CN108962142A - 一种转换速率增强电路以及利用其的缓冲器 - Google Patents

一种转换速率增强电路以及利用其的缓冲器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种转换速率增强电路。根据本发明实施例的控制第1电流源的电流流动的转换速率增强电路包括：第1晶体管，位于第1电源和第11节点之间，门电极连接在上述第11节点，通过电流反射镜与上述第1电流源连接；第3电流源，另一侧连接在比上述第1电源低的第2电源；第2晶体管，连接在上述第1电源和上述第11节点之间；第3晶体管，连接在上述第11节点和上述第3电流源的一侧之间，且门电极接收第1控制电压；第4晶体管，连接在上述第1电源和第12节点之间，门电极连接在上述第2晶体管的门电极及上述第12节点；第5晶体管，连接在上述第12节点和上述第3电流源的一侧之间，门电极接收第2控制电压。

Description

一种转换速率增强电路以及利用其的缓冲器
技术领域
本发明的实施例涉及一种转换速率增强电路(Slew rate enhancement Circuit)以及利用其的缓冲器(Buffer)，尤其涉及一种能使功耗最小化的同时，还能实现高速动作的转换速率增强电路以及利用其的缓冲器。
背景技术
随着信息化技术的发展，作为使用者和信息之间的连接介质的显示装置的重要性越加凸显。对应于此，对液晶显示器(Liquid Crystal Display Device)及有机电激发光显示装置(Organic Light Emitting Display Device)等显示装置的(Display Device)使用显著增加。
一般来说，显示装置具备用于通过多个数据线供应数据信号的数据驱动部、用于通过多个扫描线供应扫描信号的扫描驱动部、与扫描线及数据线连接的多个像素。
数据驱动部利用从外部供应的数据生成数据信号，并将生成的数据信号经由数据线向像素供应。如上所述的数据驱动部具备分别与多个数据线连接的缓冲器。
另一方面，随着技术的发展显示装置的帧频率以及分辨率也在不断增加。如上所述，当增加帧频率以及分辨率时，用于驱动线的时间减少，由此需要缓冲器的高速动作。从而，需要使功耗最小化的同时，还能实现高速动作的缓冲器。
发明内容
本发明要解决的技术问题
因此，本发明提供一种能使功耗最小化的同时，还能实现高速动作的转换速率增强电路以及利用其的缓冲器。
技术方案
根据本发明实施例的控制第1电流源的电流流动的转换速率增强电路包括：第1晶体管，位于第1电源和第11节点之间，门电极连接在上述第11节点，通过电流反射镜与上述第1电流源连接；第3电流源，另一侧连接在比上述第1电源低的第2电源；第2晶体管，连接在上述第1电源和上述第11节点之间；第3晶体管，连接在上述第11节点和上述第3电流源的一侧之间，且门电极接收第1控制电压；第4晶体管，连接在上述第1电源和第12节点之间，门电极连接在上述第2晶体管的门电极及上述第12节点；第5晶体管，连接在上述第12节点和上述第3电流源的一侧之间，且门电极接收第2控制电压。
根据实施例，还包括第6晶体管，上述第6晶体管连接在上述第1晶体管和上述第11节点之间，基于第1偏置电压设定为接通状态。
根据实施例，上述第1晶体管、第2晶体管、第4晶体管以及第6晶体管设定为P型晶体管，第3晶体管及第5晶体管设定为N型。
根据实施例，当上述第4晶体管的W/L设定为“1”时，上述第2晶体管的W/L设定为N(N是大于1的有理数)。
根据实施例，当上述第3晶体管的W/L设定为“1”时，上述第5晶体管的W/L设定为N(N是大于1的有理数)。
根据实施例，当上述第1控制电压及上述第2控制电压相同时，电流在上述第1电流源中不流动，当上述第1控制电压设定为比上述第2控制电压高时，电流在上述第1电流源中进行流动。
根据实施例，还包括第1开关及第2开关，上述第1开关连接在上述第1电源和上述第12节点之间；上述第2开关位于上述第3晶体管及上述第5晶体管的共同节点和上述第3电流源的一侧之间。
根据本发明另一个实施例的控制第2电流源的电流流动的转换速率增强电路包括：第11晶体管，位于第21节点和第2电源之间，门电极连接在上述第21节点，并通过电流反射镜与上述第2电流源连接；第4电流源，另一侧连接在比上述第2电源高的第1电源；第12晶体管，连接在上述第21节点和上述第2电源之间；第13晶体管，连接在上述第4电流源的一侧和上述第21节点之间，且门电极接收第3控制电压；第14晶体管，连接在第22节点和上述第2电源之间，门电极连接在上述第12晶体管的门电极及上述第22节点；第15晶体管，连接在上述第4电流源的一侧和上述第22节点之间，且门电极接收第4控制电压。
根据实施例，还包括第16晶体管，上述16晶体管连接在上述第11晶体管和上述第21节点之间，基于第2偏置电压设定为接通状态。
根据实施例，上述第11晶体管、第12晶体管、第14晶体管以及第16晶体管设定为N型晶体管，第13晶体管及第15晶体管设定为P型晶体管。
根据实施例，当上述第14晶体管的W/L设定为“1”时，上述第12晶体管的W/L设定为N(N是大于1的有理数)。
根据实施例，当上述第13晶体管的W/L设定为“1”时，上述第15晶体管的W/L设定为N(N为大于1的有理数)。
根据实施例，当上述第3控制电压及上述第4控制电压相同时，电流在上述第2电流源中不流动，当上述第3控制电压设定为比上述第4控制电压低时，电流在上述第2电流源中进行流动。
还包括第3开关及第4开关，第三开关连接在上述第2电源和上述第22节点之间；第4开关位于上述第13晶体管及上述第15晶体管的共同节点和上述第2电流源的一侧之间。
根据本发明实施例的缓冲器包括：第1电容，连接在第1节点及输出端子之间；第2电容，连接在第2节点及上述输出端子之间；第1电流源，连接在第1电源及上述第1节点之间，并用于向上述第1节点供应电流；第2电流源，第2电流源连接在上述第2电源和上述第2节点之间，其中所述第2电源设定为比上述第1电源低的电压，且上述第2电流源用于使电流从上述第2节点反向流动(sink)；驱动部，用于向上述输出端子供应数据信号；第1转换速率增强电路，用于控制上述第1电流源的电流流动；第2转换速率增强电路，用于控制上述第2电流源的电流流动；当上述输出端子维持一定的电压时，上述第1转换速率增强电路以电流不流经上述第1电流源的方式进行控制，且上述第2转换速率增强电路以电流不流经上述第2电流源的方式进行控制。
根据实施例，上述第1转换速率增强电路为根据权利要求1至7中的任一项所述的转换速率增强电路。
根据实施例，上述第2转换速率增强电路为根据权利要去8至14中的任一项所述的转换速率增强电路。
有益效果
根据本发明的实施例，利用转换速率增强电路以仅在需要缓冲器节点的充放电时才使在电流源中实现电流流动的方式进行控制，由此使功耗最小化的同时，还能实现高速动作。并且，当输出端电压稳定时，本发明的转换速率增强电路可以设定为关闭状态。这种情况下，可以防止在转换速率增强电路中发生不必要的电力消耗，还可以切断发生便宜(offset)的可能性。
附图说明
图1是概略性示出根据本发明实施例的显示装置的附图。
图2是示出包括在图1数据集成电路的缓冲器的实施例的附图。
图3是示出图示在图2的第1转换速率增强电路的实施例的附图。
图4是示出图示在图2的第1转换速率增强电路的另一个实施例的附图。
图5是示出图示在图2的第2转换速率增强电路的实施例的附图。
图6是示出图示在图2的第2转换速率增强电路的另一个实施例的附图。
附图标记说明
100：像素部 110：扫描驱动部
120：数据驱动部 130：时间控制部
140：主机系统 200：缓冲器
202，204：转换速率增强电路 206：驱动部
208：输出端子 210、212，220，222：电流源
具体实施方式
为了使技术人员容易理解本发明的实施例及其他本发明的内容，通过参考以下附加的附图对必要的事项进行详细说明。只是，本发明在权力要求书所记载的范围内可以以各种不同的方式来实现，因此以下说明的实施例仅是示例性地进行表示的内容。
即，本发明不局限于以下公开的多个实施例，而是可以以各不相同的多种形态来实现，当在以下说明中某个部分与另一部分连接时，其不仅包括直接连接的情况，也包括以在其中间配置不同元件的方式来实现电性连接的情况。并且，应注意：对于相同的多个构成要素，即使显示在不同附图上也可能以一个相同的编号及符号的方式进行示出。
图1是概略性示出根据本发明实施例的显示装置的附图。
如图1所示，根据本发明实施例的显示装置具备像素部100、扫描驱动部110、数据驱动部120、时间控制部130以及主机系统140。
像素部100具备位于能够与数据线D以及扫描线S实现连接的位置的多个像素PXL。多个像素PXL对应于数据信号向外部供应规定亮度的光。
显示装置设定为有机电激发光显示装置时，各个像素PXL具备包括驱动晶体管(未图示)的多个晶体管(未图示)和有机发光二极管(未图示)。通过扫描线S供应扫描信号时，上述像素PXL被选择并通过数据线D接收数据线信号。此后，包括在像素PXL的驱动晶体管将对应于数据信号的电流供应至有机二极管，由此在发光二极管中生成规定亮度的光。
显示装置设定为液晶显示器时，各个像素PXL具备开关晶体管(未图示)及液晶电容(未图示)。通过扫描线S供应扫描信号时，上述像素PXL被选择并通过数据线D接收数据线信号。此后，像素PXL对应于数据信号控制液晶的透过率，从而以向外部供应规定亮度的光的方式来进行控制。
另外，在图1中，虽然像素PXL图示为与一个数据线D及一个扫描线S进行连接，但本发明并不局限于此。例如，对应于像素PXL的电路结构，可以进一步连接多种多个信号线。即，在本发明实施例中，像素PXL可以以当前公知的多种形态来实现。
扫描驱动部110通过多个扫描线S供应扫描信号。当扫描信号通过多个扫描线S依次供应时，多个像素PXL以水平线为单位被选择。如上所述的扫描驱动部110可以装配在板(panel)上。即，扫描驱动部110可以通过薄膜工艺装配在基板。并且，扫描驱动部110也可以通过以中间配置像素部100的方式来装配在其两侧。扫描信号执行将通过数据线D供应的数据信号传送至像素PXL的作用。
数据驱动部120利用通过时间控制部130输入的多个数据(RGB)生成数据信号。为此，数据驱动部120具备至少一个以上的数据集成电路(Data Integrated Circuit：D-IC)122。数据集成电路122与多个数据线D连接，通过与数据集成电路连接的多个数据线D供应数据信号。在数据集成电路122中生成的多个数据信号经由位于各个通道(channel)的缓冲器(未图示)供给至多个数据线D。
时间控制部130基于通过主机系统140输出的数据(RGB)、垂直同步信号(Vsync)、水平同步信号(Hsync)、数据使能信号(DE)以及时钟信号(CLK)等多个时间信号将门控制信号(Gate controling signal)供应至扫描驱动部110，并将数据控制信号供应至数据驱动部120。
门控制信号包括门启动脉冲(Gate Start Pulse：GSP)以及一个以上的门移位时钟(Gate Shift Clock：GSC)。门启动脉冲(GSP)控制第一个扫描信号的时间。门移位时钟(GSC)是指用于使门启动脉冲(GSP)位移的一个以上的时钟信号。
数据控制信号包括源启动脉冲(Source Start Pulse：SSP)、源采样时钟(SourceSampling Clock：SSC)以及源输出使能信号(Source Output Enable：SOE)等。源启动脉冲(SSP)控制数据驱动部120的数据采样开始时间。源采样时钟(SSC)基于上升沿或者下降沿控制数据驱动部120的采样动作。源输出使能信号(SOE)控制数据驱动部120的输出时间。
主机系统140通过规定的接口(Interface)向时间控制部130供应数据(RGB)。并且，主机系统140还向时间控制部130供应多个时间信号(Vsync，Hsync，DE，CLK)。
图2是示出包括在图1数据集成电路的缓冲器实施例的附图。
如图2所示，根据本发明实施例的缓冲器200具备驱动部206、第1转换速率增强电路(Slew rate enhancement Circuit：SRE1)202、第2转换速率增强电路(SRE2)204、第1电容C1以及第2电容C2。
驱动部206向输出端子208供应数据信号。如上所述的驱动部206是指缓冲器的一般电路，还可以以当前公知的多种形态电路来实现。作为一例，驱动部206可以以与US7362173一样的方式实现。另外，输出端子208可以与包括在显示装置的多个数据线中的任何一个数据线电性连接。
第1电流源210连接在第1电源VDD和第1节点N1之间。第1电流源210对应于第1转换速率增强电路202的控制而被选择性的驱动。当第1电流源201驱动时，向第1节点N1供应规定的电流。
第2电流源212连接在第2节点N2和第2电源VSS之间。其中，与第1电源VDD相比，第2电源VSS可以设定为低的电压。第2电流源212对应于第2转换速率增强电路204的控制而被选择性的驱动。当第2电流源212驱动时，从第2节点N2向第2电源VSS供应规定的电流。
上述的第1电流源210及第2电流源212用于提高第1节点N1及/或者第2节点N2的充放电速度，为了使转换速率区间最小化而使用。
第1电容C1连接在第1节点N1和输出端子208之间。第2电容C2连接在第2节点N2和输出端子208之间。第1电容C1以及第2电容C2作为频率补偿用电容，以便防止缓冲器200振荡。当缓冲器200包括第1电容C1以及第2电容C2时，缓冲器200包括以非线性的方式动作的转换速率区间。
随着转换速率区间变长，缓冲器200的稳定时间增加，由此降低动作速度。为了减少如上所述的转换速率区间，需要降低电容C1、C2的电流容量，或需要增加电流源210、212的电流。
但是，当电容C1、C2的电流容量降低时，缓冲器200的相位裕量(Phase margin)减少，因此其频率特性会变得很差。并且，当增加电流源210、212的电流时，包括在数据驱动部120的多数缓冲器200的功耗也会增加。因此，本发明的实施例通过利用转换速率增强电路202，204来维持一定的电容C1、C2大小的同时，还能使功耗最小化。
第1转换速率增强电路202控制第1电流源210的动作。例如，当输出端子208的电压维持恒定的状态时，第1转换速率增强电路202以使得电流不流经第1电流源210的方式进行控制。并且，当输出端子208的电压发生改变时(例如，下降)，第一转换速率增强电路202以使得电流流经第1电流源210的方式进行控制，由此可以使转换速率区间最小化。
第2转换速率增强电路204控制第2电流源212的动作。例如，当输出端子208的电压维持恒定的状态时，第2转换速率增强电路204以使得电流不流经第2电流源212的方式进行控制。并且，当输出端子208的电压发生改变时(例如，上升)，第2转换速率增强电路204以使得电流流经第2电流源212的方式进行控制，由此可以使转换速率区间最小化。
图3是示出图示在图2的第1转换速率增强电路实施例的附图。
如图3所示，第1转换速率增强电路202具备：第1晶体管M1至第6晶体管M6、第3电流源220。
第1晶体管M1连接在第1电源VDD和第11节点N11之间。并且，第1晶体管M1的门电极(gate electrode)连接在第1电流源210以及第11节点N11。即，第1晶体管M1以能使电流从第1电源VDD流向第11节点N11的方式以二极管形态连接。如上所述的第1晶体管M1对应于第11节点N11的电压来实现接通(turn on)或关闭(turn off)，并向第11节点N11供应规定的电流。
第1电流源210通过电流反射镜(Current Mirror)与第1晶体管M1进行连接。为此，第1电流源210可以以晶体管的方式实现。当电流在第1晶体管M1中流动时，第1电流源210向第1节点N1供应规定的电流，除此之外不供应电流。
第2晶体管M2连接在第1电源VDD和第11节点N11之间。并且，第2晶体管M2的门电极与第4晶体管M4的门电极实现电性连接。
第3晶体管M3连接在第11节点N11和第3电流源220(例如，连接在第3电流源220的一侧)之间。并且，第3晶体管M3的门电极接收第1控制电压VN1。如上所述的第3晶体管M3对应于第1控制电压VN1而进行驱动。
第4晶体管M4连接在第1电源VDD和第12节点N12之间。并且，第4晶体管M4的门电极连接在第2晶体管M2的门电极以及第12节点N12。即，第4晶体管M4以能使电流从第1电源VDD能够流向第12节点N12的方式以二极管形态连接。并且，第4晶体管M4通过电流反射镜与第2晶体管M2进行连接。
另外，第2晶体管M2和第4晶体管M4以具有各不相同的W/L的方式来设定。例如，当第4晶体管M4的W/L设定为“1”时，第2晶体管M2的W/L可以设定为“N”(N是大于1的有理数)。即，第2晶体管M2可以设定为比第4晶体管M4大的W/L。为此，第2晶体管M2可以以多个晶体管并联的方式构成。(例如，N可以设定为“2”)
第5晶体管M5连接在第12节点N12和第3电流源220之间(例如，连接在第3电流源220的一侧)。并且，第5晶体管M5的门电极接收第2控制电压VP1。如上所述的第5晶体管M5对应于第2控制电压VP1而进行驱动。
另外，第3晶体管M3和第5晶体管M5以具有各不相同的W/L的方式来设定。例如，第3晶体管M3的W/L设定为“1”时，第5晶体管M5的W/L可以设定为“N”。即，第5晶体管M5可以设定为比第3晶体管M3大的W/L。为此，第5晶体管M5可以以多个晶体管并联的方式构成。
第6晶体管M6连接在第1晶体管M1和第11节点N11之间。并且，第6晶体管M6的门电极接收第1偏置电压Vb1。如上所述的第6晶体管M6对应于第1偏置电压Vb1而维持接通状态，且由此，第1晶体管M1与第11节点N11总是电性连接。
当第6晶体管M6位于第1晶体管M1及第11节点N11之间时，可以确保高阻抗(Highimpedence)及高增益(High gain)，由此可以提高动作的可靠性。
另一方面，上述的第1晶体管M1、第2晶体管M2、第4晶体管M4以及第6晶体管M6以P型晶体管(例如，PMOS)的方式实现，第3晶体管M3及第5晶体管M5以N型晶体管(例如，NMOS)方式实现。
第3电流源220的一侧连接在第3晶体管M3及第5晶体管M5的共同节点，第3电流源220的另一侧连接在第2电源VSS。如上所述的第3电流源220被使用为使规定的电流反向流动(Sink)的反向电流源。为此，第3电流源220可以以对应于偏置电压而维持接通状态的晶体管的方式实现。
第1控制电压VN1及第2控制电压VP1相同时，动作过程如下。
当第1控制电压VN1及第2控制电压VP1相同时，从第3电流源220反向流动的大部分电流流过具有高的W/L的第5晶体管M5。即，第1控制电压VN1及第2控制电压VP1相同时，经由第4晶体管M4及第5晶体管M5流过规定的电流。
另一方面，电流从第4晶体管M4流动时，在通过电流反射镜连接的第2晶体管M2中也流过规定的电流。其中，第2晶体管M2设定为比第4晶体管M4高的W/L，因而瞬间将有大量电流供应至第11节点N11。
并且，在具有相对小的W/L的第3晶体管M3中仅流过特别微小的电流，由此第11节点N11上升至第1电源VDD的电压。当第11节点N11设定为第1电源VDD时，第1晶体管M1设定为关闭状态。当第1晶体管M1设定为关闭状态时，电流在第1电流源210不流动。
即，根据本发明实施例的第1转换速率增强电路202，以如下方式进行控制：将第1控制电压VN1及第2控制电压VP1设定为相同，从而使得电流不流经第1电流源210。
当第1控制电压VN1设定为比第2控制电压VP1高的电压时，动作过程如下。其中，第2控制电压VP1可以以能够使第5晶体管M5关闭的方式设定。
当第1控制电压VN1被供应时，第3晶体管M3接通。当第3晶体管M3接通时，第11节点N11大概下降至第2电源VSS的电压。此时，规定的电流从第1电源VDD经由第1晶体管M1、第6晶体管M6、第3晶体管M3以及第3电流源220，而供应至第2电源VSS。此时，在通过电流反射镜与第1晶体管M1连接的第1电流源210中也流过规定的电流。并且，在第1电流源210中流动的电流供应至第1节点N1。
即，在本发明实施例中能以如下方式进行控制：将第1控制电压VN1设定为高于第2控制电压VP1，从而使得在第1电流源210中流过规定的电流。当规定的电流从第1电流源210供应至第1节点N1时，可以使转换速率区间最小化。
如上所述，根据本发明实施例的第1转换速率增强电路202，以如下方式进行控制：即将第1控制电压VN1设定为高于第2控制电压VP1，从而使得有电流在第1电流源210中流动；并且，将第1控制电压VN1及第2控制电压VP1设定为相同，从而使得电流在第1电流源210中不流动。
即，在本发明实施例中，以仅在需要的情况下使电流流过第1电流源210的方式进行控制，由此减少功耗的同时，使转换速率区间最小化。换句话说，即使增加流过第1电流源210的电流量，也会由于不需要的电流不会在第1电流源210中流动，由此减少功耗，同时减小转换速率区间。
图4是示出图示在图2的第1转换速率增强电路的另一个实施例的附图。
当说明图4时，对于与图3相同的构成，分配相同的附图标记，同时省略对其的详细说明。
如图4所示，根据本发明另一个实施例的第1转换速率增强电路202还具备：第1开关SW1及第2开关SW2。
第1开关SW1连接在第1电源VDD和第12节点N12之间。当第1转换速率增强电路202正常驱动时，如上所述的第1开关SW1维持关闭状态。
第2开关SW2连接在第3晶体管M3及第5晶体管M5的共同节点和第3电流源220之间。当第1转换速率增强电路202正常驱动时，如上所述的第2开关SW2维持接通状态。
如上所述的第1开关SW1及第2开关SW2的使用是为了使功耗最小化。作为一例，第1开关SW1接通时，向第2晶体管M2及第4晶体管M4的门电极供应第1电源VDD的电压，由此第2晶体管M2及第4晶体管M4关闭。
并且，第2开关SW2关闭时，第3电流源220与第3晶体管M3及第5晶体管M5电性切断。此时，基于第3电流源220的电流不能流向第3晶体管M3及第5晶体管M5。对应于使用者的设计意图，如上所述的第1开关SW1及第2开关SW2可以以能够使功耗降低的方式进行接通及关闭控制。
上述的第1开关SW1及/或者第2开关SW2可以以P型晶体管及/或者N型晶体管的方式实现。
图5是示出图示在图2的第2转换速率增强电路的实施例的附图。.
如图5所示，第2转换速率增强电路204具备第11晶体管M11至第16晶体管M16、第4电流源222。
第11晶体管M11连接在第21节点N21和第2电源VSS之间。并且，第11晶体管M11的门电极连接在第2电流源212及第21节点N21。即，第11晶体管M11以能使电流从第21节点N21流向第2电源VSS的方式以二极管形态连接。如上所述的第11晶体管M11对应于第21节点N21的电压来实现接通或者关闭。
第2电流源212通过电流反射镜与第11晶体管M11进行连接。为此，第2电流源212可以以晶体管的方式实现。电流在第11晶体管M11中流动时，第2电流源212使规定的电流从第2节点N2反向流动(sink)，除此之外使电流正向流动。
第12晶体管M12连接在第21节点N21和第2电源VSS之间。并且，第12晶体管M12的门电极与第14晶体管M14门电极电性连接。
第13晶体管M13连接在第4电流源222(例如，第4电流源222的一侧)和第21节点之间。并且，第13晶体管M13的门电极接收第3控制电压VN2。如上所述的第13晶体管M13对应于第3控制电压VN2而进行驱动。
第14晶体管M14连接在第22节点N22和第2电源VSS之间。并且，第14晶体管M14的门电极连接在第12晶体管M12的门电极及第22节点N22。即，第14晶体管M14以能使电流从第22节点N22流向第2电源VSS的方式以二极管形态连接。并且，第14晶体管M14通过电流反射镜与第12晶体管M12连接。
另外，第12晶体管M12和第14晶体管M14以具有各不相同的W/L的方式来设定。例如，第4晶体管M4的W/L设定为“1”时，第2晶体管M2的W/L可以设定为“N”。即，第12晶体管M12可以设定为比第14晶体管M14大的W/L。为此，第12晶体管M2可以以多个晶体管并联的方式构成。
第15晶体管M15连接在第4电流源222(例如，第4电流源222一侧)和第22节点N22之间。并且，第15晶体管M15的门电极接收第4控制电压VP2。如上所述的第15晶体管M15对应于第4控制电压VP2而实现接通或者关闭。
另外，第13晶体管M13和第15晶体管M15以具有各不相同的W/L的方式来设定。例如，第13晶体管M13的W/L设定为“1”时，第15晶体管M15的W/L可以设定为“N”。即，第15晶体管M15可以设定为比第13晶体管M13大的W/L。为此，第15晶体管M15可以以多个晶体管并联的方式构成。
第16晶体管M16连接在第21节点N21和第11晶体管M11之间。并且，第16晶体管M16的门电极接收第2偏置电压Vb2。如上所述的第16晶体管M16对应于第2偏置电压Vb2而维持接通状态，由此，第11晶体管M11总是与第21节点N21电性连接。
当第16晶体管M16位于第11晶体管M11及第21节点N21之间时，可以确保高阻抗(High impedence)及高增益(High gain)，由此可以提高动作的可靠性。
另一方面，上述的第11晶体管M11、第12晶体管M12、第14晶体管M14以及第16晶体管M16以N型晶体管(例如，NMOS)的方式实现，第13晶体管M13及第15晶体管M15以P型晶体管(例如，PMOS)的方式实现。
第4电流源222的一侧连接在第13晶体管M13及第15晶体管M15的共同节点，另一侧连接在第1电源VDD。如上所述的第4电流源222作为供应规定的电流的电流源而被使用。为此，第4电流源222可以以对应于偏置电压而维持接通状态的晶体管的方式实现。
第3控制电压VN2及第4控制电压VP2相同时，动作过程如下。
当第3控制电压VN2及第4控制电压VP2相同时，从第4电流源222供应的大部分电流流过具有高的W/L的第15晶体管M15。即，第3控制电压VN2及第4控制电压VP2相同时，从第4电流源222供应的大部分电流经由第15晶体管M15及第14晶体管M14，并向第2电源VSS流动。
另一方面，电流从第14晶体管M14流动时，在通过电流反射镜连接的第12晶体管M12中也流过规定的电流。其中，第12晶体管M12设定为比第14晶体管M14高的W/L，因而第21节点N21大概下降至第2电源VSS的电压。
当第21节点N21的电压下降至第2电源VSS时，第11晶体管M11关闭状态。第11晶体管M11关闭时，没有电流流经第2电流源212。
即，根据本发明实施例的第2转换速率增强电路204，以如下方式进行控制：将第3控制电压VN2及第4控制电压VP2设定为相同，从而使得电流不流经第2电流源212。
当第4控制电压VP2设定为比第3控制电压VN2高的电压时，动作过程如下。其中，第4控制电压VP2可以以能使第15晶体管M15关闭的方式设定。
当第3控制电压VN2被供应时，第13晶体管M13接通。当第13晶体管M13接通时，来自第4电流源222的电流经由第13晶体管M13、第16晶体管M16以及第11晶体管M11，并供应至第2电源VSS。此时，在通过电流反射镜与第11晶体管M11连接的第2电流源212中也流过规定的电流，由此规定的电流从第2节点N2向第2电源VSS进行反向流动(sink)。
即，在本发明实施例中能以如下方式进行控制：将第3控制电压VN2设定为低于第4控制电压VP2，从而使得有规定的电流流经第2电流源212。电流流过第2电流源212时，可以使转换速率区间区间最小化。
如上所述，根据本发明实施例的第2转换速率增强电路204，以如下方式进行控制：即将第3控制电压VN2设定成低于第4控制电压VP2，从而使得电流流过第2电流源212；并且，将第3控制电压VN2及第4控制电压VP2设定为相同，从而使得没有电流流过第2电流源212。
即，在本发明实施例中，以仅在需要的情况下使电流流过第2电流源212的方式进行控制，由此减少功耗的同时，使转换速率区间最小化。换句话说，即使增加在第2电流源212中流动的点流量，也会由于不需要的电流不会在第2电流源212中流动，由此能减少功耗，同时减小转换速率区间。
图6是示出图是在图2的第2转换速率增强电路的另一个实施例的附图。
当说明图6时，对于与图5相同的构成，分配相同的附图标记，同时省略对其的详细说明。
如图6所示，根据本发明又一个实施例的第2转换速率增强电路204还具备第3开关SW3及第4开关SW4。
第3开关SW3连接在第2电源VSS和第22节点N22之间。当第2转换速率增强电路204正常驱动时，如上所述的第3开关SW3维持关闭状态。
第4开关SW4连接在第13晶体管M13及第15晶体管M15的共同节点和第4电流源222之间。当第2转换速率增强电路204正常驱动时，如上所述的第4开关SW4维持接通状态。
如上所述的第3开关SW3及第4开关SW4的使用是为了使功耗最小化。作为一例，第3开关SW3接通时，向第12晶体管M12及第14晶体管M14的门电极供应第2电源VSS的电压，由此第12晶体管M12及第14晶体管M14关闭。
并且，第4开关SW4关闭时，第4电流源222与第13晶体管M13及第15晶体管M15电性切断。此时，来自第4电流源222的电流不能供应至第13晶体管M13及第15晶体管M15。对应于使用者的设计意图，如上所述的第3开关SW3及第4开关SW4可以以能够使功耗降低的方式进行接通及关闭控制。
并且，上述的第3开关SW3及/或者第4开关SW4可以以P型晶体管及/或者N型晶体管的方式实现。
另一方面，在本发明实施例中，不是转换速率区间情况下(即，输出端子208的电压稳定至一定状态时)，可以将第1转换速率增强电路202及第2转换速率增强电路204设定为关闭状态。在此情况下，可以防止在转换速率增强电路202，204中发生不必要的功耗被消耗，并可以切断发生偏移(offset)的可能性。
根据上述优选实施例具体地记述了本发明的技术思想，但要注意上述的实施例仅是为了说明而进行的，而不是为了对其进行限定。并且，本领域具备通常知识的技术人员能够理解在本发明技术思想的范围内实现多种变形例。
对于所述发明的权利范围是通过权利要求书的记载所确定的，其并不受限于说明书正文中的记载，并且属于权利要求书的均等范围的变形和变更均属于本发明的范围。

Claims (17)

1.一种转换速率增强电路，其控制第1电流源的电流流动，其特征在于，包括：
第1晶体管，位于第1电源和第11节点之间，门电极连接在所述第11节点，且所述第1晶体管通过电流反射镜与所述第1电流源连接；
第3电流源，其另一侧连接在比所述第1电源低的第2电源；
第2晶体管，连接在所述第1电源和所述第11节点之间；
第3晶体管，连接在所述第11节点和所述第3电流源的一侧之间，且门电极接收第1控制电压；
第4晶体管，连接在所述第1电源和第12节点之间，且门电极连接在所述第2晶体管的门电极及所述第12节点；
第5晶体管，连接在所述第12节点和所述第3电流源的一侧之间，且门电极接收第2控制电压。
2.根据权利要求1所述的转换速率增强电路，还包括：
第6晶体管，连接在所述第1晶体管和所述第11节点之间，基于第1偏置电压设定为接通状态。
3.根据权利要求1所述的转换速率增强电路，其特征在于，
所述第1晶体管、第2晶体管、第4晶体管以及第6晶体管设定为P型晶体管，第3晶体管及第5晶体管设定为N型晶体管。
4.根据权利要求1所述的转换速率增强电路，其特征在于，
当所述第4晶体管的W/L设定为“1”时，所述第2晶体管的W/L设定为N，
其中，所述N是大于1的有理数。
5.根据权利要求1所述的转换速率增强电路，其特征在于，
当所述第3晶体管的W/L设定为“1”时，所述第5晶体管的W/L设定为N，
其中，所述N是大于1的有理数。
6.根据权利要求1所述的转换速率增强电路，其特征在于，
当所述第1控制电压及所述第2控制电压相同时，电流不流经所述第1电流源，
当所述第1控制电压设定为比所述第2控制电压高时，电流流经所述第1电流源。
7.根据权利要求1所述的转换速率增强电路，其特征在于，还包括：
第1开关，连接在所述第1电源和所述第12节点之间；
第2开关，位于所述第3晶体管及所述第5晶体管的共同节点和所述第3电流源的一侧之间。
8.一种转换速率增强电路，其控制第2电流源的电流流动，其特征在于，包括：
第11晶体管，位于第21节点和第2电源之间，门电极连接在所述第21节点，且第11晶体管通过电流反射镜与所述第2电流源连接；
第4电流源，其另一侧连接在比所述第2电源高的第1电源；
第12晶体管，连接在所述第21节点和所述第2电源之间；
第13晶体管，连接在所述第4电流源的一侧和所述第21节点之间，且门电极接收第3控制电压；
第14晶体管，连接在第22节点和所述第2电源之间，且门电极连接在所述第12晶体管的门电极及所述第22节点；
第15晶体管，连接在所述第4电流源的一侧和所述第22节点之间，且门电极接收第4控制电压。
9.根据权利要求8所述的转换速率增强电路，其特征在于，还包括：
第16晶体管，连接在所述第11晶体管和所述第21节点之间，基于第2偏置电压设定为接通状态。
10.根据权利要求8所述的转换速率增强电路，其特征在于，
所述第11晶体管、第12晶体管、第14晶体管以及第16晶体管设定为N型晶体管，第13晶体管及第15晶体管设定为P型晶体管。
11.根据权利要求8所述的转换速率增强电路，其特征在于，
当所述第14晶体管的W/L设定为“1”时，所述第12晶体管的W/L设定为N，
其中，所述N是大于1的有理数。
12.根据权利要求8所述的转换速率增强电路，其特征在于，
当所述第13晶体管的W/L设定为“1”时，所述第15晶体管的W/L设定为N，
其中，所述N是大于1的有理数。
13.根据权利要求8所述的转换速率增强电路，其特征在于，
当所述第3控制电压及所述第4控制电压相同时，电流不流经所述第2电流源，
当所述第3控制电压设定为比所述第4控制电压低时，电流流经所述第2电流源。
14.根据权利要求8所述的转换速率增强电路，其特征在于，还包括：
第3开关，连接在所述第2电源和所述第22节点之间；
第4开关，位于所述第13晶体管及所述第15晶体管的共同节点和所述第2电流源的一侧之间。
15.一种缓冲器，其特征在于，包括：
第1电容，连接在第1节点及输出端子之间；
第2电容，连接在第2节点及所述输出端子之间；
第1电流源，连接在第1电源及所述第1节点之间，且用于向所述第1节点供应电流；
第2电流源，连接在第2电源及所述第2节点之间，其中所述第2电源设定为比所述第1电源低的电压，且所述第2电流源用于使电流从所述第2节点反向流动；
驱动部，用于向所述输出端子供应数据信号；
第1转换速率增强电路，用于控制所述第1电流源的电流流动；
第2转换速率增强电路，用于控制所述第2电流源的电流流动；
当所述输出端子维持一定的电压时，所述第1转换速率增强电路以电流不流经所述第1电流源的方式进行控制，而所述第2转换速率增强电路以电流不流经所述第2电流源的方式进行控制。
16.根据权利要求15所述的缓冲器，其特征在于，
所述第1转换速率增强电路为根据权利要求1至7中的任一项所述的转换速率增强电路。
17.根据权利要求15所述的缓冲器，其特征在于，
所述第2转换速率增强电路为根据权利要求8至14中的任一项所述的转换速率增强电路。
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