CN109216495A - 雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m以上，响应度可以达到20A/W以上，暗电流可以小于10nA。

Description

雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统
技术领域
本发明涉及光信号传输技术领域，更具体的说，涉及一种雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统。
背景技术
汽车自动驾驶技术的目标是使得车辆行驶更加安全、旅行更加舒适，并可以在一定程度上缓解交通堵塞问题。随着科学技术的不断发展，汽车自动驾驶技术不断成熟完善，高级驾驶辅助系统(ADAS)现在已经很好地集成于汽车，并拥有部分自动驾驶功能。
实现汽车自动驾驶的主要部件是车载传感器。随着自动驾驶的发展，车载传感器将面临新的技术挑战。业界人士普遍认为激光雷达(LiDAR)系统是应对上述挑战的最佳解决方案。该技术已经在ADAS应用中证明了其准确性和可靠性。此外，激光雷达系统不断增强的功能和轻便性正使得其融入更多的车载功能之中。
对于激光雷达系统来说，最关键的选择是光波长，目前两种最流行的波长是905nm和1550nm，尽管晶体硅有易提纯，易掺杂，耐高温等优点，但是晶体硅不能吸收波长大于1100nm的光波，当入射光的波长大于1100nm时硅探测器对光的吸收率和响应率将大大降低，而波长越短对人体的伤害越大，所以激光雷达系统采用响应波长为1550nm的铟镓砷雪崩光电探测器更适合。然而现有的铟镓砷雪崩光电探测器一般是用于光纤通信，探测距离较短，响应度较低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明实施例技术方案提供了一种雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统，提高了雪崩光电探测器的探测距离和响应度。
为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
一种用于激光雷达系统的雪崩光电探测器，所述雪崩光电探测器包括：
芯片衬底；
外延功能层，所述外延功能层设置在所述芯片衬底的一侧表面；所述外延功能层包括圆形感光区域，所述感光区域的直径范围为100μm～300μm；
第一电极，所述第一电极设置在所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面；
第二电极，所述第二电极设置在所述芯片衬底的另一侧表面。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述外延功能层包括依次设置在所述芯片衬底上的缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层以及接触层；
其中，所述吸收层为InGaAs吸收层。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述外延功能层具有Zn扩散区，所述Zn扩散区包括第一扩散区域以及包围所述第一扩散区域的第二扩散区域；
所述第一扩散区域的扩散深度为H1，所述扩散第二区域的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3；
其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述吸收层的厚度小于3.5μm。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述芯片衬底为N型半绝缘InP衬底；所述缓冲层为InP缓冲层；过渡层为InGaAsP过渡层；所述场控层为InP场控层；所述顶层为InP顶层；所述接触层为InGaAsP接触层。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面设置有钝化膜，所述钝化膜包围所述感光区域，所述钝化膜与所述感光区域之间具有第一电极通孔，所述第一电极通过所述第一电极通孔与所述外延功能层电接触。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述钝化膜包括层叠的氮化硅层与氧化硅层。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述感光区域表面覆盖有增透膜。
可选地，在上述雪崩光电探测器中，所述感光区域的直径为200μm。
本发明实施例还提供了一种雪崩光电探测器的制作方法，所述制作方法包括：
提供一晶圆，所述晶圆包括多个芯片衬底，相邻所述芯片衬底之间具有切割沟道；
在所述晶圆的一侧表面形成外延功能层，每个所述芯片衬底对应的所述外延功能层均包括一圆形感光区域，所述感光区域的直径范围为100μm～300μm；
在所述外延功能层背离所述晶圆的一侧形成图案化的第一电极层，所述第一电极层包括与所述芯片衬底一一对应的第一电极；
在所述晶圆的另一侧形成第二电极层；
基于所述切割沟道分割所述晶圆，形成多个单粒的雪崩光电探测器；其中，切割后，所述第二电极层形成多个与所述芯片衬底一一对应的第二电极。
可选地，在上述制作方法中，所述在所述晶圆的一侧表面形成外延功能层包括：
依次在所述晶圆上生长缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层以及接触层；
其中，所述吸收层为InGaAs吸收层。
可选地，在上述制作方法中，所述外延功能层具有Zn扩散区，所述Zn扩散区包括第一扩散区域以及包围所述第一扩散区域的第二扩散区域，所述Zn扩散区的形成方法包括：
在所述接触层的表面形成钝化膜；
图案化所述钝化膜，形成第一环形区域，作为第一扩散窗口；每个芯片衬底对应的钝化膜均设置一所述第一环形区域；
基于所述第一扩散窗口进行第一次Zn扩散；
去除所述第一环形区域内的所述钝化膜，形成第二扩散窗口；
基于所述第一扩散窗口以及所述第二扩散窗口进行第二次Zn扩散，形成所述第一扩散区以及所述第二扩散区。
可选地，在上述制作方法中，所述第一扩散区域的扩散深度为H1，所述扩散第二区域的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3；
其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。
可选地，在上述制作方法中，所述在所述外延功能层背离所述晶圆的一侧形成图案化的第一电极层包括：
形成覆盖所述第一扩散窗口以及所述第二扩散窗口的增透膜；
在所述增透膜上形成环形开口，所述环形开口包围的区域为所述感光区域，所述环形开口作为第一电极通孔；
在所述增透膜以及所述钝化膜表面形成所述第一电极层，图案化所述第一电极层，形成多个与所述芯片衬底一一对应的第一电极，所述第一电极通过对应的所述第一电极通孔与所述扩散区域电接触。
本发明实施例还提供了一种激光雷达系统，所述激光雷达系统包括上述任一项所述的雪崩光电探测器。
通过上述描述可知，本发明实施例技术方案提供的雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m以上，响应度可以达到20A/W以上，暗电流可以小于10nA。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种雪崩光电探测器的正面俯视图；
图2为图1所示雪崩光电探测器在P-P’方向的切面图；
图3-图15为本发明实施例提供的一种雪崩光电探测器的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在对红外单光子的探测时，现有的铟镓砷雪崩光电探测器相较于硅雪崩光电探测器，存在探测效率差以及背景噪声大等问题，而且探测距离短。本发明实施例提供的了一种铟镓砷雪崩光电探测器，可以用于响应1550nm波长信号，具有探测效率高、背景噪声低、探测距离大以及响应度高的优点。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1和图2，图1为本发明实施例提供的一种雪崩光电探测器的正面俯视图，图2为图1所示雪崩光电探测器在P-P’方向的切面图，本发明实施例所述雪崩光电探测器包括：芯片衬2；外延功能层100，所述外延功能层100设置在所述芯片衬底2的一侧表面。所述外延功能层100包括圆形感光区域200，所述感光区域200的直径范围为100μm～300μm；
所述雪崩光电探测器还包括第一电极12以及第二电极1。所述第一电极12设置在所述外延功能层100背离所述芯片衬底2的一侧表面；所述第一电极12为环形，包围所述感光区域200。所述第一电极12与所述外延功能层100电接触。所述第二电极1设置在所述芯片衬底2的另一侧表面。所述第二电极1完全覆盖所述芯片衬底2的另一侧表面。
本发明实施例所述雪崩光电探测器为铟镓砷雪崩光电探测器，设置所述感光区域200的直径范围为100μm～300μm。而传统的铟镓砷雪崩光电探测器中，其感光区域直径仅为50μm，用于短距离光纤通信。本发明实施例所述雪崩光电探测器相对于现有结构，增大了感光区域的尺寸，相对于现有结构，提高了探测效率、探测距离以及响应度，降低了背景噪声。
如图2所示，所述外延功能层100包括依次设置在所述芯片衬底上的缓冲层3、吸收层4、过渡层5、场控层6、顶层7以及接触层8；其中，所述吸收层4为InGaAs吸收层。该结构的外延功能层100，匹配上述尺寸的感光区域200，可以提高大大雪崩光电探测器的探测距离以及响应度。
所述外延功能层100具有Zn扩散区10，所述Zn扩散区10包括第一扩散区域101以及包围所述第一扩散区域101的第二扩散区域102；所述第一扩散区域101的扩散深度为H1，所述扩散第二区域的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3。
其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。这样，在提高雪崩光电探测器的探测距离以及响应度的同时，可以抑制扩散区10的边缘击穿效应，并且可以在零伏偏压下产生光电流。
本发明实施例所述雪崩光电探测器，所述吸收层4的厚度小于3.5μm。相对于现有结构，增大了感光区域200的尺寸，可以降低的厚度。
所述芯片衬底2为N型半绝缘InP衬底；所述缓冲层3为InP缓冲层；过渡层5为InGaAsP过渡层；所述场控层6为InP场控层；所述顶层7为InP顶层；所述接触层8为InGaAsP接触层。采用上述事实方式的芯片衬底2以及外延功能层100，匹配上述尺寸的感光区域200，可以提高大大雪崩光电探测器的探测距离以及响应度。
本发明实施例中，所述外延功能层100背离所述芯片衬底2的一侧表面设置有钝化膜9，所述钝化膜9包围所述感光区域200，所述钝化膜9与所述感光区域200之间具有第一电极通孔13，所述第一电极12通过所述第一电极通孔13与所述外延功能层100电接触。可选的，所述钝化膜9包括层叠的氮化硅层与氧化硅层，其中，氮化硅层与氧化硅层的形成先后顺序可以根据需求进行调节，本申请不做限定。为了增加感光区域200的透过率，提高探测灵敏度，所述感光区域200表面覆盖有增透膜11。
本发明实施例中，所述感光区域200的直径为200μm。当所述感光区域200直径为200μm，可以最大程度的提高探测距离以及响应度，较大程度的降低暗电流以及背景噪声。
通过上述描述可知，本发明实施例所述雪崩光电探测器具有探测效率高、背景噪声低、探测距离大以及响应度高等诸多优点，可以用于车载激光雷达系统，更好的探测1550nm光波信号。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种制作方法，用于制备上述实施例所述的雪崩光电探测器，所述制作方法如图3-图15所示，图3-图15为本发明实施例提供的一种雪崩光电探测器的制作方法的流程示意图，该制作方法包括：
步骤S11：如图3和图4所示，提供一晶圆400。
图3为晶圆400的俯视图，图4为图3所示晶圆400在Q-Q’方向的切面图。所述晶圆400包括多个芯片衬底2，相邻所述芯片衬底2之间具有切割沟道300。
步骤S12：如图5-图10所示，在所述晶的一侧表面形成外延功能层100。
每个所述芯片衬底2对应的所述外延功能层100均包括一圆形感光区域200，所述感光区域200的直径范围为100μm～300μm。
该步骤中，所述在所述晶圆的一侧表面形成外延功能层100包括：如图5所示，依次在所述晶圆上生长缓冲层3、吸收层4、过渡层5、场控层6、顶层7以及接触层8；其中，所述吸收层4为InGaAs吸收层。
可以采用MOCVD外延生长设备依次形成所述外延功能层100的各层结构。晶圆为N型半绝缘InP晶圆，故芯片衬底2均为N型半绝缘InP衬底。在晶圆上依次生长厚度大于1um，掺杂浓度大于1×1017cm-3的InP缓冲层3；厚度小于3.5um，掺杂浓度低于5×1014cm-3的InGaAs吸收层4；截止波长分别为1.45um、1.25um和1.05um，厚度小于0.1um的InGaAsP过渡层5；厚度小于0.25um，掺杂浓度大于1×1017cm-3的InP场控层6；厚度大于3.5um的，掺杂浓度小于1×1015cm-3的InP顶层7和厚度小于0.2um截止波长为1.05um的InGaAsP接触层8。
所述外延功能层具有Zn扩散区10，所述Zn扩散区10包括第一扩散区域101以及包围所述第一扩散区域101的第二扩散区域102，所述Zn扩散区10的形成方法包括：
首先，如图6所示，在所述接触层8的表面形成钝化膜9。可以采用PECVD设备形成所述钝化膜9。
然后，如图7所示，图案化所述钝化膜9，形成第一环形区域，该第一环形区域作为第一扩散窗口91。每个芯片衬底2对应的钝化膜均设置一所述第一环形区域。对于同一所述芯片衬底2，所述第一环形区域在所述外延功能层100上的垂直投影包围所述感光区域200。第一环形区域的外径包围所述感光区域200。该步骤中，可以通过光刻或是反应离子刻蚀工艺(RIE)或是湿法刻蚀工艺图案化所述钝化膜9。所述钝化膜9包括层叠的氮化硅层与氧化硅层，其中，氮化硅层与氧化硅层的形成先后顺序可以根据需求进行调节，本申请不做限定。
在形成所述第一环形区域时，可以同步去除切割沟道300位置的钝化膜9，以便于后续进行切割处理。也可以保留切割沟道300位置的钝化膜9，后续直接通过切割处理分割去除切割沟道300位置的钝化膜9。
再如图8所示，基于所述第一扩散窗口进行第一次Zn扩散。第一次Zn扩散形成的扩散区域为环形，由于存在横向扩散，该环形的宽度大于第一扩散窗口91对应环形的宽度。
再如图9所示，去除所述第一环形区域内的所述钝化膜9，形成第二扩散窗口92。该步骤中，可以通过光刻或是反应离子刻蚀工艺(RIE)或是湿法刻蚀工艺图案化所述钝化膜9。
最后如图10所示，基于所述第一扩散窗口91以及所述第二扩散窗口92进行第二次Zn扩散，形成所述第一扩散区101以及所述第二扩散区域102。
顶层7时N型，Zn扩散区10为P型，Zn扩散区10的第一扩散区域101可以与下方顶层7形成P-N结。Zn扩散区10的第二扩散区域102相对于第一扩散区域101具有较大扩散深度，第二扩散区域102的底部位于场控层6内，在整个Zn扩散区10四周形成环形保护结构，可以抑制边缘击穿效应，能够在零伏偏压下产生光电流。
如上述，所述第一扩散区域101的扩散深度为H1，所述扩散第二区域102的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3；其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。
步骤S12：如图11-图13所示，在所述外延功能层100背离所述晶圆的一侧形成图案化的第一电极层，所述第一电极层包括与所述芯片衬底2一一对应的第一电极12。第一电极12为P电极。
可以采用热蒸发工艺或是电子束蒸发工艺形成所述第一电极层。第一电极层可以为依次形成的Ti/Pt/Au，该三层结构中，Ti首先形成。其他方式中，第一电极层可以为依次形成的Cr/Au，该两层结构中Cr首先形成。可以采用光刻或是湿法刻蚀图案化所述第一电极层。
该步骤中，所述在所述外延功能层100背离所述晶圆的一侧形成图案化的第一电极层包括：
首先，如图11所示，形成覆盖所述第一扩散窗口以及所述第二扩散窗口的增透膜11。
然后，如图12所示，在所述增透膜上形成环形开口，所述环形开口包围的区域为所述感光区域200，该环形开口作为第一电极通孔13。
最后，如图13所示，在所述增透膜11以及所述钝化膜9表面形成所述第一电极层，图案化所述第一电极层，形成多个与所述芯片衬底2一一对应的第一电极12，所述第一电极12通过对应的所述第一电极通孔13与所述扩散区域10电接触。
步骤S13：如图14所示，在所述晶圆的另一侧形成第二电极层。
在形成所述第二电极层之前，可以先对所述晶圆的另一侧进行减薄处理，将晶圆厚度减薄到150μm±5μm。可以通过热蒸发工艺或是电子束蒸发工艺形成所述第二电极层。第二电极层可以为Au层，厚度大于0.5μm。
步骤S14：如图15所示，基于所述切割沟道300分割所述晶圆，形成多个单粒的雪崩光电探测器。其中，切割后，所述第二电极层形成多个与所述芯片衬底2一一对应的第二电极1。第二电极1为N电极。
本发明实施例所述制作方法可以用于制备上述实施例所述雪崩光电探测器，制作方法简单，制作成本低。实验数据表明，该雪崩光电探测器探测距离到达200m以上，响应度可以达到20A/W以上，暗电流可以小于10nA。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提了一种激光雷达系统，所述激光雷达系统包括上述实施例所述的雪崩光电探测器。
需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种用于激光雷达系统的雪崩光电探测器，其特征在于，所述雪崩光电探测器包括：
芯片衬底；
外延功能层，所述外延功能层设置在所述芯片衬底的一侧表面；所述外延功能层包括圆形感光区域，所述感光区域的直径范围为100μm～300μm；
第一电极，所述第一电极设置在所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面；
第二电极，所述第二电极设置在所述芯片衬底的另一侧表面。
2.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述外延功能层包括依次设置在所述芯片衬底上的缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层以及接触层；
其中，所述吸收层为InGaAs吸收层。
3.根据权利要求2所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述外延功能层具有Zn扩散区，所述Zn扩散区包括第一扩散区域以及包围所述第一扩散区域的第二扩散区域；
所述第一扩散区域的扩散深度为H1，所述扩散第二区域的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3；
其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。
和/或，
所述吸收层的厚度小于3.5μm；
和/或，
所述芯片衬底为N型半绝缘InP衬底；所述缓冲层为InP缓冲层；过渡层为InGaAsP过渡层；所述场控层为InP场控层；所述顶层为InP顶层；所述接触层为InGaAsP接触层。
4.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面设置有钝化膜，所述钝化膜包围所述感光区域，所述钝化膜与所述感光区域之间具有第一电极通孔，所述第一电极通过所述第一电极通孔与所述外延功能层电接触。
5.根据权利要求4所述的雪崩光电探测器，其特征在于，所述钝化膜包括层叠的氮化硅层与氧化硅层；
和/或，
所述感光区域表面覆盖有增透膜；
和/或，
所述感光区域的直径为200μm。
6.一种雪崩光电探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一晶圆，所述晶圆包括多个芯片衬底，相邻所述芯片衬底之间具有切割沟道；
在所述晶圆的一侧表面形成外延功能层，每个所述芯片衬底对应的所述外延功能层均包括一圆形感光区域，所述感光区域的直径范围为100μm～300μm；
在所述外延功能层背离所述晶圆的一侧形成图案化的第一电极层，所述第一电极层包括与所述芯片衬底一一对应的第一电极；
在所述晶圆的另一侧形成第二电极层；
基于所述切割沟道分割所述晶圆，形成多个单粒的雪崩光电探测器；其中，切割后，所述第二电极层形成多个与所述芯片衬底一一对应的第二电极。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述晶圆的一侧表面形成外延功能层包括：
依次在所述晶圆上生长缓冲层、吸收层、过渡层、场控层、顶层以及接触层；
其中，所述吸收层为InGaAs吸收层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述外延功能层具有Zn扩散区，所述Zn扩散区包括第一扩散区域以及包围所述第一扩散区域的第二扩散区域，所述Zn扩散区的形成方法包括：
在所述接触层的表面形成钝化膜；
图案化所述钝化膜，形成第一环形区域，作为第一扩散窗口；每个芯片衬底对应的钝化膜均设置一所述第一环形区域；
基于所述第一扩散窗口进行第一次Zn扩散；
去除所述第一环形区域内的所述钝化膜，形成第二扩散窗口；
基于所述第一扩散窗口以及所述第二扩散窗口进行第二次Zn扩散，形成所述第一扩散区以及所述第二扩散区。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一扩散区域的扩散深度为H1，所述扩散第二区域的扩散深度为H2，所述接触层的厚度为h1，所述顶层的厚度为h2，所述场控层的厚度为h3；
其中，h1＜H1＜h1+h2，h1+h2＜H2＜h1+h2+h3。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延功能层背离所述晶圆的一侧形成图案化的第一电极层包括：
形成覆盖所述第一扩散窗口以及所述第二扩散窗口的增透膜；
在所述增透膜上形成环形开口，所述环形开口包围的区域为所述感光区域，所述环形开口作为第一电极通孔；
在所述增透膜以及所述钝化膜表面形成所述第一电极层，图案化所述第一电极层，形成多个与所述芯片衬底一一对应的第一电极，所述第一电极通过对应的所述第一电极通孔与所述扩散区域电接触。
11.一种激光雷达系统，其特征在于，所述激光雷达系统包括：如权利要求1-5任一项所述的雪崩光电探测器。
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