CN108977173A - 用于抛光钼的组合物和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于抛光钼的组合物和方法，具体地说，本发明提供用于抛光含钼金属的表面的组合物和方法。本文中描述的抛光组合物(浆料)包含悬浮于包含水溶性表面活性物质和氧化剂的酸性含水介质中的无机粒状研磨剂材料(例如，氧化铝或二氧化硅)的研磨剂浓缩物。所述表面活性物质是基于所述粒状研磨剂的ζ电位选择的，使得当所述研磨剂具有正的ζ电位时，所述表面活性物质包括阳离子型物质，和当所述粒状研磨剂具有负的ζ电位时，所述表面活性物质包括阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。

Description

用于抛光钼的组合物和方法
本申请是中国发明专利申请(发明名称：用于抛光钼的组合物和方法，申请日：2013年6月10日；申请号：201380030768.7)的分案申请。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域。更具体地，本发明涉及用于抛光钼表面的组合物和方法。
背景技术
钼金属用在许多工业应用中，包括微电子器件(例如，用于互连、光掩模和其它用途)。在这样的应用中，钼最初以过量的量利用，然后至少一些钼必须以受控的方式通过抛光或磨光移除，以实现适合例如用于半导体器件制造的表面性质。
研磨剂材料通常用在金属的抛光和磨光中。在这样的应用中，研磨剂颗粒悬浮在液体介质例如水中，有时借助于作为分散剂的表面活性剂。金属钼表面的抛光常常使用不同尺寸的研磨剂实现以获得期望的表面粗糙度。目前使用的研磨剂通常需要多个用于抛光钼表面的步骤，这可意味着使用多个机器和/或部件以及研磨剂变化，这可不利地影响用于各部件的加工时间。
研磨剂材料典型地悬浮在液体载体例如水或包含水的含水介质中。当研磨剂悬浮在液体载体中时，其优选是胶体稳定的。术语“胶体”指的是研磨剂颗粒在液体载体中的悬浮液。“胶体稳定性”指的是该悬浮液随时间的保持性。在本发明的上下文中，如果当将二氧化硅置于100毫升量筒中并使其无搅动地静置2小时的时间时，量筒底部50毫升中的颗粒浓度([B]，以g/mL表示)与量筒顶部50毫升中的颗粒浓度([T]，以g/mL表示)之间的差除以研磨剂组合物中颗粒的总浓度([C]，以g/mL表示)小于或等于0.5(即，([B]-[T])/[C]≤0.5)，则认为研磨剂悬浮液是胶体稳定的。([B]-[T])/[C]的值合乎需要地小于或等于0.3，且优选小于或等于0.1。
存在对于新的用于抛光钼表面的组合物和方法的持续需要。本发明解决了该需要。
发明内容
本发明包括：
1.用于抛光含钼基材的含水化学-机械抛光(CMP)组合物，所述组合物包含具有在3-6范围内的pH的含水载体且在使用点处包含：
(a)选自二氧化硅研磨剂和氧化铝研磨剂的粒状研磨剂；
(b)水溶性表面活性物质；和
(c)氧化剂；
其中所述表面活性物质是基于所述粒状研磨剂的ζ电位选择的，使得当所述研磨剂具有正的ζ电位时，所述表面活性物质包括阳离子型物质，和当所述粒状研磨剂具有负的ζ电位时，所述表面活性物质包括阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。
2.条目1的CMP组合物，其中所述粒状研磨剂包括α-氧化铝且所述表面活性剂为阳离子型物质。
3.条目2的CMP组合物，其中所述阳离子型物质为阳离子型聚合物。
4.条目3的CMP组合物，其中所述阳离子型聚合物包括聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)。
5.条目3的CMP组合物，其中氧化剂包括过氧化氢。
6.条目1的CMP组合物，其中所述粒状研磨剂包括二氧化硅且所述表面活性物质为阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。
7.条目6的CMP组合物，其中所述表面活性物质包括聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、或其组合。
8.条目6的CMP组合物，其中氧化剂包括过氧化氢。
9.条目1的CMP组合物，其中所述粒状研磨剂包括具有正的ζ电位的经氨基硅烷表面处理的二氧化硅，且所述表面活性物质包括阳离子型物质。
10.条目9的CMP组合物，其中所述阳离子型物质为阳离子型聚合物。
11.条目10的CMP组合物，其中所述阳离子型聚合物包括聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)。
12.条目9的CMP组合物，其中氧化剂包括过氧化氢。
13.条目1的CMP组合物，其中氧化剂包括过氧化氢。
14.用于抛光钼的含水化学-机械抛光(CMP)组合物，所述组合物包含具有在3-6范围内的pH的含水载体且在使用点处包含：
(a)0.5-6重量％的选自二氧化硅研磨剂和氧化铝研磨剂的粒状研磨剂；
(b)25-5,000ppm的水溶性表面活性物质；和
(c)0.1-1.5重量％的氧化剂，
其中所述表面活性物质是基于所述粒状研磨剂的ζ电位选择的，使得当所述研磨剂具有正的ζ电位时，所述表面活性物质包括阳离子型物质，和当所述粒状研磨剂具有负的ζ电位时，所述表面活性物质包括阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。
15.条目14的CMP组合物，其中所述粒状研磨剂包括α-氧化铝或经氨基硅烷表面处理的二氧化硅，并具有正的ζ电位，且所述水溶性表面活性物质包括聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)。
16.条目15的CMP组合物，其中氧化剂包括过氧化氢。
17.条目14的CMP组合物，其中所述粒状研磨剂包括具有负的ζ电位的二氧化硅，且所述水溶性表面活性物质包括聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、或其组合。
18.条目17的CMP组合物，其中氧化剂包括过氧化氢。
19.用于抛光含钼基材的化学-机械抛光(CMP)方法，所述方法包括下列步骤：
(a)使所述基材的表面与抛光垫和条目1的含水CMP组合物接触；和
(b)在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。
20.用于抛光含钼基材的化学-机械抛光(CMP)方法，所述方法包括如下步骤：
(a)使所述基材的表面与抛光垫和条目14的含水CMP组合物接触；和(b)在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。
本发明提供抛光含钼金属的表面的方法，包括用抛光浆料研磨所述表面，所述抛光浆料包含悬浮在包含水溶性表面活性物质和氧化剂(例如，过氧化氢)的酸性含水介质中的无机粒状研磨剂材料例如氧化铝或二氧化硅的研磨剂浓缩物(浓度，concentration)。
在一个实施方式中，所述含水CMP组合物具有在3-6范围内的pH。所述水溶性表面活性物质可为阳离子型物质，例如阳离子型聚合物或阳离子型表面活性剂。替代地，所述表面活性物质可为阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。所述表面活性物质的选择是基于所述粒状研磨剂的ζ电位，使得当所述研磨剂具有正的ζ电位时(例如，当使用氧化铝或经氨基硅烷处理的二氧化硅时)，所述表面活性物质包括阳离子型物质，和当所述粒状研磨剂具有负的ζ电位时(例如，当使用自然(天然，native)二氧化硅，例如热解二氧化硅时)，所述表面活性物质包括阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。
例如，所述阳离子型物质可为阳离子型聚合物、或阳离子型表面活性剂(例如，四烷基铵化合物)。在本文中描述的组合物和方法中有用的阳离子型聚合物的实例为聚卤化(例如氯化)(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)。
在一个优选实施方式中，所述含水CMP包含具有在3-6范围内的pH的含水载体并在使用点(point of use)处包含0.5-6重量百分数(重量％)的粒状研磨剂(即，二氧化硅或氧化铝)、25-5,000百万分率(ppm)的所述水溶性表面活性物质、和0.1-1.5重量％的所述氧化剂。
在另一方面中，本发明提供用于抛光含钼基材的CMP方法。所述方法包括如下步骤：使所述基材的表面与抛光垫和如本文中所描述的含水CMP组合物接触，和在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。
附图说明
图1提供通过用包含不同浓度的阳离子型聚合物的CMP组合物抛光Mo晶片获得的各组合物的Mo移除速率(RR)(条，左边的轴)的图以及平均粗糙度(方块，右边的轴)的图。
具体实施方式
本发明提供抛光含钼金属的表面的方法，其包括如下步骤、基本上由如下步骤组成、或者由如下步骤组成：用抛光浆料研磨所述表面，所述抛光浆料包含悬浮在包含水溶性表面活性剂和氧化剂的酸性含水介质中的无机粒状研磨剂材料(氧化铝或二氧化硅)的研磨剂浓缩物。
本发明还提供抛光组合物，其包含如下物质、基本上由如下物质组成、或者由如下物质组成：包含无机粒状研磨剂材料(例如，二氧化硅或氧化铝)、水溶性表面活性剂和氧化剂的酸性含水载体。所述表面活性物质是基于所述粒状研磨剂的ζ电位选择的，使得当所述研磨剂具有正的ζ电位时，所述表面活性物质包括阳离子型物质，和当所述粒状研磨剂具有负的ζ电位时，所述表面活性物质包括阴离子型物质、非离子型物质、或其组合。
所述含水载体可包含如下物质、基本上由如下物质组成、或者由如下物质组成：任何含水溶剂，例如，水、含水的醇(例如，含水甲醇、含水乙醇、含水乙二醇等)及其类似物。优选地，所述含水载体包含去离子水。
在本发明的CMP组合物中有用的粒状研磨剂材料包括具有正的ζ电位的氧化铝(例如，α-氧化铝)和在处于其自然状态时具有负的ζ电位但可通过用氨基硅烷处理而表面改性以具有正的ζ电位的二氧化硅。用于本发明的CMP组合物中的氧化铝的优选类型为α-氧化铝。用于本发明的CMP组合物中的二氧化硅的一种优选类型为具有负的ζ电位的未处理的(即，“自然的”)热解二氧化硅。在其它优选实施方式中，所述研磨剂包括这样的二氧化硅，其中，所述二氧化硅颗粒的表面已用氨基硅烷例如二(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺例如SILQUEST A1170(Crompton OSi Specialties)、或类似的反应性氨基硅烷处理以通过使碱性氨基键合到所述二氧化硅颗粒的表面并由此中和所述颗粒表面上的酸性SiOH基团而将ζ电位从负的调节成正的。优选地，如果将在所述CMP组合物中包含阳离子型聚合物或表面活性剂，则所述经表面处理的二氧化硅是经足够的氨基硅烷处理以提供在5-50范围内的高度地正ζ电位。
所述研磨剂材料优选具有在50nm-150nm、更优选90nm-120nm范围内的平均粒度。优选地，所述研磨剂材料在使用点处以在0.5-6重量％范围内的浓度悬浮在含水介质中。对于二氧化硅，研磨剂的浓度优选在2-6重量％范围内。对于氧化铝(例如，α-氧化铝)，研磨剂的浓度优选在0.5-3重量％范围内。如本文中所使用的短语“使用点”指的是将在CMP过程中直接使用而不进行进一步稀释的给定组分的浓度。使用点浓度通常通过更浓缩的组合物(例如，刚好在使用之前或者在使用前的几天内)的稀释而实现。
在本发明的CMP组合物中有用的水溶性表面活性物质是基于所述组合物中包含的粒状研磨剂的ζ电位选择的。如本文中所描述的，阳离子型聚合物和/或表面活性剂与具有正的ζ电位的研磨剂，例如二氧化铈和经氨基硅烷处理的胶体二氧化硅一起使用。任选地，如果期望的话，所述阳离子型物质可与非离子型聚合物或表面活性剂组合。当所述研磨剂具有负的ζ电位，例如自然胶体二氧化硅时，利用阴离子型和/或非离子型表面活性物质。
在本发明的组合物和方法中有用的阳离子型聚合物包括阳离子型单体的均聚物，例如，聚卤化(二烯丙基二甲基铵)诸如聚氯化(二烯丙基二甲基铵)(聚DADMAC)、聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)诸如聚氯化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)(聚MADQUAT)等。另外，所述阳离子型聚合物可为阳离子型和非离子型单体(例如，丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、丙烯酰胺、苯乙烯等)的共聚物，例如，聚氯化(丙烯酰胺-共-二烯丙基二甲基铵)。这样的阳离子型聚合物的一些其它非限制性实例包括聚乙烯亚胺、乙氧基化的聚乙烯亚胺、聚卤化(二烯丙基二甲基铵)、聚(酰氨基胺)、聚氯化(甲基丙烯酰氧基乙基二甲基铵)、聚(乙烯基吡咯烷酮)、聚(乙烯基咪唑)、聚(乙烯基吡啶)、和聚(乙烯基胺)。用于本发明的CMP组合物中的优选的阳离子型聚合物为聚卤化(例如氯化)(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)，例如，可从Alco Chemical Inc.以商品名ALCO 4773商购得到的聚合物。其它合适的阳离子型物质包括阳离子型表面活性剂，例如，四烷基铵化合物，诸如溴化十六烷基三甲基铵(也称作溴化鲸蜡基三甲基铵；CTAB)、氯化1-癸基三甲基铵(DPC)等。
所述阳离子型聚合物可具有任何合适的分子量。典型地，所述抛光组合物包含具有5千道尔顿(kDa)或更大(例如，10kDa或更大、20kDa或更大、30kDa或更大、40kDa或更大、50kDa或更大、或60kDa或更大)的分子量的阳离子型聚合物。所述抛光组合物优选包含具有100kDa或更小(例如，80kDa或更小、70kDa或更小、60kDa或更小、或50kDa或更小)的分子量的阳离子型聚合物。优选地，所述抛光组合物包含具有5kDa-100kDa(例如，10kDa-80kDa、10kDa-70kDa、或15kDa-70kDa)的分子量的阳离子型聚合物。
在本发明的组合物和方法中有用的阴离子型聚合物包括，例如，均聚物，例如，聚丙烯酸(PAA)、聚甲基丙烯酸(PMAA)、聚马来酸(PMA)、聚(2-丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸盐(聚AMPS)等，以及阴离子型和非离子型单体的共聚物，例如，聚(丙烯酸-共-甲基丙烯酸)、聚(丙烯酸-共-2-丙烯酰氨基-2-甲基-丙磺酸)等。所述阴离子型聚合物可以酸形式或作为盐(例如，钠盐)使用。所述阴离子型聚合物的实际的离子特性(即，完全离子化的或部分离子化的)将取决于所述CMP组合物的pH，如本领域中公知的。优选地，用于本发明的组合物和方法中的阴离子型聚合物具有100kDa或更小，例如，10kDa或更小，或在1-10kDa范围内的平均分子量。
在本发明的组合物和方法中有用的非离子型聚合物包括，例如，聚丙烯酰胺(PAM)均聚物、以及丙烯酰胺与一种或多种其它非离子型单体例如甲基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮等的共聚物。优选地，用于本发明的组合物和方法中的非离子型聚合物具有100kDa或更小，例如，10kDa或更小，或在1-10kDa范围内的平均分子量。
在一些优选实施方式中，所述水溶性表面活性物质(例如，聚合物或表面活性剂)以在25-5,000百万分率(ppm)，例如，100-1,000ppm范围内的浓度存在于所述组合物中。
所述研磨剂合乎需要地悬浮在所述CMP组合物中，更具体地悬浮在所述CMP组合物的含水组分中，且是胶体稳定的。术语胶体指的是研磨剂颗粒在液体载体中的悬浮液。胶体稳定性指的是该悬浮液随时间的保持性。
在一些实施方式中，氧化铝研磨剂或经氨基硅烷处理的胶体二氧化硅研磨剂与阳离子型物质(例如，聚合物或表面活性剂)一起用在本发明的CMP组合物中。氧化铝和经氨基硅烷处理的胶体二氧化硅具有这样的正ζ电位，其补充了阳离子型聚合物的ζ电位，并容许这两种组分都存在于同一组合物中而没有组分的沉淀。在所述CMP组合物中包含阳离子型聚合物例如ALCO4773相对于缺乏所述阳离子型物质的CMP组合物减少了在正被抛光的钼上的表面缺陷。
在其它实施方式中，所述CMP组合物的研磨剂材料组分包含具有负的ζ电位的自然二氧化硅(例如，热解二氧化硅)，优选与本发明的CMP组合物中的阴离子型聚合物和/或非离子型聚合物一起使用。PAA和PAM，例如，有利地与二氧化硅形成胶体稳定的浆料，这归因于所述二氧化硅的负的ζ电位。一些非离子型聚合物例如低分子量聚乙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇典型地不在本发明的CMP组合物中形成胶体稳定的浆料，至少是在它们被独立地利用时。阴离子型聚合物例如PAA或非离子型聚合物例如PAM减少正被抛光的钼表面上的表面缺陷。
所述抛光组合物具有酸性pH，例如，在3-6的范围内。所述抛光组合物的pH可通过任何合适的手段实现和/或保持。例如，如果期望的话，所述pH可通过使用合适的缓冲剂得以保持。另外，所述组合物的其它组分(例如，所述研磨剂和所述表面活性剂)也有助于建立和保持所述pH。更具体地，所述抛光组合物可进一步包含pH调节剂、pH缓冲剂、或其组合。所述pH调节剂可包含任何合适的pH调节化合物、基本上由其组成、或者由其组成。例如，所述pH调节剂可为所述抛光组合物的酸。所述pH缓冲剂可为任何合适的缓冲剂，例如，磷酸盐、乙酸盐、硼酸盐、磺酸盐、羧酸盐、铵盐等。所述抛光组合物可包含任何合适量的pH调节剂和/或pH缓冲剂，条件是，这样的量足以实现和/或保持所述抛光组合物的期望的pH，例如，在本文中所阐述的范围内。
所述抛光组合物还包含氧化剂，其可为用于待用所述抛光组合物抛光的基材的一种或多种材料的任何合适的氧化剂。优选地，所述氧化剂选自溴酸盐、亚溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、过氧化氢、次氯酸盐、碘酸盐、单过氧硫酸盐、单过氧亚硫酸盐、单过氧磷酸盐、单过氧连二磷酸盐、单过氧焦磷酸盐、有机-卤素-氧化合物、高碘酸盐、高锰酸盐、过氧乙酸、铁盐(例如，硝酸铁)、以及它们中的两种或更多种的组合。所述氧化剂可以任何合适的的量存在于所述抛光组合物中。典型地，所述抛光组合物包含0.01重量％或更大(例如，0.02重量％或更大、0.1重量％或更大、0.5重量％或更大、或1重量％或更大)的氧化剂。当使用“强”氧化剂时，所述抛光组合物优选包含2重量％或更小(例如，在使用点处0.1-1.5重量％)的所述氧化剂。过氧化氢是特别优选的强氧化剂。对于较弱的氧化剂，例如硝酸铁，可需要或期望更高的浓度(例如，最高达10重量％或更大)。
将理解，前述化合物(例如，聚合物、表面活性剂、酸、缓冲剂)中的许多可以盐(例如，金属盐、铵盐等)、酸的形式、或者作为偏盐存在。此外，一些化合物或试剂可执行超过一种功能。例如，一些化合物可起到螯合剂和氧化剂两者的作用(例如，一些铁的硝酸盐等)。
本发明的抛光浆料还可作为浓缩物提供，该浓缩物意图在使用之前用适量的含水溶剂(例如，水)进行稀释。在这样的实施方式中，所述抛光浆料浓缩物可以如下的量包含分散或溶解在含水溶剂中的各种组分，所述量使得在用适量的含水溶剂稀释所述浓缩物时，所述抛光组合物的各组分将以在对于使用是合适的范围内的量存在于所述抛光组合物中。
本发明的抛光浆料可通过任何合适的技术制备，所述技术中的许多是本领域技术人员已知的。所述抛光浆料可以间歇或连续方法制备。通常，所述抛光浆料可通过以任何顺序组合其组分而制备。如本文中使用的术语“组分”包括单独的成分(例如，研磨剂、聚合物、表面活性剂、酸、碱、缓冲剂、氧化剂等)、以及成分的任何组合。例如，可将研磨剂分散在水中，可添加表面活性物质和任何其它添加剂物质，并将其通过能够将所述组分引入抛光浆料中的任何方法混合。如果期望的话，可在任何合适的时刻根据需要通过添加酸、碱或缓冲剂来进一步地调节所述pH。优选地，在使用前不久(例如，在使用前的几分钟到几天)将氧化剂添加到所述组合物中。
本发明的CMP方法特别适于与化学-机械抛光装置一起使用。典型地，所述CMP装置包括：压板，其在使用时处于运动中并且具有由轨道、线性和/或圆周运动导致的速度；抛光垫，其与该压板接触并且在运动时与该压板一起移动；和载体，其固持将要与该垫接触且相对于该抛光垫的表面移动而抛光的基材。CMP组合物被典型地泵送到所述抛光垫上以帮助抛光过程。所述基材的抛光通过移动着的抛光垫和存在于所述抛光垫上的本发明的CMP组合物的组合研磨作用实现，所述组合研磨作用磨除所述基材的表面的至少一部分，且由此抛光所述表面。
基材可用本发明的CMP组合物使用任何合适的抛光垫(例如，抛光表面)平坦化或抛光。合适的抛光垫包括例如编织及非编织抛光垫。此外，合适的抛光垫可包含不同密度、硬度、厚度、压缩性、压缩时的回弹能力和压缩模量的任何的合适聚合物。合适的聚合物包括，例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龙、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成产物(coformed product)、及其混合物。
合乎需要地，所述CMP装置进一步包括原位抛光终点检测系统，其中的许多是本领域中已知的。通过分析从工件表面反射的光或其它辐射来检测和监控抛光过程的技术是本领域中已知的。这样的方法描述于例如Sandhu等的美国专利5,196,353、Lustig等的美国专利5,433,651、Tang的美国专利5,949,927、和Birang等的美国专利5,964,643中。合意地，对于正被抛光的工件的抛光过程的进展的检测或监控使得能够确定抛光终点，即，确定何时终止对特定工件的抛光过程。
提供下列非限制性实施例以说明本发明的方法的优选实施方式。
实施例1
用CMP浆料在HYPREZ Model 15抛光机上使用EPIC D100抛光垫(开同心槽；使用TBW修整器(conditioner)在晶片之间进行1分钟离位修整)在9.4磅每平方英寸(psi)的向下力(DF)、75转每分钟(rpm)的压板速度和75毫升每分钟(mL/分钟)的浆料流速下抛光经烧结的钼晶片(2英寸见方(inch square))20分钟。
含有在水中的2、6和12重量％α-氧化铝的处于pH 4的抛光浆料分别提供了490、650和830纳米每小时(nm/h)的Mo移除速率(RR)，表明：升高的研磨剂浓度导致更高的移除速率。Mo表面呈现出的平均粗糙度(Ra)。在pH 4下，使用5重量％热解二氧化硅代替氧化铝导致210nm/h的Mo移除速率。对于二氧化硅浆料，将pH降低至2.3使RR增加到240nm/h，而将pH增加到8和10导致180到190nm/h的移除速率。电化学评价表明二氧化硅浆料在所有pH值下都在腐蚀区域中呈现出氧化电位(参见表1)。
表1
向浆料中添加氧化剂(14-140ppm硝酸铁、0.2重量％过氧化氢、0.2重量％高碘酸钾、或0.2重量％高锰酸钾)导致更高的氧化和腐蚀以及不适宜的表面粗糙度特性。
实施例2
评价腐蚀抑制剂在包含氧化剂的研磨剂浆料中的有效性。使用用于铜抛光中的传统抑制剂(甘氨酸、1,2,4-三唑、苯并三唑、5-氨基四唑)来评价含有2重量％α-氧化铝和0.2重量％过氧化氢的处于pH 4的浆料，其仍提供高于合乎需要的表面粗糙度。对于甘氨酸、赖氨酸和阳离子型聚合物(聚MADQUAT；ALCO 4773)，热解二氧化硅浆料显示出类似的结果。
与使用热解二氧化硅的结果相反，包含聚MADQUAT(50-1000ppm)的α-氧化铝浆料提供了合适的Mo移除速率(RR；1700-2700nm/h)和合适的粗糙度(Ra；)(参见图1)。作为比较，具有相同的配方但不具有聚MADQUAT的α-氧化铝组合物(图1中的第一个条)呈现出强烈的表面锈蚀(surface staining)和腐蚀，导致超出图1中的图的范围(scale)的不可接受地粗糙的表面。
这些结果表明，与不添加表面活性剂的浆料、或者具有表面活性剂和不相适应的ζ电位(例如，二氧化硅和聚MADQUAT)的浆料相比，当选择水溶性表面活性物质以补充研磨剂的ζ电位(例如，阳离子型聚合物+正ζ电位的研磨剂)时，向包含研磨剂和氧化剂的抛光组合物中添加所述表面活性剂能够提供在表面粗糙度方面的出乎预料的改善。

Claims (2)

1.用于抛光含钼基材的化学-机械抛光(CMP)方法，所述方法包括下列步骤：
(a)使所述基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触，所述含水CMP组合物包含具有在3-6范围内的pH的含水载体且在使用点处包含：
(i)选自二氧化硅研磨剂和氧化铝研磨剂的粒状研磨剂；
(ii)200-1,000ppm的水溶性表面活性物质；和
(iii)氧化剂；
其中，所述研磨剂具有正的ζ电位，且所述表面活性物质包括阳离子型物质，其中所述阳离子型物质为阳离子型聚合物；以及
(b)在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。
2.用于抛光含钼基材的化学-机械抛光(CMP)方法，所述方法包括下列步骤：
(a)使所述基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触，所述含水CMP组合物包含具有在3-6范围内的pH的含水载体且在使用点处包含：
(i)0.5-6重量％的选自二氧化硅研磨剂和氧化铝研磨剂的粒状研磨剂；
(ii)100-5,000ppm的水溶性表面活性物质；和
(iii)0.1-1.5重量％的氧化剂，
其中，所述研磨剂包括α-氧化铝或经氨基硅烷表面处理的二氧化硅，且具有正的ζ电位，而且，所述水溶性表面活性物质为聚卤化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)；以及
(b)在保持所述CMP组合物的一部分与所述抛光垫和所述基材之间的表面接触的同时导致所述垫和所述基材之间相对运动一段足以从所述基材磨除所述钼的至少一部分的时间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115678437A (zh) * 2022-11-04 2023-02-03 河北工业大学 基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5819076B2 (ja) * 2010-03-10 2015-11-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN105229097B (zh) * 2013-05-15 2017-11-17 巴斯夫欧洲公司 包含聚乙烯亚胺的化学机械抛光组合物
JP6332041B2 (ja) * 2014-01-20 2018-05-30 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
US9238754B2 (en) 2014-03-11 2016-01-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9303188B2 (en) * 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
KR102583709B1 (ko) * 2015-03-10 2023-09-26 가부시끼가이샤 레조낙 연마제, 연마제용 저장액 및 연마 방법
US9771496B2 (en) * 2015-10-28 2017-09-26 Cabot Microelectronics Corporation Tungsten-processing slurry with cationic surfactant and cyclodextrin
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
CN106010297B (zh) 2016-06-20 2018-07-31 上海新安纳电子科技有限公司 一种氧化铝抛光液的制备方法
FR3067034B1 (fr) * 2017-06-02 2019-12-20 Treliant Fang Sels halites servant d'agents de gravure du carbure de silicium pour augmenter la vitesse d'elimination de materiau par cmp pour une tranche de sic
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR20190106679A (ko) * 2018-03-07 2019-09-18 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
US10815392B2 (en) * 2018-05-03 2020-10-27 Rohm and Haas Electronic CMP Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
US10995238B2 (en) * 2018-07-03 2021-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Neutral to alkaline chemical mechanical polishing compositions and methods for tungsten
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes
JP2023548484A (ja) * 2020-10-29 2023-11-17 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 研磨組成物及びその使用方法
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
JP2024511506A (ja) * 2021-03-26 2024-03-13 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 研磨用組成物及びその使用方法
CN117858929A (zh) * 2021-08-25 2024-04-09 Cmc材料有限责任公司 包括阴离子性研磨剂的cmp组合物
WO2023085008A1 (ja) * 2021-11-12 2023-05-19 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物およびその製造方法、ならびに研磨方法
WO2023085007A1 (ja) * 2021-11-12 2023-05-19 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物および研磨方法
WO2023085009A1 (ja) * 2021-11-12 2023-05-19 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物および研磨方法
WO2023195338A1 (ja) * 2022-04-08 2023-10-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 化学的機械研磨用組成物および該組成物を使用する方法
CN115160935B (zh) * 2022-08-26 2023-08-25 江南大学 一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用
WO2024129467A1 (en) * 2022-12-16 2024-06-20 Versum Materials Us, Llc Composition and method for cmp of metal films
CN116000782B (zh) * 2022-12-27 2023-09-19 昂士特科技(深圳)有限公司 用于金属合金cmp的化学机械抛光组合物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1938393A (zh) * 2004-04-03 2007-03-28 德古萨股份公司 用于化学机械抛光金属表面的含金属氧化物颗粒及阳离子聚合物的分散体
US20080105652A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates
TW200831570A (en) * 2006-09-11 2008-08-01 Cabot Microelectronics Corp Polyoxometalate compositions and methods
CN101802116A (zh) * 2007-09-21 2010-08-11 卡伯特微电子公司 利用经氨基硅烷处理的研磨剂颗粒的抛光组合物和方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5612254A (en) * 1992-06-29 1997-03-18 Intel Corporation Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5433651A (en) 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5964643A (en) 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
US5756218A (en) * 1997-01-09 1998-05-26 Sandia Corporation Corrosion protective coating for metallic materials
JP4253141B2 (ja) * 2000-08-21 2009-04-08 株式会社東芝 化学機械研磨用スラリおよび半導体装置の製造方法
JP3768401B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP2004172606A (ja) * 2002-11-08 2004-06-17 Sumitomo Chem Co Ltd 金属研磨材組成物及び研磨方法
US7736405B2 (en) * 2003-05-12 2010-06-15 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
TW200613485A (en) * 2004-03-22 2006-05-01 Kao Corp Polishing composition
US7524347B2 (en) * 2004-10-28 2009-04-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition comprising surfactant
US7504044B2 (en) * 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7732393B2 (en) * 2006-03-20 2010-06-08 Cabot Microelectronics Corporation Oxidation-stabilized CMP compositions and methods
JP2007299942A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Fujifilm Corp 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法
US7531431B2 (en) * 2006-05-19 2009-05-12 Cree, Inc. Methods for reducing contamination of semiconductor devices and materials during wafer processing
CN101454121A (zh) * 2006-05-31 2009-06-10 旭硝子株式会社 研磨剂组合物及研磨方法
US7678700B2 (en) * 2006-09-05 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers
EP2094318A1 (en) * 2006-10-31 2009-09-02 The Procter and Gamble Company Portable bio-chemical decontaminant system and method of using the same
JP5333222B2 (ja) * 2007-09-21 2013-11-06 日立化成株式会社 シリコン膜研磨用ｃｍｐスラリー及び研磨方法
WO2009042072A2 (en) * 2007-09-21 2009-04-02 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
US20090133716A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-28 Wai Mun Lee Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
US20100006511A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Walterick Jr Gerald C Treatment additives and methods for treating an aqueous medium
WO2010033156A2 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Cabot Microelectronics Corporation Barrier slurry for low-k dielectrics
US8557125B2 (en) * 2010-06-07 2013-10-15 General Electric Company Treatment additives, methods for making and methods for clarifying aqueous media
JP5833652B2 (ja) * 2010-08-02 2015-12-16 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ビニルアリールモノマーの重合抑制組成物及び抑制方法
CN102453439B (zh) * 2010-10-22 2015-07-29 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102690608A (zh) * 2012-06-06 2012-09-26 复旦大学 一种用于金属钼抛光工艺的抛光液
CN103265893B (zh) * 2013-06-04 2015-12-09 复旦大学 一种基于金属Mo的抛光工艺的抛光液、其制备方法及应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1938393A (zh) * 2004-04-03 2007-03-28 德古萨股份公司 用于化学机械抛光金属表面的含金属氧化物颗粒及阳离子聚合物的分散体
TW200831570A (en) * 2006-09-11 2008-08-01 Cabot Microelectronics Corp Polyoxometalate compositions and methods
US20080105652A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates
CN101802116A (zh) * 2007-09-21 2010-08-11 卡伯特微电子公司 利用经氨基硅烷处理的研磨剂颗粒的抛光组合物和方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115678437A (zh) * 2022-11-04 2023-02-03 河北工业大学 基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法
CN115678437B (zh) * 2022-11-04 2024-02-27 河北工业大学 基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130327977A1 (en) 2013-12-12
US20150221520A1 (en) 2015-08-06
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JP2015525483A (ja) 2015-09-03
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WO2013188296A1 (en) 2013-12-19
CN104395425A (zh) 2015-03-04
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KR102136432B1 (ko) 2020-07-21

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Applicant after: CMC Materials Co.,Ltd.

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