CN108884555A - 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 - Google Patents
蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108884555A CN108884555A CN201680075966.9A CN201680075966A CN108884555A CN 108884555 A CN108884555 A CN 108884555A CN 201680075966 A CN201680075966 A CN 201680075966A CN 108884555 A CN108884555 A CN 108884555A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- interarea
- resin layer
- deposition mask
- metal layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 142
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 142
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 139
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 139
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 219
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 37
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 37
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
蒸镀掩模(100)包括：树脂层(10)，其具有第1主面(11)及第2主面(12)，且包含多个开口部(13)；以及金属层(20)，其为具有第3主面(21)及第4主面(22)，且设置于树脂层的第1主面上以使第4主面位于树脂层的金属层，且具有使多个开口部露出的形状。树脂层的第1主面的与金属层相接的部分及不与金属层相接的部分、以及金属层的第3主面分别包含具有凹凸形状的粗面区域。
Description
技术领域
本发明涉及一种蒸镀掩模，尤其涉及一种具有层叠树脂层和金属层的结构的蒸镀掩模。此外，本发明也涉及一种蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法。
背景技术
近年来，作为下一代显示器的有机电致发光(EL，Electro Luminescence)显示装置备受关注。在当前量产的有机EL显示装置中，有机EL层的形成主要使用真空蒸镀法来进行。
作为蒸镀掩模，一般为金属制掩模(金属掩模)。然而，伴随有机EL显示装置的高精细化发展，使用金属掩模形成精度良好的蒸镀图案越来越困难。其原因在于，当前的金属加工技术中，难以在成为金属掩模的金属板(例如厚度为100μm左右)上高精度地形成与短像素间距(例如10～20μm左右)对应的较小的开口部。
因此，作为用于形成精细度较高的蒸镀图案的蒸镀掩模，提出了具有层叠树脂层和金属层的结构的蒸镀掩模(以下也称为“层叠型掩模”)。例如，专利文献1公开了具有层叠树脂薄膜和作为金属磁性体的保持构件的结构的蒸镀掩模。树脂薄膜形成有与所期望的蒸镀图案对应的多个开口部。保持构件以使树脂薄膜的开口部露出的方式形成有多个尺寸较树脂薄膜的开口部更大的开口部。因此，在使用专利文献1的蒸镀掩模的情况下，蒸镀图案与树脂薄膜的多个开口部对应地形成。比一般的金属掩模用金属板更薄的树脂薄膜中，即便为较小的开口部也能够高精度地形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2013-124372号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在进行真空蒸镀时，在蒸镀掩模的蒸镀源侧的表面沉积蒸镀材料。若所沉积的蒸镀材料剥落，则会污染蒸镀源。因此，需要在蒸镀材料沉积至担忧蒸镀材料剥离的厚度之前(即在规定的周期内)，清洗蒸镀掩模的表面。
然而，如专利文献1所提出的层叠型掩模包含树脂层，因此与金属掩模相比抗清洗性较差。因此，层叠型掩模的掩模寿命与金属掩模相比变短。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种可优选用于形成高精细的蒸镀图案且能够将清洗周期设定比现有的更长的层叠型蒸镀掩模。此外，本发明的另一目的在于提供一种能够优选制造这种蒸镀掩模的制造方法、及使用这种蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法。
解决问题的手段
本发明的实施方式的蒸镀掩模包括：树脂层，其具有第1主面及第2主面，且包含多个开口部；以及金属层，其为具有第3主面及第4主面，且设置于所述树脂层的所述第1主面上以使所述第4主面位于所述树脂层侧的金属层，且具有使所述多个开口部露出的形状，所述树脂层的所述第1主面的与所述金属层相接的部分及不与所述金属层相接的部分、及所述金属层的所述第3主面分别包含具有凹凸形状的粗面区域。
在某个实施方式中，所述金属层的所述第4主面包含具有凹凸形状的粗面区域。
在某个实施方式中，所述树脂层的所述第1主面的与所述金属层相接的部分的所述粗面区域中的凹凸形状、与所述金属层的所述第4主面的所述粗面区域中的凹凸形状相互互补。
在某个实施方式中，所述树脂层的所述第2主面不包含具有凹凸形状的粗面区域。
在某个实施方式中，所述树脂层的所述第1主面的与所述金属层相接的部分及不与所述金属层相接的部分、及所述金属层的所述第3主面的各自的所述粗面区域具有0.1μm以上的表面粗度Ra。
本发明的实施方式的蒸镀掩模的制造方法为包括包含多个开口部的树脂层、及设置于所述树脂层上且具有使所述多个开口部露出的形状的金属层的蒸镀掩模的制造方法，其包含以下工序：准备具有第1主面及第2主面且所述第1主面及所述第2主面中的至少所述第1主面包含具有凹凸形状的粗面区域的支持基板的工序；通过在所述支持基板的所述第1主面上赋予树脂材料，形成具有被转印所述第1主面的所述粗面区域的凹凸形状的表面的树脂层的工序；以及在所述树脂层形成多个开口部的工序。
在某个实施方式中，所述支持基板是所述第1主面及所述第2主面分别包含所述粗面区域的金属板，在形成所述树脂层的工序之后，进一步包含通过将所述金属板图案化而获得具有规定的形状的金属层的工序。
在某个实施方式中，本发明的蒸镀掩模的制造方法进一步包含以下工序：从所述支持基板剥离所述树脂层的工序；准备具有第3主面及第4主面且所述第3主面及所述第4主面分别包含具有凹凸形状的粗面区域的金属板的工序；将从所述支持基板剥离的所述树脂层接合于所述金属板，以使被转印所述凹凸形状的所述表面位于所述金属板侧的工序；以及通过将所述金属板图案化而获得具有规定的形状的金属层的工序。
在某个实施方式中，所述支持基板为玻璃基板。
本发明的实施方式的有机半导体元件的制造方法包含以下工序：使用具有上述任一个的构成的蒸镀掩模，在工件上蒸镀有机半导体材料。
发明效果
根据本发明的实施方式，则提供一种可优选用于形成高精细的蒸镀图案且能够将清洗周期设定比现有的更长的层叠型蒸镀掩模。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式的蒸镀掩模100的剖面图，且表示沿图2中的1A-1A线的剖面。
图2是示意性地表示蒸镀掩模100的俯视图。
图3是表示蒸镀掩模100的另一构成例的剖面图。
图4是示意性地表示使用蒸镀掩模100的蒸镀工序的图，且表示开口部13及狭缝23的内壁面不为锥状的情况。
图5是示意性地表示使用蒸镀掩模100的蒸镀工序的图，表示开口部13及狭缝23的内壁面为锥状的情况。
图6是表示蒸镀掩模100的另一构成例的俯视图。
图7是示意性地表示蒸镀掩模100的表面所包含的粗面区域R的剖面图。
图8是示意性地表示蒸镀掩模100的表面所包含的粗面区域R的剖面图。
图9的(a)至(e)是表示蒸镀掩模100的制造工序的工序剖面图。
图10的(a)至(g)是表示蒸镀掩模100的制造工序的另一例的工序剖面图。
图11是示意性地表示顶部发射(top emission)方式的有机EL显示装置200的剖面图。
图12的(a)至(d)是表示有机EL显示装置200的制造工序的工序剖面图。
图13的(a)至(d)是表示有机EL显示装置200的制造工序的工序剖面图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。另外，本发明不被以下的实施方式限定。
(蒸镀掩模的结构)
一边参照图1及图2，一边对本发明的实施方式的蒸镀掩模100进行说明。图1及图2分别是示意性地表示蒸镀掩模100的剖面图及俯视图。图1表示沿图2中的1A-1A线的剖面。
如图1及图2所示，蒸镀掩模100包括树脂层10、及设置于树脂层10上的金属层20。即，蒸镀掩模100具有层叠树脂层10和金属层20的结构(通过金属层20支持树脂层10的结构)。如下所述，在使用蒸镀掩模100进行蒸镀工序时，蒸镀掩模100以金属层20位于蒸镀源侧且树脂层10位于工件(蒸镀对象物)侧的方式配置。
树脂层10具有相互相对的2个主面11及12。以下，有时将2个主面11及12中的相对接近金属层20的主面11称为「第1主面」，将相对远离金属层20的主面12称为「第2主面」。
树脂层10包含多个开口部13。多个开口部13形成为与应在工件上形成的蒸镀图案相对应的尺寸、形状及位置。在图2所示的示例中，多个开口部13为矩阵状地配置。
作为树脂层10的材料，例如可优选使用聚酰亚胺。聚酰亚胺的强度、耐化学性及耐热性优异。作为树脂层10的材料，也可以使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等其他树脂材料。
树脂层10的厚度并无特别限定。但是，若树脂层10过厚，则有时蒸镀膜的一部分会形成为比所期望的厚度更薄(被称为“阴影(shadowing)”)。对于产生阴影的原因，将在下文进行详细叙述。从抑制阴影的产生的观点出发，树脂层10的厚度优选为25μm以下。此外，若树脂层10过薄，则有时难以利用简便的方法在树脂层10的表面形成如下所述的粗面区域。从适当地形成粗面区域的观点出发，树脂层10的厚度优选为3μm以上。此外，从树脂层10自身的强度及耐清洗性的观点出发，树脂层10的厚度也优选为3μm以上。
金属层20具有相互相对的2个主面21及22。以下，有时将2个主面21及22中的相对远离树脂层10的主面21称为“第3主面”，将相对接近树脂层10的主面22称为“第4主面”。即，金属层20设置于树脂层10的第1主面11上以使第4主面22位于树脂层10侧。
金属层20具有使树脂层10的多个开口部13露出的形状。此处，在金属层20形成有多个狭缝(开口部)23。在图2所示的示例中，沿行方向排列有多个沿列方向延伸的狭缝23，且金属层20整体为梯子状。在从蒸镀掩模100的法线方向观察时，各狭缝23具有比树脂层10的各开口部13更大的尺寸，且2个以上的开口部13(当然并不限定于图2中例示的个数)位于各狭缝23内。
作为金属层20的材料，可以使用各种金属材料。在本实施方式的蒸镀掩模100中，金属层20作为支持体发挥功能。因此，金属层20的热膨胀系数优选为尽可能小，具体而言，优选为不到6×10-6/℃。此外，若金属层20为磁性体，则在蒸镀工序中能够使用磁力夹头(magnetic chuck)简便地保持及固定蒸镀掩模100。作为热膨胀系数较小且为磁性体的金属层20的材料，例如可优选使用镍钢。当然，也可以使用除镍钢以外的金属材料(例如具有磁性的一部分不锈钢或铝合金等)。
因金属层20具有如上所述的形状，因此树脂层10的第1主面11包含从蒸镀掩模100的法线方向观察时被金属层20覆盖而未露出的部分(非露出部分)11a、和露出于狭缝23内的部分(露出部分)11b。非露出部分11a是与金属层20相接的部分，露出部分11b是不与金属层20相接的部分。
金属层20的厚度并无特别限定。但是，若金属层20过厚，则存在金属层20因自身重量而弯曲、或产生阴影的担忧。从抑制因自身重量引起的弯曲及阴影的产生的观点出发，金属层20的厚度优选为100μm以下。此外，若金属层20过薄，则存在产生断裂或变形的担忧，此外，有时操作变得困难。因此，金属层20的厚度优选为5μm以上。
在本实施方式的蒸镀掩模100中，树脂层10的第1主面(金属层20侧的表面)11包含具有凹凸形状的粗面区域。更具体而言，第1主面11的非露出部分11a及露出部分11b分别包含粗面区域。另外，在图1中，夸张地表示形成于粗面区域的微细的凹部及凸部。与此相对，树脂层10的第2主面(与金属层20为相反侧的表面)12不包含粗面区域。即，第2主面12实质上是平坦的。
此外，金属层20的第3主面(与树脂层10为相反侧的表面)21也包含具有凹凸形状的粗面区域。进一步地，金属层20的第4主面(树脂层10侧的表面)22也包含具有凹凸形状的粗面区域。
如已说明的，在蒸镀工序中，蒸镀掩模100以金属层20位于蒸镀源侧且树脂层10位于工件侧的方式配置。因此，蒸镀掩模100的蒸镀源侧的表面由金属层20的第3主面21、和树脂层10的第1主面11的露出部分11b构成。
在本实施方式的蒸镀掩模100中，因金属层20的第3主面21及树脂层10的第1主面11的露出部分11a分别包含粗面区域，因此在蒸镀工序中，沉积于蒸镀掩模100的蒸镀源侧的表面的蒸镀材料因凹凸形状引起的锚定效应而变得难以剥离。因此，与蒸镀源侧的表面不包含如上所述的粗面区域的情况(即现有的构成)相比，能够将清洗周期设定为更长。因此，能够实现蒸镀掩模100的长寿化。
此外，在本实施方式的蒸镀掩模100中，树脂层10的第1主面11的非露出部分11a包含粗面区域。因此，能够增加树脂层10和金属层20的接合面积，因此能够强固地接合树脂层10与金属层20。
此外，如本实施方式那样，若金属层20的第4主面22还包含粗面区域，则能够进一步增加树脂层10与金属层20的接合面积，因此能够更强固地接合树脂层10与金属层20。
若金属层20的第4主面22的粗面区域中的凹凸形状、与树脂层10的第1主面11的非露出部分11a的粗面区域中的凹凸形状为相互互补(相互匹配)，则能够实现进而更强固的接合。对于在树脂层10的表面及金属层20的表面形成相互互补的凹凸形状的方法，在下文进行详细叙述。
树脂层10的第1主面11的非露出部分11a、露出部分11b、金属层20的第3主面21及第4主面22的每一个可以不必在其整体具有粗面区域，也可在其一部分具有实质上平坦的区域。可以通过至少局部地设置粗面区域来获得上述效果。但是，从充分提升设置粗面区域的效果的观点出发，优选粗面区域尽可能宽，更优选使树脂层10的第1主面11的非露出部分11a、露出部分11b、金属层20的第3主面21及第4主面22的每一个具有其大致整体上的粗面区域。
另外，树脂层10的第2主面12也可以包含粗面区域，但即便如本实施方式不包含该粗面区域，也没有特别的问题。在蒸镀工序中使用金属掩模的情况下，存在因金属掩模与工件接触而导致对工件损伤的担忧。因此，考虑通过预先将金属掩模的工件侧的表面进行粗面化而实现这种损伤的减少。与此相对，在将本实施方式的蒸镀掩模100用于蒸镀工序的情况下，由于仅树脂层10接触于工件，因此即使工件侧的表面(树脂层10的第2主面12)不包含粗面区域，对工件的损伤也较小。若采用树脂层10的第2主面12不包含粗面区域的构成、即第2主面12为实质上平坦的构成，则无需在第2主面12形成粗面区域的工序，因此能够实现蒸镀掩模100的制造工序的简化及制造成本的降低。
此处，对蒸镀掩模100的另一构成例进行说明。
图3是表示树脂层10的开口部13及金属层20的狭缝23的剖面形状的示例的图。如图3所示，开口部13及/或狭缝23优选为具有随着朝向蒸镀源侧而扩大的的形状。即，开口部13的内壁面及/或狭缝23的内壁面优选为锥状(相对于蒸镀掩模100的法线方向而倾斜)。若开口部13及/或狭缝23具有这种形状，则能够抑制阴影的产生。开口部13的内壁面的锥角(蒸镀掩模100的法线方向与开口部13的内壁面所成的角度)θ1、及狭缝23的内壁面的锥角(蒸镀掩模100的法线方向与狭缝23的内壁面所成的角度)θ2并无特别限制，例如为25°以上且65°以下。
一边参照图4及图5，一边详细地说明因开口部13及/或狭缝23的内壁面为锥状而抑制阴影产生的原因。
图4及图5是示意性地表示使用蒸镀掩模100的蒸镀工序(在作为工件的基板50上形成蒸镀膜51的工序)的图。图4表示开口部13及狭缝23的内壁面不为锥状(即相对于蒸镀掩模100的法线方向大致平行)的情况，图5表示开口部13及狭缝23的内壁面为锥状的情况。另外，在图4及图5中，省略树脂层10及金属层20的表面上凹凸形状的图示。
在图4及图5所示的示例中，蒸镀源52一边相对于基板50从左向右移动(即扫描方向为自左向右)一并进行蒸镀。蒸镀材料不仅朝向蒸镀掩模100的法线方向，而且也朝向倾斜方向(相对于法线方向倾斜的方向)从蒸镀源52释放。此处，将蒸镀材料的扩散角设为θ。此外，将蒸镀掩模100的法线方向设为D1，将相对于方向D1向扫描方向(即向右侧)倾斜θ的方向设为D2，将向与扫描方向相反的方向(即向左侧)倾斜θ的方向设为D3。在图5所示的示例中，开口部13的锥角θ1及狭缝23的锥角θ2与蒸镀材料的扩散角θ相同。
图4及图5中，表示在树脂层10的某开口部13内沉积蒸镀膜51的期间的开始时期(时刻t0)的蒸镀源52的位置、和结束时期(时刻t1)的蒸镀源52的位置。时刻t0是从蒸镀源52释放的蒸镀材料开始到达开口部13内的时刻，此时，从蒸镀源52沿方向D2延伸的虚拟直线L1正好通过开口部13的蒸镀源52的边缘。此外，时刻t1是从蒸镀源52释放的蒸镀材料停止到达开口部13内的时刻，此时，从蒸镀源52沿方向D3延伸的虚拟直线L2正好通过开口部13的蒸镀源52侧的边缘。
在图4所示的示例中，在从时刻t0中蒸镀材料的到达点(虚拟直线L1与基板50的表面的交点)P1到时刻t1中蒸镀材料的到达点(虚拟直线L2与基板50的表面的交点)P2之间的区域，以期望的厚度形成蒸镀膜51。然而，在其外侧的区域(扫描方向上的从开口部13的一端到点P1为止的区域、及扫描方向上的从开口部13的另一端到点P2为止的区域)内，蒸镀膜51变得比期望的厚度更薄。该部分(形成为比期望的厚度更薄的部分)被称为阴影部(shadow)。阴影部的宽度w使用树脂层10的厚度d、及蒸镀材料的扩散角θ，而表示为w＝d·tanθ。即，阴影部的宽度w与树脂层10的厚度d成正比。
与此相对，在图5所示的示例中，时刻t0中蒸镀材料的到达点P1及时刻t1中蒸镀材料的到达点P2位于扫描方向上的开口部13的两端。因此，蒸镀膜51遍及其整体以期望的厚度形成。即，不形成阴影部。这样，通过开口部13及/或狭缝23的内壁面为锥状，可以抑制阴影的产生。
图6表示金属层20的平面形状(从蒸镀掩模100的法线方向观察时的形状)的另一例。如图6所示，金属层20也可以整体为格子状。即，也可以不仅在行方向而且也在列方向排列2个以上的狭缝23。这样，金属层20只要能够使树脂层10的多个开口部13露出，且充分地支持树脂层10，则可以为任意形状。
(关于粗面区域)
在本案说明书中，“粗面区域”是指具有凹凸形状的区域，其程度可视为实质上不平坦。具体而言，粗面区域是表面粗度(算术平均粗度)Ra为50nm以上的区域。
在图7中，放大地表示粗面区域R的剖面结构。如图7所示，粗面区域R具有微细的凸部1及凹部2。在图7中，凸部1及凹部2的剖面形状的轮廓例示为大致圆弧状，但凸部1及凹部2的剖面形状并不限定于例示的形状。
粗面区域R可以通过对树脂层或金属层(金属板)的平坦的表面进行粗面化处理而形成。粗面化处理可以为机械性粗面化处理(例如喷砂处理)，也可以为化学性粗面化处理(例如蚀刻处理)，也可以为电浆处理。此外，在由树脂材料形成树脂层时、或由金属材料形成金属层(金属板)时，也可以使用表面原本形成为包含粗面区域R的方法。
从充分地提升抑制蒸镀材料的剥落的效果及使树脂层10与金属层20强固地接合的效果的观点出发，粗面区域R中的表面粗度Ra优选大于某种程度，具体而言，优选为0.1μm以上。但是，对于树脂层10的第1主面11的粗面区域R而言，若表面粗度Ra超过1.5μm，则有时因树脂层10的厚度导致粗面区域R的形成自身变得困难(难以利用简便的方法形成)，因此从粗面区域R易于形成的观点出发，粗面区域的表面粗度Ra优选为1.5μm以下。
此外，上述效果可根据因粗面区域R的形成引起的表面积的增加率(与表面为平坦的情况相比时的增加率)进行估算。从充分地提升上述效果的观点出发，表面积增加率优选为120％以上，更优选为150％以上。
凸部1的间距P并无特别限制。但是，若表面粗度Ra相对于间距P的比率Ra/P变得过大，则存在因凸部1及凹部2的形状而难以利用简便的方法形成粗面区域R的担忧。因此，Ra/P优选为不到1，更优选为1/2以下。
在凸部1及凹部2的剖面形状的轮廓为大致圆弧状的情况下，验算出表面粗度Ra为1μm且间距P为4μm时(即Ra/P＝1/4时)的表面积增加率为157％，可以知道能够使清洗周期足够长。
此外，尺寸较大且不同的凹凸形状也可混合存在。例如，如图8所示，相对较大的(例如μm等级)凸部1及凹部2也可以在其表面具有相对较小的(例如nm等级：具体而言为数百nm)凸部3及凹部4。通过这种构成，可以进一步提升抑制蒸镀材料剥落的效果、及使树脂层10与金属层20的接合强固的效果。
(蒸镀掩模的制造方法)
一边参照图9的(a)～(e)，一边对蒸镀掩模100的制造方法的示例进行说明。图9的(a)～(e)是表示蒸镀掩模100的制造工序的工序剖面图。
首先，如图9的(a)所示，准备具有相互相对的2个主面21'及22'的支持基板20'。此处，准备金属板以作为支持基板20'。
其次，如图9的(b)所示，通过在金属板20'的主面21'及22'分别进行粗面化处理来形成具有凹凸形状的粗面区域。作为粗面化处理，可以使用公知的各种粗面化处理。在进行例如喷砂处理以作为粗面化处理的情况下，可通过调节投射材料的粒径等来形成期望的尺寸的凹凸形状。在形成图8所示的结构(尺寸较大且不同的凹凸形状混合存在的结构)的情况下，只要改变投射材料的粒径而进行多次投射即可。
接着，如图9(c)所示，通过在金属板20'的主面21'及22'的一者22'上施加树脂材料来形成树脂层10。此处，可以通过将溶解在溶剂的树脂材料涂布在主面22'上，并在之后进行煅烧而形成树脂层10。此时，所得到的树脂层10的表面(金属板20'侧的表面)11转印有金属板20'的粗面区域中的凹凸形状。此外，树脂层10的与金属板20'为相反侧的表面12可通过整平(leveling)而变得平坦。树脂层10的被转印凹凸形状的表面11及平坦的表面12分别成为已完成的蒸镀掩模100中的树脂层10的第1主面11及第2主面12。
其次，如图9(d)所示，通过将金属板20'图案化(形成多个狭缝23)，而获得具有规定的形状的金属层20。金属板20'的图案化例如可通过光微影制程来进行。金属板20'的2个主面21'及22'分别成为金属层20的第3主面21及第4主面22。
之后，如图9(e)所示，在树脂层10形成多个开口部13。开口部13的形成例如可通过激光加工而进行。以此方式，获得蒸镀掩模100。
根据上述制造方法，支持基板(金属板)20'的粗面区域中的凹凸形状被转印至树脂层10的表面11。因此，对树脂层10的表面11不另外进行粗面化处理，便可以形成凹凸形状(粗面区域)。此外，因作为转印源的支持基板(金属板)20'成为蒸镀掩模100中的金属层20，因此树脂层10的第1主面11的非露出部分11a、及金属层20的第4主面22具有互补的凹凸形状。因此，能够强固地接合树脂层10与金属层20。
另外，也可将除金属板20'以外的支持基板用作转印源。一边参照图10(a)～(g)，一边对蒸镀掩模100的制造方法的另一例进行说明。图10(a)～(g)是表示蒸镀掩模100的制造工序的工序剖面图。
首先，如图10(a)所示，准备具有相互相对的2个主面31及32的支持基板30。此处，作为支持基板30，准备2个主面31及32中的一者32包含粗面区域的玻璃基板。该玻璃基板30通过将具有平坦的2个主面的玻璃基板的一个主面进行粗面化处理而获得。作为粗面化处理，可以使用公知的各种粗面化处理。
其次，如图10(b)所示，通过在玻璃基板30的包含粗面化区域的主面32上赋予树脂材料，而形成树脂层10。例如，可以通过将溶解在溶剂的树脂材料涂布在主面32上并随后进行煅烧来形成树脂层10。此时，所得到的树脂层10的表面(玻璃基板30侧的表面)11转印有玻璃基板30的粗面区域中的凹凸形状。此外，树脂层10的与玻璃基板30为相反侧的表面12可以通过整平而变得平坦。树脂层10的被转印凹凸形状的表面11及平坦的表面12分别成为已完成的蒸镀掩模100中的树脂层10的第1主面11及第2主面12。
接着，如图10(c)所示，从玻璃基板30剥离树脂层10。树脂层10的剥离例如可以通过激光剥离法而进行。此外，在树脂层10与玻璃基板30的粘附力相对较弱的情况下，也可以使用刀刃等机械地进行剥离。树脂层10与玻璃基板30的粘附力可以通过调整树脂层10的形成条件(煅烧温度等)、或对玻璃基板30进行表面处理(拨水处理等)而变弱。树脂层10可以在形成在玻璃基板30上之后立刻(不经其他工序)被剥离，因此树脂层10与玻璃基板30的粘附力无需较强。
与以上述方式获得树脂层10不同方法中，如图10(d)所示，准备具有相互相对的2个主面21'及22'的金属板20'。金属板20'的主面21'及22'分别包含具有凹凸形状的粗面区域。
其次，如图10(e)所示，将树脂层10接合于金属板20'以使被转印凹凸形状的表面11位于金属板20'侧。例如，通过粘接剂将树脂层10贴附于金属板20'。
接着，如图10(f)所示，通过将金属板20'图案化(形成多个狭缝23)，而获得具有规定的形状的金属层20。金属板20'的图案化例如可通过光微影制程而进行。金属板20'的2个主面21'及22'分别成为金属层20的第3主面21及第4主面22。
之后，如图10(g)所示，在树脂层10形成多个开口部13。开口部13的形成例如可通过激光加工来进行。以此方式，获得蒸镀掩模100。
在一边参照图10的(a)～(g)一边说明的制造方法中，可重复使用作为凹凸形状的转印源的支持基板(玻璃基板)30。因此，只要一旦在支持基板30的表面以所期望的规格形成凹凸形状，则之后便能在树脂层10的表面11再现性良好地形成所期望的规格的凹凸形状。在本实施方式的蒸镀掩模100中，由于金属层20只要为能够作为支持体发挥功能的尺寸、形状即可，因此有时蒸镀源侧的表面所占的树脂层10的第1主面11的比例高于金属层20的第3主面21的比例。因此，若能够在树脂层10的表面11再现性良好地形成凹凸形状，则能够稳定地获得本实施方式的蒸镀掩模100的效果。
另外，在一边参照图10的(a)～(g)一边说明的制造方法中，也可以使用除玻璃基板以外的支持基板。
(有机半导体元件的制造方法)
本发明的实施方式的蒸镀掩模100可优选用于有机半导体元件的制造方法中的蒸镀工序。
以下，以有机EL显示装置的制造方法为例进行说明。
图11是示意性地表示顶部发射方式的有机EL显示装置200的剖面图。
如图11所示，有机EL显示装置200包括主动矩阵基板(薄膜晶体管(TFT，Thin-FilmTransistor)基板)210及密封基板220，且具有红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb。
TFT基板210包含绝缘基板、及形成在绝缘基板上的TFT电路(均未图标)。以覆盖TFT电路的方式，设置平坦化膜211。平坦化膜211由有机绝缘材料形成。
在平坦化膜211上，设置有下部电极212R、212G及212B。下部电极212R、212G及212B分别形成于红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb。下部电极212R、212G及212B连接于TFT电路，并作为阳极发挥功能。在邻接的像素之间，设置有覆盖下部电极212R、212G及212B的端部的堤坝(bank)213。堤坝213由绝缘材料形成。
在红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb的下部电极212R、212G及212B上，分别设置有机EL层214R、214G及214B。有机EL层214R、214G及214B的每一个具有包含由有机半导体材料形成的多个层的层叠结构。该层叠结构是例如从下部电极212R、212G及212B侧依次包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。红色像素Pr的有机EL层214R包含发出红色光的发光层。绿色像素Pg的有机EL层214G包含发出绿色光的发光层。蓝色像素Pb的有机EL层214B包含发出蓝色光的发光层。
在有机EL层214R、214G及214B上，设置有上部电极215。上部电极215形成为使用透明导电材料且遍及整个显示区域连续(即与红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb公用)，并作为阴极发挥功能。上部电极215设置有保护层216。保护层216由有机绝缘材料形成。
TFT基板210的上述结构由通过透明树脂层217粘接于TFT基板210的密封基板220密封。
有机EL显示装置200能够使用本发明的实施方式的蒸镀掩模100而以下述方式制造。图12的(a)～(d)及图13的(a)～(d)是表示有机EL显示装置200的制造工序的工序剖面图。另外，以下，以使用蒸镀掩模100在工件上蒸镀有机半导体材料(在TFT基板210上形成有机EL层214R、214G及214B)的工序为中心进行说明。
首先，如图12(a)所示，在绝缘基板上准备形成有TFT电路、平坦化膜211、下部电极212R、212G、212B及堤坝213的TFT基板210。形成TFT电路、平坦化膜211、下部电极212R、212G、212B及堤坝213的工序可通过公知的各种方法执行。
其次，如图12(b)所示，通过输送装置而使TFT基板210邻近地配置在保持于真空蒸镀装置内的蒸镀掩模100。此时，以树脂层10的开口部13与红色像素Pr的下部电极212R重叠的方式，使蒸镀掩模100与TFT基板210位置对准。此外，通过相对于TFT基板210配置在蒸镀掩模100的相反侧的未图示的磁力夹头，使蒸镀掩模100粘附于TFT基板210。
接着，如图12(c)所示，通过真空蒸镀，在红色像素Pr的下部电极212R上，依次沉积机半导体材料，从而形成包含发出红色光的发光层的有机EL层214R。此时，也在蒸镀掩模100的蒸镀源侧(作为工件的TFT基板210的相反侧)的表面沉积机半导体材料。
其次，如图12(d)所示，以通过输送装置使TFT基板210偏移1像素的间距量，且使树脂层10的开口部13与绿色像素Pg的下部电极212G重叠的方式，进行蒸镀掩模100与TFT基板210的位置对准。此外，通过磁力夹头，使蒸镀掩模100粘附于TFT基板210。
接着，如图13(a)所示，通过真空蒸镀，在绿色像素Pg的下部电极212G上，依次沉积有机半导体材料，从而形成包含发出绿色光的发光层的有机EL层214G。此时，也在蒸镀掩模100的蒸镀源侧的表面沉积有机半导体材料。
其次，如图13(b)所示，以通过输送装置使TFT基板210偏移1像素的间距量，且使树脂层10的开口部13与蓝色像素Pb的下部电极212B重叠的方式，进行蒸镀掩模100与TFT基板210的位置对准。此外，通过磁力夹头，使蒸镀掩模100粘附于TFT基板210。
接着，如图13(c)所示，通过真空蒸镀，在蓝色像素Pb的下部电极212B上，依次沉积有机半导体材料，从而形成包含发出蓝色光的发光层的有机EL层214B。此时，也在蒸镀掩模100的蒸镀源侧的表面沉积有机半导体材料。
其次，如图13(d)所示，在有机EL层214R、214G及214B上，依次形成上部电极215及保护层216。上部电极215及保护层216的形成可通过公知的各种方法执行。以此方式，获得TFT基板210。
之后，通过利用透明树脂层217将密封基板220粘接于TFT基板210，完成图11所示的有机EL显示装置200。
另外，此处，对通过依次移动1片蒸镀掩模100而形成与红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb对应的有机EL层214R、214B及214G的示例进行了说明，但也可以使用分别与红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb的有机EL层214R、214B及214G对应的3片蒸镀掩模100。在红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb的有机EL层214R、214B及214G的尺寸、形状相同的情况下，如此处所例示的，可以使用1片蒸镀掩模100形成所有的有机EL层214R、214B及214G。
如已说明般，在图12(c)、图13的(a)及(c)所示的蒸镀工序(通过真空蒸镀而形成有机EL层214R、214G及214B的工序)中，也在蒸镀掩模100的蒸镀源侧的表面沉积蒸镀材料。若已沉积的蒸镀材料达到预先设定的规定的厚度，则进行蒸镀掩模100的清洗。例如，若将规定的厚度设定为1μm，且通过1次蒸镀进行约30nm的成膜，则每进行33次蒸镀便进行清洗。蒸镀掩模100的清洗例如可通过依次进行利用超音波的湿式清洗、利用纯水的冲洗及减压干燥来执行。
如已说明的，若使用本实施方式的蒸镀掩模100，则在蒸镀工序中已沉积于蒸镀源侧的表面的蒸镀材料因锚定效应而难以剥落。因此，能够将清洗周期设定比现有的更长。因此，能够实现蒸镀掩模100的长寿化。
另外，在上述说明中，例示了顶部发射方式的有机EL显示装置200，但当然本实施方式的蒸镀掩模100也可以用于底部发射方式的有机EL显示装置的制造。
此外，使用本实施方式的蒸镀掩模100制造的有机EL显示装置也可以不为刚性的装置。本实施方式的蒸镀掩模100也可优选用于柔性的有机EL显示装置的制造。在柔性的有机EL显示装置的制造方法中，在形成于支持基板(例如玻璃基板)上的聚合物层(例如聚酰亚胺层)上，形成TFT电路等，且在形成保护层之后，将聚合物层连同其上的层叠结构一同地从支持基板剥离(例如可以使用激光剥离法)。为了密封TFT基板，使用密封薄膜代替密封基板。
此外，本实施方式的蒸镀掩模100也可以用于除有机EL显示装置以外的有机半导体元件的制造，尤其可优选用于需要形成高精细的蒸镀图案的有机半导体元件的制造。
产业上的可利用性
本发明的实施方式的蒸镀掩模可优选用于以有机EL显示装置为代表的有机半导体元件的制造，尤其可优选用于需要形成高精细的蒸镀图案的有机半导体元件的制造。
附图标记说明
1、3 凸部
2、4 凹部
10 树脂层
11 第1主面
11a 第1主面的非露出部分
11b 第1主面的露出部分
12 第2主面
13 开口部
20 金属层
20' 金属板(支持基板)
21 第3主面
22 第4主面
23 狭缝
30 玻璃基板(支持基板)
100 蒸镀掩模
200 有机EL显示装置
210 TFT基板
211 平坦化膜
212R、212G、212B 下部电极(阳极)
213 堤坝
214R、214G、214B 有机EL层
215 上部电极
216 保护层
217 透明树脂层
220 密封基板
Pr 红色像素
Pg 绿色像素
Pb 蓝色像素
Claims (10)
1.一种蒸镀掩模，其特征在于，包括：
树脂层，其具有第1主面及第2主面，且包含多个开口部；以及
金属层，其为具有第3主面及第4主面，且设置于所述树脂层的所述第1主面上以使所述第4主面位于所述树脂层侧的金属层，且具有使所述多个开口部露出的形状，
所述树脂层的所述第1主面的与所述金属层相接的部分及不与所述金属层相接的部分、及所述金属层的所述第3主面分别包含具有凹凸形状的粗面区域。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述金属层的所述第4主面包含具有凹凸形状的粗面区域。
3.如权利要求2所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述树脂层的所述第1主面的与所述金属层相接的部分的所述粗面区域中的凹凸形状、与所述金属层的所述第4主面的所述粗面区域中的凹凸形状相互互补。
4.如权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述树脂层的所述第2主面不包含具有凹凸形状的粗面区域。
5.如权利要求1至4中任一项所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述树脂层的所述第1主面的与所述金属层相接的部分及不与所述金属层相接的部分、及所述金属层的所述第3主面的各自的所述粗面区域具有0.1μm以上的表面粗度Ra。
6.一种蒸镀掩模的制造方法，为包括包含多个开口部的树脂层、及设置于所述树脂层上且具有使所述多个开口部露出的形状的金属层的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
准备具有第1主面及第2主面且所述第1主面及所述第2主面中的至少所述第1主面包含具有凹凸形状的粗面区域的支持基板的工序；
通过在所述支持基板的所述第1主面上赋予树脂材料，形成具有被转印所述第1主面的所述粗面区域的凹凸形状的表面的树脂层的工序；以及
在所述树脂层形成多个开口部的工序。
7.如权利要求6所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述支持基板是所述第1主面及所述第2主面分别包含所述粗面区域的金属板，
在形成所述树脂层的工序之后，进一步包含通过将所述金属板图案化而获得具有规定的形状的金属层的工序。
8.如权利要求6所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，进一步包含以下工序：
从所述支持基板剥离所述树脂层的工序；
准备具有第3主面及第4主面且所述第3主面及所述第4主面分别包含具有凹凸形状的粗面区域的金属板的工序；
将从所述支持基板剥离的所述树脂层接合于所述金属板，以使被转印所述凹凸形状的所述表面位于所述金属板侧的工序；以及
通过将所述金属板图案化而获得具有规定的形状的金属层的工序。
9.如权利要求8的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
所述支持基板为玻璃基板。
10.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
使用权利要求1至5中任一项所述的蒸镀掩模，在工件上蒸镀有机半导体材料。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-253888 | 2015-12-25 | ||
| JP2015253888 | 2015-12-25 | ||
| PCT/JP2016/071765 WO2017110123A1 (ja) | 2015-12-25 | 2016-07-25 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108884555A true CN108884555A (zh) | 2018-11-23 |
| CN108884555B CN108884555B (zh) | 2021-02-09 |
Family
ID=59089895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201680075966.9A Active CN108884555B (zh) | 2015-12-25 | 2016-07-25 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10858726B2 (zh) |
| JP (2) | JP6417486B2 (zh) |
| CN (1) | CN108884555B (zh) |
| TW (1) | TW201735418A (zh) |
| WO (1) | WO2017110123A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI763818B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-05-11 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩，附有框架的蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩準備體，蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法 |
| JP6543000B1 (ja) | 2018-03-05 | 2019-07-10 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着マスク、その製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP7013320B2 (ja) * | 2018-05-11 | 2022-01-31 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及び蒸着方法 |
| JP7187883B2 (ja) * | 2018-08-09 | 2022-12-13 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法 |
| US11773477B2 (en) | 2018-12-25 | 2023-10-03 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Deposition mask |
| TWI809235B (zh) | 2018-12-25 | 2023-07-21 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍罩 |
| JP6839729B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2021-03-10 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着マスク、その製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP6888128B1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-06-16 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク |
| JP7015483B2 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法 |
| KR20230020035A (ko) * | 2021-08-02 | 2023-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103797149A (zh) * | 2011-09-16 | 2014-05-14 | 株式会社V技术 | 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法 |
| WO2015002129A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 |
| JP2015148002A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6099939A (en) * | 1995-04-13 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Enhanced adhesion between a vapor deposited metal and an organic polymer surface exhibiting tailored morphology |
| JP5958804B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-08-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP5935179B2 (ja) | 2011-12-13 | 2016-06-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
| CN105779934B (zh) * | 2012-01-12 | 2020-05-22 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
| JP5935628B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2016-06-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法 |
| JP6142637B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-06-07 | 株式会社デンソー | 車両の接触防止システム |
| JP6594615B2 (ja) * | 2014-10-06 | 2019-10-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着用マスク及びそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法 |
-
2016
- 2016-07-25 JP JP2017557726A patent/JP6417486B2/ja active Active
- 2016-07-25 CN CN201680075966.9A patent/CN108884555B/zh active Active
- 2016-07-25 WO PCT/JP2016/071765 patent/WO2017110123A1/ja active Application Filing
- 2016-07-25 US US16/065,863 patent/US10858726B2/en active Active
- 2016-07-28 TW TW105123876A patent/TW201735418A/zh unknown
-
2018
- 2018-10-05 JP JP2018190294A patent/JP6496071B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103797149A (zh) * | 2011-09-16 | 2014-05-14 | 株式会社V技术 | 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法 |
| WO2015002129A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 |
| JP2015148002A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201735418A (zh) | 2017-10-01 |
| US20200165714A1 (en) | 2020-05-28 |
| US10858726B2 (en) | 2020-12-08 |
| WO2017110123A1 (ja) | 2017-06-29 |
| CN108884555B (zh) | 2021-02-09 |
| JP6496071B2 (ja) | 2019-04-03 |
| JPWO2017110123A1 (ja) | 2018-11-08 |
| JP2019014974A (ja) | 2019-01-31 |
| JP6417486B2 (ja) | 2018-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108884555A (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 | |
| CN110158025B (zh) | 掩膜板的制作方法及掩膜板 | |
| JP6688478B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク | |
| US9184060B1 (en) | Plated metal hard mask for vertical NAND hole etch | |
| EP3220436A1 (en) | Pixel unit and manufacturing method thereof, light-emitting device and display device | |
| US9719163B2 (en) | Method of manufacturing deposition mask | |
| TWI745299B (zh) | 用於有機發光二極體製造的陰影遮罩 | |
| CN106898578B (zh) | 一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN110506342B (zh) | 精细金属掩模制造方法及发光元件制造用精细金属掩模 | |
| TWI702719B (zh) | 遮罩框架組件、其製造方法、以及使用遮罩框架組件製造顯示器之方法 | |
| CN104576314A (zh) | 用于处理晶片的方法和晶片结构 | |
| CN108649142B (zh) | 一种掩膜版及其制造方法 | |
| US20190252614A1 (en) | Mother plate, method for manufacturing mother plate, method for manufacturing mask, and oled pixel deposition method | |
| JP5557653B2 (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 | |
| US20200058890A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| CN107689427B (zh) | Oled器件及其制作方法 | |
| TW201907225A (zh) | 遮罩、其製造方法以及母板 | |
| CN112714956B (zh) | 有机发光二极管显示基板及其制作方法和显示装置 | |
| KR101942826B1 (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 및 이를 이용한 oled 소자 제조 방법 | |
| CN102856346B (zh) | 制造有机发光显示装置的方法 | |
| CN106467957B (zh) | 沉积用掩模的制造方法 | |
| CN108396285B (zh) | 掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP7423640B2 (ja) | 高度なパッケージング用途のための微細な再配線形成の方法 | |
| US10756270B2 (en) | Multi array electrode having projecting electrode parts arrayed thereon, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic deposition mask using the multi array electrode | |
| KR100860501B1 (ko) | 유기전기발광소자의 패터닝 장치 및 패터닝 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |