CN109166830A - 一种二极管用外延片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种二极管用外延片，包括上外壳和下外壳，所述上外壳设置于下外壳的顶部；所述下外壳的内部设有蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓，且所述蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳固定连接；所述上外壳的内部设有多量子肼、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮，该种二极管用外延片，在掺镓氧化锌的顶部安装了防反接二极管，可以有效的避免外延片释放静电导通到二极管内的问题，同时采用静电导线将静电导入大地，可以很好的消除静电，保护了二极管，由于在钛铝连接块的表面设置了凹槽，可以有效的和二极管连接柱卡住，很好的将外延片固定在二极管内。
Description
技术领域
本发明涉及外延片技术领域，具体为一种二极管用外延片。
背景技术
外延是半导体工艺当中的一种，在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层)；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区，外延片就是在衬底上做好外延层的硅片，因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺，由此我们知道二极管用的外延片运用十分广泛，也需要将其做的更加完善。
现有的二极管用外延片，由于容易释放静电，易造成二甲管损坏，而在进行安装外延片时，容易松动，不便于固定。
所以，如何设计一种二极管用外延片，成为我们当前要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种二极管用外延片，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种二极管用外延片，包括上外壳和下外壳，所述上外壳设置于下外壳的顶部；所述下外壳的内部设有蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓，且所述蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳固定连接；
所述上外壳的内部设有多量子肼、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮，所述多量子肼、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮依次从下往上紧密贴合，并与上外壳固定连接，所述多量子肼与n型重掺杂氮化镓紧密贴合；
所述n型铝镓氮的顶部设有掺镓氧化锌，且所述掺镓氧化锌与n型铝镓氮紧密贴合，所述掺镓氧化锌的顶部安装有防反接二极管。
进一步的，所述掺镓氧化锌的一侧设有静电导线，且所述静电导线与掺镓氧化锌电性连接。
进一步的，所述掺镓氧化锌的一侧对称设有镍铝连接片，且所述镍铝连接片分别与n型铝镓氮和防反接二极管紧密贴合。
进一步的，所述上外壳的一侧对称设有钛铝连接块，且所述钛铝连接块与n型重掺杂氮化镓紧密贴合。
进一步的，所述钛铝连接块的表面设有凹槽，且所述凹槽嵌入设置钛铝连接块中，并与钛铝连接块固定连接。
进一步的，所述防反接二极管的阴极与掺镓氧化锌紧密贴合。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该种二极管用外延片，在掺镓氧化锌的顶部安装了防反接二极管，可以有效的避免外延片释放静电导通到二极管内的问题，同时采用静电导线将静电导入大地，可以很好的消除静电，保护了二极管，由于在钛铝连接块的表面设置了凹槽，可以有效的和二极管连接柱卡住，很好的将外延片固定在二极管内，不容易松动。
附图说明
图1是本发明的整体结构示意图；
图2是本发明的图1中上外壳和下外壳纵剖图；
图3是本发明的图1中A0部放大图。
图中：1-下外壳；101-蓝宝石；102-非掺杂氮化镓；103-n型重掺杂氮化镓；2-钛铝连接块；201-凹槽；3-静电导线；4-镍铝连接片；5-上外壳；501-多量子肼；502-p型铝镓氮；503-p型氮化镓；504-n型铝镓氮；6-掺镓氧化锌；7-防反接二极管。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：一种二极管用外延片，包括上外壳5和下外壳1，所述上外壳5设置于下外壳1的顶部；所述下外壳1的内部设有蓝宝石101、非掺杂氮化镓102和n型重掺杂氮化镓103，且所述蓝宝石101、非掺杂氮化镓102和n型重掺杂氮化镓103依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳1固定连接；
所述上外壳5的内部设有多量子肼501、p型铝镓氮502、p型氮化镓503和n型铝镓氮504，所述多量子肼501、p型铝镓氮502、p型氮化镓503和n型铝镓氮504依次从下往上紧密贴合，并与上外壳5固定连接，所述多量子肼501与n型重掺杂氮化镓103紧密贴合；
所述n型铝镓氮504的顶部设有掺镓氧化锌6，且所述掺镓氧化锌6与n型铝镓氮504紧密贴合，所述掺镓氧化锌6的顶部安装有防反接二极管7，将外延片与二极管固定好后，可以将静电导线3与外界的电线连接，可以有效的消除外延片释放的静电。
在本发明中，所述掺镓氧化锌6的一侧设有静电导线3，且所述静电导线3与掺镓氧化锌6电性连接，将静电导线3与外界的地线连接，可以将电子导入大地，所述掺镓氧化锌6的一侧对称设有镍铝连接片4，且所述镍铝连接片6分别与n型铝镓氮504和防反接二极管7紧密贴合，镍铝连接片4可以二极管内部的导电连接片相连接，可以有效的导通电路，所述上外壳5的一侧对称设有钛铝连接块2，且所述钛铝连接块2与n型重掺杂氮化镓103紧密贴合，钛铝连接块2可以与下外壳1互相导通，所述钛铝连接块2的表面设有凹槽201，且所述凹槽201嵌入设置钛铝连接块2中，并与钛铝连接块2固定连接，凹槽201可以与二极管内的导电柱相互卡合，有效的将下外壳1固定在二极管内，所述防反接二极管7的阴极与掺镓氧化锌6紧密贴合，有效的阻隔外延片释放的电子进入到二极管内，可以保护二极管。
工作原理：首先，将上外壳5和下外壳1插入到二极管内，通过设置在n型重掺杂氮化镓103顶部钛铝连接块2表面的凹槽201，可以与二极管内部的导电柱相互卡合，将外延片固定在二极管内，同时镍铝连接片4也与二极管内的导电片相互连接，之后静电导线3与外界的地线连接，在使用二极管时，如果外延片发生静电释放的现象，首先通过安装在n型铝镓氮504顶部的防反接二极管7可以将静电阻隔，避免了静电流入到二极管中，保护了二极管，然后再通过静电导线3将静电导入大地，可以有效的消除静电，保护了外延片和二极管。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种二极管用外延片，包括上外壳(5)和下外壳(1)，其特征在于：所述上外壳(5)设置于下外壳(1)的顶部；所述下外壳(1)的内部设有蓝宝石(101)、非掺杂氮化镓(102)和n型重掺杂氮化镓(103)，且所述蓝宝石(101)、非掺杂氮化镓(102)和n型重掺杂氮化镓(103)依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳(1)固定连接；
所述上外壳(5)的内部设有多量子肼(501)、p型铝镓氮(502)、p型氮化镓(503)和n型铝镓氮(504)，所述多量子肼(501)、p型铝镓氮(502)、p型氮化镓(503)和n型铝镓氮(504)依次从下往上紧密贴合，并与上外壳(5)固定连接，所述多量子肼(501)与n型重掺杂氮化镓(103)紧密贴合；
所述n型铝镓氮(504)的顶部设有掺镓氧化锌(6)，且所述掺镓氧化锌(6)与n型铝镓氮(504)紧密贴合，所述掺镓氧化锌(6)的顶部安装有防反接二极管(7)。
2.根据权利要求1所述的一种二极管用外延片，其特征在于：所述掺镓氧化锌(6)的一侧设有静电导线(3)，且所述静电导线(3)与掺镓氧化锌(6)电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种二极管用外延片，其特征在于：所述掺镓氧化锌(6)的一侧对称设有镍铝连接片(4)，且所述镍铝连接片(6)分别与n型铝镓氮(504)和防反接二极管(7)紧密贴合。
4.根据权利要求1所述的一种二极管用外延片，其特征在于：所述上外壳(5)的一侧对称设有钛铝连接块(2)，且所述钛铝连接块(2)与n型重掺杂氮化镓(103)紧密贴合。
5.根据权利要求4所述的一种二极管用外延片，其特征在于：所述钛铝连接块(2)的表面设有凹槽(201)，且所述凹槽(201)嵌入设置钛铝连接块(2)中，并与钛铝连接块(2)固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种二极管用外延片，其特征在于：所述防反接二极管(7)的阴极与掺镓氧化锌(6)紧密贴合。
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