CN109256393A - 存储器结构的形成方法 - Google Patents
存储器结构的形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109256393A CN109256393A CN201811092448.5A CN201811092448A CN109256393A CN 109256393 A CN109256393 A CN 109256393A CN 201811092448 A CN201811092448 A CN 201811092448A CN 109256393 A CN109256393 A CN 109256393A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- channel
- memory construction
- forming method
- channel hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000010276 construction Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
- H10B43/35—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region with cell select transistors, e.g. NAND
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/50—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明涉及一种存储器结构的形成方法，所述存储器结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀，形成位于相邻绝缘层之间的凹槽；在所述沟道孔及所述凹槽内形成沟道孔结构。上述方法能够降低存储器结构的形成难度，提高形成的存储器结构的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器结构的形成方法。
背景技术
近年来，闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，三维的闪存存储器(3D NAND)技术得到了迅速发展。
在3D NAND闪存结构中，包括存储阵列结构，所述存储阵列结构包括对多层堆叠结构。随着堆叠结构复合介质薄膜层数的不断增加，极高深宽比沟道在小的沟道孔的(CH)的关键尺寸(CD)背景下，沟道孔内形成功能侧壁越发困难。此外，由于传统的后栅法需要在磷酸湿法去除假栅SiN后，先沉积TiN薄膜和高K介质薄膜再填金属栅极W，这会在一定程度上削减填充金属栅极的空间，增加形成金属栅极的工艺难度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储器结构的形成方法，能够提高形成的存储器结构的性能。
本发明提供一种存储器结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀，形成位于相邻绝缘层之间的凹槽；在所述沟道孔及所述凹槽内形成沟道孔结构。
可选的，所述沟道孔结构的形成方法包括：在所述凹槽内形成电荷阻挡层；依次形成覆盖所述沟道孔侧壁的电荷捕获层、覆盖所述电荷捕获层的隧穿层以及覆盖所述隧穿层的沟道层；在所述沟道层表面形成填充满所述沟道孔的沟道介质层。
可选的，还包括：形成至少覆盖所述凹槽内壁表面的栅介质层；
可选的，采用原子层沉积工艺形成所述栅介质层。
可选的，形成所述电荷阻挡层的方法包括：形成覆盖所述沟道孔内壁表面以及填充所述凹槽的电荷阻挡材料层；去除位于所述沟道孔内壁表面的电荷阻挡材料层，保留凹槽内的电荷阻挡材料层作为电荷阻挡层。
可选的，采用原子层沉积工艺形成所述电荷阻挡材料层。
可选的，采用各向同性的干法刻蚀工艺去除位于所述沟道孔内壁表面的电荷阻挡材料层。
可选的，还包括：形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；沿所述栅线隔槽侧壁去除所述牺牲层，形成位于相邻绝缘层之间的开口；形成填充所述开口的控制栅极；形成位于所述栅线隔槽内的阵列共源极。
可选的，所述控制栅极包括覆盖所述开口内壁表面的扩散阻挡层以及位于所述扩散阻挡层表面填充满所述开口的栅极。
可选的，所述堆叠结构包括核心区域和围绕所述核心区域的台阶区域，所述台阶区域暴露出每一层牺牲层的端部；所述衬底表面还形成有覆盖所述台阶区域的介质层；去除所述牺牲层并形成控制栅极之后，所述台阶区域的介质层位于所述控制栅极的端部表面；所述存储器结构的形成方法还包括：形成贯穿所述介质层至控制栅极端部表面的接触部。
本发明的存储器结构的形成方法中，所述沟道孔结构的扩散阻挡层形成于相邻绝缘层之间的凹槽内，不占据沟道孔内空间，可以降低在沟道孔内形成沟道孔结构的难度，提高形成的沟道结构的质量；还可以降低沟道孔的尺寸以进一步可以提高存储器结构结构的集成度。
进一步，仅在控制栅极的端面与沟道孔结构之间形成栅介质层，不占用控制栅极的形成空间，从而降低在相邻绝缘层之间形成控制栅极的难度，提高控制栅极的质量，进而提高存储器的性能。
附图说明
图1至图8为本发明一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图；
图9至图11为本发明一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图；
图12为本发明一具体实施方式的存储器结构的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的存储器结构的形成方法的具体实施方式做详细说明。
现有的存储器结构的形成过程中，在衬底表面形成堆叠结构之后，需要刻蚀所述堆叠结构形成沟道孔，然后在所述沟道孔内壁表面形成功能材料层，然后刻蚀所述功能材料层暴露出沟道孔底部的衬底。
发明人发现，随着存储器的集成度越来越高，沟道孔的关键尺寸过小时，会导致沟道孔底部形成的功能材料层无法被打开。
在沟道孔内形成沟道孔结构之后，再去除牺牲层，在堆叠结构的绝缘层之间形成开口，并在开口内壁表面先形成栅介质层，然后再形成填充开口的控制栅极。发明人进一步发现，所述栅介质层只有位于控制栅极端面与沟道孔结构之间的部分栅介质层能起到作用，意味着其余位置处的栅介质层为多余的部分，会占据开口内的空间，给控制栅极的填充带来困难。
并且，由于栅介质层在去除牺牲层之后沉积，那么在存储结构的台阶区域的控制栅极表面也会覆盖有栅介质层。在后续形成台阶区上的接触孔时，由于接触孔的刻蚀需要贯穿栅介质层停止在控制栅极表面，这样会增加接触孔的刻蚀选择比的难度。
针对上述问题，发明人提出一种新的存储器结构的形成方法，具体请参考图1至图8为一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图。
请参考图1，提供衬底100，所述衬底100表面形成有堆叠结构110，所述堆叠结构110包括沿垂直衬底100表面方向交替堆叠的牺牲层112和绝缘层111；形成贯穿所述堆叠结构110的沟道孔130。
所述衬底100可以为单晶硅衬底、Ge衬底、SiGe衬底、SOI或GOI等；根据器件的实际需求，可以选择合适的半导体材料作为所述衬底100，在此不作限定。该具体实施方式中，所述衬底100为单晶硅晶圆。
所述堆叠结构110包括沿垂直衬底100表面方向相互堆叠的绝缘层111和牺牲层112。在一个具体实施方式中，所述绝缘层111的材料为氧化硅，所述牺牲层112的材料为氮化硅；在其他具体实施方式中，所述绝缘层111和牺牲层112的还可以采用其他合适的材料。
在其他具体实施方式中，所述堆叠结构110顶部还可以具有盖帽层(图中未示出)，用于保护所述堆叠结构110，也可以作为刻蚀堆叠结构110形成沟道孔130的掩膜层。
通过干法刻蚀工艺刻蚀所述堆叠结构110至衬底100表面，形成沟道孔130。该具体实施方式中，所述沟道孔130具有垂直侧壁。在其他具体实施方式中，所述沟道孔130也可以具有倾斜侧壁。可以通过调整刻蚀工艺参数或者采用高深宽比刻蚀工艺等，调整所述沟道孔130侧壁的倾斜度。
该具体实施方式中，在形成所述沟道孔130之后，还包括：在所述沟道孔130底部的衬底100表面形成外延半导体层(图中未示出)。在其他具体实施方式中，也可以在后续步骤中，形成位于沟道孔130底部的外延半导体层。
请参考图2，为图1中局部结构20的放大示意图，后续流程将在图2的基础上继续进行描述。
请参考图3，沿所述沟道孔130侧壁对所述牺牲层112进行回刻蚀，形成位于相邻绝缘层111之间的凹槽301。
可以采用干法刻蚀工艺对所述牺牲层112进行回刻蚀，在高压环境下，选择对所述牺牲层112具有较高刻蚀选择性的刻蚀气体进行刻蚀。在一个具体实施方式中，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体包括CH3F和CH2F2，刻蚀气体流量为80sccm～120sccm，压强为25mtorr～35mtorr，偏置电压为800V～1500V。
通过控制刻蚀过程的工艺参数，可以对所述凹槽301的深度进行精确控制。在该具体实施方式中，所述凹槽201的深度为后续待形成的栅介质层以及沟道孔结构中的电荷阻挡层的厚度之和。
请参考图4，形成覆盖所述沟道孔130以及所述凹槽301内壁表面的栅介质层401。
由于所述沟道孔130的深度较大，为了提高所述栅介质层401的台阶覆盖性能，该具体实施方式中，采用原子层沉积工艺形成所述栅介质层401。并且，采用原子层沉积工艺能够准确控制形成的栅介质层401的厚度。
所述栅介质层401的材料可以为氧化硅、氮氧化硅等绝缘材料。较佳的，所述栅介质层401的材料可以为氧化铪、氧化铝、氧化锆以及氧化镧等高K介电材料中的至少一种。该具体实施方式中，所述栅介质层401不仅覆盖所述沟道孔130的内壁表面，还覆盖所述绝缘层111之间的凹槽301的内壁表面。
在另一具体实施方式中，还可以进一步通过刻蚀工艺去除位于所述沟道孔130侧壁及底部表面的栅介质层，仅保留位于所述凹槽301内壁表面的栅介质层401，从而避免所述栅介质层401占据所述沟道孔130内的空间。
请参考图5，形成覆盖所述沟道孔130内壁表面以及填充满所述凹槽301的电荷阻挡材料层501。
可以采用原子层沉积工艺形成所述电荷阻挡材料层501，以便准确控制所述阻挡材料层501的厚度。在其他具体实施方式中，也可以采用化学气相沉积或其他工艺形成所述电荷阻挡材料层501。
该具体实施方式中，所述电荷阻挡材料层501的材料为氧化硅。所述电荷阻挡材料层501覆盖所述栅介质层401且填充满所述凹槽301(请参考图4)。
请参考图6，去除位于所述沟道孔130内壁表面的电荷阻挡材料层501(请参考图5)，保留凹槽301(请参考图4)内的阻挡层材料层作为电荷阻挡层601。
去除所述沟道孔130侧壁以及底部表面的电荷阻挡材料层，可以避免所述电荷阻挡材料层占据所述沟道孔130内部的空间。在所述沟道孔130的特征尺寸一定的情况下，所述电荷阻挡层601形成于所述绝缘层111之间的凹槽301内，不占据沟道孔130内的空间，从而降低后续在所述沟道孔130内形成其他材料层以及进行刻蚀工艺的难度。
可以采用干法刻蚀工艺对所述电荷阻挡材料层501进行刻蚀，通过控制刻蚀工艺参数，例如采用较低的偏置功率等，使得干法刻蚀具有各向同性，从而能够同时去除位于所述沟道孔130侧壁以及底部表面的电荷阻挡材料层，在凹槽301内保留电荷阻挡层601。该具体实施方式中，刻蚀所述电荷阻挡材料层501采用的刻蚀气体包括C4F8和CO，刻蚀气体流量为60sccm～120sccm，压强为35mtorr～45mtorr，偏置电压为800V～1500V。
在其他具体实施方式中，也可以通过湿法刻蚀工艺对所述电荷阻挡材料层501进行刻蚀。
在其他具体实施方式中，也可以保留所述沟道孔130内壁表面的电荷阻挡材料层501，不执行图6所示的步骤，以减少工艺步骤。
请参考图7，在所述沟道孔130内依次形成覆盖所述沟道孔侧壁以及电荷阻挡层601表面的电荷捕获层602、覆盖所述电荷捕获层602的隧穿层603以及覆盖所述隧穿层603的沟道层604；在所述沟道层604表面形成填充满所述沟道孔的沟道介质层605。
该具体实施方式中，可以在形成所述电荷阻挡层601之后，首先在所述沟道孔130底部的衬底表面形成外延半导体层，然后再形成所述电荷捕获层602、隧穿层603、沟道层604以及沟道介质层605。
所述电荷捕获层602、隧穿层603以及沟道层604的形成方法包括：在所述沟道孔内壁表面依次形成电荷捕获材料层、隧穿材料层以及沟道材料之后，刻蚀位于所述沟道孔底部的电荷捕获材料层、隧穿材料层以及沟道材料层，暴露出所述沟道孔底部的外延半导体层表面；然后再形成覆盖所述外延半导体层表面的沟道材料层，使得所述沟道层与所述外延半导体层131连接；再形成填充满所述沟道孔130的沟道介质层605。
在其他具体实施方式中，所述电荷捕获层602、隧穿层603以及沟道层604的形成方法还可以包括：在所述沟道孔侧壁表面依次形成电荷捕获材料层、隧穿材料层，刻蚀所述沟道孔底部的电荷捕获材料层、隧穿材料层暴露出外延半导体层，形成位于沟道孔侧壁表面的电荷捕获层602和隧穿层603，然后形成覆盖所述隧穿层603及外延半导体层131表面的沟道层604；再形成填充满所述沟道孔130的沟道介质层605。
该具体实施方式中，所述存储器结构的沟道孔结构包括：电荷阻挡层601、电荷捕获层602、隧穿层603、沟道层604以及沟道介质层605。
由于所述电荷阻挡层601位于绝缘层111之间的凹槽内，不占据所述沟道孔130的内部空间，因此，可以降低形成上述电荷捕获层602、隧穿层603以及沟道层604时的沉积步骤以及刻蚀步骤的难度，有利于提高形成的沟道孔结构的性能。
请参考图8，去除所述牺牲层112，形成位于相邻绝缘层111之间的开口；形成填充所述开口的控制栅极800。
在一个具体实施方式中，首先形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；然后沿所述栅线隔槽侧壁，采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层112(请参考图7)。
所述控制栅极800包括覆盖所述开口内壁表面的扩散阻挡层801以及位于所述扩散阻挡层801表面填充满所述开口的栅极802。在其他具体实施方式中个，所述控制栅极800也可以仅包括所述栅极802。
所述扩散阻挡层801的材料为TiN、TaN、Ti或TiW中的至少一种，能够阻挡所述栅极802的材料向外扩散。可以通过原子层沉积工艺形成所述扩散阻挡层801，以便精确控制所述扩散阻挡层801的厚度，并且使得所述扩散阻挡层801具有较高的台阶覆盖性。
所述栅极802的材料为多晶硅、铝、铜或钨中的至少一种。可以采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺等形成所述栅极802。
该具体实施方式中，所述扩散阻挡层801的材料为TiN，采用原子层沉积工艺形成所述扩散阻挡层801；所述栅极802的材料为W，采用化学气相沉积工艺形成所述栅极802。
由于该具体实施方式中，在去除牺牲层112形成开口之后，无需再在所述开口内形成栅介质层，因此所述扩散阻挡层801和栅极802能够占据整个开口空间；因此，能够降低形成所述扩散阻挡层801和栅极802的难度。
所述栅介质层401位于所述控制栅极800和沟道孔结构之间，作为存储单元的栅介质层。
请参考图12，在本发明的另一具体实施方式中，可以在形成所述凹槽301(请参考图3)之后，直接在所述凹槽301内形成所述电荷阻挡层601，而无需形成所述栅介质层401；后续在去除所述牺牲层112，形成位于相邻绝缘层111之间的开口之后，首先在所述开口的内壁表面形成栅介质层401'，然后再在所述栅介质层401'表面形成填充所述开口的控制栅极800。该具体实施方式中，无需改变栅介质层401'的形成工艺和步骤，易于工艺实现，可进一步提高沟道孔130内形成沟道孔结构的空间。
上述存储器结构的形成方法在形成沟道孔之后，对沟道孔侧壁的牺牲层进行回刻蚀形成凹槽，再在凹槽内壁表面形成栅介质层，然后再形成沟道孔结构，后续无需在去除牺牲层形成的开口内再形成栅介质层，从而可以提高在所述开口内形成控制栅极的空间，降低形成所述控制栅极的难度。
进一步的，还可以将沟道孔结构的电荷阻挡层形成于所述凹槽内，从而使得所述电荷阻挡层不占据沟道孔空间，提高形成沟道孔结构其他材料层的空间，降低形成所述沟道孔结构的难度。
在存储器结构的形成过程中，所述堆叠结构包括核心区域和围绕所述核心区域的台阶区域，上述图1至图8均仅示出了所述堆叠结构的核心区域处结构。
请参考图9至图11为本发明另一具体实施方式的存储器结构的形成过程的结构示意图。
请参考图9，为所述堆叠结构的台阶区域处的结构示意图。所述台阶区域暴露出每一层牺牲层212的端部；所述衬底100表面还形成有覆盖所述台阶区域的介质层900。
请参考图10，去除所述牺牲层112并形成控制栅极800之后，形成贯穿所述介质层900至控制栅极800端部表面的接触孔901。
该具体实施方式中，所控制栅极800包括栅极802以及覆盖所述栅极802的扩散阻挡层801。由于所述控制栅极800表面仅覆盖有所述介质层900，因此形成所述接触孔901的过程中，仅需要刻蚀所述介质层900，因此，仅需要选择使所述介质层900与控制栅极800具有较高选择比的刻蚀工艺即可，可以降低刻蚀所述接触孔901的难度。
请参考图11，在所述接触孔901内形成接触部902。
在所述接触孔901内填充金属材料，形成接触部902，所述接触部902与所述扩散阻挡层801和栅极802形成电连接。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；
形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；
沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀，形成位于相邻绝缘层之间的凹槽；
在所述沟道孔及所述凹槽内形成沟道孔结构。
2.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述沟道孔结构的形成方法包括：在所述凹槽内形成电荷阻挡层；依次形成覆盖所述沟道孔侧壁的电荷捕获层、覆盖所述电荷捕获层的隧穿层以及覆盖所述隧穿层的沟道层；在所述沟道层表面形成填充满所述沟道孔的沟道介质层。
3.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成至少覆盖所述凹槽内壁表面的栅介质层。
4.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述栅介质层。
5.根据权利要求2所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，形成所述电荷阻挡层的方法包括：形成覆盖所述沟道孔内壁表面以及填充所述凹槽的电荷阻挡材料层；去除位于所述沟道孔内壁表面的电荷阻挡材料层，保留凹槽内的电荷阻挡材料层作为电荷阻挡层。
6.根据权利要求5所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述电荷阻挡材料层。
7.根据权利要求5所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺去除位于所述沟道孔内壁表面的电荷阻挡材料层。
8.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；沿所述栅线隔槽侧壁去除所述牺牲层，形成位于相邻绝缘层之间的开口；形成填充所述开口的控制栅极；形成位于所述栅线隔槽内的阵列共源极。
9.根据权利要求8所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅极包括覆盖所述开口内壁表面的扩散阻挡层以及位于所述扩散阻挡层表面填充满所述开口的栅极。
10.根据权利要求8所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括核心区域和围绕所述核心区域的台阶区域，所述台阶区域暴露出每一层牺牲层的端部；所述衬底表面还形成有覆盖所述台阶区域的介质层；去除所述牺牲层并形成控制栅极之后，所述台阶区域的介质层位于所述控制栅极的端部表面；所述存储器结构的形成方法还包括：形成贯穿所述介质层至控制栅极端部表面的接触部。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811092448.5A CN109256393B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构的形成方法 |
| CN202111063721.3A CN113871394A (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811092448.5A CN109256393B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构的形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111063721.3A Division CN113871394A (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109256393A true CN109256393A (zh) | 2019-01-22 |
| CN109256393B CN109256393B (zh) | 2021-10-01 |
Family
ID=65047663
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811092448.5A Active CN109256393B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构的形成方法 |
| CN202111063721.3A Pending CN113871394A (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111063721.3A Pending CN113871394A (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 存储器结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN109256393B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112992910A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-06-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器及其制备方法 |
| CN113437083A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140131784A1 (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor Constructions and Methods of Forming Semiconductor Constructions |
| US20140339621A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a string of memory cells and apparatuses having a vertical string of memory cells including metal |
| CN105493266A (zh) * | 2013-08-12 | 2016-04-13 | 美光科技公司 | 半导体结构和制造半导体结构的方法 |
| US20160284719A1 (en) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Micron Technology, Inc. | Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells |
| US20170125436A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Sandisk Technologies Inc. | Crystalinity-dependent aluminum oxide etching for self-aligned blocking dielectric in a memory structure |
| US20170263615A1 (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| CN108074937A (zh) * | 2016-11-10 | 2018-05-25 | 爱思开海力士有限公司 | 制造半导体装置的方法 |
-
2018
- 2018-09-19 CN CN201811092448.5A patent/CN109256393B/zh active Active
- 2018-09-19 CN CN202111063721.3A patent/CN113871394A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140131784A1 (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor Constructions and Methods of Forming Semiconductor Constructions |
| US20140339621A1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-11-20 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a string of memory cells and apparatuses having a vertical string of memory cells including metal |
| CN105493266A (zh) * | 2013-08-12 | 2016-04-13 | 美光科技公司 | 半导体结构和制造半导体结构的方法 |
| US20160284719A1 (en) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Micron Technology, Inc. | Integrated Structures and Methods of Forming Vertically-Stacked Memory Cells |
| US20170125436A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Sandisk Technologies Inc. | Crystalinity-dependent aluminum oxide etching for self-aligned blocking dielectric in a memory structure |
| US20170263615A1 (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| CN108074937A (zh) * | 2016-11-10 | 2018-05-25 | 爱思开海力士有限公司 | 制造半导体装置的方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112992910A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-06-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器及其制备方法 |
| CN112992910B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-04-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器及其制备方法 |
| CN113437083A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109256393B (zh) | 2021-10-01 |
| CN113871394A (zh) | 2021-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108831889A (zh) | 三维存储器 | |
| US9431257B2 (en) | Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device | |
| CN100435296C (zh) | 多位非易失性存储器器件及其方法 | |
| CN108417577B (zh) | 3d nand闪存结构的形成方法 | |
| TWI606583B (zh) | Non-volatile memory device method | |
| CN110249428A (zh) | Nand存储器阵列以及形成nand存储器阵列的方法 | |
| US20090111229A1 (en) | Method of forming a split gate non-volatile memory cell | |
| CN105336695B (zh) | 半导体器件的形成方法 | |
| CN110061007A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN109742076B (zh) | 快闪存储器及其形成方法 | |
| CN108447866B (zh) | 浮栅器件及其制作方法 | |
| CN108899324A (zh) | 三维存储器 | |
| CN109003985A (zh) | 存储器结构及其形成方法 | |
| CN109256391A (zh) | 存储器结构的形成方法 | |
| CN109712981A (zh) | 存储器及其形成方法 | |
| CN110459589A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN108962896B (zh) | 存储器 | |
| CN107204339B (zh) | 隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法 | |
| CN108807401A (zh) | 一种半导体器件及其制造方法 | |
| CN108155192A (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
| CN109887927A (zh) | 三维存储器及其制造方法 | |
| CN109256393A (zh) | 存储器结构的形成方法 | |
| US20160043096A1 (en) | Method for manufacturing a floating gate memory element | |
| US7479429B2 (en) | Split game memory cell method | |
| CN209216972U (zh) | 一种半导体单元接触结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |