CN108986739B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；开关晶体管和驱动晶体管，设置在基底上；第一电极，连接到驱动晶体管；第二电极，设置在第一电极上；像素限定层，设置在第一电极与第二电极之间，其中，像素限定层包括第一部分和具有比第一部分的厚度小的厚度的第二部分，其中，限定在像素限定层中的像素开口被第一部分包围，第二部分与第一电极和第二电极叠置。

Description

显示装置
本申请要求于2017年5月30日提交的第10-2017-0067033号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及显示装置和该显示装置的制造方法，更具体地讲，涉及一种显示装置和一种用于改善元件可靠性的制造方法。
背景技术
有机发光二极管显示器通常包括两个电极和插设在两个电极之间的有机发射层。从两个电极中的一个电极注入的电子和从两个电极中的另一个电极注入的空穴在有机发射层中结合以产生激子。产生的激子从激发态改变为基态，释放能量以发射光。
有机发光二极管显示器包括多个像素，其中，所述多个像素包括作为自发射元件的有机发光二极管，用于驱动有机发光二极管的多个晶体管以及至少一个电容器形成在每个像素中。多个晶体管通常包括开关晶体管和驱动晶体管。
发明内容
在为了提高有机发光二极管显示器的分辨率而增加像素数量的工艺中，开口率会减小，电流密度会增大，并且驱动电压会增大。因此，存在产生斑点以及诸如薄膜晶体管的元件的可靠性降低的问题。
示例性实施例提供了显示装置和用于改善元件可靠性的制造方法。
根据示例性实施例的显示装置包括基底、设置在基底上的开关晶体管和驱动晶体管、连接到驱动晶体管的第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的像素限定层，像素限定层包括第一部分和具有比第一部分的厚度小的厚度的第二部分，其中，在像素限定层中限定的像素开口被第一部分包围，第二部分与第一电极和第二电极叠置。
在示例性实施例中，第一电极和第二电极可以与像素限定层的第一部分、第二部分和像素开口叠置。
在示例性实施例中，第一电极的与像素限定层的第一部分叠置的第一部分和第二电极的第一部分之间的距离可以比第一电极的与像素限定层的第二部分叠置的第二部分和第二电极的第二部分之间的距离大。
在示例性实施例中，第一电极的与像素限定层的像素开口叠置的第三部分和第二电极的第三部分之间的距离可以比第一电极的与像素限定层的第二部分叠置的第二部分和第二电极的第二部分之间的距离小。
在示例性实施例中，像素限定层的第一部分可以设置在像素限定层的像素开口和像素限定层的第二部分之间。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括设置在第一电极和第二电极之间的有机发射层。
在示例性实施例中，有机发射层可以位于像素限定层与第二电极之间。
在示例性实施例中，像素限定层的第二部分可以与有机发射层叠置。
在示例性实施例中，第一电极、第二电极和有机发射层可以与像素限定层的第一部分、第二部分和像素开口叠置。
在示例性实施例中，像素限定层的第二部分可以不与有机发射层叠置。
在示例性实施例中，第一电极和第二电极可以与像素限定层的第一部分、第二部分和像素开口叠置，有机发射层可以与像素限定层的像素开口叠置。
在示例性实施例中，像素限定层的第一部分可以设置在像素限定层的像素开口与像素限定层的第二部分之间，并且可以设置在彼此相邻的多个第二部分之间。
在示例性实施例中，像素限定层的第一部分可以在彼此相邻的所述多个第二部分之间不与有机发射层叠置。
在示例性实施例中，有机发射层可以包括发射第一颜色的第一有机发射层和发射第二颜色的第二有机发射层，第一有机发射层与第二有机发射层可以彼此不叠置。
在示例性实施例中，根据示例性实施例的显示装置包括基底、设置在基底上的第一电极、设置在基底和第一电极上并包括第一部分和具有比第一部分的厚度小的厚度的第二部分的像素限定层、设置在第一电极上的有机发射层以及设置在有机发射层上的第二电极，其中，在像素限定层中限定的像素开口被第一部分包围，第二部分与第一电极和第二电极叠置。
在示例性实施例中，第一电极和第二电极可以与像素限定层的第一部分、第二部分和像素开口叠置。
在示例性实施例中，第一电极的与像素限定层的第一部分叠置的第一部分和第二电极的第一部分之间的距离可以比第一电极的与像素限定层的第二部分叠置的第二部分和第二电极的第二部分之间的距离大。
在示例性实施例中，像素限定层的第一部分可以设置在像素限定层的像素开口和像素限定层的第二部分之间。
在示例性实施例中，像素限定层的第二部分还可以与有机发射层叠置。
根据示例性实施例的显示装置的制造方法包括以下步骤：在基底上形成第一电极；在基底和第一电极上形成有机材料层；对有机材料层进行图案化以形成包括第一部分、第二部分和像素开口的像素限定层；在第一电极上形成有机发射层；以及在有机发射层上形成第二电极，其中，第二部分具有比第一部分的厚度小的厚度，第二部分与第一电极和第二电极叠置。
在示例性实施例中，可以在对有机材料层进行图案化的步骤中使用狭缝掩模和半色调掩模中的至少一种。
在示例性实施例中，像素开口可以由第一部分包围。
在示例性实施例中，第一电极和第二电极可以与像素限定层的第一部分、第二部分和像素开口叠置。
在示例性实施例中，第一电极的与像素限定层的第一部分叠置的第一部分和第二电极的第一部分之间的距离可以比第一电极的与像素限定层的第二部分叠置的第二部分和第二电极的第二部分之间的距离大。
在示例性实施例中，像素限定层的第一部分可以设置在像素限定层的像素开口与像素限定层的第二部分之间。
在示例性实施例中，像素限定层的第二部分还可以与有机发射层叠置。
在示例性实施例中，根据示例性实施例的显示装置及其制造方法可以改善元件的可靠性。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它示例性实施例、优点和特征将变得更加清楚，其中：
图1是显示装置的示例性实施例的平面图；
图2是沿II-II线截取的图1的显示装置的剖视图；
图3和图4是示出显示装置的制造方法的示例性实施例的工艺剖视图；
图5是显示装置的示例性实施例的平面图；
图6是沿VI-VI线截取的图5的显示装置的剖视图；
图7是显示装置的示例性实施例的平面图；
图8是沿VIII-VIII线截取的图7的显示装置的剖视图；
图9和图10是显示装置的示例性实施例的剖视图；
图11是显示装置的示例性实施例的平面图；
图12是沿XII-XII线截取的图11的显示装置的剖视图；
图13是显示装置的一个像素的示例性实施例的等效电路图；
图14是显示装置的红色像素、绿色像素和蓝色像素的晶体管与电容器的示例性实施例的示意性平面图；
图15是图14的一个像素的详细的平面图；
图16是沿XVI-XVI线截取的图15的显示装置的剖视图；
图17是沿XVII-XVII和XVII'-XVII'线截取的图15的显示装置的剖视图；
图18是显示装置的示例性实施例的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改所描述的实施例。
为了清楚地解释本发明，将省略不直接涉及本发明的部分，并且在整个说明书中，相同的附图标记属于相同或相似的组成元件。
此外，为了更好理解和易于描述，附图中所示的每个构造的尺寸和厚度被任意示出，但是本发明不限于此。在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。在附图中，为了更好理解和易于描述，一些层或区域的厚度被夸大。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被作称为“在”另一个元件“上”时，该元件可以直接在所述另一个元件上，或者还可以存在中间的元件。相反地，当元件被称作为“直接在”另一个元件“上”时，则不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……之上”表示位于对象部分上方或下方，而不一定表示位于对象部分的基于重力方向的上侧上。
此外，除非明确描述为相反，否则词语“包括”以及诸如“包含”或“含有”的变形将被理解为意指包括所陈述的元件而不排除任何其它元件。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”表示从顶部观看对象部分，短语“在剖面上”表示从侧面观看垂直切割对象部分的剖面。
将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，可把下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而不意图限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式，包括“至少一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合或全部组合。
此外，可以在这里使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语来描述附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描述的方位之外，相对术语意图包含装置的不同方位。在示例性实施例中，当在一张图中的装置被翻转时，则描述为在其它元件的“下”侧的元件随后将被定向为在该其它元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以根据附图的具体方位而包括“下”和“上”两种方位。相似地，当在一张图中的装置被翻转时，则描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件随后将被定向为在该其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。
考虑到所讨论的测量和与测量特定量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“大约”及其变形包括所述的值，并表示对于本领域普通技术人员所确定的特定值在可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％内。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意义相同的意义。还将理解的是，除非这里明确地如此定义，否则诸如在常用字典中定义的那些术语应该被解释为具有与其在相关领域和本发明的背景下的意义一致的意义，并且将不以理想化或过于形式化的意义进行解释。
这里，参照作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预计出现例如由制造技术和/或公差引起的附图形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为受限于如这里所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状上的偏差。在示例性实施例中，被图示或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以是圆形的。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，这些区域的形状并不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制权利要求的范围。
首先，将参照图1和图2来描述根据示例性实施例的显示装置。
图1是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图2是沿II-II线截取的图1的显示装置的剖视图。
如图1和图2所示，根据示例性实施例的显示装置包括基底110、设置在基底110上的第一电极191和设置在第一电极191上的第二电极270。像素限定层350设置在第一电极191与第二电极270之间。
在示例性实施例中，基底110可以是包括玻璃、石英、陶瓷、塑料等的绝缘基底，或者是包括不锈钢等的金属基底。基底110可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。由于基底110可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，所以显示装置也可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。
缓冲层120可以设置在基底110上。在示例性实施例中，例如，缓冲层120可以设置为氮化硅(SiNx)的单层或为其中堆叠有氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层。缓冲层120用于使表面平坦化，同时防止诸如杂质或湿气的不期望的材料渗透。在另一个示例性实施例中，当需要时可以省略缓冲层120。缓冲层120可以被设置为覆盖基底110的整个上表面。
半导体135设置在缓冲层120上。半导体135可以包括多晶半导体材料或氧化物半导体材料。另外，半导体135包括其中未掺杂有杂质的沟道131以及位于沟道131的相对的侧处并在其中掺杂有杂质的接触掺杂区域132和133。接触掺杂区域132和133包括源区132和漏区133。杂质取决于薄膜晶体管(“TFT”)的种类而变化。
栅极绝缘层140设置在半导体135上。在示例性实施例中，栅极绝缘层140可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料。
栅电极125设置在栅极绝缘层140上。在这种情况下，栅电极125与半导体135的至少一部分叠置，具体地，与沟道131叠置。这里，叠置表示在剖视图中在垂直方向上叠置。
层间绝缘层160设置在栅电极125和栅极绝缘层140上。层间绝缘层160可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
与半导体135的至少一部分叠置的接触孔162和164被限定在栅极绝缘层140和层间绝缘层160中。接触孔162和164分别暴露半导体135的接触掺杂区域132和133。
源电极173和漏电极175设置在层间绝缘层160上。此外，源电极173和漏电极175分别通过接触孔162和164连接到半导体135的源区132和漏区133。
如上所述，半导体135、栅电极125、源电极173和漏电极175构成一个TFT。TFT的结构不限于上述示例，并且可以修改成可以由本领域技术人员容易地实现的各种公开的结构。有机发光二极管显示器可以包括开关晶体管和驱动晶体管，并且上述TFT可以是驱动晶体管。尽管未示出，但是也可以设置开关TFT。
钝化层180设置在TFT和层间绝缘层160上。钝化层180用于去除步骤和平坦化步骤，从而增加将要设置在钝化层180上的有机发光二极管的发光效率。与漏电极175的至少一部分叠置的接触孔182限定在钝化层180中。
在示例性实施例中，例如，钝化层180可以包括下列至少一种：聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(“BCB”)。
第一电极191设置在钝化层180上。在示例性实施例中，第一电极191可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料，或者包括诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反射金属。第一电极191经由限定在钝化层180中的接触孔182电连接到TFT的漏电极175，并成为有机发光二极管的阳极。
尽管未示出，第一电极191可以包括半透明层以及含有透明导电材料的第一透明电极和第二透明电极，半透明层位于第一透明电极和第二透明电极之间以与第二电极270一起形成微腔。即，第一电极191可以设置为包括含有透明导电材料的层和含有反射金属材料的层的多层。
像素限定层350设置在钝化层180和第一电极191上。在示例性实施例中，例如，像素限定层350可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂或者二氧化硅基无机材料。像素限定层350包括第一部分350a和第二部分350b，并且像素开口351限定在像素限定层350中。
像素限定层350的第一部分350a具有预定的厚度并且包围像素开口351。第一部分350a可以设置在像素开口351与第二部分350b之间。在图1中，由虚线表示像素限定层350的第一部分350a与第二部分350b的边界。
像素限定层350的第二部分350b与第一部分350a相邻。像素限定层350的第二部分350b的厚度t2比第一部分350a的厚度t1小。例如，在示例性实施例中，像素限定层350的第一部分350a的厚度t1可为约1.2微米(μm)，像素限定层350的第二部分350b的厚度t2可为约0.3μm。
像素限定层350的像素开口351表示被限定在像素限定层350中的开口区域，并且可以与第一电极191的中心叠置。因此，像素开口351暴露第一电极191的上表面的至少一部分。
有机发射层370设置在第一电极191上。有机发射层370可以包括发射层、空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一种。
有机发射层370可以包括发射红光的红色有机发射层370R、发射绿光的绿色有机发射层370G和发射蓝光的蓝色有机发射层370B。有机发射层370可以以近似菱形的形状制成并且可以被设置为pentile类型。在示例性实施例中，例如，红色有机发射层370R和绿色有机发射层370G可以在对角线方向上交替设置，蓝色有机发射层370B和绿色有机发射层370G可以在对角线方向上交替设置。红色有机发射层370R、绿色有机发射层370G和蓝色有机发射层370B位于彼此不同的像素处，从而通过它们的组合来实现彩色图像。
在可选示例性实施例中，有机发射层370可以具有在相应的像素上分别堆叠有红色有机发射层370R、绿色有机发射层370G和蓝色有机发射层370B的结构。在这种情况下，可以通过针对每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器来实现彩色图像。在另一个示例性实施例中，通过在每个像素处形成用于发射白光的白色有机发射层，并且通过针对每个像素形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，可以实现彩色图像。当通过利用白色有机发射层和彩色滤色器来实现彩色图像时，不需要用于分别在每个对应的像素(即，红色像素、绿色像素和蓝色像素)上沉积红色有机发射层370R、绿色有机发射层370G和蓝色有机发射层370B的沉积掩模。
在另一个示例中描述的白色有机发射层可以设置为单个有机发射层，并且可以设置为堆叠的多个有机发射层以使得可以发射白光。在示例性实施例中，例如，可以包括通过将至少一个黄色有机发射层与至少一个蓝色有机发射层370B组合来发射白光的结构、通过将至少一个青色有机发射层与至少一个红色有机发射层370R组合来发射白光的结构以及通过将至少一个品红色有机发射层与至少一个绿色有机发射层370G组合来发射白光的结构。
第二电极270设置在有机发射层370和像素限定层350上。在示例性实施例中，第二电极270可以包括诸如ITO、IZO、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料，或诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反射金属。例如，第二电极270用作有机发光二极管的阴极。
第一电极191包括与像素限定层350的第一部分350a叠置的第一部分191a、与像素限定层350的第二部分350b叠置的第二部分191b以及与像素限定层350的像素开口351叠置的第三部分191c。在这种情况下，叠置表示在剖视图中在垂直方向上叠置。
第二电极270包括与像素限定层350的第一部分350a叠置的第一部分270a、与像素限定层350的第二部分350b叠置的第二部分270b以及与像素限定层350的像素开口351叠置的第三部分270c。
因此，第一电极191和第二电极270与像素限定层350的第一部分350a、第二部分350b和像素开口351叠置。
设置在像素开口351中的第一电极191的第三部分191c和第二电极270的第三部分270c与有机发射层370接触。第一电极191的第三部分191c可以与有机发射层370的下表面接触，第二电极270的第三部分270c可以与有机发射层370的上表面接触。第一电极191的第三部分191c和第二电极270的第三部分270c与有机发射层370一起形成有机发光二极管OLED。设置在像素开口351中的有机发光二极管OLED在TFT处于导通状态时发射光，像素开口351限定发射区域。
像素限定层350的第一部分350a设置在第一电极191的第一部分191a和第二电极270的第一部分270a之间。有机发射层370还可以设置在第二电极270的第一部分270a和像素限定层350的第一部分350a之间。
像素限定层350的第二部分350b设置在第一电极191的第二部分191b和第二电极270的第二部分270b之间。有机发射层370还可以设置在第二电极270的第二部分270b和像素限定层350的第二部分350b之间。即，像素限定层350的第二部分350b与有机发射层370叠置。
由于像素限定层350的第二部分350b的厚度t2比像素限定层350的第一部分350a的厚度t1小，所以第一电极191的第二部分191b和第二电极270的第二部分270b之间的距离比第一电极191的第一部分191a和第二电极270的第一部分270a之间的距离小。即，第一电极191的第一部分191a和第二电极270的第一部分270a之间的距离比第一电极191的第二部分191b和第二电极270的第二部分270b之间的距离大。
通常，像素限定层350的厚度可以制作成基本上恒定。在像素限定层350的与第一电极191叠置的部分和像素限定层350的不与第一电极191叠置的部分之间可以产生预定的厚度差。在示例性实施例中，例如，可以产生第一电极191的厚度上的差异。在所示的示例性实施例中，像素限定层350的第一部分350a的厚度与第二部分350b的厚度之间的差可以比第一电极191的厚度大。
此外，第一电极191基本上不与像素限定层350叠置。第一电极191的大部分设置在像素开口351中，第一电极191的仅边缘区域的一部分与像素限定层350叠置。在所示的示例性实施例中，第一电极191设置在像素开口351中并且除了像素开口351之外还与像素限定层350的大部分叠置。第一电极191和像素限定层350的与像素开口351相邻的第一部分350a叠置并且还与像素限定层350的第二部分350b叠置。
由于具有比像素限定层350的第一部分350a的厚度t1小的厚度的像素限定层350的第二部分350b与第一电极191和第二电极270叠置，所以电流密度可以降低，并且通过额外获得电容，驱动电压可以降低，从而提高元件的可靠性。即，在所示的示例性实施例中，第一电极191的设置在像素限定层350下面的面积增大，像素限定层350的设置在第一电极191和第二电极270之间的厚度减小，从而另外获得电容。
优选的是像素限定层350的第一部分350a的厚度t1比预定厚度大。当第一部分350a的厚度减小到第二部分350b的厚度水平时，电容可以进一步增大，但是多个像素之间的边界变得不清楚。在示例性实施例中，例如，当第一部分350a小于预定厚度时，绿色有机发射层370G或蓝色有机发射层370B会渗入设置有红色有机发射层370R的像素开口351中。因此，当设置在像素开口351与第二部分350b之间的第一部分350a的厚度t1比第二部分350b的厚度t2大时，可以防止相邻像素之间的颜色混合。
第一电极191的第三部分191c与第二电极270的第三部分270c之间的距离比第一电极191的第一部分191a与第二电极270的第一部分270a之间的距离小。此外，第一电极191的第三部分191c与第二电极270的第三部分270c之间的距离比第一电极191的第二部分191b与第二电极270的第二部分270b之间的距离小。
第一电极191的第一部分191a和第二电极270的与像素限定层350的第一部分350a叠置的第一部分270a不与有机发射层370接触。第一电极191的第二部分191b和第二电极270的与像素限定层350的第二部分350b叠置的第二部分270b不与有机发射层370接触。因此，与像素限定层350的第一部分350a和第二部分350b叠置的部分不发射光。
接下来，将参照图3和图4来描述根据所示的示例性实施例的显示装置的制造方法。
具体地，将描述形成根据所示的示例性实施例的显示装置的像素限定层的方法。
图3和图4是示出根据示例性实施例的显示装置的制造方法的工艺剖视图。
如图3中所示，在基底110上按顺序设置半导体135、栅电极125、源电极173和漏电极175以形成TFT。在TFT上设置钝化层180，并且对钝化层180进行图案化以限定使漏电极175的至少一部分暴露的接触孔182。在钝化层180上设置与漏电极175连接的第一电极191。
在钝化层180和第一电极191上设置有机材料层500。掩模600在有机材料层500上对准，并执行曝光工艺。在这种情况下，掩模600可以是狭缝掩模或半色调掩模。掩模600包括阻挡大部分光的非透射区域NR、阻挡一些光并允许剩余光透射通过的半透射区域HR和允许大部分光透射通过的透射区域TR。当掩模600是狭缝掩模时，半透射区域HR可以被设置为具有狭缝形状。
有机材料层500的与掩模600的非透射区域NR对应的部分基本上不暴露于光，有机材料层500的与掩模600的半透射区域HR对应的部分暴露于一些光，有机材料层500的与掩模600的透射区域TR对应的部分暴露于大部分光。
如图4中所示，对有机材料层500进行图案化以形成包括具有不同厚度的第一部分350a和第二部分350b的像素限定层350。第一电极191被去除了有机材料层500的部分暴露，并且所述去除了有机材料层500的部分限定了像素限定层350的像素开口351。
接下来，在第一电极191上按顺序设置有机发射层370和第二电极270以完成根据图2中所示的示例性实施例的显示装置。
接下来，将参照图5和图6描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图5和图6中所示的示例性实施例的显示装置与根据图1和图2中所示的示例性实施例的显示装置基本上相同，从而省略其描述。在所示的示例性实施例中，第一电极和有机发射层在平面图中的平面形状不同于前面的示例性实施例，将对此进行详细描述。
图5是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图6是沿VI-VI线截取的图5的显示装置的剖视图。
与前面的示例性实施例一样，根据示例性实施例的显示装置包括第一电极191、设置在第一电极191上的第二电极270以及设置在第一电极191与第二电极270之间的像素限定层350。
在前面的示例性实施例中，第一电极191在平面图中被制成具有十条或更多条边的多边形，但是第一电极191可以具有与所示的示例性实施例中的矩形类似的形状。即，在所示的示例性实施例中，第一电极191的形状比在前面的示例性实施例中的第一电极191的形状简单，其尺寸进一步增大。
在前面的示例性实施例中，有机发射层370在平面图中被设置为菱形形状，但是在所示的示例性实施例中，有机发射层370在平面图中被设置为矩形形状。
第一电极191和有机发射层370的形状不限于此，并且可以进行各种改变。在示例性实施例中，例如，第一电极191和有机发射层370可以设置为具有多条边的多边形，并且一些边可以由曲线来替代。
在根据示例性实施例的显示装置中，像素设置为pentile型，其中，要求红色像素和蓝色像素的电容，但是在绿色像素中可以不要求额外的电容。因此，在红色像素和蓝色像素中要求第一电极191的面积扩大，并且在绿色像素中像一般结构那样，第一电极191可以除了像素开口351之外与像素限定层350叠置。此外，可以在红色像素和蓝色像素中要求像素限定层的部分区域的厚度减小，并且可以在绿色像素中将像素限定层的厚度设置为恒定。
接下来，将参照图7和图8描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图7和8所示的示例性实施例的显示装置与根据图1和2所示的示例性实施例的显示装置基本上相同，从而省略其描述。在所示的示例性实施例中，有机发射层不与像素限定层的第一部分和第二部分叠置的点不同于前面的示例性实施例，将对此进行详细描述。
图7是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图8是沿VIII-VIII线截取的图7的显示装置的剖视图。
如图7和图8所示，根据示例性实施例的显示装置包括基底110、设置在基底110上的第一电极191和设置在第一电极191上的第二电极270。像素限定层350设置在第一电极191与第二电极270之间。
在前面的示例性实施例中，有机发射层370与像素限定层350的第一部分350a、第二部分350b和像素开口351叠置，但是有机发射层370在所示的示例性实施中与像素限定层350的像素开口351叠置。在所示的示例性实施中，有机发射层370不与像素限定层350的第一部分350a和第二部分350b叠置。即，有机发射层370仅设置在像素限定层350的像素开口351中。
即使当有机发射层370不与像素限定层350的第二部分350b叠置时，也在第一电极191的第二部分191b和第二电极270的第二部分270b之间产生电容。因此，在所示的示例性实施例中，由于第一电极191和第二电极270经由像素限定层350的第二部分350b叠置，所以可以额外地确保电容，从而提高元件的可靠性。
接下来，将参照图9和图10描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图9和图10所示的示例性实施例的显示装置与根据图1和图2所示的示例性实施例的显示装置基本上相同，从而省略其描述。在所示的示例性实施例中，改变像素限定层的厚度的点不同于前面的示例性实施例，将对此进行详细描述。
图9和图10是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
如图9中所示，根据所示的示例性实施例的显示装置的像素限定层350的第二部分350b的厚度可以比根据图1和图2中所示的示例性实施例的显示装置的像素限定层350的第二部分350b的厚度小。
如图10中所示，根据所示的示例性实施例的显示装置的像素限定层350的第二部分350b的厚度可以比根据图1和图2中所示的示例性实施例的显示装置的像素限定层350的第二部分350b的厚度大。
以这种方式，可以在预定的范围内改变像素限定层350的第二部分350b的厚度。当像素限定层350的第二部分350b非常薄时，第一电极191和有机发射层370会接触，或者第一电极191和第二电极270会短路。因此，优选的是像素限定层350的第二部分350b包括预定的厚度或更大的厚度。当像素限定层350的第二部分350b非常厚时，在第一电极191和第二电极270之间几乎不会提供电容。因此，优选的是像素限定层350的第二部分350b包括预定的厚度或更小的厚度。
当像素限定层350的第二部分350b变得比较薄的时候，可以进一步确保电容。此外，当第一电极191的与像素限定层350的第二部分350b叠置的第二部分191b的面积被扩大时，可以进一步确保电容。
接下来，将参照图11和图12描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图11和12所示的示例性实施例的显示装置与根据图1和2所示的示例性实施例的显示装置基本上相同，从而省略其描述。在所示的示例性实施例中，在彼此相邻的多个第二部分350b之间还设置像素限定层350的第一部分350a的点不同于前面的示例性实施例，将对此进行详细描述。
图11是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图12是沿XII-XII线截取的图11的显示装置的剖视图。
在前面的示例性实施例中，像素限定层350的第一部分350a设置在像素开口351与第二部分350b之间，但是在所示的示例性实施例中，像素限定层350的第一部分350a设置在像素开口351与第二部分350b之间和彼此相邻的多个第二部分350b之间。
有机发射层370可以与像素限定层350的第二部分350b叠置。尽管彼此相邻的有机发射层370被设计为不彼此叠置，但是彼此相邻的有机发射层370会在工艺中彼此叠置。在示例性实施例中，红色有机发射层370R和蓝色有机发射层370B会彼此叠置，例如，当叠置部分设置在像素开口351中时，会产生颜色混合现象。在所示的示例性实施例中，由于在彼此相邻的多个第二部分350b之间还设置了第一部分350a，所以相邻的有机发射层370可以设置为彼此不叠置，从而防止颜色混合现象。
接下来，将参照图13和图17描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图13至图17所示的示例性实施例的显示装置与根据图1和2所示的示例性实施例的显示装置基本上相同，从而省略其描述。在所示的示例性实施例中，一个像素中包括七个晶体管的点不同于前面的示例性实施例，将对此进行详细描述。然而，包括在一个像素中的晶体管和电容器的数量可以被各种改变，并且晶体管和电容器的布置形状可以被各种改变。
图13是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图，图14是根据示例性实施例的显示装置的红色像素、绿色像素和蓝色像素的晶体管和电容器的示意性平面图，图15是图14的一个像素的详细平面图。图16是沿XVI-XVI线截取的图15的显示装置的剖视图，图17是沿XVII-XVII和XVII'-XVII'线截取的图15的显示装置的剖视图。
如图13中所示，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括多条信号线151、152、153、158、171、172和192以及连接到多条信号线并布置为基本上矩阵类型的多个像素PX。
每个像素PX包括分别与多条信号线151、152、153、158、171、172和192连接的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7，存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
信号线151、152、153、158、171、172和192包括传输扫描信号Sn的扫描线151、将前一个扫描信号S(n-1)传输到初始化晶体管T4的前一条扫描线152、将发光控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6的发光控制线153、将旁路信号BP传输到旁路晶体管T7的旁路控制线158、与扫描线151交叉并传输数据信号Dm的数据线171、传输驱动电压ELVDD并设置为基本上与数据线171平行的驱动电压线172以及传输使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint的初始化电压线192。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一端Cst1，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5与驱动电压线172连接，驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6来与有机发光二极管OLED的阳极电连接。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，以将驱动电流Id供应到有机发光二极管OLED。可以通过从驱动电流Id中减去流入到旁路晶体管T7的源电极S7中的旁路电流Ibp来导出流入到有机发光二极管OLED中的OLED电流Ioled。
开关晶体管T2的栅电极G2与扫描线151连接，开关晶体管T2的源电极S2与数据线171连接，开关晶体管T2的漏电极D2与驱动晶体管T1的源电极S1连接并经由操作控制晶体管T5来与驱动电压线172连接。开关晶体管T2根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，以执行将传送至数据线171的数据信号Dm传送至驱动晶体管T1的源电极S1的开关操作。
补偿晶体管T3的栅电极G3直接与扫描线151连接，补偿晶体管T3的源电极S3连接到驱动晶体管T1的漏电极D1并经由发光控制晶体管T6来与有机发光二极管OLED的阳极电连接，补偿晶体管T3的漏电极D3与驱动晶体管T1的栅电极G1一起与存储电容器Cst的一端Cst1和初始化晶体管T4的漏电极D4连接。补偿晶体管T3根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn而导通以使驱动晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1连接，从而使驱动晶体管T1二极管连接。
初始化晶体管T4的栅电极G4与前一条扫描线152连接，初始化晶体管T4的源电极S4与初始化电压线192连接，初始化晶体管T4的漏电极D4与存储电容器Cst的一端Cst1、补偿晶体管T3的漏电极D3以及驱动晶体管T1的栅电极G1连接。初始化晶体管T4根据通过前一条扫描线152接收的前一个扫描信号S(n-1)而导通，以将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的栅电极G1，然后执行对驱动晶体管T1的栅电极G1的电压进行初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5与发光控制线153连接，操作控制晶体管T5的源电极S5与驱动电压线172连接，操作控制晶体管T5的漏电极D5与驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2连接。
发光控制晶体管T6的栅电极G6与发光控制线153连接，发光控制晶体管T6的源电极S6与驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3连接，发光控制晶体管T6的漏电极D6与有机发光二极管OLED的阳极电连接。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据传输到发光控制线153的发光控制信号EM而同时导通，使得驱动电压ELVDD通过二极管连接的驱动晶体管T1被补偿并且被传输至有机发光二极管OLED。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线158，旁路晶体管T7的源电极S7一起连接到发光控制晶体管T6的漏电极D6和有机发光二极管OLED的阳极，旁路晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压线192和初始化晶体管T4的源电极S4。在这种情况下，前一条扫描线152连接到在前一个像素(未示出)中传输扫描信号Sn的扫描线151，旁路控制线158与前一条扫描线152对应，从而旁路信号BP与前一个扫描信号S(n-1)相同。
存储电容器Cst的另一端Cst2与驱动电压线172连接，有机发光二极管OLED的阴极与传输共电压ELVSS的共电压线741连接。
如图14和图15中所示，根据示例性实施例的显示装置包括栅极金属线151、152、153、158，其中，栅极金属线151、152、153、158包括分别施加扫描信号Sn、前一个扫描信号S(n-1)、发光控制信号EM以及旁路信号BP并且设置在行方向上的扫描线151、前一条扫描线152、发光控制线153以及旁路控制线158。在示例性实施例中，旁路控制线158与前一条扫描线152基本上相同。
此外，数据金属线171和172包括数据线171和驱动电压线172，数据线171和驱动电压线172与扫描线151、前一条扫描线152、发光控制线153和旁路控制线158交叉并且分别将数据信号Dm和驱动电压ELVDD施加到像素PX。初始化电压Vint通过初始化晶体管T4从初始化电压线192传输到补偿晶体管T3。初始化电压线192设置为交替地具有直线部分192a和倾斜部分192b。直线部分192a设置为与扫描线151平行，倾斜部分192b与直线部分192a成预定角度地延伸。
此外，以驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED来提供像素PX。在图13和图14中所示的像素PX可以与形成pentile矩阵结构的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B对应。
有机发光二极管OLED包括第一电极191、有机发射层370和第二电极270。在这种情况下，补偿晶体管T3和初始化晶体管T4可以设置为具有双栅结构的晶体管以切断漏电流。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7中的每个沟道设置在一个连接的半导体130的内部，该半导体130可以以各种形状弯曲。在示例性实施例中，例如，半导体130可以包括多晶硅或氧化物半导体。
半导体130包括掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道以及源极掺杂区域和漏极掺杂区域，源极掺杂区域和漏极掺杂区域设置在沟道的各侧并且掺杂有与沟道上掺杂的掺杂杂质类型相反的掺杂杂质。在示例性实施例中，源极掺杂区域和漏极掺杂区域分别与源电极和漏电极对应。设置在半导体130中的源电极和漏电极可以通过仅对相应的区域进行掺杂来设置。此外，在半导体130中，对不同晶体管的源电极与漏电极之间的区域进行掺杂，因此源电极和漏电极可以彼此电连接。
如图15中所示的，沟道131包括：设置在驱动晶体管T1中的驱动沟道131a、设置在开关晶体管T2中的开关沟道131b、设置在补偿晶体管T3中的补偿沟道131c、设置在初始化晶体管T4中的初始化沟道131d、设置在操作控制晶体管T5中的操作控制沟道131e、设置在发光控制晶体管T6中的发光控制沟道131f和设置在旁路晶体管T7中的旁路沟道131g。
驱动晶体管T1包括驱动沟道131a、驱动栅电极155a、驱动源电极136a和驱动漏电极137a。驱动沟道131a可以是弯曲的，并且可以具有曲折的形状或之字形的形状。因此，通过形成弯曲的驱动沟道131a，可以把驱动沟道131a设置为在狭窄的空间中延长。因此，驱动栅电极155a与驱动源电极136a之间的驱动栅极-源极电压的驱动范围通过延长的驱动沟道131a而增大。由于栅极电压的驱动范围增大，所以可以通过改变栅极电压的大小来精细地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰阶，结果可以提高有机发光二极管显示装置的分辨率并且可以提高显示质量。可以通过对驱动沟道131a的形状进行各种修改来实现诸如“反向S”、“S”、“M”和“W”的各种示例。
驱动栅电极155a与驱动沟道131a叠置，驱动源电极136a和驱动漏电极137a设置在驱动沟道131a的各侧处以靠近驱动沟道131a的各侧。驱动栅电极155a通过驱动接触孔61连接到驱动连接构件174。驱动栅电极155a与栅极金属线对应，驱动连接构件174与数据金属线对应。
开关晶体管T2包括开关沟道131b、开关栅电极155b、开关源电极136b和开关漏电极137b。作为从扫描线151向下延伸的部分的一部分的开关栅电极155b与开关沟道131b叠置，开关源电极136b和开关漏电极137b设置在开关沟道131b的各侧，同时与开关沟道131b的各侧彼此相邻。开关源电极136b通过开关接触孔62连接到数据线171。
补偿晶体管T3包括补偿沟道131c、补偿栅电极155c、补偿源电极136c和补偿漏电极137c。作为扫描线151的一部分的补偿栅电极155c被设置为两个以防止漏电流，并且与补偿沟道131c叠置。补偿源电极136c和补偿漏电极137c被设置为与补偿沟道131c的各侧相邻。补偿漏电极137c通过补偿接触孔63连接到驱动连接构件174。
初始化晶体管T4包括初始化沟道131d、初始化栅电极155d、初始化源电极136d和初始化漏电极137d。作为前一条扫描线152的一部分的初始化栅电极155d设置为两个以防止漏电流，并且与初始化沟道131d叠置。初始化源电极136d和初始化漏电极137d被设置为与初始化沟道131d的各侧相邻。初始化源电极136d通过初始化接触孔64连接到初始化连接构件177。
操作控制晶体管T5包括操作控制沟道131e、操作控制栅电极155e、操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e。作为发光控制线153的一部分的操作控制栅电极155e与操作控制沟道131e叠置，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e被设置为与操作控制沟道131e的各侧相邻。操作控制源电极136e通过操作控制接触孔65连接到驱动电压线172的一部分。
发光控制晶体管T6包括发光控制沟道131f、发光控制栅电极155f、发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f。作为发光控制线153的一部分的发光控制栅电极155f与发光控制沟道131f叠置，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f被设置为与发光控制沟道131f的各侧相邻。发光控制漏电极137f通过发光控制接触孔66连接到像素连接构件179。
旁路晶体管T7包括旁路沟道131g、旁路栅电极155g、旁路源电极136g和旁路漏电极137g。作为旁路控制线158的一部分的旁路栅电极155g与旁路沟道131g叠置，旁路源电极136g和旁路漏电极137g被设置为与旁路沟道131g的各侧相邻。
旁路源电极136g直接连接到发光控制漏电极137f，旁路漏电极137g直接连接到初始化源电极136d。
驱动晶体管T1的驱动沟道131a的一端连接到开关漏电极137b和操作控制漏电极137e，驱动沟道131a的另一端连接到补偿源电极136c和发光控制源电极136f。
存储电容器Cst包括第一存储电极155a和第二存储电极156，第一存储电极155a和第二存储电极156之间插设有第二栅极绝缘层142。第一存储电极155a与驱动栅电极155a对应，作为从存储线157延伸的部分的第二存储电极156具有比驱动栅电极155a更宽的面积并覆盖整个驱动栅电极155a。
这里，第二栅极绝缘层142包括介电材料，通过存储电容器Cst中充电的电荷和电极155a和156二者之间的电压来确定存储容量。因此，驱动栅电极155a被用作第一存储电极155a，从而在由于驱动沟道131a占据了像素内的大面积而变窄的空间中，可以确保可提供存储容量的空间。
作为驱动栅电极155a的第一存储电极155a通过驱动接触孔61和存储开口51连接到驱动连接构件174的一端。存储开口51是设置在第二存储电极156中的开口。因此，用于使驱动连接构件174的一端与驱动栅电极155a连接的驱动接触孔61设置在存储开口51的内部。驱动连接构件174与数据线171设置在同一层以与数据线171基本上平行，驱动连接构件174的另一端通过补偿接触孔63连接到补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d。因此，驱动连接构件174可以将驱动栅电极155a与补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d彼此连接。
第二存储电极156通过接触孔69连接到驱动电压线172。
因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第二存储电极156的驱动电压ELVDD与驱动栅电极155a的栅极电压Vg之间的差对应的存储电容。
像素连接构件179通过接触孔81连接到第一电极191，初始化连接构件177通过接触孔82连接到初始化电压线192。
在下文中，将参考图16和图17根据堆叠顺序来详细描述根据示例性实施例的显示装置的剖视结构。
在这种情况下，由于操作控制晶体管T5的堆叠结构与发光控制晶体管T6的堆叠结构基本上相同，所以将省略其的详细描述。
缓冲层120可以设置在绝缘基底110上。
半导体130设置在缓冲层120上，半导体130包括沟道131，沟道131包括驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d、操作控制沟道131e、发光控制沟道131f和旁路沟道131g。驱动源电极136a和驱动漏电极137a设置在半导体130中的驱动沟道131a的各侧上，开关源电极136b和开关漏电极137b设置在开关沟道131b的各侧上。补偿源电极136c和补偿漏电极137c设置在补偿沟道131c的两侧处，初始化源电极136d和初始化漏电极137d设置在初始化沟道131d的两侧处。操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e设置在操作控制沟道131e的两侧处，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f设置在发光控制沟道131f的两侧处。旁路源电极136g和旁路漏电极137g设置在旁路沟道131g的各侧处。
覆盖半导体130的第一栅极绝缘层141设置在半导体130上。在第一栅极绝缘层141上，设有第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)，所述第一栅极金属线包括：包括开关栅电极155b和补偿栅电极155c的扫描线151、包括初始化栅电极155d的前一条扫描线152、包括操作控制栅电极155e和发光控制栅电极155f的发光控制线153、包括旁路栅电极155g的旁路控制线158以及驱动栅电极(第一存储电极)155a。
覆盖第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)和第一栅极绝缘层141的第二栅极绝缘层142设置在第一栅极绝缘层141和所述第一栅极金属线上。在示例性实施例中，例如，第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
在第二栅极绝缘层142上，设置有第二栅极金属线(157和156)，所述第二栅极金属线包括与扫描线151平行的存储线157以及作为存储线157的扩展的存储电极156。
第二存储电极156比用作驱动栅电极的第一存储电极155a更宽，使得第二存储电极156完全覆盖驱动栅电极155a。
包括所述第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)和所述第二栅极金属线(156和157)的栅极金属线151、152、153、158、155a、156和157可以设置为多层，在所述多层中堆叠有金属层，所述金属层包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的至少一种。
层间绝缘层160设置在第二栅极绝缘层142及第二栅极金属线157和156上。层间绝缘层160可以包括例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
接触孔61、62、63、64、65、66和69限定在层间绝缘层160中。在层间绝缘层160上，设有数据金属线(171、172、174、177和179)，所述数据金属线包括数据线171、驱动电压线172、驱动连接构件174、初始化连接构件177和像素连接构件179。数据金属线(171、172、174、177和179)可以设置为多层，在所述多层中堆叠有金属层，所述金属层包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的至少一种，例如，所述数据金属线可以设置为钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的三层、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的三层或钼/铜/钼(Mo/Cu/Mo)的三层。
数据线171通过限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开关接触孔62连接到开关源电极136b，驱动连接构件174的一端通过限定在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的驱动接触孔61连接到第一存储电极155a，驱动连接构件174的另一端通过限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的补偿接触孔63连接到补偿漏电极137c和初始化漏电极137d。
与数据线171平行的初始化连接构件177通过限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的初始化接触孔64而被连接到初始化源电极136d。此外，像素连接构件179通过限定在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的发光控制接触孔66而被连接到发光控制漏电极137f。
覆盖数据金属线(171、172、174、177和179)以及层间绝缘层160的钝化层180设置在所述数据金属线和层间绝缘层160上。钝化层180覆盖数据金属线(171、172、174、177和179)以使其平坦化，使得第一电极191可以设置在钝化层180上而没有台阶。在示例性实施例中，钝化层180可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂等的有机材料的堆叠层或者有机材料与无机材料的堆叠层。
第一电极191和初始化电压线192设置钝化层180上。像素连接构件179通过设置在钝化层180中的接触孔81连接到第一电极191，初始化连接构件177通过设置在钝化层180中的接触孔82连接到初始化电压线192。
像素限定层(“PDL”)350设置在钝化层180、初始化电压线192和第一电极191上，并且覆盖钝化层180、初始化电压线192和第一电极191。像素限定层350包括第一部分350a和第二部分350b，并且像素开口351限定在像素限定层350中。像素限定层350的第二部分350b具有比第一部分350a的厚度小的厚度。
有机发射层370设置在第一电极191上，第二电极270设置在有机发射层370上。第二电极270也设置在位于多个像素PX之上的像素限定层350上。如此，设置成了包括第一电极191、有机发射层370和第二电极270的有机发光二极管OLED。
第一电极191包括与像素限定层350的第一部分350a叠置的第一部分191a、与像素限定层350的第二部分350b叠置的第二部分191b以及与像素限定层350的像素开口351叠置的第三部分191c。这里，叠置表示在剖视图中在垂直方向上叠置。
第二电极270包括与像素限定层350的第一部分350a叠置的第一部分270a、与像素限定层350的第二部分350b叠置的第二部分270b以及与像素限定层350的像素开口351叠置的第三部分270c。
因此，第一电极191和第二电极270与像素限定层350的第一部分350a、第二部分350b和像素开口351叠置。
设置在像素开口351中的第一电极191的第三部分191c和第二电极270的第三部分270c与有机发射层370接触。像素开口351限定发光区域。
示出有机发射层370与像素限定层350的第二部分350b叠置，但是如上所述，有机发射层370可以不与像素限定层350的第二部分350b叠置。
在所示的示例性实施例中，当像素限定层350的部分区域的厚度减小并且第一电极191和第二电极270在相应的区域中叠置时，可以额外地确保电容。
保护有机发光二极管OLED的封装构件(未示出)可以设置在第二电极270上，所述封装构件可以通过密封剂而密封于基底110并且可以包括诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金属的各种材料。可以通过使用密封剂来沉积无机层和有机层而在第二电极270上设置薄膜封装层。
将参照图18描述根据示例性实施例的显示装置。
根据图18中所示的示例性实施例的显示装置与根据图13至图17中所示的示例性实施例的显示装置基本上相同，从而省略其描述。在所示的示例性实施例中，第一电极的平面形状不同于前面的示例性实施例，将对此进行详细描述。
图18是根据示例性实施例的显示装置的平面图。
与前面的示例性实施例一样，根据示出的示例性实施例的显示装置包括七个晶体管、第一电极191、有机发射层370和第二电极。
第一电极191和有机发射层370的平面形状与前面的示例性实施例有所不同，第一电极191和有机发射层370的平面形状可以如上所述被设计为各种变化。此外，示出有机发射层370和第一电极191完全叠置，但本发明不限于此，有机发射层370和第一电极191可以在部分区域叠置。此外，有机发射层370可以仅设置在像素开口351中。与前面的示例性实施例一样，由于像素限定层350的第二部分350b比第一部分350a薄并且第二部分350b与第一电极191和第二电极270叠置，所以可以额外地确保电容，从而提高了元件的可靠性。
多个像素R、G和B可以设置为pentile型，红色像素R的第一电极191可以比设置在绿色像素G中的第一电极191大。此外，设置在蓝色像素B中的第一电极191可以比设置在绿色像素G中的第一电极191大。设置在红色像素R中的第一电极191和设置在蓝色像素B中的第一电极191可以是对称的。
虽然已经结合目前被认为是实际的示例性实施例描述了本发明，但应该理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在所附的权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
开关晶体管和驱动晶体管，设置在所述基底上；
第一电极，连接到所述驱动晶体管；
第二电极，设置在所述第一电极上；以及
像素限定层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括第一部分、第二部分和像素开口，所述第二部分比所述第一部分薄，
其中，所述第一部分包围并限定所述像素开口，
其中，在俯视平面图中，所述第一部分和所述第二部分两者相对于所述基底的厚度方向与所述第一电极和所述第二电极叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电极和所述第二电极与所述像素限定层的所述第一部分、所述第二部分和所述像素开口叠置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一电极的与所述像素限定层的所述第一部分叠置的第一部分和所述第二电极的与所述像素限定层的所述第一部分叠置的第一部分之间的距离比所述第一电极的与所述像素限定层的所述第二部分叠置的第二部分和所述第二电极的与所述像素限定层的所述第二部分叠置的第二部分之间的距离大。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第一电极的与所述像素限定层的所述像素开口叠置的第三部分和所述第二电极的与所述像素限定层的所述像素开口叠置的第三部分之间的距离比所述第一电极的与所述像素限定层的所述第二部分叠置的所述第二部分和所述第二电极的与所述像素限定层的所述第二部分叠置的所述第二部分之间的所述距离小。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第一部分设置在所述像素开口与所述第二部分之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
有机发射层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述有机发射层设置在所述像素限定层与所述第二电极之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第二部分与所述有机发射层叠置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第一电极、所述第二电极以及所述有机发射层与所述像素限定层的所述第一部分、所述第二部分以及所述像素开口叠置。
10.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第二部分不与所述有机发射层叠置。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中：
所述第一电极和所述第二电极与所述像素限定层的所述第一部分、所述第二部分和所述像素开口叠置；并且
所述有机发射层与所述像素限定层的所述像素开口叠置。
12.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第一部分位于所述像素开口与所述第二部分之间，并且位于彼此相邻的多个第二部分之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第一部分在彼此相邻的所述多个第二部分之间不与所述有机发射层叠置。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述有机发射层包括发射第一颜色的第一有机发射层和发射第二颜色的第二有机发射层，并且所述第一有机发射层和所述第二有机发射层彼此不叠置。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一电极，位于所述基底上；
像素限定层，位于所述基底与所述第一电极上，并且包括第一部分、比所述第一部分薄的第二部分以及像素开口；
有机发射层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述有机发射层上，
其中，所述第一部分包围并限定所述像素开口，
其中，在俯视平面图中，所述第一部分和所述第二部分两者相对于所述基底的厚度方向与所述第一电极和所述第二电极叠置。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述第一电极和所述第二电极与所述像素限定层的所述第一部分、所述第二部分和所述像素开口叠置。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述第一电极的与所述像素限定层的所述第一部分叠置的第一部分与所述第二电极的与所述像素限定层的所述第一部分叠置的第一部分之间的距离比所述第一电极的与所述像素限定层的所述第二部分叠置的第二部分与所述第二电极的与所述像素限定层的所述第二部分叠置的第二部分之间的距离大。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第一部分位于所述像素开口与所述第二部分之间。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述像素限定层的所述第二部分还与所述有机发射层叠置。
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