CN108893737A - 一种导电陶瓷涂层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述的导电陶瓷涂层的原料以质量分计包括,凹土粉末2~3份;铁氧体陶瓷粉末7~9份;碳粉1~2份,所述的制备方法包括以下步骤,(1)将以上原料按配比混合均匀并烘干处理;(2)将烘干后的原料喷涂在金属基体表面,在金属基体表面形成涂层;(3)使用火焰枪喷射金属基体的涂层,使金属机体的表面层与所述的涂层熔接。本申请的一种导电陶瓷涂层的制备方法,原材料中增加了碳粉和凹土,增加了导电陶瓷涂层的导电率和表面硬度,另外使用火焰枪喷射金属基体的涂层,提高了涂层的结合强度。
Description
技术领域
本申请涉及一种导电陶瓷涂层的制备方法。
背景技术
众所周知,通常陶瓷不导电,是良好的绝缘体。例如在氧化物陶瓷中,原子的外层电子通常受到原子核的吸引力,被束缚在各自原子的周围,不能自由运动。所以氧化物陶瓷通常是不导电的绝缘体。然而,某些氧化物陶瓷加热时,处于原子外层的电子可以获得足够的能量,以便克服原子核对它的吸引力,而成为可以自由运动的自由电子,这种陶瓷就变成导电陶瓷。现在已经研制出多种可在高温环境下应用的高温电子导电陶瓷材料:碳化硅陶瓷的最高使用温度为1450℃,二硅化钼陶瓷的最高使用温度为1650℃,氧化锆陶瓷的最高使用温度为2000℃,氧化钍陶瓷的最高使用温度高达2500℃。此外,还有离子导电陶瓷和半导体陶瓷,各有千秋,各具不同的功能。具有质子导电性的陶瓷目前已发现许多种,但作为实用材料,要求在较宽的温度和湿度范围内具有稳定的物理和化学性能,导电率高、适于高温工作及成本低等。目前有实用价值的主要是SrCeO3系高温型质子导电陶瓷。
申请内容
本申请要解决的技术问题是提供一种导电陶瓷涂层的制备方法。
为了解决上述技术问题,本申请提供了一种导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述的导电陶瓷涂层的原料以质量分计包括,凹土粉末2~3份;铁氧体陶瓷粉末7~9份;碳粉1~2份,所述的制备方法包括以下步骤,(1)将以上原料按配比混合均匀并烘干处理;(2)将烘干后的原料喷涂在金属基体表面,在金属基体表面形成涂层;(3)使用火焰枪喷射金属基体的涂层,使金属机体的表面层与所述的涂层熔接。
优选地,所述的原料以质量分计,包括,凹土粉末2份;铁氧体陶瓷粉末8份;碳粉1.5份。
优选地,所述的凹土粉末为高粘凹土粉末。
优选地,所述陶瓷层是分子式为MeFe2O4的铁氧体陶瓷材料,其中,Me是Mn2+,Zn2+,Cu2+,Ni2+,Mg2+,Co2+和Li+ 0.5Fe3+ 0.5中的一种。
优选地,在步骤(2)中,首先在金属基体表面涂抹水玻璃,然后在喷涂原料粉末。
优选地,在步骤(1)中,烘干温度为100~150℃。
优选地,在步骤(3)中,火焰枪为炔氧焰火焰枪,所述的火焰枪的温度为1500~2000℃。
优选地,所述的导电陶瓷层的厚度为0.1~0.3mm。
本申请的一种导电陶瓷涂层的制备方法,原材料中增加了碳粉和凹土,增加了导电陶瓷涂层的导电率,另外使用火焰枪喷射金属基体的涂层,提高了涂层的结合强度。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本申请作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本申请并能予以实施,但所举实施例不作为对本申请的限定。
按表1中的配比原料制备导电陶瓷涂层,所述的制备方法包括以下步骤,(1)将以上原料按配比混合均匀并烘干处理,烘干温度为100~150℃;(2)将烘干后的原料喷涂在金属基体表面,在金属基体表面形成涂层;(3)使用火焰枪喷射金属基体的涂层,使金属机体的表面层与所述的涂层熔接,火焰枪为炔氧焰火焰枪,所述的火焰枪的温度为1500~2000℃。所述的导电陶瓷层的厚度为0.1~0.3mm。
在常温常压下所测的各个配比的参数如下表所示。
表1
如表1所示,原材料中增加了碳粉和凹土,增加了导电陶瓷涂层的导电率和表面硬度,另外使用火焰枪喷射金属基体的涂层,提高了涂层的结合强度。
以上所述实施例仅是为充分说明本申请而所举的较佳的实施例,本申请的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本申请基础上所作的等同替代或变换,均在本申请的保护范围之内。本申请的保护范围以权利要求书为准。
Claims (8)
1.一种导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述的导电陶瓷涂层的原料以质量分计包括,凹土粉末2~3份;铁氧体陶瓷粉末7~9份;碳粉1~2份,所述的制备方法包括以下步骤,
(1)将以上原料按配比混合均匀并烘干处理;
(2)将烘干后的原料喷涂在金属基体表面,在金属基体表面形成涂层;
(3)使用火焰枪喷射金属基体的涂层,使金属机体的表面层与所述的涂层熔接。
2.如权利要求1所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述的原料以质量分计,包括,凹土粉末2份;铁氧体陶瓷粉末8份;碳粉1.5份。
3.如权利要求2所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述的凹土粉末为高粘凹土粉末。
4.如权利要求3所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述陶瓷层是分子式为MeFe2O4的铁氧体陶瓷材料,其中,Me是Mn2+,Zn2+,Cu2+,Ni2+,Mg2+,Co2+和Li+ 0.5Fe3+ 0.5中的一种。
5.如权利要求4所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中,首先在金属基体表面涂抹水玻璃,然后在喷涂原料粉末。
6.如权利要求5所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,烘干温度为100~150℃。
7.如权利要求6所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,在步骤(3)中,火焰枪为炔氧焰火焰枪,所述的火焰枪的温度为1500~2000℃。
8.如权利要求7所述的导电陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,所述的导电陶瓷层的厚度为0.1~0.3mm。
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CN201810866413.6A CN108893737A (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 一种导电陶瓷涂层的制备方法 |
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