CN108948063A - 四甲基硅烷的制备方法 - Google Patents
四甲基硅烷的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108948063A CN108948063A CN201810902985.5A CN201810902985A CN108948063A CN 108948063 A CN108948063 A CN 108948063A CN 201810902985 A CN201810902985 A CN 201810902985A CN 108948063 A CN108948063 A CN 108948063A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- method described
- tetramethylsilane
- raw material
- water
- carries out
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 18
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 13
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical group [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 10
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 3
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 3
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical class ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229940094989 trimethylsilane Drugs 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- VXWPONVCMVLXBW-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;iodide Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[I-] VXWPONVCMVLXBW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/20—Purification, separation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明一实施方式提供了一种四甲基硅烷的制备方法,包括:以直接法合成有机硅单体过程中产生的低沸物或甲基氯硅烷混合物为原料,进行纯化处理,制得所述四甲基硅烷。本发明一实施方式的制备方法,以直接法合成有机硅单体过程中产生的低沸物或甲基氯硅烷混合物为原料,生产成本低,且能制得高纯度的四甲基硅烷。
Description
技术领域
本发明涉及四甲基硅烷的制备方法,具体为一种通过提纯制备四甲基硅烷的制备方法。
背景技术
在有机硅的生产中,氯甲烷与金属硅反应生成甲基氯硅烷,主要产品是二甲基二氯硅烷,占总量的80%以上,同时,也会产生大量的甲基氯硅烷混合物,包括二甲基氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、四氯化硅、三氯氢硅等。这些副产物中的相关产品精制后有较高的附加值,分类回收后有很高的经济价值,例如四氯化硅用于制造光纤预制棒,三氯氢硅可作为多晶硅的原材料,三甲基硅烷、四甲基硅烷可以用于集成电路低介电常数沉积材料等。其中,四甲基硅烷由于硅的电负性较低,对四个甲基上的氢原子影响较小,所以在核磁共振谱中能给出较强的信号和一个锐利的吸收峰,而其他一般有机化合物中的质子吸收峰都出现在它的左面,因此,在核磁共振谱中通常把四甲基硅烷作为核磁共振参比试剂。
目前,四甲基硅烷的合成方法主要有两种,一是由四氯硅烷或正硅酸乙酯与甲基碘化镁反应来制取。二是由氯甲烷和硅粉,在铜催化剂存在下反应而制取,然后精分馏制得。然而,上述两种方法在直接合成方法制备四甲基硅烷上都面临反应条件苛刻、系统收率低、成本偏高等问题,同时容易引入杂质和存在副反应,增加进一步精制难度。
发明内容
本发明的一个主要目的在提供一种四甲基硅烷的制备方法,包括:以直接法合成有机硅单体过程中产生的低沸物或甲基氯硅烷混合物为原料,进行纯化处理,制得所述四甲基硅烷。
根据本发明一实施方式,所述纯化处理包括:将所述原料与水进行反应;将反应后物料进行过滤,得到滤液;将所述滤液进行油水分离;以及,将分离所得的油相组分进行精馏处理。
根据本发明一实施方式,还包括在所述精馏处理之后进行吸附处理。
根据本发明一实施方式,所述吸附处理所使用的吸附剂为分子筛,所述分子筛的孔穴直径在以下。
根据本发明一实施方式,还包括在进行所述吸附处理前,将所述分子筛在90~200℃的温度下进行干燥处理。
根据本发明一实施方式,在惰性气氛下进行所述干燥处理,所述惰性气体为氮气、氩气或氦气。
根据本发明一实施方式,所述原料与所述水的摩尔比为1:(1~5)。
根据本发明一实施方式,所述过滤在过滤器中进行,所述过滤器的过滤精度为0.1~2微米。
根据本发明一实施方式,所述精馏处理在精馏塔中进行,所述精馏塔的塔顶压力为5~100KPa,塔顶温度为28~49℃。
根据本发明一实施方式,所述精馏塔的回流进料比为2~10,理论塔板数为40~80。
本发明一实施方式的制备方法,以直接法合成有机硅单体过程中产生的低沸物或甲基氯硅烷混合物为原料,生产成本低,且能制得高纯度的四甲基硅烷。
附图说明
图1为本发明一实施方式的四甲基硅烷的制备方法的流程图;
图2为本发明一实施方式的制备四甲基硅烷的装置的结构示意图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施方式将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施方式上具有各种的变化,其皆不脱离本发明的范围,且其中的说明及图示在本质上是当作说明之用,而非用以限制本发明。
本发明一实施方式提供了一种四甲基硅烷的制备方法,包括以直接法合成有机硅单体(特别是甲基氯硅烷)过程中产生的低沸物或含较低浓度四甲基硅烷的甲基氯硅烷混合物为原料,对其进行回收和精制等纯化处理,制得四甲基硅烷。
其中,甲基氯硅烷混合物包括二甲基氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、四氯化硅、三氯氢硅和四甲基硅烷。
于一实施方式中,如图1所示,纯化处理过程包括反应除杂步骤、过滤步骤、油水分离步骤和精馏处理步骤。
其中,反应除杂步骤包括:将原料与水进行反应,以将其中的氯硅烷或甲基氯硅烷等通过反应除去。
于一实施方式中,用于参与反应的水优选为纯净水。
于一实施方式中,原料与水的反应式如下。
SiHmCln+H2O—SiO2+HCl(m+n=4)
另外,原料中的B、P等杂质化合物也与水的氧原子反应,形成Si-O-B键或Si-O-P键,对施主杂质和受主杂质进行转化,可于后续的精馏处理中进行分离。
于一实施方式中,原料低沸物与水的摩尔比为1:(1~5),例如1:2、1:3等;反应温度可以为10~60℃,压力为0~5bar,反应在搅拌状态下进行,可进一步强化两相接触反应。
过滤步骤包括:将上述反应后物料进行过滤,得到滤液。对反应后体系中的物料进行过滤,可及时将体系中的固体从物料中移除,避免对后续设备和管路造成堵塞和污染。
油水分离步骤包括:将过滤所得滤液进行油相组分和水相组分的连续分离,分离的水相可返回反应系统重新参与反应,不仅提高了原料的利用率,还可避免水相进入精馏步骤,并与氯硅烷反应生成固体,造成设备的堵塞和污染。
精馏处理步骤包括:将分离所得的油相组分进行精馏处理,以除去高沸物。精馏处理可在精馏塔中进行,塔顶压力可以为5KPa~100KPa,塔顶温度为28~49℃,回流进料比为2~10,理论塔板数为40~80。塔顶可采用循环水进行冷却,塔釜可采用热水或导热油进行加热,塔顶采出四甲基硅烷产品以液相状态排出,塔釜采出高沸物,此部分高沸物进行回收可作为生产硅胶的原料,该高沸物是原料中夹带的较四甲基硅烷沸点高的物质,例如二甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷等。
于一实施方式中,纯化处理过程还包括在精馏处理步骤之后进行吸附处理步骤。自精馏塔塔顶采出的液体可通过吸附剂,例如分子筛进行吸附处理,通过分子筛,根据组分中分子直径的不同对产品进行分离,最终得到高纯四甲基硅烷产品。
于一实施方式中,使用分子筛吸附前需进行预处理,以去除水分,例如可在90~200℃的温度下对分子筛进行干燥处理。为防止高温燃烧,可在惰性气氛下干燥,惰性气体可以为氮气、氩气或氦气。吸附柱的高径比在2~9之间,吸附温度在10~80℃之间,吸附柱内壁做电解抛光处理。
本发明一实施方式的四甲基硅烷的制备方法可在如图2所示的装置中进行,该装置包括依次相连的反应器10、过滤器20、液液分离器30、精馏塔40及吸附器50。
反应除杂步骤在反应器10中进行,在反应器10内设置有温度控制部件、压强控制部件和搅拌部件,以实现控温、控压、搅拌等功能。反应器10的材质为不锈钢,例如316L不锈钢。由于在反应器10所发生反应的产物中包含HCl,其会对金属产生腐蚀,因此可在反应器10的反应腔内与物料直接接触部分设置耐腐蚀内衬,内衬的材质可以为聚四氟乙烯或陶瓷等耐腐蚀材质。另外,反应器10采用磁力密封,密封效果好,确保运行时无泄漏。
过滤步骤在过滤器20中进行,反应完成后,反应器10中的物料自顶部排出,进入过滤器20进行过滤。过滤器20可由滤壳和滤芯组成,内部设置有表面改性的非去湿性膜,材质为PTFE,过滤精度可以为0.1~2微米,相关金属离子的溶出量小于1000ppt,使得在高效拦截的同时过滤器具有较高的流通通量。滤芯可以为柱状,滤芯支撑层、导流层、中心柱、外框和端盖为聚丙烯材质,具有较高的强度,在高压下不变形。
油水分离步骤在液液分离器30中进行,液液分离器30设置有一个进口和两个出口,在其内部设置有液液分离膜,可利用膜与水相和有机相(油相)间的表面张力不同将油水相进行分离。其中,在物料的连续流动中进行两相分离,过程为单向过程,无返混现象,避免了间歇分离,保证了系统的稳定运行。
精馏处理步骤在精馏塔40内进行,精馏塔40可以为板式塔或填料塔,例如筛板塔,优选为填料塔,填料塔的填料可以为金属或非金属的规整或散装填料,优选为散装填料。
吸附处理步骤在吸附器50中进行,吸附器50内的填料为分子筛。四甲基硅烷的分子直径为杂质中的三甲基硅烷为相关的烷烃、烯烃等分子直径在以内,利用分子筛对不同尺寸大小的选择吸附能力进行杂质组分的分离,对极性分子和不饱和分子有强烈的吸附能力,只有分子直径小于孔穴直径的物质才能进入分子筛晶穴的内部,因此,选择孔穴直径在以下。分子筛在吸附饱和后,可以进行再生循环使用。
除非特别限定,本发明所用术语均为本领域技术人员通常理解的含义。
本发明所描述的实施方式仅出于示例性目的,并非用以限制本发明的保护范围,本领域技术人员可在本发明的范围内作出各种其他替换、改变和改进,因而,本发明不限于上述实施方式,而仅由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种四甲基硅烷的制备方法,包括:以直接法合成有机硅单体过程中产生的低沸物或甲基氯硅烷混合物为原料,进行纯化处理,制得所述四甲基硅烷。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述纯化处理包括:
将所述原料与水进行反应;
将反应后物料进行过滤,得到滤液;
将所述滤液进行油水分离;以及
将分离所得的油相组分进行精馏处理。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,还包括在所述精馏处理之后进行吸附处理。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述吸附处理所使用的吸附剂为分子筛,所述分子筛的孔穴直径在以下。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,还包括在进行所述吸附处理前,将所述分子筛在90~200℃的温度下进行干燥处理。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,在惰性气氛下进行所述干燥处理,所述惰性气体为氮气、氩气或氦气。
7.根据权利要求2所述的方法,其中,所述原料与所述水的摩尔比为1:(1~5)。
8.根据权利要求2所述的方法,其中,所述过滤在过滤器中进行,所述过滤器的过滤精度为0.1~2微米。
9.根据权利要求2所述的方法,其中,所述精馏处理在精馏塔中进行,所述精馏塔的塔顶压力为5~100KPa,塔顶温度为28~49℃。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述精馏塔的回流进料比为2~10,理论塔板数为40~80。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810902985.5A CN108948063B (zh) | 2018-08-09 | 2018-08-09 | 四甲基硅烷的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810902985.5A CN108948063B (zh) | 2018-08-09 | 2018-08-09 | 四甲基硅烷的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108948063A true CN108948063A (zh) | 2018-12-07 |
CN108948063B CN108948063B (zh) | 2020-10-02 |
Family
ID=64467974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810902985.5A Active CN108948063B (zh) | 2018-08-09 | 2018-08-09 | 四甲基硅烷的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108948063B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113214304A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-06 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 四甲基硅烷的制备系统和方法 |
CN114736233A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-07-12 | 苏州金宏气体股份有限公司 | 一种四甲基硅烷的合成方法 |
CN115093439A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-09-23 | 苏州金宏气体股份有限公司 | 一种高效催化合成四甲基硅烷的方法 |
CN117624214A (zh) * | 2024-01-24 | 2024-03-01 | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 | 一种四甲基硅烷的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1120542A (zh) * | 1994-05-05 | 1996-04-17 | 瓦克化学有限公司 | 从硅烷中除去链烯烃的方法 |
EP0743315A2 (en) * | 1995-05-15 | 1996-11-20 | Dow Corning Corporation | Method for redistribution and purification of methylsilanes |
CN101955496A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 嘉兴联合化学有限公司 | 一种四甲基硅烷提纯工艺 |
CN105330683A (zh) * | 2014-08-08 | 2016-02-17 | 上海楚青新材料科技有限公司 | 一种工业化制备叔丁基二甲基硅烷的方法 |
-
2018
- 2018-08-09 CN CN201810902985.5A patent/CN108948063B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1120542A (zh) * | 1994-05-05 | 1996-04-17 | 瓦克化学有限公司 | 从硅烷中除去链烯烃的方法 |
EP0743315A2 (en) * | 1995-05-15 | 1996-11-20 | Dow Corning Corporation | Method for redistribution and purification of methylsilanes |
CN101955496A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 嘉兴联合化学有限公司 | 一种四甲基硅烷提纯工艺 |
CN105330683A (zh) * | 2014-08-08 | 2016-02-17 | 上海楚青新材料科技有限公司 | 一种工业化制备叔丁基二甲基硅烷的方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113214304A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-06 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 四甲基硅烷的制备系统和方法 |
CN114736233A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-07-12 | 苏州金宏气体股份有限公司 | 一种四甲基硅烷的合成方法 |
CN115093439A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-09-23 | 苏州金宏气体股份有限公司 | 一种高效催化合成四甲基硅烷的方法 |
CN117624214A (zh) * | 2024-01-24 | 2024-03-01 | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 | 一种四甲基硅烷的制备方法 |
CN117624214B (zh) * | 2024-01-24 | 2024-05-17 | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 | 一种四甲基硅烷的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108948063B (zh) | 2020-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108948063A (zh) | 四甲基硅烷的制备方法 | |
KR960005508B1 (ko) | 디클로로실란의 제조방법 및 장치 | |
KR101681565B1 (ko) | 실란 및 하이드로할로실란의 제조 방법 | |
CN109987608B (zh) | 一种同时生产电子级二氯二氢硅、电子级三氯氢硅及电子级四氯化硅的方法 | |
JP5879283B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
KR20110015527A (ko) | 순수 실리콘의 제조방법 및 제조시스템 | |
CN106882808B (zh) | 氯硅化物的纯化方法和纯化系统 | |
CN103288865A (zh) | 一种利用有机硅共沸物生产正硅酸乙酯的方法 | |
CN106966397A (zh) | 六氯乙硅烷的回收方法 | |
JP2004149351A (ja) | クロロシラン及びその精製方法 | |
CN104030293B (zh) | 一种四氯化硅提纯工艺及系统 | |
CN212315554U (zh) | 用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置 | |
CN106946261A (zh) | 六氯乙硅烷的回收装置 | |
US20220411273A1 (en) | Method for removing an impurity from a chlorosilane mixture | |
CN116082384B (zh) | 利用有机硅低沸副产物合成三甲基氯硅烷的工艺 | |
TWI568673B (zh) | 三氯矽烷之純化 | |
CN208632424U (zh) | 四甲基硅烷的制备装置 | |
CN108774257A (zh) | 四甲基硅烷的制备装置 | |
CN209522583U (zh) | 乙硅烷制备装置 | |
CN108946742A (zh) | 提纯三氯氢硅的装置 | |
KR20170091623A (ko) | 공정 배출가스 흐름 내에 함유된 클로로실란 혼합물로부터 헥사클로로디실란의 회수 방법 | |
CN109399644A (zh) | 乙硅烷的制备方法 | |
CN209242692U (zh) | 提纯三氯氢硅的装置 | |
CN105732692B (zh) | 甲基苯基二甲氧基硅烷的合成方法 | |
CN108862282A (zh) | 乙硅烷的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |