CN109081317A - 一种碲化锌的制备方法 - Google Patents

一种碲化锌的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109081317A
CN109081317A CN201811077174.2A CN201811077174A CN109081317A CN 109081317 A CN109081317 A CN 109081317A CN 201811077174 A CN201811077174 A CN 201811077174A CN 109081317 A CN109081317 A CN 109081317A
Authority
CN
China
Prior art keywords
added
preparation
colloidal sol
toluene
room temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811077174.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109081317B (zh
Inventor
申芳华
林朝阳
邓君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Binzhou fuchuang Technology Service Co., Ltd
Original Assignee
Dongguan University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan University of Technology filed Critical Dongguan University of Technology
Priority to CN202010846523.3A priority Critical patent/CN112047310A/zh
Priority to CN201811077174.2A priority patent/CN109081317B/zh
Publication of CN109081317A publication Critical patent/CN109081317A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109081317B publication Critical patent/CN109081317B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007Tellurides or selenides of metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、2 mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;步骤二:在混合溶液一种加入15‑30mL碲前驱体,室温下搅拌30min;步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2 h;步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。

Description

一种碲化锌的制备方法
技术领域
本发明属于半导体纳米材料及其制备的技术领域,具体涉及一种碲化锌的制备方法。
背景技术
当前,全球正面临着能源短缺、环境恶化和气候变暖等问题的严峻挑战,寻找开发和利用清洁的可再生能源是解决上述问题的有效手段。
碲化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物,化学式为ZnTe。由于碲化锌具有宽禁带的特性,常用于制作半导体材料,碲化锌(ZnTe)是一种具有闪锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,碲化锌是一种p型宽禁带半导体,室温下禁带宽度为2.26eV,77K下禁带宽度为2.38eV,ZnTe可以通过掺杂改变其带隙宽度,因此在薄膜太阳能电池、半导体发光器件等领域应用的潜力具大,另一方面,ZnTe也是理想的绿光发光材料,可用于研制高亮度、大功率的绿光LED,尤其值得关注的是,ZnTe晶体具有面心立方闪锌矿结构,属于非中心对称结构,是一种具有良好相位匹配特性和较好光电性质的晶体,其二阶非线性系数(X(2)=1.6×10-7esu)和电光系数(r41=4.04pm/V)均较大,并且〈110〉方向的ZnTe晶体在800nm附近激光脉冲作用下相位匹配最好,产生和探测THz辐射的效率较高,基于ZnTe晶体探测灵敏度高、探测带宽宽、稳定性强等特点,目前其已成为最常用的产生和探测THz辐射的电光材料,应用于THz器件和电光传感器。作为实际应用的前提,大尺寸高质量的体单晶的制备非常关键,研究应用潜力巨大。
发明内容
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入15-30mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
优选地,所述ZnTe纳米材料为原形,尺寸为20-50nm。
优选地,甲苯可以替换为环己烷。
优选地,ZnCl2可以替换为Zn(NO3)2
有益效果
本发明通过制备圆形的Ag纳米溶胶,以得到相应形貌的ZnTe,并且找到了最佳的油酸以及碲前驱体的用量。
附图说明
图1为Ag纳米颗粒低分辨透射电镜形貌图。
图2为ZnTe纳米颗粒低分辨透射电镜形貌图。
图3为ZnTe的傅立叶红外光谱图。
图4为ZnTe的X射线衍射图。
具体实施方式
为了充分说明本发明的特性以及实施本发明的方式,下面给出实施例。
以下实施例中,所用到的碲前驱体和银纳米颗粒水溶胶的制备方法如下。
碲前驱体的制备:
称取0.256 g的碲粉于三口烧瓶中,加入15 mL甲苯作为溶剂,通入氮气,50℃下油浴搅拌30 min,再加入15 mL三正辛基膦,升温至200℃,继续搅拌1 h,搅拌完毕后冷却至室温,离心分离出固态颗粒物,上清液即为碲前驱体。
银纳米离子的制备:
称取0.17 g AgNO3于三口烧瓶中,加入10 mL油酸和10 mL油胺,通入氮气,室温下搅拌1 h,待AgNO3充分溶解,加入0.04 g Fe(NO3)3﹒9H2O,升温至120℃,并在120℃下搅拌2 h,冷却至室温,加入40 mL乙醇离心洗涤3次,离心后加入7 mL甲苯溶剂。
如图1所示,其为Ag纳米颗粒低分辨透射电镜形貌图。由图1可知,Ag纳米颗粒分散均匀,尺寸均已,纳米颗粒的尺寸约为40 nm。
不同碲前驱体用量对ZnTe形貌的影响。
实施例1
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入3mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌不均一,尺寸不均匀。
实施例2
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入6mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌不均一,尺寸不均匀。
实施例3
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入10mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌不均一,尺寸不均匀。
实施例4
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入15mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌均一为圆形,尺寸为50nm。
实施例5
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入20mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌均一为圆形,尺寸为40nm,说明ZnTe与Ag溶胶的形貌和大小保持一致。
实施例6
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入25mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌均一为圆形,尺寸为43nm。
实施例7
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、1mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入30mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
所制得ZnTe溶胶形貌均一为圆形,尺寸为45nm。
不同油酸、油胺用量对ZnTe形貌的影响
油酸油胺在本发明的反应中,起到防止团聚的作用。
实施例8
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入20mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
实施例9
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、3mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入20mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
实施例10
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、4mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入20mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
实施例11
一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、5mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入20mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
随着油酸的量增多,形貌越均匀,尺寸越小。

Claims (6)

1.一种碲化锌的制备方法,制备步骤如下:
步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;
步骤二:在混合溶液一种加入15-30mL碲前驱体,室温下搅拌30min;
步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag2Te溶胶;
步骤四:在步骤三Ag2Te溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的ZnCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;
步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;
步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;
步骤七:将搅拌后的溶液转移至反应釜中,放置烘箱内,200℃反应2h;
步骤八:取出反应釜,自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得ZnTe溶胶。
2.如权利要求1所述的一种碲化锌的制备方法,所述ZnTe纳米材料为原形,尺寸为20-50nm。
3.如权利要求1所述的一种碲化锌的制备方法,甲苯可以替换为环己烷。
4.如权利要求1所述的一种碲化锌的制备方法,ZnCl2可以替换为Zn(NO3)2
5.如权利要求1所述的一种碲化锌的制备方法,碲前驱体的制备方法为:
称取0.256 g的碲粉于三口烧瓶中,加入15 mL甲苯作为溶剂,通入氮气,50℃下油浴搅拌30 min,再加入15 mL三正辛基膦,升温至200℃,继续搅拌1 h,搅拌完毕后冷却至室温,离心分离出固态颗粒物,上清液即为碲前驱体。
6.如权利要求1所述的一种碲化锌的制备方法,银纳米离子的制备方法为:
称取0.17 g AgNO3于三口烧瓶中,加入10 mL油酸和10 mL油胺,通入氮气,室温下搅拌1h,待AgNO3充分溶解,加入0.04 g Fe(NO3)3﹒9H2O,升温至120℃,并在120℃下搅拌2 h,冷却至室温,加入40 mL乙醇离心洗涤3次,离心后加入7 mL甲苯溶剂。
CN201811077174.2A 2018-09-15 2018-09-15 一种碲化锌的制备方法 Active CN109081317B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010846523.3A CN112047310A (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法
CN201811077174.2A CN109081317B (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种碲化锌的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811077174.2A CN109081317B (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种碲化锌的制备方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010846523.3A Division CN112047310A (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109081317A true CN109081317A (zh) 2018-12-25
CN109081317B CN109081317B (zh) 2020-12-04

Family

ID=64841610

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010846523.3A Withdrawn CN112047310A (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法
CN201811077174.2A Active CN109081317B (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种碲化锌的制备方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010846523.3A Withdrawn CN112047310A (zh) 2018-09-15 2018-09-15 一种Ag掺杂的ZnTe半导体纳米材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN112047310A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113307237A (zh) * 2021-06-23 2021-08-27 石久光学科技发展(北京)有限公司 一种多晶体单相碲化锌及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101580233A (zh) * 2009-06-12 2009-11-18 清华大学 一种硒化镉纳米球的合成方法
US20120189531A1 (en) * 2011-01-20 2012-07-26 Jen Chung-Chi Method for making a chalcopyrite-type compound
CN103887152A (zh) * 2014-04-04 2014-06-25 北京理工大学 一种半导体中异价金属离子掺杂的方法
EP2212916B1 (en) * 2007-11-30 2018-06-06 Nanoco Technologies Limited Preparation of nanoparticle material

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1388597B1 (en) * 2001-04-04 2013-02-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. METHOD FOR MANUFACTURING n-type ZnTe COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL ON A ZNTE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
CN1159211C (zh) * 2002-06-07 2004-07-28 清华大学 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
US7465352B2 (en) * 2004-07-23 2008-12-16 University Of Florida Research Foundation, Inc. One-pot synthesis of high-quality metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection
CN101580232A (zh) * 2009-06-12 2009-11-18 清华大学 一种硒化锌纳米球的合成方法
CN102040201A (zh) * 2010-11-05 2011-05-04 新疆大学 一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法
US9202867B2 (en) * 2011-10-04 2015-12-01 Arizona Board Of Regents Nanocrystals containing CdTe core with CdS and ZnS coatings
CN105129748B (zh) * 2015-08-24 2018-03-06 南京邮电大学 一种制备过渡金属硫族化合物量子点的方法
CN105460903B (zh) * 2015-09-22 2016-11-23 苏州星烁纳米科技有限公司 一种纳米晶体制备方法、纳米晶体及气体溶液的制备和保存装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2212916B1 (en) * 2007-11-30 2018-06-06 Nanoco Technologies Limited Preparation of nanoparticle material
CN101580233A (zh) * 2009-06-12 2009-11-18 清华大学 一种硒化镉纳米球的合成方法
US20120189531A1 (en) * 2011-01-20 2012-07-26 Jen Chung-Chi Method for making a chalcopyrite-type compound
CN103887152A (zh) * 2014-04-04 2014-06-25 北京理工大学 一种半导体中异价金属离子掺杂的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113307237A (zh) * 2021-06-23 2021-08-27 石久光学科技发展(北京)有限公司 一种多晶体单相碲化锌及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109081317B (zh) 2020-12-04
CN112047310A (zh) 2020-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lou et al. Chemical transformation of lead halide perovskite into insoluble, less cytotoxic, and brightly luminescent CsPbBr3/CsPb2Br5 composite nanocrystals for cell imaging
Zhang et al. Facile synthesis of highly luminescent Mn-doped ZnS nanocrystals
CN108585030B (zh) 一种颜色可调的小尺寸Mn:CsPbCl3纳米晶的制备方法
Liu et al. Colloidal insb nanocrystals
Sharma et al. Tunable white-light-emitting Mn-doped ZnSe nanocrystals
Quan et al. Multicolor tuning of manganese-doped ZnS colloidal nanocrystals
Hou et al. Interfacial fabrication of single-crystalline ZnTe nanorods with high blue fluorescence
Zhang et al. Multiple families of magic-sized ZnSe quantum dots via noninjection one-pot and hot-injection synthesis
Adam et al. Implementation of High-Quality Warm-White Light-Emitting Diodes by a Model-Experimental Feedback Approach Using Quantum Dot–Salt Mixed Crystals
CN109524515A (zh) 一种基于GaN/CsPbBrxI3-x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用
CN105369358A (zh) 一种对半导体纳米晶材料表面进行配体交换的方法
CN103450904A (zh) 具有核-壳结构的掺杂半导体纳米晶量子点及其制备方法
CN103887152B (zh) 一种半导体中异价金属离子掺杂的方法
Wang et al. Multinary copper-based chalcogenide semiconductor nanocrystals: synthesis and applications in light-emitting diodes and bioimaging
Benad et al. Cold Flow as Versatile Approach for Stable and Highly Luminescent Quantum Dot–Salt Composites
Xiao et al. Polymer ligands induced remarkable spectral shifts in all-inorganic lead halide perovskite nanocrystals
CN102079541B (zh) 一种低温下制备掺杂型六方晶系纳米ZnS的方法
Yang et al. Long and Ultrastable All-Inorganic Single-Crystal CsPbBr3Microwires: One-Step Solution In-Plane Self-Assembly at Low Temperature and Application for High-Performance Photodetectors
Kim et al. Influences of surface capping on particle size and optical characteristics of ZnS: Cu nanocrystals
CN102634336A (zh) 一种发光可调的无配体硫化镉半导体量子点及其制备方法
CN109932770A (zh) 一种量子点彩色滤光片
CN102031106B (zh) 一种量子点及其制备方法
CN109081317A (zh) 一种碲化锌的制备方法
Suresh et al. Solvent evaporation induced large-scale synthesis of Cs4PbBr6 and CsPbBr3 microcrystals: Optical properties and backlight application for LEDs
CN103130201A (zh) 一种硒化锌荧光纳米颗粒及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20201102

Address after: No.9 shop of supply and marketing ganxiu community, Fuguo street, Zhanhua District, Heze City, Shandong Province

Applicant after: Binzhou fuchuang Technology Service Co., Ltd

Address before: Room 12N302, Machinery Building, Dongguan Institute of Technology, No. 1 University Road, Songshan Lake Hi-tech Industrial Development Zone, Dongguan City, Guangdong Province

Applicant before: DONGGUAN University OF TECHNOLOGY

CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: No.9 shop of supply and marketing ganxiu community, Fuguo street, Zhanhua District, Binzhou City, Shandong Province

Applicant after: Binzhou fuchuang Technology Service Co., Ltd

Address before: No.9 shop of supply and marketing ganxiu community, Fuguo street, Zhanhua District, Heze City, Shandong Province

Applicant before: Binzhou fuchuang Technology Service Co., Ltd

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant