CN108987301A - 多阻障板 - Google Patents

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Abstract

一种多阻障板，包括具有实质上平坦的上表面及实质上平坦的下表面的板、形成在板中并且从板的上表面延伸穿过至下表面的多个窗、以及安装在板上的多个蒸气阻障，这些蒸气阻障的各个蒸气阻障配置以防止蒸气穿过这些窗中的一对应窗。多阻障板包括形成在板中的孔，孔沿着对应于上表面的轴与多个窗的第一窗对准。

Description

多阻障板
技术领域
本发明实施例是关于多阻障板。
背景技术
制造集成电路(IC)通常包括当执行一或多个制程于物件的顶表面或其附近时，将基板或其他物件固定在平台上的操作。例如，通常在执行掺杂及其他操作以形成源极及漏极结构之后，对基板进行退火。
在一些情形中，使用固定式设备进行激光尖峰退火(laser spike annealing,LSA)，在激光尖峰退火设备下方，操控基板以对准目标位置。因为退火涉及可致使化学残余物蒸发的高温，一些退火设备由阻障保护而不受所造成的蒸气的影响。
发明内容
根据本揭露的一态样，一种多阻障板包括一板、多个窗、多个蒸气阻障以及一孔。板具有一平坦的上表面及一平坦的下表面。所述多个窗形成在该板中并且从该上表面延伸至该下表面而穿过该板。所述多个蒸气阻障安装在该板上，所述多个蒸气阻障的各个蒸气阻障配置以防止一蒸气穿过所述多个窗的一对应窗。该孔形成在该板中，该孔沿着对应于该上表面的一轴与所述多个窗的一第一窗对准。
附图说明
当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。
图1A至图1B是根据一些实施例的蒸气阻障置换系统的图；
图2A至图2B是根据一些实施例的多阻障板的图；
图3A至图3B是根据一些实施例的多阻障板的图；
图4A至图4B是根据一些实施例的多阻障板的图；
图5是根据一些实施例的置换蒸气阻障的方法的流程图；
图6是根据一些实施例的用于控制蒸气阻障置换的系统的示意图。
具体实施方式
以下揭示提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述部件、值、操作、材料、排列或类似者的特定实例以简化本揭示。当然，这些实例仅为实例且并不意欲为限制性。可以预期其他部件、值、操作、材料、排列、或类似者。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的并且本身并不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。
进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。
在各个实施例中，平台支撑物件，光源引导光束至物件处，光学感测器侦测从物件发射及/或反射的光，而多阻障板包括板及多个蒸气阻障形成于板中的对应多个孔或安装于多个孔中。控制器用以基于侦测到的光确定多个蒸气阻障的第一蒸气阻障是否已经被包覆，以及若确定第一蒸气阻障已经被包覆，则以多个蒸气阻障的第二蒸气阻障于光学感测器与平台之间的位置置换多个蒸气阻障的第一蒸气阻障。
图1A及图1B是根据一些实施例的蒸气阻障置换系统100的图。图1A描绘了蒸气阻障置换系统100、物件100OBJ、蒸气100V、及涂层100C的剖面图。图1B描绘了蒸气阻障置换系统100的平面图。图1A所描绘的剖面图为图1B中指示的线A-A’。
蒸气阻障置换系统100包括平台110、度量模块120、多阻障板130、引导件140、致动装置150及控制器160。通讯链路125通讯耦接度量模块120与控制器160，且通讯链路155通讯耦接致动装置150与控制器160。
平台110是刚性结构(例如，圆盘)，配置以将物件100OBJ支撑在相对于度量模块120的一或多个位置圆盘。在一些实施例中，平台110是可移动的以在相对于度量模块120的一或多个位置支撑物件100OBJ。
在图1A所描绘的实施例中，平台110具有能够支撑物件100OBJ的实质上平坦的上表面111。在一些实施例中，上表面111是平台110的唯一上表面。在一些实施例中，平台110包括除了上表面111之外的一或多个上表面(未图示)。在一些实施例中，平台110的上表面111具有便于支撑物件100OBJ的一或多个非平面特征，例如，凸起或凹陷。
在一些实施例中，物件100OBJ是诸如半导体晶圆的基板，而且上表面111是适用于固定基板的光滑表面。在一些实施例中，平台110包括能够将物件100OBJ固定在上表面111上的一或多个部件。在一些实施例中，平台110包括能够将物件100OBJ固定在上表面111上的真空或静电组件的元件。在一些实施例中，平台110包括能够将物件100OBJ固定在上表面111上的一或多个机械元件或组件，例如，夹子或紧固件。
在一些实施例中，上表面111包括一或多个孔洞，孔洞经配置以施加用于将物件100OBJ固定在平台110上的真空。在一些实施例中，平台110包括一或多个顶出销(ejectorpin)，且上表面111包括一或多个孔洞，孔洞配置允许移动顶出销以从上表面111移除物件100OBJ。在一些实施例中，平台110包括能够控制上表面111的温度的一或多个部件。
在一些实施例中，平台110具有约4-36英吋的直径。在一些实施例中，平台110具有约8-18英吋的直径。
度量模块120是能够将光束121施加至物件100OBJ并且侦测回应于光束121而从100OBJ发射及/或反射的光123的组件。度量模块120包括能够引导光束121至物件100OBJ的光源122、能够侦测从物件100OBJ发射及/或反射的光123的光学感测器124以及通讯模块126。在一些实施例中，度量模块120包括能够进行关于度量操作(包括但不限于度量模块120的移动及定位、冷却及/或加热、数据储存及信号处理)的一或多个额外功能的一或多个额外部件(未图示)。
光源122是配置以引导光束121至物件100OBJ的设备。在一些实施例中，光源122能够产生并引导光束121。在一些实施例中，光束121由与光源122不同的一或多个装置(未图示)产生，而光源122是能够从一或多个装置再次引导光束121至物件100OBJ的反射器或相似设备。在一些实施例中，光源122是多个光源的其中一个光源。
在一些实施例中，光束121是激光光束且光源122包括激光。在一些实施例中，光源122包括二氧化碳(CO2)激光，且光束121具有介于9微米(μm)至12μm的一或多个波长。在一些实施例中，光源122包括二极管激光，且光束121具有介于约0.2μm至4.0μm的一或多个波长。
在一些实施例中，光源122能够引导具有可控制性质(例如，强度位准(intensitylevel)及/或波长组成(wavelength composition))的光束121。
在图1A所描绘的实施例中，光源122配置以因应信号122S引导光束121至物件100OBJ处。在一些实施例中，光源122经配置以因应与信号122S不同的信号(未图示)引导光束121至物件100OBJ处。在一些实施例中，光源122经配置以因应信号(诸如信号122S)来控制光束121的性质。
在一些实施例中，在操作中，物件100OBJ发射光123的部分或全部，以回应与物件100OBJ互动的光束121的部分或全部。在一些实施例中，在操作中，物件100OBJ反射光123的部分或全部，以回应与物件100OBJ互动的光束121的部分或全部。
光学感测器124是配置以侦测光123并基于侦测到的光123产生信号124S的设备。在一些实施例中，光123包括来自回应光束121而从物件100OBJ反射的光束121的光。在一些实施例中，光123具有对应于光束121的一或多个波长的一或多个波长。
在一些实施例中，光123包括回应光束121而从物件100OBJ发射的光。在一些实施例中，光123具有与光束121的一或多个波长不同的一或多个波长。在一些实施例中，光123具有与光束121的一或多个波长相比较长的一或多个波长。
在一些实施例中，光123具有一或多个远红外波长。在一些实施例中，光123具有介于15μm至1000μm的一或多个波长。在一些实施例中，光123具有介于500μm至800μm的一或多个波长。在一些实施例中，光123包括500μm的波长、750μm的波长、或800μm的波长中的一或多个。
在一些实施例中，光123包括回应光束121而从物件100OBJ反射的光及回应光束121而从物件100OBJ发射的光。在一些实施例中，光123具有对应于光束121的一或多个波长的一或多个波长或与光束121的一或多个波长不同的一或多个波长。
在一些实施例中，光学感测器124是配置以产生指示光123的强度的信号124S。在一些实施例中，光学感测器124经配置以产生指示光123的总强度的信号124S。在一些实施例中，光学感测器124经配置以产生指示光123的一或多个特定波长的强度的信号124S。在一些实施例中，光学感测器124经配置以产生指示光123的500μm的波长、750μm的波长或800μm的波长的一或多个的强度的信号124S。
在一些实施例中，光学感测器124是配置以产生信号124S，信号124S是指示光123的一或多个第一波长的第一强度与光123的一或多个第二波长的第二强度之间的关系。
在一些实施例中，光学感测器124包括处理器或其他逻辑装置，配置以基于光123产生信号124S。在一些实施例中，平台110及度量模块120是经配置以对物件100OBJ进行退火制程的LSA系统的部件，而信号124S作为用于控制退火制程的温度的反馈回路的部分是由LSA系统产生。
通讯模块126是度量模块120的部件，配置以在通讯链路125上输出信号124S。在图1A所描绘的实施例中，通讯模块126经配置以在通讯链路125上接收信号122S。在一些实施例中，度量模块120包括，除了通讯模块126之外的一或多个通讯模块(未图示)，且度量模块120经配置以在一或多个额外通讯模块上接收信号122S。
在一些实施例中，通讯链路125包括一或多个接线，而通讯模块126包括一或多个连接器，配置以机械及电气耦接度量模块120与通讯链路125。在一些实施例中，通讯链路125是无线连接且通讯模块126包括能够发送信号124S的发射器。在一些实施例中，通讯链路125是无线连接且通讯模块126包括能够接收信号122S的接收器。
多阻障板130是包括板130PL的刚性结构，板130PL具有与实质上平坦的下表面130L平行的实质上平坦的上表面130U。在一些实施例中，上表面130U是板130PL的全部上表面。在一些实施例中，板130PL包括除了上表面130U之外的一或多个上表面(未图示)。在一些实施例中，下表面130L是板130PL的全部下表面。在一些实施例中，板130PL包括除了下表面130L之外的一或多个下表面(未图示)。
板130PL包括形成在板130PL中并且从上表面130U延伸至下表面130L的多个窗132。于板130PL上对应于多个窗132的位置将对应的多个蒸气阻障134安装至板130PL。
在一些实施例中，具有垂直于上表面130U及下表面130L的一或多个边缘的窗132从上表面130U延伸至下表面130L。在一些实施例中，具有不垂直于上表面130U及下表面130L的一或多个边缘的窗132从上表面130U延伸至下表面130L。在一些实施例中，具有包括一或多个凸起(配置以支撑蒸气阻障134)的边缘的窗132从上表面130U延伸至下表面130L。
多阻障板130是配置以使得各个蒸气阻障134能够在物件100OBJ与光学感测器124之间定位，使得从物件100OBJ反射及/或发射的光123在被光学感测器124接收之前穿过蒸气阻障134。各个蒸气阻障134因而能够定位在从物件100OBJ反射及/或发射至光学感测器124的光123的光学路径中。
各个蒸气阻障134包括能够允许大部分或全部的光123在光学感测器124接收之前穿过的材料。各个蒸气阻障134包括下表面134S，使得蒸气阻障134能够防止光学感测器124接收大部分或全部由物件100OBJ发射的蒸气100V。在一些实施例中，各个蒸气阻障134包括石英。
在图1A及图1B中所描绘的实施例中，将各个蒸气阻障134安装在对应的窗132内。在图1A所描绘的实施例中，于上表面130U与下表面130L之间的对应的窗132内的位置将蒸气阻障134安装至板130PL。在一些实施例中，将蒸气阻障134安装在上表面130U之上或其上且在对应的窗132上方。在一些实施例中，将蒸气阻障134安装在下表面130L下方或其上且在对应窗132下方。
在一些实施例中，单个蒸气阻障结构横跨二或多个窗132。在单个蒸气阻障结构横跨二或多个窗132的一些实施例中，对应于窗132的蒸气阻障结构的各个部分被认为是独立的蒸气阻障134。
通过如上文所论述来安装，各个蒸气阻障134经配置以防止蒸气(例如，蒸气100V)穿过对应的窗132。
在一些实施例中，多阻障板130包括经配置以于一或多个对应的窗132处将一或多个蒸气阻障134安装至板130PL的安装硬件(mounting hardware)(未图示)，例如夹子、托架、或紧固件。
在一些实施例中，于对应的窗132处或在对应的窗132中将给定的蒸气阻障134固定地安装至板130PL，如此仅能够通过改变或破坏多阻障板130的部件从板130PL移除蒸气阻障134。在一些实施例中，于对应窗132处或在对应窗132中将给定的蒸气阻障134可移除地安装至板130PL，如此能够在不改变或破坏多阻障板130的部件的情况下(诸如人工或通过使用移除工具)从板130PL移除蒸气阻障134。在一些实施例中，于对应的窗132处或在对应的窗132中将给定的蒸气阻障134可移除地安装至板130PL，如此能够通过移除或调节安装硬件从板130PL移除蒸气阻障134。
在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有矩形形状。在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有方形形状。在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有相同的形状。在一些实施例中，多个蒸气阻障134包括具有不同形状的蒸气阻障134。
在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有介于10毫米(mm)至80mm的长度(未标记)。在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有介于15mm至25mm的长度。
在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有介于1mm至25mm的宽度(未标记)。在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有介于1mm至10mm的宽度。
在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有介于1mm至10mm的厚度(未标记)。在一些实施例中，各个蒸气阻障134具有介于3mm至7mm的厚度。
在图1A及图1B所描绘的实施例中，多阻障板130包括十二个窗132及十二个蒸气阻障134。在一些实施例中，多阻障板130包括少于十二个窗132及十二个蒸气阻障134。在一些实施例中，多阻障板130包括多于十二个窗132及十二个蒸气阻障134。
在一些实施例中，多阻障板130包括沿着轴与至少一个窗132对准的至少一个孔136，使得光束121沿着光束路径穿过孔136同时被引导至物件100OBJ处，并且同时发射及/或反射的光123沿着光学路径穿过至少一个蒸气阻障134。在一些实施例中，轴对应于上表面130U及下表面130L的一或两者，孔136与至少一个窗132因而沿着轴对准并间隔开以匹配在光束路径与光学路径之间的间隔。
在图1B所描绘的实施例中，径向线A-A’是轴的实例，沿着此轴第一窗132与第一孔136对准，第二窗132与第二孔136对准，这些孔的各者由图1B中描绘的度量模块120遮挡。
在一些实施例中，多阻障板130包括多个孔136，并且各个孔136沿着轴与对应的窗132对准，使得光束121沿着光束路径穿过孔136，而光123沿着光学路径穿过对应的蒸气阻障134。在一些实施例中，多阻障板130包括单个孔136，单个孔136能够沿着轴与任何给定的窗132对准，使得光束121沿着光束路径穿过孔136，而光123沿着光学路径穿过给定的蒸气阻障134。
在图1A所描绘的实施例中，各个孔136是从上表面130U延伸至下表面130L的开口。在一些实施例中，各个孔136包括窗格(未图示)，窗格包括能够允许大部分或全部的光束121沿着光束路径穿过的材料。在一些实施例中，各个孔136包括含有石英的窗格。
在图1A及图1B所描绘的实施例中，多阻障板130具有圆盘的形状，多个窗132靠近圆盘的周边130S分布，而多个孔136在多个窗132的径向周边内分布。在一些实施例中，多阻障板130是下文关于图2A及图2B论述的多阻障板230。
在一些实施例中，多阻障板130具有环形形状，多个窗132靠近周边130P分布，且单个孔136是环形的中心。在一些实施例中，多阻障板130是下文关于图3A及图3B论述的多阻障板330。
在一些实施例中，多阻障板130具有矩形形状，多个窗132沿着矩形的长度分布，且多个孔136沿着多个窗132并肩分布。在一些实施例中，多阻障板130是下文关于图4A及图4B论述的多阻障板430。在一些实施例中，多阻障板130具有矩形形状，且多个窗132沿着单个孔136分布。在一些实施例中，多阻障板130具有矩形形状，多个窗132沿着矩形的长度分布，且多阻障板130不包括孔136。
引导件140是能够提供用于多阻障板130的支撑同时允许多阻障板130水平移动的一或多个刚性结构，使得各个蒸气阻障134能够在光学感测器124与平台110之间定位。在图1A及图1B所描绘的实施例中，引导件140是经配置以沿着周边130P支撑多阻障板130并同时允许多阻障板130在引导件140内旋转的单个结构。在一些实施例中，省去引导件140。
在一些实施例中，引导件140包括经配置以沿着周边130P支撑多阻障板130并同时允许多阻障板130在引导件140内旋转的多个结构。在多阻障板130具有矩形形状的一些实施例中，引导件140包括经配置以允许多阻障板130在水平方向中滑动的一或多个结构，使得各个蒸气阻障134能够沿着光学路径在光学感测器124与平台110之间定位。
蒸气阻障置换系统100经配置以使得平台110、多阻障板130及引导件140控制物件100OBJ的定位，以在物件100OBJ与给定的蒸气阻障134的下表面134S之间具有间隙100G。
在一些实施例中，蒸气阻障置换系统100不包括引导件140，且蒸气阻障置换系统100经配置以使得平台110、多阻障板130及致动装置150控制物件100OBJ的定位，以在物件100OBJ与给定的蒸气阻障134的下表面134S之间具有间隙100G。
在一些实施例中，蒸气阻障置换系统100经配置以维持介于1mm至3mm的间隙100G。
致动装置150是经配置以从控制器160在通讯链路155上接收一或多个控制信号160S并且基于一或多个控制信号160S控制多阻障板130的定位的电机组件。致动装置150能够控制多阻障板130的定位，以使得多个蒸气阻障134的各个蒸气阻障134能够沿着光学路径在光学感测器124与平台110之间定位。
在一些实施例中，致动装置150能够控制多阻障板130的水平定位。在一些实施例中，致动装置150能够控制多阻障板130的水平及垂直定位。
在图1A所描绘的实施例中，致动装置150是能够旋转多阻障板130的电动机。在一些实施例中，致动装置150是步进电动机。在一些实施例中，致动装置150是能够以将多个蒸气阻障134的各个蒸气阻障134匹配于在光学路径上并且在光学感测器124与平台110之间定位的增量(increment)来旋转多阻障板130的电动机。在一些实施例中，致动装置150是能够以从控制器160接收的一或多个控制信号160S决定的量来旋转多阻障板130的电动机。
在图1A及图1B所描绘的实施例中，致动装置150配置以旋转机械耦接至多阻障板130的轴(shaft)152，因而使多阻障板130旋转。在一些实施例中，致动装置150以其他方式机械耦接至多阻障板130以能够绕轴旋转多阻障板130。在一些实施例中，致动装置150或多阻障板130中一个或两个包括齿轮或轮，致动装置150通过此齿轮或轮机械耦接至多阻障板130以使得多阻障板130可以绕轴旋转。
在多阻障板130具有矩形形状的一些实施例中，致动装置150或多阻障板130中一个或两个包括齿轮或轮，致动装置150通过此齿轮或轮机械耦接至多阻障板130以使多阻障板130在水平方向中滑动，使得各个蒸气阻障134能够沿着光学路径在光学感测器124与平台110之间定位。
在一些实施例中，在操作中，物件100OBJ发出蒸气100V，以回应与物件100OBJ互动的部分或全部光束121。在一些实施例中，物件100OBJ是诸如半导体晶圆的基板，且蒸气100V包括基于对物件100OBJ进行的先前制造操作的一或多种材料。在一些实施例中，物件100OBJ是诸如半导体晶圆的基板，且蒸气100V包括基于对物件100OBJ进行的光阻剂清洁操作的一或多种材料。
在一些实施例中，在操作中，涂层100C形成在第一蒸气阻障的下表面134S，以回应由物件100OBJ发出的蒸气100V。在一些实施例中，涂层100C包括与对物件100OBJ进行的先前制造操作相关的一或多种材料。在一些实施例中，涂层100C包括与对物件100OBJ进行的光阻剂清洁操作相关的一或多种材料。在一些实施例中，涂层100C包括硫酸盐(SO4 2-)、铵(NH4 +)、硝酸盐(NO3 -)、或氟化物(F-)的一或多个。
在操作中，涂层100C用来反射及/或吸收一部分的光123，因而减小光学感测器124接收的光123在部分或全部波长的强度。随着涂层100C的厚度100T增加，光123的部分或全部波长的强度的减小量增加。在一些实施例中，在操作中，由于对多个物件(包括，例如，物件100OBJ)进行的制造操作，厚度100T随着时间增加。
在操作中，因为基于光123产生信号124S，光123在部分或全部波长的强度减小，致使信号124S改变。在一些实施例中，在操作中，光123的部分或全部波长的强度减小，致使由信号124S表示的值降低。在一些实施例中，在操作中，光123的部分或全部波长的强度减小致使由信号124S表示的值增加。
在一些实施例中，制造操作的态样因应信号124S基于光123的强度减小的改变而变化。因为此变化量是厚度100T的函数，厚度100T的阈值(threshold value)对应于制造操作的态样的容差位准(tolerance level)。
作为非限制性的的实例，在平台110及度量模块120是LSA系统的部件的一些实施例中，信号124S表示对物件100OBJ进行的给定的退火制程的量测的温度，使得信号124S基于厚度100T的改变对应于温度量测的误差。在此等实施例中，厚度100T的阈值对应于针对给定退火制程的温度量测的容差位准。
通过设定对应于制造容差位准的厚度100T的阈值，在涂层100C中致使厚度100T超过阈值的材料量对应于被认为是已涂覆的蒸气阻障134。在涂层100C中致使厚度100T小于或等于阈值的材料量对应于被认为是未涂覆的蒸气阻障134。“已涂覆”或“未涂覆”的蒸气阻障134所基于的厚度100T的特定阈值因而是在制造环境内的容差的函数，蒸气阻障置换系统100针对此制造环境配置。
在一些实施例中，蒸气阻障置换系统100经配置以在包括多个容差位准的制造环境中操作，此容差位准对应于厚度100T的多个阈值并且由此对应于“已涂覆”或“未涂覆”的蒸气阻障134的多个基础。
在一些实施例中，在操作中，粒子(未图示)从涂层100C释放并且落到物件100OBJ上，因而增加在物件100OBJ中制造缺陷的数量。在一些实施例中，随着厚度100T增加，从涂层100C释放的粒子数量增加。在此等实施例中，厚度100T的阈值对应于物件100OBJ中的制造缺陷数量的容差位准。
控制器160是经配置以在通讯链路125上接收信号124S并且决定涂层100C在给定的蒸气阻障134上的厚度100T是否超过阈值的电路或组件。
在一些实施例中，控制器160包括处理器。在一些实施例中，控制器160包括下文关于系统600及图6论述的处理器602。
在一些实施例中，控制器160经配置以通过比较信号124S与阈值确定是否已经涂覆给定的蒸气阻障。在一些实施例中，控制器160经配置以通过比较信号124S与表示厚度100T的阈值的阈值确定是否已经涂覆给定的蒸气阻障。
在一些实施例中，控制器160经配置以基于经验涂层数据比较信号124S与预定阈值。在一些实施例中，控制器160经配置以从经验涂层数据决定阈值。
在一些实施例中，多个阈值对应于多个制造容差位准，且控制器160经配置以比较信号124S与多个阈值的一或多个阈值。在一些实施例中，光束121的一或多个性质(例如，强度或波长组成)是可变的且对应于多个阈值，且控制器160配置以比较信号124S与多个阈值的一或多个阈值。
在一些实施例中，控制器160经配置以比较信号124S与从下文相对于系统600及图6论述的储存装置(例如，计算机可读储存媒体604)撷取的一或多个阈值。在一些实施例中，控制器160经配置以比较信号124S与一或多个使用者输入阈值。
在一些实施例中，控制器160经配置以产生信号122S，用以使光源122引导光束121至物件100OBJ处。在蒸气阻障置换系统100是部分的制造处理系统(诸如LSA系统)的一些实施例中，控制器160未经配置来产生信号122S，而信号122S是作为部分的制造制程而产生。
在一些实施例中，控制器160经配置以在通讯链路125上接收信号124S并产生信号122S。在一些实施例中，通讯链路125包括一或多个接线且控制器160包括经配置以机械及电气耦接控制器160至通讯链路125的一或多个连接器。在一些实施例中，通讯链路155是无线连接且控制器160包括能够接收信号124S的接收器。在一些实施例中，通讯链路125是无线连接且控制器160包括能够发送信号122S的发射器。
在一些实施例中，控制器160配置以回应经由产生一或多个控制信号160S而涂覆给定的蒸气阻障134的决定，使得致动装置150移动给定的蒸气阻障134远离光源感测器124与平台110之间的位置并且移动第二蒸气阻障134至光学感测器124与平台110之间的位置中。
在一些实施例中，控制器160经配置以通过在一或多个控制信号160S中产生单个指示致使致动装置150移动给定的蒸气阻障134远离光学感测器124与平台110之间的位置并且移动第二蒸气阻障134至光学感测器124与平台110之间的位置中。在一些实施例中，单个指示对应于使步进电动机移动单个预定义步长的指令。
在一些实施例中，控制器160经配置以基于预定的定位信息控制致动装置150。在一些实施例中，控制器160经配置以基于使用者输入的定位信息控制致动装置150。在一些实施例中，定位信息对应于给定的蒸气阻障134与紧接的蒸气阻障134之间的空间。
在一些实施例中，控制器160经配置以通过在一或多个控制信号160S中产生多个指示致使致动装置150移动给定的蒸气阻障134远离光学感测器124与平台110之间的位置并且移动第二蒸气阻障134至光学感测器124与平台110之间的位置中。在一些实施例中，多个指示对应于定位信息。
在一些实施例中，控制器160经配置以在通讯链路155上产生一或多个控制信号160S。在一些实施例中，通讯链路155包括一或多个接线且控制器160包括经配置以机械及电气耦接控制器160至通讯链路155的一或多个连接器。在一些实施例中，通讯链路155是无线连接且控制器160包括能够发送一或多个控制器信号160S的发射器。在一些实施例中，通讯链路155是无线连接且致动装置150包括能够接收一或多个控制信号160S的接收器。
在一些实施例中，控制器160配置以通过产生声频及/或可见信号或用于传达给使用者的其他蒸气阻障置换信息以回应涂覆给出的蒸气阻障134的决定。
在一些实施例中，蒸气阻障置换系统100包括配置以接收一或多个使用者输入阈值的使用者界面，例如，下文关于系统600及图6论述的I/O接口610。在一些实施例中，使用者界面经配置以接收使用者输入的定位信息。在一些实施例中，使用者界面经配置以显示视觉信号或其他蒸气阻障置换信息及/或将声频信号提供给使用者。
通过上文所论述的配置，蒸气阻障置换系统100能够在操作中基于光123决定是否涂覆给定的蒸气阻障134，并且基于此决定，使未涂覆的蒸气阻障134自动或人工地置换已涂覆的蒸气阻障134，以回应于提供给使用者的蒸气涂层信息。
与对于正在涂覆蒸气阻障的基于光的决定而不置换已涂覆的蒸气阻障的系统相比，蒸气阻障置换系统100便于防止蒸气阻障涂层大于预定的厚度值。在蒸气阻障置换系统100是制造处理系统的一部分的实施例中，防止蒸气阻障涂层大于预定的厚度值减少了作为反馈的光123的改变而导致的处理误差，因而增加良率。
在蒸气阻障置换系统100是LSA系统的一部分的实施例中，防止蒸气阻障涂层大于预定的厚度值减少了作为部分反馈回路(用于控制退火制程的温度)的光123的改变而导致的处理误差。在一些实施例中，光123的强度对应于由光束121控制的退火温度，防止蒸气阻障涂层大于预定的厚度值减少了由于减小的光123的强度而增加的退火温度，所导致的误差。
在一些实施例中，防止蒸气阻障涂层大于预定厚度值，可减少因涂层释放的粒子所导致的制造缺陷的数量。
与对于正在涂覆蒸气阻障的基于光的决定而不置换已涂覆的蒸气阻障的系统相比，蒸气阻障置换系统100不需要人工确定涂覆蒸气阻障所需的操作者或技术人员的时间。在蒸气阻障置换系统100利用未涂覆的蒸气阻障134自动地置换已涂覆的蒸气阻障134的实施例中，与利用未涂覆的蒸气阻障人工地置换已涂覆的蒸气阻障的系统相比，系统停机时间及操作者时间减少。
与包括具有单个蒸气阻障的板的系统相比，通过包含多阻障板130，蒸气阻障置换系统100的板的置换频率降低。因此，与包括具有单个蒸气阻障的板的系统相比，在蒸气阻障置换系统100中板置换所需的系统停机时间及操作者时间减少。
图2A及图2B是根据一些实施例的多阻障板230的图。多阻障板230可用作上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B论述的多阻障板130。图2A描绘了多阻障板230的平面图，并且图2B描绘了多阻障板230沿着由图2A的线B-B’指示的平面的剖面图。
多阻障板230包括分别对应于上文相对于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B论述的多阻障板130的板130PL、上表面130U、下表面130L、窗132、蒸气阻障134、孔136及周边130P的板230PL、上表面230U、下表面230L、窗232、蒸气阻障234、孔236及周边230P。
多阻障板230亦包括于周边230P的中心处交叉的轴230A。各个窗232沿着轴230A与对应的孔236对准。在图2A所描绘的实施例中，多阻障板230包括六个轴230A。在一些实施例中，多阻障板230包括少于六个轴230A。在一些实施例中，多阻障板230包括多于六个轴230A。
在图2A及图2B所描绘的实施例中，多阻障板230包括十二个窗232、十二个蒸气阻障234及十二个孔236。在一些实施例中，多阻障板230包括少于十二个窗232、十二个蒸气阻障234及十二个孔236。在一些实施例中，多阻障板230包括多于十二个窗232、十二个蒸气阻障234及十二个孔236。
多阻障板230因而经配置为可旋转的圆形板，使得在操作中以对应于窗232沿着周边230P的间隔的量旋转多阻障板230，使得由给定位置处的第二蒸气阻障234置换给定位置处的第一蒸气阻障234。
通过上文所论述的配置，用于蒸气阻障置换系统(例如，蒸气阻障置换系统100)中的多阻障板230能够实现上文关于蒸气阻障置换系统100所论述的优点。
图3A及图3B是根据一些实施例的多阻障板330的图。多阻障板330可用作上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B论述的多阻障板130。图3A描绘了多阻障板330的平面图，-而图3B描绘了多阻障板330沿着由图3A的线C-C’指示的平面的剖面图。
多阻障板330包括对应于上文关于图2A及图2B论述的多阻障板230的板230PL、上表面230U、下表面230L、窗232、蒸气阻障234、周边230P及轴230A的板330PL、上表面330U、下表面330L、窗332、蒸气阻障334、周边330P及轴330A。
多阻障板330与多阻障板230不同的地方在于，多阻障板330包括单个孔336而非多个孔236。孔336在周边330P内的中心处，使得各个窗132沿着轴330A与孔336对准。在图3A所描绘的实施例中，多阻障板330包括六个轴330A。在一些实施例中，多阻障板330包括少于六个轴330A。在一些实施例中，多阻障板330包括多于六个轴330A。
在图3A及图3B所描绘的实施例中，多阻障板330包括十二个窗332及十二个蒸气阻障334。在一些实施例中，多阻障板330包括少于十二个窗332及十二个蒸气阻障334。在一些实施例中，多阻障板330包括多于十二个窗332及十二个蒸气阻障334。
多阻障板330因而配置为可旋转的圆形板，使得在操作中以对应于窗332沿着周边330P的空间的量旋转多阻障板330，致使由给定的位置处的第二蒸气阻障334置换给定位置处的第一蒸气阻障334。
通过上文所论述的配置，用于蒸气阻障置换系统(例如，蒸气阻障置换系统100)中的多阻障板330能够实现上文关于蒸气阻障置换系统100所论述的优点。
图4A及图4B是根据一些实施例的多阻障板430的图。多阻障板430可用作上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B论述的多阻障板130。图4A描绘了多阻障板430的平面图，并且图4B描绘了多阻障板430沿着由图4A的线D-D’指示的平面的剖面图。
多阻障板430包括分别对应于上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B论述的多阻障板130的板130PL、上表面130U、下表面130L、窗132、蒸气阻障134及孔136的板430PL、上表面430U、下表面430L、窗432、蒸气阻障434及孔436。
多阻障板430具有矩形形状且包括彼此平行对准并跨过多阻障板430的轴430A。各个窗432沿着轴430A与对应的孔436对准。
多阻障板430因而配置为可移动的矩形板，使得在操作中以对应于窗432沿着多阻障板430的长度的空间的量移动多阻障板430，致使由给定位置处的第二蒸气阻障434置换给定位置处的第一蒸气阻障434。
通过上文所论述的配置，用于蒸气阻障置换系统(例如，蒸气阻障置换系统100)中的多阻障板430能够实现上文关于蒸气阻障置换系统100所论述的优点。
图5是根据一或多个实施例的控制蒸气阻障的置换的方法500的流程图。方法500使用蒸气阻障置换系统(诸如上文关于图1A及图1B所论述的蒸气阻障置换系统100)并且利用多阻障板(诸如上文分别关于图1A及图1B、图2A及图2B、图3A及图3B、以及图4A及图4B所论述的多阻障板130、230、330、及430)来实施。
于操作510，在一些实施例中，光强度阈值由经验涂层数据决定。在一些实施例中，决定光强度阈值包括基于通过量测光学感测器(诸如上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B论述的光学感测器124)接收的光(例如，光123)的强度值来决定阈值。
在一些实施例中，决定光强度阈值包括关联光强度值与一或多个蒸气阻障涂层的厚度值。在一些实施例中，决定光强度阈值包括关联光强度值与制造制程的一或多个处理参数的值。在一些实施例中，决定光强度阈值包括关联光强度值与退火制程的一或多个温度的值。在一些实施例中，决定光强度阈值包括关联一或多个蒸气阻障涂层的厚度值与退火制程的一或多个温度的值。
在一些实施例中，决定光强度阈值包括对应于多个制造容差决定多个光强度阈值。在一些实施例中，决定光强度阈值包括对应于通过光源产生的光束的一或多个性质的多个值决定多个光强度阈值。
在一些实施例中，决定光强度阈值包括将一或多个阈值储存在储存媒体(诸如下文关于系统600及图6所论述的计算机可读储存媒体604)中。
在一些实施例中，决定光强度阈值包括使用处理器(诸如下文关于系统600及图6所论述的处理器602)决定光强度阈值。
于操作520，在一些实施例中，产生光束。在一些实施例中，产生光束包括使用光源(诸如上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的光源122)产生光束。
在一些实施例中，产生光束包括使用控制器(诸如上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的控制器160)产生信号。在一些实施例中，产生光束包括使用制造处理系统产生信号。在一些实施例中，产生光束包括使用LSA系统产生信号。
在一些实施例中，产生光束包括引导光束至物件(诸如上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的物件100OBJ)处。在一些实施例中，产生光束包括作为制造制程的一部分的引导光束至基板(诸如半导体晶圆)处。在一些实施例中，产生光束包括作为激光退火制程的一部分的引导激光光束至基板(诸如半导体晶圆)处。
于操作530，利用光学感测器接收光，光在从物件发射及/或反射之后穿过第一蒸气阻障。在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括使用上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的光学感测器124接收光(例如，光123)。
在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括接收穿过多阻障板的蒸气阻障的光。在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括接收穿过上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的多阻障板130的蒸气阻障134的光。
在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括接收穿过上文关于图2A及图2B所论述的多阻障板230的蒸气阻障234的光。在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括接收穿过上文关于图3A及图3B所论述的多阻障板330的蒸气阻障334的光。在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括接收穿过上文关于图4A及图4B所论述的多阻障板430的蒸气阻障434的光。
在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括作为制造制程的一部分接收光。在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括作为退火制程的温度反馈回路的一部分接收光。
在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括产生指示接收的光的强度的信号。在一些实施例中，利用光学感测器接收光包括产生上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的信号124S。
于操作540，基于接收的光确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆。在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括使用上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的控制器160确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆。
在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括比较接收的光的强度与阈值。在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括比较接收的光的强度与经验决定的阈值。
在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括比较从接收的光的强度导出的值与阈值。在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括比较从接收的光的强度导出的退火温度值与阈值。
在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括基于接收的光的强度低于阈值来断定第一蒸气阻障已经被涂覆。在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括基于从接收的光的强度导出的值高于阈值来断定第一蒸气阻障已经被涂覆。
在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括基于从接收的光的强度导出的值低于阈值来断定第一蒸气阻障已经被涂覆。在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括基于从接收的光的强度导出的退火温度值低于阈值来断定第一蒸气阻障已经被涂覆。
在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括从储存媒体(诸如下文关于系统600及图6所论述的计算机可读储存媒体604)撷取阈值(例如，一或多个阈值620)。在一些实施例中，确定第一蒸气阻障是否已经被涂覆包括从使用者界面(下文关于系统600及图6所论述的诸如I/O接口610)接收阈值。
于操作550，若确定第一蒸气阻障已经被涂覆，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括利用上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的第二蒸气阻障134置换第一蒸气阻障134。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括利用上文关于图2A及图2B所论述的多阻障板230的第二蒸气阻障234置换第一蒸气阻障234。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括利用上文关于图3A及图3B所论述的多阻障板330的第二蒸气阻障334置换第一蒸气阻障334。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括利用上文关于图4A及图4B所论述的多阻障板430的第二蒸气阻障434置换第一蒸气阻障434。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括移动第一蒸气阻障远离在光学感测器下方的位置，并且同时移动第二蒸气阻障至此位置。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括移动第一蒸气阻障远离在上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的光学感测器124下方的位置，并且同时移动第二蒸气阻障至在光学感测器124之下的位置。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括旋转可旋转板。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括旋转上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的多阻障板130。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括旋转上文关于图2A及图2B所论述的多阻障板230。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括旋转上文关于图3A及图3B所论述的多阻障板330。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括利用步进电动机旋转可旋转板。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括使用上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的致动装置150旋转可旋转板。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括产生信号。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括使用上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的控制器160产生一或多个控制信号160S。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括产生包括第二蒸气阻障相对于第一蒸气阻障的定位信息的信号。在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括从储存媒体(诸如上文关于系统600及图6所论述的储存媒体604)撷取定位信息(例如，定位信息622)。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括从使用者界面(诸如上文关于系统600及图6所论述的I/O接口610)接收定位信息。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括将信号传递至使用者界面(诸如上文关于系统600及图6所论述的I/O接口610)。
在一些实施例中，利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包括从多阻障板移除已涂覆的蒸气阻障并且在多阻障板中利用未涂覆的蒸气阻障置换已涂覆的蒸气阻障。
于操作560，在一些实施例中，利用第二多阻障板置换第一多阻障板。在一些实施例中，利用第二多阻障板置换第一多阻障板包括(针对第一多阻障板的各个蒸气阻障)通过操作540确定第一多阻障板的各个蒸气阻障已经被涂覆。
在一些实施例中，利用第二多阻障板置换第一多阻障板包括利用上文关于蒸气阻障置换系统100以及图1A及图1B所论述的第二多阻障板130置换第一多阻障板130。
在一些实施例中，利用第二多阻障板置换第一多阻障板包括利用上文关于图2A及图2B所论述的第二多阻障板230置换第一多阻障板230。在一些实施例中，利用第二多阻障板置换第一多阻障板包括利用上文关于图3A及图3B所论述的第二多阻障板330置换第一多阻障板330。在一些实施例中，利用第二多阻障板置换第一多阻障板包括利用上文关于图4A及图4B所论述的第二多阻障板430置换第一多阻障板430。
执行方法500的操作能够基于由光学感测器接收的光确定给定的蒸气阻障是否已涂覆，并且基于此确定，致使未涂覆的蒸气阻障回应于传达至使用者的蒸气涂层信息自动或人工地置换已涂覆的蒸气阻障。
与对于被涂覆的蒸气阻障的基于光的确定而不置换已涂覆的蒸气阻障的方法相比，方法500便于防止蒸气阻障涂层大于预定厚度。在方法500与制造制程结合的实施例中，防止蒸气阻障涂层大于预定厚度减少了用作反馈的由光的改变引入的处理误差，由此增加良率。
在方法500与激光退火制程结合的实施例中，防止蒸气阻障涂层大于预定厚度减少了用作控制退火制程的温度的反馈回路的一部分的由光的改变引入的处理误差。在一些实施例中，光强度对应于由光束控制的退火温度，并且防止蒸气阻障涂层大于预定厚度减少了由基于降低光强度而增加的退火温度导致的误差。
在一些实施例中，使用方法500防止蒸气阻障涂层大于预定厚度减少了通过从涂层释放的粒子导致的制造缺陷的数量。
与对于被涂覆的蒸气阻障的基于光的确定而不置换已涂覆的蒸气阻障的方法相比，方法500避免人工地确定涂覆蒸气阻障所需的操作者或技术人员的时间。在方法500利用未涂覆的蒸气阻障自动地置换已涂覆的蒸气阻障的实施例中，与利用未涂覆的蒸气阻障人工地置换已涂覆的蒸气阻障的方法相比，系统停机时间及操作者时间减少。
通过包括使用多阻障板的操作，与基于具有单个蒸气阻障的板的方法相比，方法500减小了板置换的频率。由此，板置换所需的系统停机时间及操作者时间在蒸气阻障置换中减少。
图6是根据一些实施例的用于控制蒸气阻障的置换的系统600的示意图。在一些实施例中，系统600是晶圆处理系统的一部分。在一些实施例中，系统600是LSA系统的一部分。
系统600包括硬体处理器602及利用计算机程序指令606(亦即，一组可执行指令)编码(亦即，储存)的非暂时计算机可读储存媒体604。指令606包括用于决定蒸气阻障涂层并置换已涂覆的蒸气阻障的指令。处理器602经由总线608与计算机可读储存媒体604电气耦接。处理器602亦通过总线608与I/O接口610电气耦接。网络接口612亦经由总线608电气连接至处理器602。网络接口612连接至网络614，使得处理器602及计算机可读储存媒体604能够经由网络614连接至外部元件。处理器602经配置以执行在计算机可读储存媒体604中编码的计算机程序指令606，以致使系统600可用于进行如方法500中所描述的操作的部分或全部。
在一些实施例中，处理器602是中央处理单元(CPU)、多处理器、分散式处理系统、特殊应用集成电路(ASIC)及/或适宜处理单元。
在一些实施例中，计算机可读储存媒体604是用于以非暂时的方式储存指令及/或数据的电子、磁性、光学、电磁、红外、及/或半导体系统(或设备或装置)。例如，计算机可读储存媒体604包括半导体或固态记忆体、磁带、可移除的计算机磁盘、随机存取记忆体(RAM)、只读记忆体(ROM)、刚性磁盘及/或光盘。在使用光盘的一些实施例中，计算机可读储存媒体604包括密闭磁盘-只读记忆体(CD-ROM)、密闭磁盘-读取/写入(CD-R/W)及/或数字影音光盘(DVD)。
在一些实施例中，计算机可读储存媒体604储存经配置以致使系统600进行方法500的部分或全部的计算机程序指令606。在一些实施例中，计算机可读储存媒体604亦储存进行方法500所需的信息以及在进行方法500期间产生的信息(诸如一或多个阈值620、定位信息622、及/或一组可执行指令)以进行方法500的一或多个操作。
I/O接口610与外部电路耦接。在一些实施例中，I/O接口610包括用于将信息及/或指令传递至处理器602的键盘、小键盘、鼠标、轨迹球、轨迹垫、及/或游标方向键。在一些实施例中，I/O接口610包括用于从处理器602通讯信息的显示器、信号光、及/或声频装置。
网络接口612允许系统600与一或多个其他计算机系统连接的网络614通讯。网络接口612包括无线网络接口诸如BLUETOOTH、WIFI、WIMAX、GPRS或WCDMA；或有线网络接口诸如ETHERNET、USB或IEEE-1394。在一些实施例中，方法500在二或多个系统600中实施，并且信息(诸如一或多个阈值620及/或定位信息622)经由网络614在不同系统600之间交换。
系统600经配置以接收关于决定蒸气阻障涂层并置换已涂覆的蒸气阻障的信息。信息经由总线608传送至处理器602并且随后作为一或多个阈值620及/或定位信息622储存在计算机可读储存媒体604中。在一些实施例中，在操作540(图5)中存取一或多个阈值620。在一些实施例中，在操作550(图5)中存取定位信息622。
通过经配置以执行方法500的部分或全部，系统600能够实现上文关于蒸气阻障置换系统100、方法500以及图1A至图5所论述的优点。
在一些实施例中，一种多阻障板包括具有实质上平坦的上表面及实质上平坦的下表面的板以及在板中形成并穿过板从上表面延伸至下表面的多个窗。多个蒸气阻障经安装至板，且多个蒸气阻障的各个蒸气阻障经配置以防止蒸气穿过多个窗的对应窗。在板中形成的孔沿着对应于上表面的轴与多个窗的第一窗对准。
根据本揭露的一实施例，孔是在板中形成的多个孔的一个孔，轴是对应于上表面的多个轴的一个轴，且多个孔的各个孔沿着多个轴的对应轴与多个窗的对应窗对准。
根据本揭露的一实施例，多阻障板具有圆盘的形状，多个窗靠近圆盘的周边分布，且多个轴的各个轴对应于圆盘的半径。
根据本揭露的一实施例，于上表面与下表面之间的位置处将多个蒸气阻障的各个蒸气阻障安装至板。
根据本揭露的一实施例，多个蒸气阻障的各个蒸气阻障包含石英。
在一些实施例中，一种系统包括经配置以支撑物件的平台、经配置以引导光束于物件处的光源、在平台之上定位且经配置以侦测回应于光束从物件发射及/或反射的光的光学感测器以及多阻障板。多阻障板包括具有实质上平坦的上表面及实质上平台的下表面的板、在板中形成并穿过板从上表面延伸至下表面的多个窗、以及安装至此板的多个蒸气阻障，多个蒸气阻障的各个蒸气阻障经配置以防止蒸气穿过多个窗的对应窗。系统亦包括机械地耦接至多阻障板的致动装置及与致动装置通讯地耦接的控制器。控制器经配置以基于侦测到的光确定在沿着光学感测器与平台之间的光学路径的位置中多个蒸气阻障的第一蒸气阻障是否已经被涂覆，并且若确定第一蒸气阻障已经被涂覆，则致使致动装置利用多个蒸气阻障的第二蒸气阻障置换多个蒸气阻障的第一蒸气阻障。
根据本揭露的一实施例，多阻障板已进一步在其中形成多个孔，且系统经配置以使得：当多个蒸气阻障的第一蒸气阻障是在沿着光学路径的位置中时，多个孔的第一孔是在沿着光源与平台之间的光束路径的位置中，因而允许光束穿过第一孔，且当多个蒸气阻障的第二蒸气阻障是在沿着光学路径的位置中时，多个孔的第二孔是在沿着光束路径的位置中。
根据本揭露的一实施例，板是具有周边的可旋转的圆形板，多个窗靠近周边分布，且致动装置经配置以通过致使可旋转的圆形板旋转来利用多个蒸气阻障的第二蒸气阻障置换多个蒸气阻障的第一蒸气阻障。
根据本揭露的一实施例，致动装置包含经配置以回应于控制器旋转可旋转的圆形板的步进电动机。
根据本揭露的一实施例，光学感测器经配置以基于侦测到的光产生信号，且控制器经配置以通过比较信号与阈值确定多个蒸气阻障的第一蒸气阻障是否已经涂覆。
根据本揭露的一实施例，阈值是基于经验涂层数据的预定值。
根据本揭露的一实施例，进一步包含引导件，多阻障板在引导件内是可移动的。
根据本揭露的一实施例，多个蒸气阻障的各个蒸气阻障包含石英。
根据本揭露的一实施例，光源、光学感测器及平台是经配置以对在平台上支撑的物件进行退火制程的激光退火系统的部件。
在一些实施例中，一种置换蒸气阻障的方法包括利用光学感测器接收光(光在已经从物件发射及/或反射之后于沿着光学路径的位置处穿过第一蒸气阻障)、基于接收的光确定第一蒸气阻障是否已经涂覆以及若确定第一蒸气阻障已经涂覆，则利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障。
根据本揭露的一实施例，确定第一蒸气阻障是否已经涂覆包含比较接收的光的强度与阈值。
根据本揭露的一实施例，进一步包含由经验涂层数据决定阈值。
根据本揭露的一实施例，第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包含：移动第一蒸气阻障远离沿着光学路径的位置，并且同时移动第二蒸气阻障至此位置。
根据本揭露的一实施例，第一蒸气阻障及第二蒸气阻障靠近可旋转板的周边定位，且利用第二蒸气阻障置换第一蒸气阻障包含旋转可旋转板。
根据本揭露的一实施例，物件是半导体晶圆且光学感测器提供用于在半导体晶圆上的退火制程的温度反馈。
上文概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭示的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭示作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优点。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭示的精神及范畴，且可在不脱离本揭示的精神及范畴的情况下产生本文的各种改变、替代及变化。

Claims (1)

1.一种多阻障板，其特征在于，包含：
一板，具有一平坦的上表面及一平坦的下表面；
多个窗，形成在该板中并且从该上表面延伸至该下表面而穿过该板；
多个蒸气阻障，安装在该板上，所述多个蒸气阻障的各个蒸气阻障配置以防止一蒸气穿过所述多个窗的一对应窗；以及
一孔，形成在该板中，该孔沿着对应于该上表面的一轴与所述多个窗的一第一窗对准。
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3604624A1 (de) * 1986-02-14 1987-08-20 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Testglaswechsler zur optischen messung von schichteigenschaften in vakuumbeschichtungsanlagen
US4878755A (en) * 1986-03-29 1989-11-07 Leybold Aktiengesellschaft Process and device for measuring the optical properties of thin layers
JP3930929B2 (ja) * 1996-11-28 2007-06-13 オリンパス株式会社 共焦点顕微鏡
US6016185A (en) * 1997-10-23 2000-01-18 Hugle Lithography Lens array photolithography
US7491350B2 (en) * 2004-12-01 2009-02-17 Acufocus, Inc. Method of making an ocular implant
DE102005008889B4 (de) * 2005-02-26 2016-07-07 Leybold Optics Gmbh Optisches Monitoringsystem für Beschichtungsprozesse
KR101410752B1 (ko) * 2007-07-20 2014-06-23 삼성전자 주식회사 광학 검출 장치, 광학 검출 방법, 및 상기 광학 검출장치를 포함하는 미세유동 시스템
CN104251911B (zh) * 2008-02-05 2017-05-31 普凯尔德诊断技术有限公司 用于鉴定生物样品中细菌的系统
CN102089644B (zh) * 2008-07-30 2014-09-10 株式会社日立高新技术 试样分析装置
DE102008056125A1 (de) * 2008-11-06 2010-05-12 Leybold Optics Gmbh Testglaswechselsystem zur selektiven Beschichtung und optischen Messung von Schichteigenschaften in einer Vakuumbeschichtungsanlage
KR20110056168A (ko) * 2009-11-20 2011-05-26 삼성전자주식회사 미세유동장치, 광조사장치 및 이를 포함하는 미세유동시스템과 그 구동방법
KR101635075B1 (ko) * 2010-02-05 2016-06-30 삼성전자 주식회사 흡광도 측정 방법 및 장치
US9588132B2 (en) * 2011-04-08 2017-03-07 Artel, Inc. Validation method for automated analyzers
EP3112847A4 (en) * 2014-02-25 2017-10-04 Konica Minolta, Inc. Measurement method and measurement device
WO2015182747A1 (ja) * 2014-05-29 2015-12-03 コニカミノルタ株式会社 表面プラズモン増強蛍光測定方法、表面プラズモン増強蛍光測定装置および分析チップ

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