CN108933380B - 激光器装置 - Google Patents

激光器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108933380B
CN108933380B CN201810535428.4A CN201810535428A CN108933380B CN 108933380 B CN108933380 B CN 108933380B CN 201810535428 A CN201810535428 A CN 201810535428A CN 108933380 B CN108933380 B CN 108933380B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser diode
voltage
current control
rising edge
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810535428.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108933380A (zh
Inventor
宇野进吾
广木知之
渡边一马
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Publication of CN108933380A publication Critical patent/CN108933380A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108933380B publication Critical patent/CN108933380B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018—Lasers electrically in series
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
    • H01S5/06216—Pulse modulation or generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

提供一种激光器装置。激光器装置具备：电流控制元件，其与激光二极管部对应地设置且与激光二极管部串联连接；电流控制电路，其对电流控制元件的控制端子施加电压来使电流控制元件导通，从而控制激光二极管部中流动的电流；电压调整电路，其与激光二极管部对应地设置，用于将在激光二极管部截止时对电流控制元件的控制端子施加的电压按各个激光二极管部个别地调整为阈值以下；以及加法器，其与激光二极管部对应地设置，用于对电流控制元件的控制端子施加将来自电流控制电路的电压与由电压调整电路调整后的阈值以下的调整电压相加所得到的相加电压。电压调整电路对调整电压进行调整，以使激光二极管部的光输出的上升沿定时一致。

Description

激光器装置
技术领域
本发明涉及一种驱动多个半导体激光器的激光器装置，特别是涉及一种用于控制从激光器开启的定时起直到激光器开始振荡为止的延迟时间的技术。
背景技术
作为以往的激光器装置，已知一种通过使偏置电流流过半导体激光器来生成高速脉冲的技术。图1是表示日本特开平10-256606号公报中记载的以往的这种激光器装置的结构的图。
如图1所示，偏置电流源125使偏置电流在由半导体激光器构成的发光元件111中流动，由此即使在半导体激光器关闭时也能够对作为电流控制元件的MOSFET Q12的栅极施加阈值电压附近的电压。因此，当半导体激光器开启时，能够立即使电流在发光元件111中流动。通过使偏置电流在半导体激光器中流动，半导体激光器输出自发发射光。
然而，在曝光装置等中存在需要在激光器关闭时连自发发射光也切断的应用程序。在这样的情况下，需要将MOSFET Q12的栅极电压设定为阈值电压以下来可靠地关闭半导体激光器。
然而，当将MOSFET Q12的栅极电压设为阈值电压以下时，为了开启半导体激光器，而需要控制栅极电压以使得超过阈值电压来流通规定的电流。
但是，该动作所需的时间由于MOSFET的个体差异、反馈控制电路的电阻R与电容器C的RC常数、运算放大器而产生偏差。因此，从激光器开启信号的定时到激光器振荡为止的延迟时间变得有偏差。另外，在将多个半导体激光器进行合成并驱动的情况下，各个半导体激光器的延迟时间有偏差，因此当将多个激光器输出进行合成时，合成激光输出产生失真。
本发明的课题在于提供一种能够抑制各个延迟时间的偏差来抑制合成激光输出的失真的激光器装置。
发明内容
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明所涉及的激光器装置具备：多个激光二极管部，各个激光二极管部是由一个激光二极管构成或者由多个激光二极管串联连接而构成；多个电流控制元件，其与所述多个激光二极管部对应地设置，且与所述激光二极管部串联连接；电流控制电路，其对所述多个电流控制元件的控制端子施加电压来使所述多个电流控制元件导通，由此控制流向所述多个激光二极管部的电流；多个电压调整电路，其与所述多个激光二极管部对应地设置，用于将在所述多个激光二极管部截止时对所述电流控制元件的控制端子施加的电压按各个激光二极管部个别地调整为阈值以下；以及多个加法器，其与所述多个激光二极管部对应地设置，用于对所述电流控制元件的控制端子施加将来自所述电流控制电路的所述电压与由所述电压调整电路调整后的阈值以下的调整电压相加所得到的相加电压，其中，所述多个电压调整电路各自对所述调整电压进行调整，以使与所述多个激光二极管部的光输出分别相对应的多个上升沿定时一致。在构成激光二极管部的激光二极管为一个的情况下，能够与构成激光二极管部的激光二极管为多个的情况相比更可靠地使光输出的上升沿定时一致。
发明的效果
根据本发明，多个电压调整电路对调整电压进行调整，使得将在激光二极管部截止时对电流控制元件的控制端子施加的电压按各个激光二极管部个别地调整为阈值以下、且使与多个激光二极管部的光输出分别相对应的多个上升沿定时一致。
因而，能够提供一种能够抑制各个延迟时间的偏差来抑制合成激光输出的失真的激光器装置。
附图说明
图1是以往的激光器装置的结构图。
图2是本发明的实施例1的激光器装置的结构图。
图3是用于说明以往的激光器装置的各部的动作的时序图。
图4是用于说明实施例1的激光器装置的各部的动作的时序图。
图5是本发明的实施例2的激光器装置的结构图。
具体实施方式
(实施例1)
以下，参照附图来详细地说明本发明的实施方式所涉及的激光器装置。图2是本发明的实施例1的激光器装置的结构图。图2所示的实施例1的激光器装置具备：激光二极管部LD1、LD2、MOSFET Q1、Q2、电流控制电路11、第一电压调整电路12a、第二电压调整电路12b、加法器13a、13b、光电二极管14以及显示部15。
在实施例1中，将激光二极管部LD1、LD2、MOSFET Q1、Q2、第一电压调整电路12a、第二电压调整电路12b、加法器13a、13b各自设为两个，但也可以设置三个以上。
激光二极管部LD1、LD2与本发明的多个激光二极管部对应。虽然未图示，但激光二极管部LD1、LD2各自是由一个激光二极管构成或由多个激光二极管串联连接而构成，激光二极管部LD1、LD2各自的阳极连接于电源Vcc，激光二极管部LD1的阴极连接于MOSFET Q1的漏极，激光二极管部LD2的阴极连接于MOSFET Q2的漏极，激光二极管部LD1、LD2各自通过流通电流来输出激光。
MOSFET Q1、Q2与本发明的电流控制元件对应，MOSFET Q1与激光二极管部LD1对应地设置，MOSFET Q2与激光二极管部LD2对应地设置，MOSFET Q1的漏极连接于激光二极管部LD1的阴极，MOSFET Q2的漏极连接于激光二极管部LD2的阴极，MOSFET Q1、Q2的源极连接于基准电位(例如，接地)，MOSFET Q1的栅极连接于加法器13a的输出侧，MOSFET Q2的栅极连接于加法器13b的输出侧。
电流控制电路11对MOSFET Q1、Q2的栅极施加脉冲电压来使MOSFET Q1、Q2导通，由此控制激光二极管部LD1、LD2中流动的电流。
第一电压调整电路12a与激光二极管部LD1对应地设置，第二电压调整电路12b与激光二极管部LD2对应地设置，第一电压调整电路12a和第二电压调整电路12b用于将在激光二极管部LD1、LD2截止时对MOSFET Q1、Q2的栅极施加的电压按各个激光二极管部LD1、LD2个别地调整为阈值以下。
加法器13a与激光二极管部LD1对应地设置，加法器13b与激光二极管部LD2对应地设置，加法器13a用于对MOSFET Q1的栅极(与本发明的控制端子对应)施加将来自电流控制电路11的电压与由电压调整电路12a调整后的阈值以下的调整电压相加所得到的相加电压，加法器13b用于对MOSFET Q2的栅极(与本发明的控制端子对应)施加将来自电流控制电路11的电压与由电压调整电路12b调整后的阈值以下的调整电压相加所得到的相加电压。
各个电压调整电路12a、12b对调整电压进行调整，使得激光二极管部LD1、LD2的光输出的两个上升沿定时一致。
光电二极管14与本发明的光检测器对应，用于检测激光二极管部LD1、LD2的光输出。显示部15与本发明的波形显示部对应，例如是示波器等，用于显示由光电二极管14检测到的激光二极管部LD1、LD2的光输出的波形的随时间的变化。
各个电压调整电路12a、12b基于显示部15中显示的激光二极管部LD1、LD2的光输出的波形的随时间的变化来对调整电压进行调整，使得激光二极管部LD1、LD2的光输出的两个上升沿定时一致。
接着，对以这种方式构成的实施例1的激光器装置的动作进行说明。首先，参照图3所示的时序图来说明以往的激光器装置的各部的动作。此外，在以往的电路中，没有设置图2示出的电压调整电路12a、12b、加法器13a、13b、光电二极管14以及显示部15。
如图3所示，在时刻to，对MOSFET Q1、Q2的栅极施加来自电流控制电路11的电压、例如0V来作为栅极电压(Vg1、Vg2)，由此使MOSFET Q1、Q2导通。即，当在时刻to使激光器开启时，在时刻t1，激光二极管部LD2执行上升沿而导通。接着，在时刻t2，激光二极管部LD1执行上升沿而导通。
如在以往的技术中所说明的那样，上升沿定时之所以有时刻t1、t2的偏差，是由MOSFET Q1、Q2的个体差异的偏差等所导致的。因此，如图3所示，当将激光二极管部LD1的光输出与激光二极管部LD2的光输出进行合成时，上升沿发生失真。
与此相对地，在实施例1的激光器装置中，将来自电流控制电路11的电压、例如0V输出到加法器13a、13b。另外，当将来自第一电压调整电路12a的调整电压、例如0V输出到加法器13a时，对MOSFET Q1的栅极施加0V(Vg1)。因此，如图4所示，激光二极管部LD1的光输出在时刻t2执行上升沿。
光电二极管14检测激光二极管部LD1的光输出，显示部15显示由光电二极管14检测到的激光二极管部LD1的光输出的波形的随时间的变化。因此，能够视觉观察到激光二极管部LD1的光输出在时刻t2执行上升沿。
另外，当将来自第二电压调整电路12b的调整电压、例如0V输出到加法器13b时，对MOSFETQ2的栅极施加0V(Vg2)。因此，如图3所示，激光二极管部LD2的光输出在时刻t1执行上升沿。
接着，使光电二极管14移动，并检测激光二极管部LD2的光输出，显示部15显示由光电二极管14检测到的激光二极管部LD2的光输出的波形的随时间的变化。因此，能够视觉观察到激光二极管部LD2的光输出在时刻t1执行上升沿。
接着，与显示部15中显示的如图3所示那样的两个上升沿定时t1、t2中的除最晚的上升沿定时t2以外的其余的上升沿定时t1对应的第二电压调整电路12b将调整电压(栅极电压Vg2a)调整为负电压(例如-0.2V)，由此使上升沿定时与最晚的上升沿定时t2一致。
即，通过将阈值电压从0V降低至-0.2V，使激光二极管部LD2的光输出的上升沿定时延迟，由此能够使上升沿定时与最晚的上升沿定时t2一致。
因而，在将激光二极管部LD1的光输出与激光二极管部LD2的光输出进行了合成的情况下，能够如图4所示那样抑制上升沿的失真。
此外，在实施例1中，第二电压调整电路12b将调整电压(栅极电压Vg2a)调整为负电压(例如-0.2V)，由此使上升沿定时与最晚的上升沿定时t2一致。例如，也可以是，第一电压调整电路12a将调整电压(栅极电压Vg1a)调整为正电压(例如+0.2V)，由此使上升沿定时与最早的上升沿定时t1一致。
这样，根据实施例1的激光器装置，多个电压调整电路12a、12b对调整电压进行调整，以使在激光二极管部LD1、LD2截止时对MOSFET Q1、Q2的栅极施加的电压按各个激光二极管部LD1、LD2个别地调整为阈值以下、且使激光二极管部LD1、LD2的光输出的两个上升沿定时一致。
因而，能够提供一种能够抑制各个延迟时间的偏差来抑制合成激光输出的失真的激光器装置。另外，能够使多个激光器同时开启和关闭，能够有效地合成激光。
(实施例2)
图5是本发明的实施例2的激光器装置的结构图。图5所示的实施例2的激光器装置的特征在于，相对于图2所示的实施例1的激光器装置的结构，还具备反馈控制电路，该反馈控制电路具有电阻R1～R6、放大器AP1、AP2、电容器C1、C2以及比较器CMP1、CMP2。
电阻R1的一端和放大器AP1的非反转输入端子(+)连接于MOSFET Q1的源极，电阻R1的另一端连接于基准电位。电阻R2的一端、电阻R3的一端以及电容器C1的一端连接于放大器AP1的反转输入端子(-)，电阻R2的另一端连接于基准电位。
电阻R3的另一端、电容器C1的另一端以及比较器CMP1的一个输入端子连接于放大器AP1的输出端子。加法器13a的输出连接于比较器CMP1的另一个输入端子，比较器CMP1的输出端子连接于MOSFET Q1的栅极。
电阻R1的一端和放大器AP1的非反转输入端子(+)连接于MOSFET Q1的源极，电阻R1的另一端连接于基准电位。电阻R2的一端、电阻R3的一端以及电容器C1的一端连接于放大器AP1的反转输入端子(-)，电阻R2的另一端连接于基准电位。
电阻R4的一端和放大器AP2的非反转输入端子(+)连接于MOSFET Q2的源极，电阻R4的另一端连接于基准电位。电阻R5的一端、电阻R6的一端以及电容器C2的一端连接于放大器AP2的反转输入端子(-)，电阻R5的另一端连接于基准电位。
电阻R6的另一端、电容器C2的另一端以及比较器CMP2的一个输入端子连接于放大器AP2的输出端子。加法器13b的输出连接于比较器CMP2的另一个输入端子，比较器CMP2的输出端子连接于MOSFET Q2的栅极。
根据如以上方式构成的实施例2的激光器装置，检测电阻R1、R4中流动的电流，向放大器AP1、AP2的非反转输入端子(+)输入与检测到的电流对应的电压。放大器AP1、AP2将被输入到非反转输入端子(+)的电压放大，比较器CMP1将来自加法器13a的电压与来自放大器AP1的电压进行比较并将比较输出施加于MOSFET Q1的栅极，比较器CMP2将来自加法器13b的电压与来自放大器AP2的电压进行比较并将比较输出施加于MOSFET Q2的栅极。
即，能够通过反馈控制来将在激光二极管部LD1、LD2中流动的电流控制为固定值。
另外，即使MOSFET Q1、Q2、电阻R1～R6、电容器C1、C2、放大器AP1、AP2、比较器CMP1、CMP2等有偏差，也与实施例1同样地，利用第一电压调整电路12a、第二电压调整电路12b对调整电压进行调整，以使在激光二极管部LD1、LD2截止时对MOSFET Q1、Q2的栅极施加的电压按各个激光二极管部LD1、LD2个别地调整为阈值以下、且使激光二极管部LD1、LD2的光输出的两个上升沿定时一致。
因而，能够提供一种能够抑制各个延迟时间的偏差来抑制合成激光输出的失真的激光器装置。另外，能够使多个激光器同时开启和关闭，能够有效地合成激光。
产业上的可利用性
本发明能够应用于激光加工等。
本申请要求2017年5月29日申请的日本特愿2017-105420号的优先权，并编入其全部的内容。

Claims (5)

1.一种激光器装置，具备：
多个激光二极管部，各个激光二极管部是由一个激光二极管构成或者由多个激光二极管串联连接而构成；
多个电流控制元件，所述多个电流控制元件与所述多个激光二极管部对应地设置，所述电流控制元件与所述激光二极管部串联连接；
电流控制电路，其对所述多个电流控制元件的控制端子施加电压来使所述多个电流控制元件导通，由此控制所述多个激光二极管部中流动的电流；
多个电压调整电路，所述多个电压调整电路与所述多个激光二极管部对应地设置，所述多个电压调整电路用于将在所述多个激光二极管部截止时对所述电流控制元件的控制端子施加的电压按各个激光二极管部个别地调整为阈值以下；以及
多个加法器，所述多个加法器与所述多个激光二极管部对应地设置，所述加法器用于对所述电流控制元件的控制端子施加将来自所述电流控制电路的所述电压与由所述电压调整电路输出的调整电压相加所得到的相加电压，
其中，所述多个电压调整电路各自对所述调整电压进行调整，以使与所述多个激光二极管部的光输出分别相对应的多个上升沿定时一致。
2.根据权利要求1所述的激光器装置，其特征在于，还具备：
光检测器，其检测所述多个激光二极管部的光输出；以及
波形显示部，其显示由所述光检测器检测到的所述多个激光二极管部的光输出的波形的随时间的变化，
其中，所述多个电压调整电路各自基于所述波形显示部中显示的所述多个激光二极管部的光输出的波形的随时间的变化来对所述调整电压进行调整，以使与所述多个激光二极管部的光输出分别相对应的所述多个上升沿定时一致。
3.根据权利要求1所述的激光器装置，其特征在于，
与所述多个上升沿定时中的除最晚的上升沿定时以外的其余的上升沿定时对应的一个以上的所述电压调整电路将所述调整电压调整为负电压，由此使上升沿定时与所述最晚的上升沿定时一致。
4.根据权利要求2所述的激光器装置，其特征在于，
与所述多个上升沿定时中的除最晚的上升沿定时以外的其余的上升沿定时对应的一个以上的所述电压调整电路将所述调整电压调整为负电压，由此使上升沿定时与所述最晚的上升沿定时一致。
5.根据权利要求1所述的激光器装置，其特征在于，具备：
多个第一电阻，所述多个第一电阻与所述多个激光二极管部对应地设置，所述第一电阻的一端连接于所述电流控制元件的主端子；
多个放大器，所述多个放大器与所述多个激光二极管部对应地设置，所述放大器的非反转输入端子连接于所述第一电阻的一端，所述放大器的反转输入端子连接于第二电阻的一端，在所述放大器的所述反转输入端子与输出端子之间并联连接有电容器和第三电阻；以及
多个比较器，所述多个比较器与所述多个激光二极管部对应地设置，所述比较器向所述电流控制元件的所述控制端子输出将来自所述放大器的输出与来自所述加法器的输出进行比较所得到的比较输出。
CN201810535428.4A 2017-05-29 2018-05-29 激光器装置 Active CN108933380B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017105420A JP6946748B2 (ja) 2017-05-29 2017-05-29 レーザ装置
JP2017-105420 2017-05-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108933380A CN108933380A (zh) 2018-12-04
CN108933380B true CN108933380B (zh) 2020-05-08

Family

ID=64401150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810535428.4A Active CN108933380B (zh) 2017-05-29 2018-05-29 激光器装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10355447B2 (zh)
JP (1) JP6946748B2 (zh)
CN (1) CN108933380B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109412005B (zh) * 2018-12-26 2020-05-22 吉林大学 一种程控式高效率激光泵浦源模块
CN109449739B (zh) * 2018-12-26 2020-05-22 吉林大学 一种低电损耗的激光泵浦源系统
CN109412002B (zh) * 2018-12-26 2020-05-22 吉林大学 一种高效率激光泵浦源装置
CN109412001B (zh) * 2018-12-26 2020-05-22 吉林大学 一种数字式高效率激光泵浦源
US20210119421A1 (en) * 2019-10-16 2021-04-22 Panasonic intellectual property Management co., Ltd Cold-start acceleration for wavelength-beam-combining laser resonators
KR102133989B1 (ko) * 2019-12-27 2020-07-14 주식회사 디에이치에스 다중 배열 레이저 광 출력 제어장치 및 그 방법
WO2024184951A1 (ja) * 2023-03-03 2024-09-12 日清紡マイクロデバイス株式会社 半導体レーザ駆動装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1374725A (zh) * 2001-03-05 2002-10-16 富士施乐株式会社 发光元件驱动装置和发光元件驱动系统
JP2004071974A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ制御回路
CN101068110A (zh) * 2006-04-26 2007-11-07 松下电器产业株式会社 激光驱动电路、激光驱动方法和记录再现装置
US8705979B2 (en) * 2009-04-03 2014-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. LD driver with an improved falling edge of driving signal and optical transmitter providing the same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835780A (en) * 1986-12-08 1989-05-30 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor laser output control circuit
JP2642121B2 (ja) * 1988-02-10 1997-08-20 株式会社リコー 半導体レーザー出力制御装置
US5465264A (en) * 1993-11-22 1995-11-07 Xerox Corporation Electronic simulation for compensating laser diode thermal effects
US6064682A (en) * 1996-07-26 2000-05-16 Wivenhoe Technology Limited Delaying of laser pulses
JP3881079B2 (ja) 1997-03-14 2007-02-14 株式会社アドバンテスト 半導体集積回路素子
US6344641B1 (en) * 1999-08-11 2002-02-05 Agilent Technologies, Inc. System and method for on-chip calibration of illumination sources for an integrated circuit display
EP1441425A1 (en) * 2003-01-21 2004-07-28 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Method and electronic circuit for controlling of a supply voltage of a laser diode
US7218656B2 (en) * 2004-05-26 2007-05-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Control of spectral content of a laser diode light source
US7756173B2 (en) * 2008-06-20 2010-07-13 Alfrey Anthony J Laser diode driver with adaptive compliance voltage
JP5471569B2 (ja) * 2010-02-18 2014-04-16 株式会社リコー レーザ駆動装置、光走査装置、画像形成装置及びレーザ駆動方法
JP6054028B2 (ja) * 2011-02-09 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成システム
JP2012216769A (ja) * 2011-03-29 2012-11-08 Gigaphoton Inc レーザシステム、レーザ光生成方法、および極端紫外光生成システム
JP2012209501A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法
US20130156061A1 (en) * 2011-09-20 2013-06-20 Freedom Photonics, Llc Arrangement for Generating Fast Wavelength-Switched Optical Signal
US8957934B2 (en) * 2012-11-21 2015-02-17 Ricoh Company, Ltd. Light source drive circuit, optical scanning apparatus, semiconductor drive circuit, and image forming apparatus
CN103887706B (zh) * 2014-03-20 2016-05-18 常州华达科捷光电仪器有限公司 一种激光控制电路、控制方法及具有该控制电路的激光墨线仪
EP3048679B1 (en) * 2015-01-23 2017-10-18 Alcatel Lucent Self-heating mitigation in an acoustic distributed feedback laser
IL240571A (en) * 2015-08-13 2016-12-29 Grauer Yoav Meir beats for different uses

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1374725A (zh) * 2001-03-05 2002-10-16 富士施乐株式会社 发光元件驱动装置和发光元件驱动系统
JP2004071974A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ制御回路
CN101068110A (zh) * 2006-04-26 2007-11-07 松下电器产业株式会社 激光驱动电路、激光驱动方法和记录再现装置
US8705979B2 (en) * 2009-04-03 2014-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. LD driver with an improved falling edge of driving signal and optical transmitter providing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US10355447B2 (en) 2019-07-16
JP6946748B2 (ja) 2021-10-06
US20180342852A1 (en) 2018-11-29
JP2018200969A (ja) 2018-12-20
CN108933380A (zh) 2018-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108933380B (zh) 激光器装置
JP6822727B2 (ja) 浮動電圧基準を用いる低ドロップアウト電圧レギュレータ
JP6576306B2 (ja) 電圧電流変換回路および負荷駆動回路
JP5168910B2 (ja) 定電流回路及び定電流回路を使用した発光ダイオード駆動装置
TWI400936B (zh) 驅動器裝置及方法
WO2008007106A1 (en) Protection circuit and method
JP2014160803A (ja) Ｌｅｄ駆動装置
US7912379B2 (en) Optical transmitter circuit
US20120045217A1 (en) Drive circuit, optical transmission apparatus, driving method, and optical transmission method
US8866554B2 (en) Translinear slew boost circuit for operational amplifier
WO2017154128A1 (ja) 半導体発光装置
US9348347B2 (en) Voltage generator with current source compensated for an error current operable over a wide voltage range
JP4229210B2 (ja) 発光素子駆動装置および発光素子駆動システム
JP6119674B2 (ja) 駆動回路及び半導体装置
JP2015179436A (ja) 発光素子の駆動回路、光源装置および発光素子の駆動方法
JP2020047957A (ja) 半導体レーザ駆動回路
KR20080000542A (ko) 스위칭 레귤레이터
JP6665835B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP6772637B2 (ja) 半導体発光素子駆動回路
US20190052258A1 (en) Glitch compensation in electronic circuits
JP5194391B2 (ja) 発光装置及び発光素子駆動方法
TWI659671B (zh) 發光元件驅動電路
CN113841335A (zh) 峰值检测器
CN114185052A (zh) 激光发射驱动电路及激光雷达
KR20160015075A (ko) 모터 구동 장치 및 모터 시스템, 그의 보정 회로

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant