面的柔性转印方法
CN104617214A (zh) 一种用于单光子探测系统的超导薄膜及其制备方法
CN108358465A (zh) 具有光开关与光固化功能的复合薄膜材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190201

RJ01 Rejection of invention patent application after publication