CN108962853A - 集成的功率半导体封装装置和功率变换器 - Google Patents

集成的功率半导体封装装置和功率变换器 Download PDF

Info

Publication number
CN108962853A
CN108962853A CN201710347397.5A CN201710347397A CN108962853A CN 108962853 A CN108962853 A CN 108962853A CN 201710347397 A CN201710347397 A CN 201710347397A CN 108962853 A CN108962853 A CN 108962853A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power semiconductor
power
insulating substrate
electrical insulating
several
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710347397.5A
Other languages
English (en)
Inventor
毛赛君
瞿博
史经奎
徐贺
沈捷
蓝琳
李�瑞
苑志辉
阿里斯泰·沃德尔
史蒂芬·施罗德
马吕斯·麦克林斯基
马克·艾伦·陈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Priority to CN201710347397.5A priority Critical patent/CN108962853A/zh
Priority to ES18169391T priority patent/ES2906108T3/es
Priority to EP18169391.2A priority patent/EP3404711B1/en
Priority to US15/981,975 priority patent/US10497642B2/en
Publication of CN108962853A publication Critical patent/CN108962853A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other

Abstract

本发明公开了一种集成的功率半导体封装装置和一种包含该集成的功率半导体封装装置的功率变换器。该集成的功率半导体封装装置包括数个功率半导体器件和一个一体成型的电绝缘基底。该电绝缘基底包括一个平的表面，至少一个从该平的表面凸起的分隔壁，以及位于该电绝缘基底内部的流道。该至少一个分隔壁用于将平的表面分隔成数个平面，每一个平面用于容纳一个功率半导体器件。该流道用于允许冷却剂流经以从该数个功率半导体器件去除热量。

Description

集成的功率半导体封装装置和功率变换器
技术领域
本发明大体上涉及一种集成的功率半导体封装装置和一种包含该集成的功率半导体封装装置的功率变换器。
背景技术
电力电子技术离不开功率变换器(power converter)。功率变换器是进行电力特征形式变换的电力电子电路和装置的总称，它有如下四种基本模式：直-交(DC/AC)逆变模式、交-交(AC/AC)变频模式、交-直(AC/DC)整流模式和直-直(DC/DC)变换模式。功率变换器的形式多种多样，但一般以功率半导体器件、不同拓扑形式的电路和不同的控制策略作为基本组成元素，也称为“变换器三要素”。其中，功率半导体器件是基础，它对于功率变换器的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。
功率半导体器件在功率变换器中用作开关或整流器，功率半导体器件的本质，决定了其产生高功率的同时不可避免地会导致放出大量的热量，放出的热量可能损害设备或降低其性能。因此，通常采用封装和冷却的技术方案来去除或散出由功率半导体器件产生的热量。对于包含多个功率半导体器件的电力电子设备，封装对于其功率密度和组装或生产成本至关重要。所述的电力电子设备包括工业低压、中压驱动和变换器，功率逆变器等。
功率半导体器件的传统封装结构通常包括支撑板和散热器。每个功率半导体器件通过位于其底部的金属片固定在一个散热器的上表面上。在金属片和散热器的接触面上涂有热油脂，以实现两者的紧密接触，消除空气间隙和增加热传递。每一个散热器内部有一个流道供冷却剂流过，从而带走功率半导体器件产生的热量。通常多个散热器安装在一个共同的支撑板上从而形成一个整体。图1所示为一种传统的封装结构构造，四个散热器121，122，123，124安装在支撑板110上。以散热器121为例，散热器121包括一个平的表面，该平的表面被从其上凸出的分隔壁1212分隔成两个平面1213，1214。功率半导体器件131的底部固定在金属片141上，而金属片141安装在散热器121上，这样，功率半导体器件131被固定在散热器121的平面1213上。金属片141与平面1213之间涂有热油脂。另一个功率半导体器件132也通过同样的方法安装在散热器121的平面1214上。散热器121内部有一个流道(未显示在图1中)，该流道有进口1215和出口1216分别供冷却剂流进和流出。冷却剂，如水、空气或其它流体被驱使流经该流道，从而带走由功率半导体器件131，132传递到散热器121上的热量。其它散热器122，123，124中的每一个具有同散热器121类似的结构。如上所述，传统的封装结构一般包括很多部件，包括支撑板、多个散热器、多个金属片，以及热油脂。因此，传统封装结构通常结构复杂，导致生产和组装的成本较高。
因此，需要一种改进的功率半导体封装装置，以解决上述提到的至少一个问题。
发明内容
一方面，本发明提供一种集成的功率半导体封装装置。该集成的功率半导体封装装置包括数个功率半导体器件和一个一体成型的电绝缘基底。该电绝缘基底包括一个平的表面，至少一个从该平的表面凸起的分隔壁，以及位于该电绝缘基底内部的流道。该至少一个分隔壁用于将平的表面分隔成数个平面，每一个平面用于容纳一个功率半导体器件。该流道用于允许冷却剂流经以从该数个功率半导体器件去除热量。
另一方面，本发明提供一种功率变换器。该功率变换器包括一种集成的功率半导体封装装置，其包括数个功率半导体器件和一个一体成型的电绝缘基底。该电绝缘基底包括一个平的表面，至少一个从该平的表面凸起的分隔壁，以及位于该电绝缘基底内部的流道。该至少一个分隔壁用于将平的表面分隔成数个平面，每一个平面用于容纳一个功率半导体器件。该流道用于允许冷却剂流经以从该数个功率半导体器件去除热量。
本发明提供的集成的封装装置具有冷却流道，能够为数个半导体功率器件提供电绝缘和机械支撑。本发明避免了使用热油脂，另外，使用电绝缘材料用来制作功率半导体器件的基底，增强了用于隔离的爬电距离，可以实现更紧凑的封装。
附图说明
结合以下附图，通过接下来的详细描述，能够使本发明的以上的以及其它的方面、特征和优点更加清晰。
图1为一种传统的功率半导体封装装置的示意图；
图2为依据本发明电绝缘基底的一个实施例的示意图；以及
图3为依据本发明集成的功率半导体封装装置的一个实施例的示意图。
具体实施方式
以下将对本发明的具体实施方式进行详细描述。除非另作定义，在本文中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属技术领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“第一”或者“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分或元件。本文中使用的“一个”或者“一”等类似词语并不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“或”、“或者”并不意味着排他，而是指存在提及项目(例如成分)中的至少一个，并且包括提及项目的组合可以存在的情况。“包括”、“包含”、“具有”、或“含有”以及类似的词语是指除了列于其后的项目及其等同物外，其他的项目也可在范围内。
本文中所使用的近似性的语言可用于定量表述，表明在不改变基本功能的情况下可允许数量有一定的变动。因此，用“大约”、“约”、“左右”等语言所修正的数值不限于该准确数值本身。此外，在“大约第一数值到第二数值”的表述中，“大约”同时修正第一数值和第二数值两个数值。在某些情况下，近似性语言可能与测量仪器的精度有关。本文中所提及的数值包括从低到高一个单元一个单元增加的所有数值，此处假设任何较低值与较高值之间间隔至少两个单元。
本发明涉及一种集成的功率半导体封装装置，包括数个功率半导体器件和一个一体成型的电绝缘基底。该电绝缘基底包括一个平的表面，至少一个从该平的表面凸起的分隔壁，以及位于该电绝缘基底内部的流道。该至少一个分隔壁用于将平的表面分隔成数个平面，每一个平面用于容纳一个功率半导体器件。该流道用于允许冷却剂流经以从该数个功率半导体器件去除热量。
该数个功率半导体器件可能全部相同，或者，可能至少其中两个功率半导体器件不同于彼此。这些位于电绝缘基底上的功率半导体器件的数量、类型、大小、以及位置排布取决于采用本发明的集成封装装置的电力电子设备的功能要求和具体需要。
电绝缘基底的形状可以各种各样。优选地，电绝缘基底为平板状，包括上平面和与上平面相对的下平面。图2显示了一个平板状电绝缘基底250的实施例。如图2所示，电绝缘基底250有一个上平面，从上平面上凸出的四个分隔壁2511，2513，2515，2517将其分隔成八个平面，其中一个平面2521由分隔壁2511、2517分隔而成。四个分隔壁2511，2513，2515，2517与电绝缘基底250一体成型而成。四个分隔壁2511，2513，2515，2517不仅能够增加相邻两个功率半导体器件的爬电距离，还能增强电绝缘基底250的机械强度。在某些实施例中，四个分隔壁2511，2513，2515，2517或许非常厚，以至于电绝缘基底250的上平面如口袋状。
电绝缘基底250内部设有流道2530。如图2所述，流道2530包括进口2531和出口2532，分别供冷却剂流进和流出。在某些实施例中，流道2530包含不止一个进口或不止一个出口。在进口2531和出口2532之间的流道2530被设计成能够保证冷却剂流经电绝缘基底250的每一个安装有功率半导体器件的平面。在某些实施例中，流道2530是位于电绝缘基底250内部的一个或多个空腔。另外，流道2530可以包括各种不同的图案设计，例如，S形，U形，M形。优选地，流道2530包括一个蛇形流道。在某些实施例中，根据安装在每一个平面上的功率半导体器件的不同散热需求来设计流道2530的图案。例如，对于一个可能比其它功率半导体器件产生更多热量的功率半导体器件，位于该功率半导体器件处的流道2530部分需要较大的散热面积，另外，设计中还需要考虑将该散热更多的功率半导体器件设置在靠近流道2530的进口2531的地方。
流经电绝缘基底250内部的流道2530的冷却剂，能够带走功率半导体器件产生的热量。理想的冷却剂热容量高，粘度低，成本低，无毒，具有化学惰性，不会造成也不会促进冷却流道的腐蚀。在本发明中，最常用的冷却剂是水，优选地，去离子水。超纯的去离子水，由于其相对低的电导率，非常适用于冷却电子设备。
如图2所示，电绝缘基底250的每一个平面还包括一个孔，例如，平面2521上有孔2541。当一个功率半导体器件置于平面2521上时，能够将孔2541覆盖，孔2541能够省去流道2530中的冷却剂和该功率半导体器件之间的电绝缘层，使它们能直接接触，从而达到更好的传热效果。孔2541的大小和形状可以有不同的设计，但需要保证当功率半导体器件安装在平面2521上时可以将其完全覆盖，冷却剂不会从孔2541中流出。图2中所示的8个平面上的孔均为长方形。
通常，电绝缘基底250由一种或多种电绝缘材料制成。该电绝缘材料可以是塑料材料、陶瓷基复合材料(CMC)、聚合物基复合材料(PMC)，或其它新进入市场的先进材料。在某些实施例中，电绝缘基底250由热塑性塑料材料制成，例如聚苯硫醚(PPS)、聚酰胺(PA)、聚四氟乙烯(PTFE)中的一种或多种。上文中所述的传统封装结构中，用于固定功率半导体器件的散热器通常由铝制成。而本发明采用了电绝缘材料，能够增大用于功率半导体器件之间隔离的爬电距离，实现更紧凑的封装结构。采用电绝缘材料的另一好处或许在于其重量轻，这样，采用本发明的集成的封装装置可以得到轻质的电力电子装置，包括功率变换器。
电绝缘基底250一体成型而成。在某些实施例中，采用一种或多种热塑性材料作为原材料，制造工艺包括各种聚合物加工技术，例如注塑成型、模压成型、压延成型，以及挤出成型。优选地，通常采用注塑成型来生产电绝缘基底250。另外，增材制造或3D打印技术也能用来制造电绝缘基底250。增材制造，即通过将材料一层一层的添加来构建三维物体，能够生产复杂、精细设计的形状。因此，制备内部含有流道的电绝缘基底250，增材制造是一个可以采用的好的选择，尤其是制造含有特殊流道设计的电绝缘基底。由于电绝缘基底一体成型而成，封装结构的组成部件大大减少，自动化组装和制造将变得更加容易。
图3显示了包含图2中电绝缘基底250的集成的功率半导体封装装置200。八个功率半导体器件231～238的每一个分别通过一个金属片安装在电绝缘基底250的八个平面的其中一个上。以功率半导体器件231为例，功率半导体器件231底部固定在一个金属片241上。通过将金属片241与平面2521相连，功率半导体器件231被安装在平面2521上，这样图2中平面2521上的孔2541即被金属片241所覆盖。当冷却剂流经流道2530时，冷却剂与金属片241之间可以直接接触，冷却效率高。通常，为了实现高效的冷却，孔2541的尺寸被设计成尽可能大，得到较大的换热面积。另外，对于金属片241与孔2541连接处的密封至关重要，以防止冷却剂的泄露。一种实施例是使用紧固件，如螺钉，和密封圈，如橡胶密封圈，将金属片241固定在平面2521上，覆盖住孔2541。其它的功率半导体器件232～238也采用与功率半导体器件231类似的方法分别安装在相应的平面上。
集成封装装置200中的功率半导体器件231～238中的至少一个包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、或二极管。在某些实施例中，功率半导体器件231～238中的至少一个包括碳化硅(SiC)功率半导体器件或氮化镓(GaN)功率半导体器件。
本发明的集成的功率半导体封装装置200能够减小多个功率半导体器件的封装尺寸，增加功率密度。采用本发明的集成封装装置200，可以得到低成本、轻质、高功率密度的电力电子设备，包括功率变换器。
本发明还涉及包含如上所述的集成的功率半导体封装装置的功率变换器。应当理解的是，除了包含该集成的功率半导体封装装置以外，该功率变换器还包括其它适当的部件和/或电路，以实现功率变换器所需的功能。
本说明书用具体实施例来描述发明，包括最佳模式，并且可以帮助任何熟悉本发明工艺的人进行实验操作。这些操作包括使用任何装置和系统并且使用任何具体化的方法。本发明的专利范围由权利要求书来定义，并可能包括其它发生在本技术领域的例子。如果所述其它例子在结构上与权利要求书的书面语言没有不同，或者它们有着与权利要求书描述的相当的结构，都被认为是在本发明的权利要求的范围中。

Claims (10)

1.一种集成的功率半导体封装装置，包括：
数个功率半导体器件；以及
一个一体成型的电绝缘基底，包括：
一个平的表面；
至少一个从所述平的表面凸起的分隔壁，用于将所述平的表面分隔成数个平面，所述数个平面的每一个分别用于容纳一个所述功率半导体器件；以及
位于所述电绝缘基底内部的流道，用于允许冷却剂流经以从所述数个功率半导体器件去除热量。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，一个功率半导体器件固定在一个金属片上，所述一个金属片安装在所述一个平面上，以及，所述一个平面包括一个孔，能够实现所述流道中的所述冷却剂与所述一个金属片直接接触。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一个金属片通过紧固件和密封圈安装在所述一个平面上。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电绝缘基底包括塑料材料、陶瓷基复合材料、聚合物基复合材料中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电绝缘基底是通过注塑成型或增材制造工艺加工而成。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述流道包括蛇形流道。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述数个功率半导体器件中的一个包括绝缘栅双极型晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管，或二极管。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述数个功率半导体器件中的一个包括碳化硅功率半导体器件或氮化镓功率半导体器件。
9.一种功率变换器，包括一种集成的功率半导体封装装置，该集成的功率半导体封装装置包括：
数个功率半导体器件；以及
一个一体成型的电绝缘基底，包括：
一个平的表面；
至少一个从所述平的表面凸起的分隔壁，用于将所述平的表面分隔成数个平面，所述数个平面的每一个分别用于容纳一个所述功率半导体器件；以及
位于所述电绝缘基底内部的流道，用于允许冷却剂流经以从所述数个功率半导体器件去除热量。
10.根据权利要求9所述的功率变换器，其中，一个功率半导体器件固定在一个金属片上，所述一个金属片安装在所述一个平面上，以及，所述一个平面包括一个孔，能够实现所述流道中的所述冷却剂与所述一个金属片直接接触。
CN201710347397.5A 2017-05-17 2017-05-17 集成的功率半导体封装装置和功率变换器 Pending CN108962853A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710347397.5A CN108962853A (zh) 2017-05-17 2017-05-17 集成的功率半导体封装装置和功率变换器
ES18169391T ES2906108T3 (es) 2017-05-17 2018-04-26 Aparato de empaquetado de semiconductores de potencia integrado y convertidor de potencia
EP18169391.2A EP3404711B1 (en) 2017-05-17 2018-04-26 Integrated power semiconductor packaging apparatus and power converter
US15/981,975 US10497642B2 (en) 2017-05-17 2018-05-17 Integrated power semiconductor packaging apparatus and power converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710347397.5A CN108962853A (zh) 2017-05-17 2017-05-17 集成的功率半导体封装装置和功率变换器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108962853A true CN108962853A (zh) 2018-12-07

Family

ID=62091686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710347397.5A Pending CN108962853A (zh) 2017-05-17 2017-05-17 集成的功率半导体封装装置和功率变换器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10497642B2 (zh)
EP (1) EP3404711B1 (zh)
CN (1) CN108962853A (zh)
ES (1) ES2906108T3 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113437037A (zh) * 2021-06-29 2021-09-24 中创杜菲(北京)汽车科技有限公司 功率半导体的封装冷却装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11699634B2 (en) 2019-05-03 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Water cooled plate for heat management in power amplifiers
EP3996133A4 (en) * 2019-07-02 2022-07-13 Mitsubishi Electric Corporation POWER MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4327399A (en) * 1979-01-12 1982-04-27 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Heat pipe cooling arrangement for integrated circuit chips
US6929058B2 (en) * 2003-07-15 2005-08-16 Industrial Technology Research Institute Cold plate with vortex generator
US20100175857A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 General Electric Company Millichannel heat sink, and stack and apparatus using the same
WO2017010303A1 (ja) * 2015-07-10 2017-01-19 株式会社日本製鋼所 電動射出成形機のインバータの冷却方法およびインバータ冷却装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004032605B4 (de) 2004-07-05 2007-12-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und elektrischen Verbindungselementen zu einer Leiterstruktur
JP2007251076A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
US7755186B2 (en) * 2007-12-31 2010-07-13 Intel Corporation Cooling solutions for die-down integrated circuit packages
US7911792B2 (en) 2008-03-11 2011-03-22 Ford Global Technologies Llc Direct dipping cooled power module and packaging
EP2277365B1 (en) 2008-05-16 2011-11-02 Parker-Hannifin Corporation Modular high-power drive stack cooled with vaporizable dielectric fluid
US8248809B2 (en) 2008-08-26 2012-08-21 GM Global Technology Operations LLC Inverter power module with distributed support for direct substrate cooling
CN102060116B (zh) 2010-11-23 2015-04-22 上海骏图电子科技有限公司 一种塑封贴片二极管的后道包装测试设备
US9111937B2 (en) 2013-05-28 2015-08-18 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor devices with multilayer flex interconnect structures
WO2015029446A1 (ja) * 2013-08-30 2015-03-05 株式会社デンソー 積層型冷却器
US10643953B2 (en) * 2015-11-30 2020-05-05 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Electronic component packaged in component carrier serving as shielding cage
CN105632947A (zh) 2015-12-24 2016-06-01 合肥祖安投资合伙企业(有限合伙) 一种半导体器件的封装结构及其制造方法
US9953897B2 (en) * 2016-07-22 2018-04-24 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Fluid-filled microchannels
US10361143B2 (en) * 2017-06-01 2019-07-23 Raytheon Company Apparatus and method for reconfigurable thermal management using flow control of liquid metal

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4327399A (en) * 1979-01-12 1982-04-27 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Heat pipe cooling arrangement for integrated circuit chips
US6929058B2 (en) * 2003-07-15 2005-08-16 Industrial Technology Research Institute Cold plate with vortex generator
US20100175857A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 General Electric Company Millichannel heat sink, and stack and apparatus using the same
WO2017010303A1 (ja) * 2015-07-10 2017-01-19 株式会社日本製鋼所 電動射出成形機のインバータの冷却方法およびインバータ冷却装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113437037A (zh) * 2021-06-29 2021-09-24 中创杜菲(北京)汽车科技有限公司 功率半导体的封装冷却装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3404711A1 (en) 2018-11-21
ES2906108T3 (es) 2022-04-13
US20180337109A1 (en) 2018-11-22
EP3404711B1 (en) 2021-10-20
US10497642B2 (en) 2019-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105874592B (zh) 冷却器及冷却器的固定方法
TWI657547B (zh) 功率模組及其製造方法
CN108962853A (zh) 集成的功率半导体封装装置和功率变换器
KR101692490B1 (ko) 액체냉각구조를 갖는 전력반도체 모듈
US20210153394A1 (en) Cooling arrangement for electrical components, converter with a cooling arrangement, and aircraft having a converter
US10957621B2 (en) Heat sink for a power semiconductor module
KR20180015097A (ko) 캡슐화된 칩을 냉각하기 위한 부분적으로 캡슐화된 냉각 채널을 갖는 패키지
JP5664472B2 (ja) 電力変換装置
US20140291832A1 (en) Integrated cooling modules of power semiconductor device
EP3460840B1 (en) Devices for attaching and sealing a semiconductor cooling structure
van Erp et al. Embedded microchannel cooling for high power-density GaN-on-Si power integrated circuits
US20210274690A1 (en) Power module and manufacturing method therefor, and inverter apparatus having power module
US20200006190A1 (en) Heat transfer structure, power electronics module, cooling element, method of manufacturing a heat transfer structure and method of manufacturing a power electronics component
CN107786070B (zh) 智能功率模块、电机控制器和车辆
WO2011124019A1 (zh) Led灯芯、led芯片及led芯片制造方法
JP7186955B2 (ja) 半導体装置および半導体システム
CN113314484A (zh) 散热器、封装结构及电子设备
Chonabayashi et al. All-SiC 2-in-1 module
CN207743846U (zh) 变频器
CN220189637U (zh) 一种一体化igbt散热基板
JP2014170767A (ja) 半導体装置
CN215069956U (zh) 一种绝缘单管器件
CN220569657U (zh) 一种半导体绝缘封装件
CN210120134U (zh) 智能功率模块用基板、智能功率模块、空调器
CN209063913U (zh) 一种用于直流充电桩的直流充电模块的结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181207

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication