CN108963098A - 一种qled显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
一种qled显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108963098A CN108963098A CN201810879629.6A CN201810879629A CN108963098A CN 108963098 A CN108963098 A CN 108963098A CN 201810879629 A CN201810879629 A CN 201810879629A CN 108963098 A CN108963098 A CN 108963098A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electric field
- transport layer
- quantum dot
- coordination compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 105
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- -1 compound nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 76
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 61
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N alpha-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 230
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- IMMOAYTWCPNYML-UHFFFAOYSA-N (2,4-difluorophenyl)-(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1F IMMOAYTWCPNYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/344—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开了一种QLED显示面板及其制备方法、显示装置，该QLED显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板；形成于第一基板和第二基板之间、且沿第一基板指向第二基板方向排列的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极；还包括：形成于空穴传输层朝向量子点发光层一侧的第一离子型配位化合物层，第一离子型配位化合物层内部具有第一内部电场，且第一内部电场靠近空穴传输层一侧为正极，靠近量子点发光层一侧为负极。该QLED显示面板通过增设离子型配位化合物层，可提高空穴由空穴传输层向量子点发光层之中的注入，平衡量子点发光层中的载流子，从而提高显示面板的效率和寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种QLED显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
量子点(Quantum Dot，简称QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，已成为目前新型发光二级管中发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
目前QLED器件结构中，由于能级位置等原因，量子点材料(尤其是红、绿量子点)内的电子注入普遍优于空穴注入，而电子在载流子数目中占据优势，使器件中载流子十分不平衡，这成为限制QLED器件效率和稳定性进一步提高的瓶颈。
发明内容
本发明提供了一种QLED显示面板及其制备方法、显示装置，上述QLED显示面板解决了空穴与电子向量子点发光层注入效率不同，而造成的QLED显示面板中载流子不平静的问题。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种QLED显示面板，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
形成于所述第一基板和第二基板之间、且沿所述第一基板指向所述第二基板方向排列的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极；还包括：
形成于所述空穴传输层朝向所述量子点发光层一侧的第一离子型配位化合物层，所述第一离子型配位化合物层内部具有第一内部电场，且所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
上述QLED显示面板中，QLED显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，以及形成于第一基板与第二基板之间、且沿第一基板指向第二基板方向排列的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、第一离子型配位化合物层、量子点发光层、电子传输层和第二电极。且由于第一离子型配位化合物层具有第一内部电场，第一内部电场靠近空穴传输层的一侧为正极，靠近量子点发光层的一侧为负极，则该第一内部电场可以改变量子点发光层与空穴传输层界面的真空能级，降低二者HOMO能级的势垒，提高空穴注入量子点发光层的效率，从而改善量子点发光层中载流子平衡。
本发明提供的QLED显示面板通过增设离子型配位化合物层，可以提高空穴由空穴传输层向量子点发光层之中的注入，平衡量子点发光层中的载流子，从而提高QLED显示面板的效率和寿命。
因此，上述QLED显示面板解决了空穴与电子向量子点发光层注入效率不同，而造成的QLED显示面板中载流子不平静的问题。
优选地，还包括形成于所述量子点发光层朝向所述电子传输层一侧的第二离子型配位化合物层，所述第二离子型配位化合物层内部具有第二内部电场，且所述第二内部电场靠近所述量子点发光层一侧为正极，靠近所述电子传输层一侧为负极；和/或，
还包括形成于所述电子传输层朝向所述第二电极一侧的第三离子型配位化合物层，所述第三离子型配位化合物层内部具有第三内部电场，且所述第三内部电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述第二电极一侧为负极。
优选地，离子型配位化合物层的制备材料为有机金属配位化合物。
优选地，所述离子型配位化合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中：
所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、邻菲咯啉卤代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶卤代物、苯基恶二唑吡啶、苯基恶二唑吡啶卤代物、苯基吡啶、苯基吡啶卤代物、联吡啶、联吡啶卤代物或三卤甲基取代物中的一种；
所述阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸卤代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸卤代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物或三卤甲基取代物中的一种。
本发明还提供一种QLED显示面板的制备方法，包括：
在第一基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成第一离子型配位化合物层；
在所述第一离子型配位化合物层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成第二电极；
在所述第二电极上封装第二基板；
其中，在形成所述第一离子型配位化合物层时，施加外部电场，以使撤去电场后所述第一离子型配位化合物层形成第一内部电场，且所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
优选地，形成所述第一离子型配位化合物层的方法包括：
在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得所述中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧聚集阳离子形成正极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阴离子形成负极；
在持续施加所述外部电场的条件下，通过烘烤工艺对所述中间薄膜层进行烘烤，形成所述第一离子型配位化合物层。
优选地，形成所述第一离子型配位化合物层的方法包括：
在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得所述中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧聚集阳离子形成正极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阴离子形成负极；
撤去外部电场；
通过烘烤工艺对所述中间薄膜层进行烘烤，形成所述第一离子型配位化合物层。
优选地，形成所述第一离子型配位化合物层的方法包括：
在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
通过烘烤工艺对所述中间薄膜层进行烘烤，在烘烤过程中施加外部电场，通过所述外部电场使得所述中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧聚集阳离子形成正极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阴离子形成负极，形成所述第一离子型配位化合物层。
优选地，所述在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层的方法包括：
通过旋涂工艺在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；或者，
通过蒸镀工艺在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层。
本发明还提供一种QLED显示装置，包括上述技术方案任一项中的QLED显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的QLED显示面板的结构示意图；
图2a为现有技术中QLED显示面板中空穴传输层与量子点发光层能级示意图；
图2b为本发明实施例提供的QLED显示面板中空穴传输层与量子点发光层能级示意图；
图3为本发明实施例提供的QLED显示面板的制备方法中旋涂工艺示意图；
图4为本发明实施例提供的QLED显示面板的制备方法中烘干工艺示意图；
图5为本发明实施例提供的QLED显示面板的制备方法中蒸镀工艺示意图。
图标：1-第一基板；2-第二基板；3-第一电极；4-空穴注入层；5-空穴传输层；6-第一离子型配位化合物层；7-量子点发光层；8-电子传输层；9-第二电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明提供一种QLED显示面板，包括：
相对设置的第一基板1和第二基板2；
形成于第一基板1和第二基板2之间、且沿第一基板1指向第二基板2方向排列的第一电极3、空穴注入层4、空穴传输层5、量子点发光层7、电子传输层8和第二电极9；还包括：
形成于空穴传输层5朝向量子点发光层7一侧的第一离子型配位化合物层6，第一离子型配位化合物层6内部具有第一内部电场，且第一内部电场靠近空穴传输层5一侧为正极，靠近量子点发光层7一侧为负极。
上述QLED显示面板中，QLED显示面板包括相对设置的第一基板1和第二基板2，以及形成于第一基板1与第二基板2之间、且沿第一基板1指向第二基板2方向排列的第一电极3、空穴注入层4、空穴传输层5、第一离子型配位化合物层6、量子点发光层7、电子传输层8和第二电极9。且由于第一离子型配位化合物层6具有第一内部电场，第一内部电场靠近空穴传输层5的一侧为正极，靠近量子点发光层7的一侧为负极，则该第一内部电场可以改变量子点发光层7与空穴传输层5界面的真空能级，降低二者HOMO能级的势垒(如图2a和图2b所示)，提高空穴注入量子点发光层7的效率，从而改善量子点发光层7中载流子平衡。
此外，需要说明的是，已占有电子的能级最高的轨道称为最高已占轨道，用HOMO表示。
本发明提供的QLED显示面板通过增设离子型配位化合物层，可以提高空穴由空穴传输层5向量子点发光层7之中的注入，平衡量子点发光层7中的载流子，从而提高QLED显示面板的效率和寿命。
因此，上述QLED显示面板解决了空穴与电子向量子点发光层7注入效率不同，而造成的QLED显示面板中载流子不平静的问题。
具体的，第一基板1可以是玻璃或者是柔性PET基底，第一电极3的制备材料可以是透明的ITO、FTO或者导电聚合物等，也可以是不透明的Al、Ag等金属电极；空穴注入层4的制备材料可以是有机注入材料，如PEDOT：PSS等，也可以是无机氧化物如MoOx；空穴传输层5的制备材料可以是有机物，如PVK(聚乙烯基咔唑)、TFB(2,4,4'-三氟苯甲酮)、TPD等，也可以是无机氧化物如NiOx、VOx等；电子传输层8材料首选氧化锌粒子；第二电极9的制备材料可以是透明电极如ITO、薄的Al、Ag等，也可以不透明电极，如Al、Ag等厚的金属电极。
在上述技术方案的基础上，需要说明的是，本发明提供的QLED显示面板处理包含第一离子型配位化合物层6之外，还可以设有其他的离子型配位化合物层，具体的离子型配位化合物的数目以及形成位置至少为以下几种结构形式中的一种：
结构形式一：本发明提供的QLED显示面板还包括形成于量子点发光层7朝向电子传输层8一侧的第二离子型配位化合物层，第二离子型配位化合物层内部具有第二内部电场，且第二内部电场靠近量子点发光层7一侧为正极，靠近电子传输层8一侧为负极。
结构形式二：本发明提供的QLED显示面板还包括形成于电子传输层8朝向第二电极9一侧的第三离子型配位化合物层，第三离子型配位化合物层内部具有第三内部电场，且第三内部电场靠近电子传输层8一侧为正极，靠近第二电极9一侧为负极。
需要说明的是，结构形式一中的第二离子型配位化合物或者结构形式二中的第三离子型配位化合物均可起到抑制电子传输层8中电子向量子点发光层7进行电子传输的作用。
明显的，当电子传输层8向量子点发光层7中的电子传输被抑制，可进一步缩小电子与空穴向量子点发光层7中的传输效率差距，从而可更好地改善量子点发光层7中载流子平衡、提升QLED显示面板的使用寿命。
结构形式三：本发明提供的QLED显示面板还包括形成于量子点发光层7朝向电子传输层8一侧的第二离子型配位化合物层，第二离子型配位化合物层内部具有第二内部电场，且第二内部电场靠近量子点发光层7一侧为正极，靠近电子传输层8一侧为负极；
且本发明提供的QLED显示面板还包括形成于电子传输层8朝向第二电极9一侧的第三离子型配位化合物层，第三离子型配位化合物层内部具有第三内部电场，且第三内部电场靠近电子传输层8一侧为正极，靠近第二电极9一侧为负极。
需要说明的是，当本发明提供的QLED显示面板既包含第二离子型配位化合物层，又包含第三离子型配位化合物层时，第二离子型配位化合物层与第三离子型配位化合物层均形成对电子传输层8向量子点发光层7中的电子传输被效率的抑制作用，可更好地改善量子点发光层7中载流子平衡、提升QLED显示面板的使用寿命。
换句话说，结构形式三中的QLED显示面板包含第一离子型配位化合物层6、第二离子型配位化合物层以及第三离子型配位化合物层，其中：
第一离子型配位化合物层6中的第一内部电场改变量子点发光层7与空穴传输层5界面的真空能级，降低二者HOMO能级的势垒，提高空穴注入量子点发光层7的效率，同时，第二离子型配位化合物中的第二内部电场与第三离子型配位化合物中的第三内部电场对电子传输层8向量子点发光层7中的电子传输进行抑制，三个内部电场缩小了电子传输效率与空穴传输效率的差距，可以较好的改善量子点发光层7中载流子平衡、提升QLED显示面板的使用寿命。
在上述技术方案的基础上，作为一种优选实施方式，离子型配位化合物层的制备材料为有机金属配位化合物。
具体的，离子型配位化合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中：
阳离子部分包括中心金属离子和中心金属离子的配体，中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、邻菲咯啉卤代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶卤代物、苯基恶二唑吡啶、苯基恶二唑吡啶卤代物、苯基吡啶、苯基吡啶卤代物、联吡啶、联吡啶卤代物或三卤甲基取代物中的一种；
阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸卤代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸卤代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物或三卤甲基取代物中的一种。
具体的，阳离子部分可为以下结构中的一种：
阴离子部分可为以下结构中的一种：
需要说明的是，阳离子部分和阴离子部分的选材均为较大空间位阻的材料，这使得离子型配位化合物层内的阴阳离子可在外部电场作用下进行取向性排列，且在撤去外部电场后，可保持原有构型不变，从而形成内部电场。
此外，需要说明的是，相比于传统的电中性偶极型分子，本发明提供的QLED显示面板中离子型配位化合物层中的中间层的正负中心是分离的，其阴阳离子中心可以根据需要设计成带不同电荷数的离子，且分子偶极矩更大，可以形成更强的内部电场。
本发明还提供一种QLED显示面板的制备方法，包括：
步骤S101：在第一基板1上形成第一电极3；
步骤S102：在第一电极3上形成空穴注入层4；
步骤S103：在空穴注入层4上形成空穴传输层5；
步骤S104：在空穴传输层5上形成第一离子型配位化合物层6；
步骤S105：在第一离子型配位化合物层6上形成量子点发光层7；
步骤S106：在量子点发光层7上形成电子传输层8；
步骤S107：在电子传输层8上形成第二电极9；
步骤S108：在第二电极9上封装第二基板2；
其中，在形成第一离子型配位化合物层6时，施加外部电场，以使撤去电场后第一离子型配位化合物层6形成第一内部电场，且第一内部电场靠近空穴传输层5一侧为正极，靠近量子点发光层7一侧为负极。
在上述技术方案的基础上，需要说明的是，形成第一离子型配位化合物层6的方法有多种，具体至少为以下几种方法中的一种：
方法一：步骤S1041：形成第一离子型配位化合物层6的方法包括：
在空穴传输层5上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
请参考图3和图5，在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得第一内部电场靠近空穴传输层5一侧聚集阳离子形成正极，靠近量子点发光层7一侧聚集阴离子形成负极；
在持续施加外部电场的条件下，通过烘烤工艺对中间薄膜层进行烘烤，形成第一离子型配位化合物层6。
方法二：步骤S1042：形成第一离子型配位化合物层6的方法包括：
在空穴传输层5上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得第一内部电场靠近空穴传输层5一侧聚集阳离子形成正极，靠近量子点发光层7一侧聚集阴离子形成负极；
撤去外部电场；
通过烘烤工艺对中间薄膜层进行烘烤，形成第一离子型配位化合物层6。
方法三：步骤S1043：形成第一离子型配位化合物层6的方法包括：
在空穴传输层5上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
请参考图4，通过烘烤工艺对中间薄膜层进行烘烤，在烘烤过程中施加外部电场，通过外部电场使得中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得第一内部电场靠近空穴传输层5一侧聚集阳离子形成正极，靠近量子点发光层7一侧聚集阴离子形成负极，第一离子型配位化合物层6。
在上述技术方案的基础上，需要说明的是，在空穴传输层5上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层的方法包括：
请参考图3，通过旋涂工艺在空穴传输层5上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；或者，
请参考图5，通过蒸镀工艺在空穴传输层5上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层。
需要说明的是，制备第二离子型配位化合物以及第三离子型配位化合物时，也可采用上述制备第一离子型配位化合物的制备方法。
在上述技术方案的基础上，需要说明的是，在完成上述操作后，可在QLED显示面板的两端施加与第一内部电场(从一侧看第一内部电场、第二内部电场以及第三内部电场正极以及负极排列方向相同)相反的电压，以增强离子型配位化合物层中阴阳离子的取向排列。
本发明还提供一种QLED显示装置，包括上述技术方案任一项中的QLED显示面板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种QLED显示面板，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
形成于所述第一基板和第二基板之间、且沿所述第一基板指向所述第二基板方向排列的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极；其特征在于，还包括：
形成于所述空穴传输层朝向所述量子点发光层一侧的第一离子型配位化合物层，所述第一离子型配位化合物层内部具有第一内部电场，且所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
2.根据权利要求1所述的QLED显示面板，其特征在于，还包括形成于所述量子点发光层朝向所述电子传输层一侧的第二离子型配位化合物层，所述第二离子型配位化合物层内部具有第二内部电场，且所述第二内部电场靠近所述量子点发光层一侧为正极，靠近所述电子传输层一侧为负极；和/或，
还包括形成于所述电子传输层朝向所述第二电极一侧的第三离子型配位化合物层，所述第三离子型配位化合物层内部具有第三内部电场，且所述第三内部电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述第二电极一侧为负极。
3.根据权利要求1或2任一项所述的QLED显示面板，其特征在于，离子型配位化合物层的制备材料为有机金属配位化合物。
4.根据权利要求3所述的QLED显示面板，其特征在于，所述离子型配位化合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中：
所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、邻菲咯啉卤代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶卤代物、苯基恶二唑吡啶、苯基恶二唑吡啶卤代物、苯基吡啶、苯基吡啶卤代物、联吡啶、联吡啶卤代物或三卤甲基取代物中的一种；
所述阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸卤代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸卤代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸卤代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸、六[双(三氟甲基)苯基]磷酸卤代物或三卤甲基取代物中的一种。
5.一种QLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在第一基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成第一离子型配位化合物层；
在所述第一离子型配位化合物层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成第二电极；
在所述第二电极上封装第二基板；
其中，在形成所述第一离子型配位化合物层时，施加外部电场，以使撤去电场后所述第一离子型配位化合物层形成第一内部电场，且所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一离子型配位化合物层的方法包括:
在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得所述中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧聚集阳离子形成正极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阴离子形成负极；
在持续施加所述外部电场的条件下，通过烘烤工艺对所述中间薄膜层进行烘烤，形成所述第一离子型配位化合物层。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一离子型配位化合物层的方法包括:
在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得所述中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧聚集阳离子形成正极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阴离子形成负极；
撤去外部电场；
通过烘烤工艺对所述中间薄膜层进行烘烤，形成所述第一离子型配位化合物层。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一离子型配位化合物层的方法包括:
在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；
通过烘烤工艺对所述中间薄膜层进行烘烤，在烘烤过程中施加外部电场，通过所述外部电场使得所述中间薄膜层内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述中间薄膜层内部形成第一内部电场，使得所述第一内部电场靠近所述空穴传输层一侧聚集阳离子形成正极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阴离子形成负极，形成所述第一离子型配位化合物层。
9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层的方法包括：
通过旋涂工艺在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层；或者，
通过蒸镀工艺在所述空穴传输层上沉积一层离子型配位化合物的中间层薄膜层。
10.一种QLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的QLED显示面板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810879629.6A CN108963098B (zh) | 2018-08-03 | 2018-08-03 | 一种qled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| US16/420,705 US11024819B2 (en) | 2018-08-03 | 2019-05-23 | QLED display panel and preparation method thereof and display apparatus |
| US17/241,147 US11839097B2 (en) | 2018-08-03 | 2021-04-27 | QLED display panel and preparation method thereof and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810879629.6A CN108963098B (zh) | 2018-08-03 | 2018-08-03 | 一种qled显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108963098A true CN108963098A (zh) | 2018-12-07 |
| CN108963098B CN108963098B (zh) | 2020-04-28 |
Family
ID=64467492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810879629.6A Active CN108963098B (zh) | 2018-08-03 | 2018-08-03 | 一种qled显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11024819B2 (zh) |
| CN (1) | CN108963098B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113809249A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件、显示基板及显示装置 |
| US11912912B2 (en) | 2020-11-26 | 2024-02-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Quantum dot material and method for manufacturing the same, light emitting diode, and display panel |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112349856B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-05-20 | 河南工程学院 | 一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1703937A (zh) * | 2002-10-09 | 2005-11-30 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光的器件 |
| CN101461285A (zh) * | 2006-06-05 | 2009-06-17 | Hoya株式会社 | 量子点发光型无机电致发光元件 |
| CN101583687A (zh) * | 2007-01-17 | 2009-11-18 | 默克专利有限公司 | 聚合阴离子/阳离子 |
| CN102077383A (zh) * | 2008-10-24 | 2011-05-25 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光器件 |
| CN102503963A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-06-20 | 江西师范大学 | 一种锌金属-有机配位聚合物及其制备方法 |
| WO2013061850A1 (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| US20140209856A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Sunpower Technologies Llc | Light Emitting Device with All-Inorganic Nanostructured Films |
| CN104795504A (zh) * | 2014-01-17 | 2015-07-22 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置 |
| CN105679963A (zh) * | 2013-01-11 | 2016-06-15 | 王金海 | 一种有机电致发光器件 |
| CN106432343A (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-22 | 清华大学 | 铱配合物和有机电致发光器件 |
| CN106716665A (zh) * | 2014-10-27 | 2017-05-24 | 株式会社Lg化学 | 有机电致发光器件 |
| US20170271605A1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays |
| CN107452882A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 包含有机半导体层的有机发光二极管 |
| CN107452896A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 包含有机半导体层的有机发光二极管 |
| CN107464885A (zh) * | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
| WO2018033820A1 (en) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| CN108269931A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN110088115A (zh) * | 2016-12-16 | 2019-08-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子装置及照明装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10115910B2 (en) * | 2015-04-03 | 2018-10-30 | Hannstar Display (Nanjing) Corporation | Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device and quantum dot electroluminescent unit |
| CN110224071B (zh) * | 2018-03-02 | 2020-12-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-08-03 CN CN201810879629.6A patent/CN108963098B/zh active Active
-
2019
- 2019-05-23 US US16/420,705 patent/US11024819B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-27 US US17/241,147 patent/US11839097B2/en active Active
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1703937A (zh) * | 2002-10-09 | 2005-11-30 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光的器件 |
| CN101461285A (zh) * | 2006-06-05 | 2009-06-17 | Hoya株式会社 | 量子点发光型无机电致发光元件 |
| CN101583687A (zh) * | 2007-01-17 | 2009-11-18 | 默克专利有限公司 | 聚合阴离子/阳离子 |
| CN102077383A (zh) * | 2008-10-24 | 2011-05-25 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光器件 |
| CN102503963A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-06-20 | 江西师范大学 | 一种锌金属-有机配位聚合物及其制备方法 |
| WO2013061850A1 (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| CN105679963A (zh) * | 2013-01-11 | 2016-06-15 | 王金海 | 一种有机电致发光器件 |
| US20140209856A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Sunpower Technologies Llc | Light Emitting Device with All-Inorganic Nanostructured Films |
| CN104795504A (zh) * | 2014-01-17 | 2015-07-22 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置 |
| CN106716665A (zh) * | 2014-10-27 | 2017-05-24 | 株式会社Lg化学 | 有机电致发光器件 |
| CN106432343A (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-22 | 清华大学 | 铱配合物和有机电致发光器件 |
| US20170271605A1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays |
| CN107452882A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 包含有机半导体层的有机发光二极管 |
| CN107452896A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 包含有机半导体层的有机发光二极管 |
| CN107464885A (zh) * | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
| WO2018033820A1 (en) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| CN110088115A (zh) * | 2016-12-16 | 2019-08-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机金属配合物、发光元件、发光装置、电子装置及照明装置 |
| CN108269931A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113809249A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件、显示基板及显示装置 |
| WO2021254038A1 (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件、显示基板及显示装置 |
| CN113809249B (zh) * | 2020-06-17 | 2023-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件、显示基板及显示装置 |
| US11912912B2 (en) | 2020-11-26 | 2024-02-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Quantum dot material and method for manufacturing the same, light emitting diode, and display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11024819B2 (en) | 2021-06-01 |
| CN108963098B (zh) | 2020-04-28 |
| US20210249620A1 (en) | 2021-08-12 |
| US20200044174A1 (en) | 2020-02-06 |
| US11839097B2 (en) | 2023-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108963098B (zh) | 一种qled显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US9450027B2 (en) | Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting | |
| CN104701459B (zh) | 一种有机发光二极管器件及显示面板、显示装置 | |
| EP3370273A1 (en) | Organic electrophosphorescence device | |
| US8432095B2 (en) | Process for fabricating metal bus lines for OLED lighting panels | |
| KR20140027409A (ko) | 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| KR102051061B1 (ko) | 유기 발광 소자를 위한 유기/무기 복합층 | |
| US20120098002A1 (en) | Organic light emitting device | |
| US20180047926A1 (en) | Organic electroluminescent element and lighting device | |
| CN108573994A (zh) | 发光显示装置 | |
| CN105895820A (zh) | 有机发光器件及其显示器 | |
| CN112038495A (zh) | 双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管 | |
| US11665951B2 (en) | Barrier film for electronic devices and substrates | |
| CN109427939B (zh) | 一种qled器件及其制备方法 | |
| CN106328824A (zh) | 顶发射qled器件及其制备方法 | |
| KR20150087323A (ko) | 유기 전계발광 장치 및 유기 전계발광 장치의 제조 방법 | |
| KR102168612B1 (ko) | 적층형 하이브리드 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160094525A (ko) | 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| CN112289941B (zh) | 显示基板、显示面板及显示装置 | |
| CN113809249B (zh) | 一种电致发光器件、显示基板及显示装置 | |
| CN115298723B (zh) | 发光元件、显示装置 | |
| WO2020252953A1 (zh) | 电致发光器件及其制备方法、电子设备 | |
| JP2016029667A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 | |
| US11245084B2 (en) | Electroluminescent device and method of manufacturing same, and electronic device | |
| US20240276755A1 (en) | Charge producing structure and organic el element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |