CN109231195A - 一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法 - Google Patents

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苗中正
田华雨
苗中明
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    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
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Abstract

本发明提供一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法。运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物,采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层,将产物离心清洗后加入过量双氧水剥离碳层,得到单面选择性氧化石墨烯材料。本发明制备的单面选择性氧化石墨烯,一面具备含氧基团,一面保持石墨烯本征结构,一面亲水,一面憎水,是一种非常奇特的材料,而传统的氧化石墨烯的功能化手段都适用其亲水一面,其特殊的结构有着广泛的应用潜力,步骤简单,设备要求不高,可宏量制备,适于工业或实验室操作。

Description

一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法
技术领域
本发明涉及氧化石墨烯制备领域,尤其是一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法。
背景技术
石墨烯是一种完全由sp2杂化的碳原子构成的厚度仅为单原子层或数个单原子层的准二维晶体材料,化学稳定性高,其表面呈惰性状态,与其他介质的相互作用较弱,并且石墨烯片与片之间有较强的范德华力,容易产生聚集,使其难溶于水及常用的有机溶剂,这给石墨烯的进一步研究和应用造成了极大的困难。石墨烯材料的功能化可对其结构、物化性质和光电性质等方面进行有益调整,通过引入特定的官能团,赋予石墨烯新的性质,改善其成型加工性,从而拓展其应用领域。
石墨烯材料的功能化一般都是以氧化石墨烯为基础,氧化石墨烯的大量制备使石墨烯的大规模应用成为可能。Stankovich等利用异氰酸酯与氧化石墨上的羧基和羟基反应,制备了一系列异氰酸酯功能化的石墨烯,该功能化石墨烯可以在多种极性非质子溶剂中实现均匀分散,并能够长时间保持稳定,过程简单,条件温和,功能化程度高;Haddon等采用与碳纳米管功能化相类似的方法,利用十八胺上的氨基与石墨烯氧化物中的羧基反应,制得长链烷基化学改性的石墨烯,可以溶解于四氢呋喃(THF)和四氯化碳等常用有机溶剂中;Chen等通过带氨基的四苯基卟啉与石墨烯氧化物缩合,首次获得了具有分子内给体-受体结构的卟啉-石墨烯杂化材料,石墨烯与卟啉之间发生了明显的电子及能量转移,该杂化材料具有优秀的非线性光学性质;以上基于氧化石墨烯的功能化衍生物具有较好的溶解性,但由于含氧官能团的引入,破坏了石墨烯的共轭结构,使其导电性及其他性能显著降低。在石墨烯通往应用的道路上,如何实现石墨烯的可控功能化是一个亟需解决的重要的问题,目前,单面选择性氧化石墨烯的大规模可控制备方法尚无报道。
发明内容
本发明提供一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法。首先制备二阶三氯化铁石墨插层化合物(FeCl3-GIC),三氯化铁间隔一层依次插入石墨片层间。采用氧化剂与浓酸对FeCl3-GIC进行氧化,三氯化铁与石墨片层的牢固结合阻止了浓硫酸的插层与氧化剂的渗入,保护了片层内部不被氧化。三氯化铁未插层的碳层经过浓酸插层与氧化,表面具备了大量含氧功能团,与传统的氧化石墨烯的形成过程类似,可轻易剥离。再利用双氧水与三氯化铁的反应,破坏三氯化铁石墨插层化合物的结构,剥离碳层,最终得到单面选择性氧化石墨烯材料。
本发明采用如下技术方案:
一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法,包括如下步骤:
(1)运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物,采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层,将产物离心清洗;
(2)向第一步的产物中加入过量双氧水,利用双氧水与三氯化铁的反应破坏三氯化铁石墨插层化合物的结构,剥离碳层,得到单面选择性氧化石墨烯材料。
步骤(1)中的熔盐法反应温度为400℃,反应时间为4-6小时。
步骤(1)中的无水三氯化铁与石墨质量比为5∶1。
步骤(1)中的氧化剂包括氯酸盐、高氯酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐,过氧化钠,浓酸为浓硫酸或者浓硫酸与浓硝酸的混合物。
步骤(1)中氧化插层时间为4-48h,温度为0-80℃。
步骤(2)的双氧水与三氯化铁的反应时间为1-4h,反应温度为室温。
本发明具有如下优势:
(1)传统的氧化石墨烯材料两面都具备大量含氧基团,本发明制备的单面选择性氧化石墨烯,一面具备含氧基团,一面保持石墨烯本征结构,一面亲水,一面憎水,是一种非常奇特的材料,而传统的氧化石墨烯的功能化手段都适用其亲水一面,其特殊的结构有着广泛的应用潜力。
(2)本发明所用步骤简单,设备要求不高,可宏量制备,适于工业或实验室操作。
附图说明
图1为本发明方法制备二阶石墨插层化合物的结构示意图。
图2为本发明方法中氧化剂与浓酸对FeCl3-GIC进行氧化插层的结构示意图。
图3为本发明方法中双氧水与三氯化铁反应后的结构示意图。
图4为本发明方法制备单面选择性氧化石墨烯的结构示意图。
具体实施方式
为便于理解本发明,本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅用于帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
(1)将300mg无水三氯化铁与60mg膨胀石墨混合均匀,抽真空,密闭于50mL玻璃瓶中,400℃加热4h,制备出纯二阶石墨插层化合物。
(2)将石墨插层化合物溶于稀盐酸溶液中,抽滤烘干。
(3)将石墨插层化合物加入20mL浓硫酸与10mL的浓硝酸的混合溶液中,在冰水中(0℃)搅拌0.5小时。
(4)将360mg氯酸钠放入到溶液中,室温下搅拌12小时,将产物离心清洗。
(5)将产物加入到过量的质量分数为30%的双氧水中,反应时间为1h,得到单面选择性氧化石墨烯。
实施例2
(1)将300mg无水三氯化铁与60mg膨胀石墨混合均匀,抽真空,密闭于50mL玻璃瓶中,400℃加热6h,制备出纯二阶石墨插层化合物。
(2)将石墨插层化合物溶于稀盐酸溶液中,抽滤烘干。
(3)将石墨插层化合物加入20mL浓硫酸与10mL的浓硝酸的混合溶液中,在冰水中(0℃)搅拌0.5小时。
(4)将360mg氯酸钠放入到溶液中,室温下搅拌12小时,将产物离心清洗。
(5)将产物加入到过量的质量分数为30%的双氧水中,反应时间为1h,得到单面选择性氧化石墨烯。
实施例3
(1)将300mg无水三氯化铁与60mg膨胀石墨混合均匀,抽真空,密闭于50mL玻璃瓶中,400℃加热4h,制备出纯二阶石墨插层化合物。
(2)将石墨插层化合物溶于稀盐酸溶液中,抽滤烘干。
(3)将石墨插层化合物加入20mL浓硫酸溶液中,在冰水中(0℃)搅拌0.5小时。
(4)将360mg高锰酸钾放入到溶液中,室温下搅拌8小时,将产物离心清洗。
(5)将产物加入到过量的质量分数为30%的双氧水中,反应时间为1h,得到单面选择性氧化石墨烯。
实施例4
(1)将300mg无水三氯化铁与60mg膨胀石墨混合均匀,抽真空,密闭于50mL玻璃瓶中,400℃加热4h,制备出纯二阶石墨插层化合物。
(2)将石墨插层化合物溶于稀盐酸溶液中,抽滤烘干。
(3)将石墨插层化合物加入20mL浓硫酸与10mL的浓硝酸的混合溶液中,在冰水中(0℃)搅拌0.5小时。
(4)将360mg氯酸钠放入到溶液中,室温下搅拌12小时,将产物离心清洗。
(5)将产物加入到过量的质量分数为30%的双氧水中,反应时间为2h,得到单面选择性氧化石墨烯。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程,但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程,即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (6)

1.一种单面选择性氧化石墨烯的制备方法,包括如下步骤:
(1)运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物,采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层,将产物离心清洗;
(2)向第一步的产物中加入过量双氧水,利用双氧水与三氯化铁的反应破坏三氯化铁石墨插层化合物的结构,剥离碳层,得到单面选择性氧化石墨烯材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的熔盐法反应温度为400℃,反应时间为4-6小时。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的无水三氯化铁与石墨质量比为5∶1。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的氧化剂包括氯酸盐、高氯酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐,过氧化钠,浓酸为浓硫酸或者浓硫酸与浓硝酸的混合物。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中氧化插层时间为4-48h,温度为0-80℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的双氧水与三氯化铁的反应时间为1-4h,反应温度为室温。
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