CN109188854A - 掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。本发明的技术方案能够避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
现有的显示基板中，为了提高显示品质，在公共电极上还设置有金属图形，金属图形与公共电极直接接触，能够降低公共电极的电阻，进而减少画面泛绿的情况。
在制作公共电极和金属图形时，首先形成层叠设置的透明导电层和金属层，在金属层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的金属层，之后灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，以金属层为掩膜，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电层，形成公共电极的图形；然后刻蚀掉光刻胶部分保留区域的金属层，形成金属图形；最后剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。
在利用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光之后，由于光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域存在段差，会影响光刻胶的流动，使得光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度较薄。在采用干法刻蚀灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶时，利用电场控制等离子和自由基轰击光刻胶，由于光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度较薄，因此这部分的光刻胶最先灰化干净，会暴露出金属层，暴露出的金属层将会抵消一部分加载在等离子和自由基上的电场，使得电场减弱，光刻胶的灰化速率降低，导致灰化工艺后，光刻胶部分保留区域将存在光刻胶残留，进而导致后续刻蚀时无法完全去除光刻胶部分保留区域的金属层，出现金属层残留，进而影响显示基板的透过率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置，能够避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种掩膜板，所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。
进一步地，所述过渡区包括：
在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上、依次排布的第二部分透光区域和第二不透光区域。
进一步地，所述第二不透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1～1.2μm，所述第二部分透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1.5～2μm。
进一步地，所述第二部分透光区域的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等。
进一步地，所述第一部分透光区域的透光率为30-35％，所述过渡区的透光率为20-25％，所述过渡区在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为3.5～6.5μm。
进一步地，所述过渡区为移相掩模结构。
进一步地，所述移相掩模结构的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等，所述移相掩模结构在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为4.5-5.5μm。
进一步地，所述过渡区为单缝衍射掩膜结构。
进一步地，所述单缝衍射掩膜结构包括遮光条纹和位于所述遮光条纹之间的狭缝，所述单缝衍射掩膜结构在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为4.5-5.5μm，所述狭缝在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为2-2.3μm。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成第一导电层和第二导电层；
在所述第二导电层上形成一层正性光刻胶，利用如上所述的掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第二导电层；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第一导电层，形成第一导电图形；
刻蚀掉所述光刻胶部分保留区域的第二导电层，形成第二导电图形；
剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
进一步地，所述第一导电图形为公共电极，所述第二导电图形为金属图形。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，掩膜板的第一部分透光区域与透光区域之间设置有过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量，这样在利用掩膜板对光刻胶进行曝光时，能够保证光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，进而避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率，提高显示基板的良率和产品竞争力。
附图说明
图1为现有技术利用掩膜板对光刻胶进行曝光的示意图；
图2为现有技术灰化工艺中电场被减弱的示意图；
图3为本发明一实施例利用掩膜板对光刻胶进行曝光的示意图；
图4为本发明另一实施例利用掩膜板对光刻胶进行曝光的示意图；
图5为本发明又一实施例利用掩膜板对光刻胶进行曝光的示意图；
图6为本发明再一实施例利用掩膜板对光刻胶进行曝光的示意图。
附图标记
1 基板
2 透明导电层
3 金属层
4 光刻胶
5 掩膜板
51 第一部分透光区域
52 透光区域
53 过渡区
54 移相掩模结构
55 单缝衍射掩膜结构
56 第二不透光区域
57 第二部分透光区域
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
现有的显示基板中，为了提高显示品质，在公共电极上还设置有金属图形，金属图形与公共电极直接接触，相当于与公共电极并联，能够降低公共电极的电阻，进而减少画面泛绿的情况。
在制作公共电极和金属图形时，如图1所示，首先在基板1上形成层叠设置的透明导电层2和金属层3，在金属层3上涂覆光刻胶4，利用如图1所示的掩膜板5对光刻胶4进行曝光，掩膜板5包括第一部分透光区域51、第一不透光区域(未图示)和透光区域52，其中，第一部分透光区域51和第一不透光区域对应公共电极所在区域，第一不透光区域对应金属图形所在区域，透光区域52对应透明导电层2被去除的区域。显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的金属层3，之后灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，以金属层3为掩膜，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电层2，形成公共电极的图形；然后刻蚀掉光刻胶部分保留区域的金属层3，形成金属图形；最后剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。
如图1所示，在利用掩膜板对光刻胶4进行曝光之后，由于光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域存在段差，会影响光刻胶的流动，使得光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶4的厚度较薄。如图2所示，在采用干法刻蚀灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶4时，利用电场控制等离子和自由基轰击光刻胶4，由于光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶4的厚度较薄，因此这部分的光刻胶4最先灰化干净，会暴露出金属层3，暴露出的金属层3将会抵消一部分加载在等离子和自由基上的电场，使得电场减弱，光刻胶4的灰化速率降低，导致灰化工艺后，光刻胶部分保留区域将存在光刻胶残留，进而导致后续刻蚀时无法完全去除光刻胶部分保留区域的金属层3，出现金属层3残留，进而影响显示基板的透过率。
本发明的实施例针对现有技术中的上述问题，提供一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置，能够避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率。
本发明实施例提供一种掩膜板，所述掩膜板包括透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。其中，在单位时间里通过某一面积的光能，称为通过这一面积的辐射能通量。
本实施例中，掩膜板的第一部分透光区域与透光区域之间设置有过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量，这样在利用掩膜板对光刻胶进行曝光时，能够保证光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，进而避免金属层残留的现象，提高显示基板的透过率，提高显示基板的良率和产品竞争力。
一具体实施例中，所述第一部分透光区域的透光率为30-35％，所述过渡区的透光率为20-25％，所述过渡区在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为3.5～6.5μm。
如图3所示，本实施例的掩膜板包括第一部分透光区域51、第一不透光区域(未图示)和透光区域52，在第一部分透光区域51与透光区域52之间设置有过渡区53，过渡区53的透光率小于所述第一部分透光区域51的透光率。过渡区53具体可以由掩膜板的透明基底和位于所述透明基底上的半透光图形组成。
如图3所示，由于过渡区53的透光率小于所述第一部分透光区域51的透光率，因此，在利用本实施例的掩膜板对光刻胶进行曝光时，光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶接收到的光照比较少，显影后，该部分的光刻胶的厚度会比光刻胶部分保留区域的光刻胶的厚度大，能够减少光刻胶的流动对该部分光刻胶厚度的影响，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶。
具体地，第一部分透光区域的透光率与过渡区的透光率之间的差值可以为5％-10％，一具体实施例中，所述第一部分透光区域的透光率可以为30％，过渡区的透光率可以为25％。当然，所述第一部分透光区域的透光率并不局限为30％，还可以为其他取值，在第一部分透光区域的透光率不是30％时，过渡区的透光率也随之改变。
具体地，在所述第一部分透光区域的透光率为30-35％，所述过渡区的透光率为20-25％时，所述过渡区在从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上的宽度d1可以为3.5～6.5μm。在采用上述参数时，能够使得光刻胶部分保留区域光刻胶厚度保持均一。
另一具体实施例中，如图4所示，本实施例的掩膜板包括第一部分透光区域51、第一不透光区域(未图示)和透光区域52，在第一部分透光区域51与透光区域52之间设置有移相掩模结构54，相同光照强度下，在透光率相等的情况下，通过单位面积的所述移相掩模结构54的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域51的辐射能通量。
移相掩模结构54可以是在掩膜板上有选择地沉积一层透明移相器而形成，利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有相位差而产生相消干涉作用，使窗孔之间的光强减少。
如图4所示，由于相同光照强度下，通过单位面积的移相掩模结构54的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域51的辐射能通量。因此，在利用本实施例的掩膜板对光刻胶进行曝光时，光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶接收到的光照比较少，显影后，该部分的光刻胶的厚度会比光刻胶部分保留区域的光刻胶的厚度大，能够减少光刻胶的流动对该部分光刻胶厚度的影响，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶。并且，通过在第一部分透光区域51与透光区域52之间设置移相掩模结构54，能够使得光刻胶部分保留区域光刻胶的边缘更加陡峭，增加图形的精细化。
一具体实施例中，所述第一部分透光区域的透光率可以为30％，当然，所述第一部分透光区域的透光率并不局限为30％，还可以为其他取值，移相掩模结构54的透过率与第一部分透光区域的透光率相等。
具体地，所述移相掩模结构54在从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上的宽度d2可以为4.5-5.5μm。在采用上述参数时，能够使得光刻胶部分保留区域光刻胶厚度保持均一。
另一具体实施例中，如图5所示，本实施例的掩膜板包括第一部分透光区域51、第一不透光区域(未图示)和透光区域52，在第一部分透光区域51与透光区域52设置有单缝衍射掩膜结构55，相同光照强度下，通过单位面积的单缝衍射掩膜结构55的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域51的辐射能通量。单缝衍射掩膜结构55是利用光的衍射原理，将沟槽位置的掩膜缝隙做的足够窄，使得光只能通过衍射透过，从而降低该区域在光刻胶上的曝光量。
如图5所示，由于相同光照强度下，通过单位面积的单缝衍射掩膜结构55的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域51的辐射能通量。因此，在利用本实施例的掩膜板对光刻胶进行曝光时，光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶接收到的光照比较少，显影后，该部分的光刻胶的厚度会比光刻胶部分保留区域的光刻胶的厚度大，能够减少光刻胶的流动对该部分光刻胶厚度的影响，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶。并且，通过在第一部分透光区域51与透光区域52之间设置单缝衍射掩膜结构55，能够使得光刻胶部分保留区域光刻胶的边缘更加陡峭，增加图形的精细化。
一具体实施例中，所述第一部分透光区域的透光率可以为30％，当然，所述第一部分透光区域的透光率并不局限为30％，还可以为其他取值，单缝衍射掩膜结构55的宽度与第一部分透光区域的透光率相关。
具体地，所述单缝衍射掩膜结构包括遮光条纹和位于所述遮光条纹之间的狭缝，在所述第一部分透光区域的透光率为30％时，所述单缝衍射掩膜结构55在从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上的宽度可以为4.5-5.5μm，所述狭缝在从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上的总宽度可以为2-2.3μm。在采用上述参数时，能够使得光刻胶部分保留区域光刻胶厚度保持均一。
另一具体实施例中，如图6所示，本实施例的掩膜板包括第一部分透光区域51、第一不透光区域(未图示)和透光区域52，在第一部分透光区域51与透光区域52之间、从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上，依次设置有第二部分透光区域57和第二不透光区域56，通过第二部分透光区域57和第二不透光区域56组合在一起组成过渡区，能够使得相同光照强度下，通过单位面积的过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域51的辐射能通量。其中，第二不透光区域56与未图示的第一不透光区域不同，未图示的第一不透光区域用于形成膜层图形，第二不透光区域56用于减弱过渡区的辐射能通量。
如图6所示，由于相同光照强度下，通过单位面积的第二部分透光区域57和第二不透光区域56的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域51的辐射能通量。因此，在利用本实施例的掩膜板对光刻胶进行曝光时，光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶接收到的光照比较少，显影后，该部分的光刻胶的厚度会比光刻胶部分保留区域的光刻胶的厚度大，能够减少光刻胶的流动对该部分光刻胶厚度的影响，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶。
一具体实施例中，所述第一部分透光区域的透光率可以为30％，当然，所述第一部分透光区域的透光率并不局限为30％，还可以为其他取值，第二部分透光区域57和第二不透光区域56的宽度与第一部分透光区域51的透光率相关。
进一步地，所述第二部分透光区域57的透光率可以与所述第一部分透光区域51的透光率相等，当然，第二部分透光区域57的透光率也可以与所述第一部分透光区域51的透光率不相等。
具体地，在所述第一部分透光区域51和第二部分透光区域57的透光率均为30％时，所述第二不透光区域56在从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上的宽度d3可以为1～1.2μm，所述第二部分透光区域57在从透光区域52到第一部分透光区域51的方向上的宽度d4可以为1.5～2μm。在采用上述参数时，能够使得光刻胶部分保留区域光刻胶厚度保持均一。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成第一导电层和第二导电层；
在所述第二导电层上形成一层正性光刻胶，利用如上所述的掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第二导电层；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第一导电层，形成第一导电图形；
刻蚀掉所述光刻胶部分保留区域的第二导电层，形成第二导电图形；
剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
本实施例中，掩膜板的第一部分透光区域与透光区域之间设置有过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量，这样在利用掩膜板对光刻胶进行曝光时，能够保证光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度，提高光刻胶部分保留区域光刻胶厚度的均一性，确保后续的灰化工艺能够完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，进而避免第一导电层残留的现象，提高显示基板的透过率，提高显示基板的良率和产品竞争力。
本实施例中的第一导电层和第二导电层可以为显示基板中任两层层叠设置的导电层。
一具体实施例中，所述第一导电图形可以为公共电极，所述第二导电图形可以为金属图形，金属图形与公共电极直接接触，相当于与公共电极并联，能够降低公共电极的电阻，进而减少画面泛绿的情况。在第一导电图形为公共电极，第二导电图形为金属图形时，如图3-图6所示，所述制作方法具体包括：
在基板1上形成层叠设置的透明导电层2和金属层3，在金属层3上涂覆光刻胶4，利用本实施例的掩膜板5对光刻胶4进行曝光，掩膜板5包括第一部分透光区域51、第一不透光区域(未图示)和透光区域52，其中，第一不透光区域对应金属图形所在区域，透光区域52对应透明导电层2被去除的区域，在第一部分透光区域51和透光区域52之间设置有过渡区。
显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，光刻胶部分保留区域的厚度均一，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的金属层3，之后灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，由于光刻胶部分保留区域的厚度均一，灰化工艺后，光刻胶部分保留区域的光刻胶得以完全去除。以金属层3为掩膜，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电层2，形成公共电极的图形；然后刻蚀掉光刻胶部分保留区域的金属层3，形成金属图形；最后剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本实施例的显示基板中，能够避免第一导电层残留的现象，提高显示基板的透过率，提高显示基板的良率和产品竞争力。
一具体实施例中，所述显示基板的第一导电图形可以为公共电极，所述显示基板的第二导电图形可以为金属图形，金属图形与公共电极直接接触，相当于与公共电极并联，能够降低公共电极的电阻，进而减少画面泛绿的情况。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域，所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区，相同光照强度下，通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过渡区包括：
在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上、依次排布的第二部分透光区域和第二不透光区域。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二不透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1～1.2μm，所述第二部分透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1.5～2μm。
4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述第二部分透光区域的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等。
5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一部分透光区域的透光率为30-35％，所述过渡区的透光率为20-25％，所述过渡区在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为3.5～6.5μm。
6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过渡区为移相掩模结构。
7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述移相掩模结构的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等，所述移相掩模结构在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为4.5-5.5μm。
8.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过渡区为单缝衍射掩膜结构。
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述单缝衍射掩膜结构包括遮光条纹和位于所述遮光条纹之间的狭缝，所述单缝衍射掩膜结构在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为4.5-5.5μm，所述狭缝在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的总宽度为2-2.3μm。
10.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成第一导电层和第二导电层；
在所述第二导电层上形成一层正性光刻胶，利用如权利要求1-9中任一项所述的掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第二导电层；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的第一导电层，形成第一导电图形；
刻蚀掉所述光刻胶部分保留区域的第二导电层，形成第二导电图形；
剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形为公共电极，所述第二导电图形为金属图形。
12.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求10或11所述的制作方法制作得到。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示基板。
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