CN106467957B - 沉积用掩模的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一实施方式公开了沉积用掩模的制造方法，该方法包括以下步骤：在衬底的外表面上涂覆第一光致抗蚀剂层；在第一光致抗蚀剂层上布置第一光掩模，并且在调节第一光致抗蚀剂层与第一光掩模之间的距离的同时曝光第一光致抗蚀剂层的一部分；对第一光致抗蚀剂层进行显影以在第一光致抗蚀剂层中形成第一掩模图案孔；在第一掩模图案孔中镀上第一金属层；以及去除第一光致抗蚀剂层。
Description
技术领域
本发明实施方式涉及沉积用掩模的制造方法。
背景技术
通常，有机发光显示装置为平板显示器中的一种，而有机发光显示装置作为有源发光型显示器件，其不仅具有宽视角和优秀的对比度，而且还具有能够以低电压驱动、重量轻且为薄型、响应速度快的优点，因此作为下一代显示器件而备受瞩目。
根据形成发光层的物质，发光器件区分为无机发光器件和有机发光器件，而有机发光器件由于其亮度、响应速度等特性相比于无机发光器件优秀并且具有能够进行彩色显示的优点，因此近年来广泛进行着对于有机发光器件的开发。
在有机发光显示装置中，有机膜和/或电极通过真空沉积法形成。然而，随着有机发光显示装置的分辨率逐渐变高，沉积工艺所使用的掩模的开缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布也要求被逐渐减少。
此外，为了制造高分辨率的有机发光显示装置，需要减少或消除阴影效应(shadoweffect)。为此，在衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺，并且正在开发用于提升沉积与掩模的紧贴度的技术。
上述的背景技术仅仅是发明人为了导出本发明实施方式而保有的、或在导出过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明实施方式的提交之前已公开于一般公众的公知技术。
发明内容
本发明实施方式提供沉积用掩模的制造方法。
本发明一实施方式公开沉积用掩模的制造方法，该方法包括以下步骤：在衬底的外表面上涂覆第一光致抗蚀剂层；在第一光致抗蚀剂层上布置第一光掩模，并且在调节第一光致抗蚀剂层与第一光掩模之间的距离的同时曝光第一光致抗蚀剂层的一部分；对第一光致抗蚀剂层进行显影以在第一光致抗蚀剂层中形成第一掩模图案孔；在第一掩模图案孔中镀上第一金属层；以及去除第一光致抗蚀剂层。
在本实施方式中，其特征可在于，在曝光第一光致抗蚀剂层的一部分的步骤中，第一光致抗蚀剂层与第一光掩模之间的距离逐渐变远。
在本实施方式中，其特征可在于，在曝光第一光致抗蚀剂层的一部分的步骤中，第一光致抗蚀剂层的曝光区域逐渐扩大。
在本实施方式中，其特征可在于，调节第一光致抗蚀剂层与第一光掩模之间的距离的方法为使衬底和第一光掩模中的至少一个移动。
在本实施方式中，其特征可在于，衬底和第一光掩模中的一个相对于另一个等速运动。
在本实施方式中，其特征可在于，衬底和第一光掩模中的一个相对于另一个变速运动。
在本实施方式中，其特征可在于，第一掩模图案孔的内表面具有锥形(taper)形状。
在本实施方式中，其特征可在于，第一掩模图案孔的内表面的锥形(taper)形状的倾斜度与第一光致抗蚀剂层与第一光掩模彼此相隔开的速度成反比。
在本实施方式中，其特征可在于，第一掩模图案孔的内表面具有弯曲形状。
在本实施方式中，其特征可在于，在第一掩模图案孔中镀上第一金属层的方法通过电铸(Electro-forming)方式执行。
在本实施方式中，其特征可在于，在对第一光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除除了第一光致抗蚀剂层中被曝光的一部分以外的、第一光致抗蚀剂层中剩余的其他部分。
在本实施方式中，其特征可在于，在对第一光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除第一光致抗蚀剂层中被曝光的一部分。
在本实施方式中，还可包括以下步骤：在第一金属层和第一光致抗蚀剂层上涂覆第二光致抗蚀剂层；在第二光致抗蚀剂层上布置第二光掩模，并且曝光第二光致抗蚀剂层的一部分；对第二光致抗蚀剂层进行显影以在第二光致抗蚀剂层上形成第二掩模图案孔；在第二掩模图案孔中镀上第二金属层；以及去除第二光致抗蚀剂层。
在本实施方式中，其特征可在于，第二掩模图案孔形成在第二光致抗蚀剂层的两端部处。
在本实施方式中，其特征可在于，第二金属层形成在第一金属层的两端部处。
在本实施方式中，其特征可在于，在第二掩模图案孔中镀上第二金属层的方法通过电铸(Electro-forming)方式执行。
在本实施方式中，其特征可在于，在对第二光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除除了第二光致抗蚀剂层中被曝光的一部分以外的、第二光致抗蚀剂层中剩余的其他部分。
在本实施方式中，其特征可在于，在对第二光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除第二光致抗蚀剂层中被曝光的一部分。
通过下面的附图、权利要求书以及说明书中的记载，除了上述以外的其他方面、特征、优点将变得明确。
根据如上所述构成的本发明实施方式，由于减少了曝光工艺所需的光掩模数量，因此在能够缩短沉积用掩模制造工艺所需的时间的同时可在沉积用掩模中形成具有锥形(taper)形状的截面的图案孔。
当然，本发明的范围并不受限于这种效果。
附图说明
图1至图13是示意性示出根据本发明一实施方式的沉积用掩模的制造方法的剖视图。
图14至图17是示出第一光致抗蚀剂层与第一光掩模彼此等速相隔开的情况的剖视图。
图18是示出第一光致抗蚀剂层和第一光掩模彼此加速相隔开的情况的剖视图。
图19是示出第一光致抗蚀剂层和第一光掩模彼此减速相隔开的情况的剖视图。
具体实施方式
本发明可实施多种变型并且可具有多种实施方式，并且将在附图中示例性示出特定实施方式并对特定实施方式进行详细说明。参照下文中结合附图详细说明的实施方式，本发明的效果和特征以及用于实现该效果和特征的方法将变得明确。但是，本发明并不限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为多种形态。
在下面的实施方式中，第一、第二等的措辞并不具有限定性含义，而是仅出于将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的来使用。此外，除非上下文中另有明确的相反指示，否则单数表述包括复数表述。此外，包括或具有等的措辞是指说明书中所记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
此外，出于说明的便利，在附图中构成要素的大小可被夸大或缩小。例如，出于说明的便利，附图中所示的各构成要素的大小和厚度被任意地示出，因此本发明并非必须受限于图中所示。此外，在某些实施方式能够以不同的实现方式实现时，特定工艺顺序也可按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺可实质上同时执行，或者可按照与所说明的顺序相反的顺序执行。
下面将参照附图对本发明实施方式进行详细说明。在参照附图进行说明时，将对相同或相对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略其重复说明。
图1至图13是逐步示出根据本发明一实施方式的沉积用掩模的制造方法的剖视图。
首先参照图1，沉积用掩模的制造方法通过准备衬底100并在衬底100的外表面涂覆第一光致抗蚀剂层110而开始，其中衬底100上能够层叠将后述的各种结构物。这种第一光致抗蚀剂层110可选自正性(Positive)和负性(Negative)中的任一种并涂覆在衬底100上。
详细地，在正性第一光致抗蚀剂层110的情况下，在随后的显影(Developing)过程中对经曝光(Light exposure)的区域进行蚀刻(参照图6)。相反，负性第一光致抗蚀剂层110具有对除了经曝光的区域以外的剩余区域进行蚀刻的特性(参见图5)。随后将参照图5和图6对使用这种正性和负性第一光致抗蚀剂层110执行的显影和蚀刻工艺进行详细说明。
另外，第一光致抗蚀剂层110可通过旋涂(Spin-coating)、喷射或浸渍等多种方法在衬底100上涂覆光致抗蚀剂液(未示出)而形成，但是优选地，对于大型衬底也可使用能够均匀涂覆光致抗蚀剂液的旋涂方法。
此外，在将第一光致抗蚀剂层110涂覆到衬底100的外表面上之前，可附加地实施对衬底100中待涂覆第一光致抗蚀剂层110的外表面进行抛光(Polishing)的工艺。由此，衬底100的外表面被加工得光滑，因此不仅能够将第一光致抗蚀剂层110均匀地涂覆到衬底100上，而且还能够提高随后制造的沉积用掩模与待沉积有沉积物质的显示衬底(未示出)的紧贴度。
随后，参照图2，可在第一光致抗蚀剂层110上布置形成有多个第一开口部121的第一光掩模120，并对第一光致抗蚀剂层110中通过多个第一开口部121暴露的部分进行曝光。这样第一光致抗蚀剂层110的曝光的部分处可形成第一曝光区域111。此处，第一曝光区域111可分别形成为具有附图标记d1的宽度。
参照图3，在第一光致抗蚀剂层110中形成第一曝光区域111的过程可在调节第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120之间的距离的同时执行。图3示出了第一光掩模120相对于第一光致抗蚀剂层110向上移动到具有与附图标记h相当的高度的形态。
作为如上所述调节第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120之间的距离的方法，可使得衬底100和第一光掩模120中的至少一个相对于另一个移动。随着衬底100和第一光掩模120中的至少一个相对于另一个移动，涂覆在衬底100的外表面上的第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120的距离可逐渐变远，并且作为第一光致抗蚀剂层110的曝光部分的第一曝光区域111也可随着第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120的距离逐渐变远而逐渐扩大。
详细地，第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111可在第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120之间的距离逐渐变远的过程中持续地形成。此外，如图3中所示，在第一光掩模120相对于第一光致抗蚀剂层110处于与附图标记h相当的高度处时，第一光致抗蚀剂层110中被曝光的区域可具有附图标记d2的宽度。
因此，由于在曝光工艺中第一光致抗蚀剂层110的与附图标记d1的宽度相当的第一曝光区域111持续地暴露于光中，因此其可被曝光至与衬底100相邻的区域，然而由于第一光致抗蚀剂层110的与附图标记d2的宽度相当的第一曝光区域111暴露于光中的时间相对较短，因此其不会被曝光至与衬底100相邻的区域。
在通过这种方式进行曝光工艺时，如图4中所示，由不同的阴影表示的第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111可形成为梯形形状。即，第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111的截面可形成为呈锥形(taper)的形状。在第一光致抗蚀剂层110的显影工艺之后所形成的、待后述的第一掩模图案孔112的形状可根据第一曝光区域111的这种形状来决定。
图5和图6是示出对第一光致抗蚀剂层110进行显影后的形态的视图。如上所述，图5中所示的第一光致抗蚀剂层110采用负性光致抗蚀剂液，该第一光致抗蚀剂层110示出为除了第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111以外的、第一光致抗蚀剂层110中剩余的其他部分通过显影工艺去除的形态。
相反，图6中所示的第一光致抗蚀剂层110采用正性光致抗蚀剂液，该第一光致抗蚀剂层110示出为第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111通过显影工艺去除的形态。在这样通过显影工艺去除的第一光致抗蚀剂层110的其他部分(图5)可形成第一掩模图案孔112，即，去除的第一曝光区域中可形成第一掩模图案孔112。
随后，图7示出了在通过显影工艺形成于第一光致抗蚀剂层110中的第一掩模图案孔112中镀上第一金属层130的形态。第一掩模图案孔112暴露衬底100中除了被第一光致抗蚀剂层110覆盖的部分以外的剩余部分，并且可在衬底100中这样被暴露的部分上镀上第一金属层130。此处，电铸(Electro-forming)方式可用作在第一掩模图案孔112中镀上第一金属层130的方法。
另外，虽未图示，但是可去除除了图7中所示的第一金属层130以外的、曝光后残留的第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111，并且从衬底100分离第一金属层130，从而制造出由第一金属层130构成的沉积用掩模(未示出)。
即，当通过前述过程制造沉积用掩模时，可将用于形成沉积用掩模的图案孔的、利用光刻(Photolithography)方法的光致抗蚀剂层的曝光及显影工艺简化为仅一次。因此，通过将根据传统的方式执行两次以上的曝光及显影工艺简化为仅一次，不仅能够缩短沉积用掩模的制造工艺所需的时间而且能够加工出可显著地减少阴影效应的锥形形状的图案孔。
另外，将参照图8至图13对用于提高制造出的沉积用掩模的刚性的附加工艺进行说明。
图8示出了在第一金属层130和第一光致抗蚀剂层110上涂覆第二光致抗蚀剂层140的形态。第二光致抗蚀剂层140由与第一光致抗蚀剂层110实质上相同的物质构成，并且与第一光致抗蚀剂层110相同地，优选为可通过旋涂方法涂覆在第一光致抗蚀剂层110和第一金属层130上。
接着，参照图9，第二光致抗蚀剂层140的两端部可在第二光致抗蚀剂层140中除了两端部以外的剩余部分被第二光掩模150覆盖的状态下被曝光。这样曝光的第二光致抗蚀剂层140的两端部处可形成第二曝光区域141。此处，第二曝光区域141可被曝光充分的时间以能够曝光至第二光致抗蚀剂层140中与第一金属层130接触的下部区域。
接着，图10示出了曝光的第二光致抗蚀剂层140的两端部区域通过显影去除的形态。在这种情况下，由于如上所述地去除了曝光的第二光致抗蚀剂层140，因此意味着图10中所示的第二光致抗蚀剂层140使用了正性光致抗蚀剂液。这样去除的第二光致抗蚀剂层140的一部分处可形成第二掩模图案孔142，而第二掩模图案孔142可暴露第一金属层130的两端部。
图11示出了在形成于第二光致抗蚀剂层140中的第二掩模图案孔142中镀上第二金属层160的形态。第二掩模图案孔142暴露第一光致抗蚀剂层110和第一金属层130中除了被第二光致抗蚀剂层140覆盖的一部分以外的剩余部分，并且这样暴露的第一金属层130的一部分(即，第一金属层130的两端部)处可镀上第二金属层160。如上所述，第二金属层160可被镀在第一金属层130的两端部处，而这是为了补强制造出的沉积用掩模的刚性。另外，与第一金属层130相同地，电铸方式可利用作为在第二掩模图案孔142中镀上第二金属层160的方法。
此处，沉积用掩模也可在不在第一金属层130上形成第二金属层160的情况下通过从第一金属层130去除衬底100和第一光致抗蚀剂层110来完成。在这种情况下，可省略掉如图8至图12中所示用于在第一金属层130的两端部处镀上第二金属层160的、涂覆第二光致抗蚀剂层140的步骤、利用第二光掩模150曝光形成于第二光致抗蚀剂层140的第二曝光区域141的步骤、以及待后述的对第二光致抗蚀剂层140进行显影以的步骤。
另外，图12示出了在第一金属层130的两端部处镀上第二金属层160之后去除第一光致抗蚀剂层110和第二光致抗蚀剂层140的形态。此外，图13示出了分别去除第一光致抗蚀剂层110和第二光致抗蚀剂层140之后从衬底100分离第一金属层130和第二金属层160的形态。当这样从第一金属层130和第二金属层160去除第一光致抗蚀剂层110、第二光致抗蚀剂层140和衬底100时，可最终获得沉积用掩模10。
随后，将参照图14至图19对第一掩模图案孔112的内表面形状(即，形成于第一金属层130中的图案孔131的内表面的形状)可随着第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120相隔开的速度而形成得不同的情况进行说明。
图14至图17是示出第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120彼此等速相隔开的情况的剖视图，其为放大示出图2中所示的第一光致抗蚀剂层110的曝光工艺中的第一光致抗蚀剂层110和第一光掩模120的剖视图。
参照图14，图14示出了第一光掩模120布置成与第一光致抗蚀剂层110接触，并且由第一光掩模120的第一开口部121暴露的第一光致抗蚀剂层110的一部分被曝光以形成具有附图标记d1a的宽度的第一曝光区域111的形态。
接着，图15示出了第一光掩模120以附图标记V1的速度从第一光致抗蚀剂层110相隔开的形态。此处，第一光掩模120从第一光致抗蚀剂层110相隔开与附图标记h2a相当的距离。当这样第一光掩模120从第一光致抗蚀剂层110相隔开与附图标记h2a相当的距离时，通过第一开口部121照向第一光致抗蚀剂层110的光使第一光致抗蚀剂层110的更宽的区域被曝光。因此，图15中所示的第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111的宽度可变为比第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120接触的情况下的d1a更宽的宽度d2a。
如图14和图15中所示，在第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120彼此相隔开的过程中持续地执行对于第一光致抗蚀剂层110的曝光工艺。因此，与d1a相当的第一曝光区域111可逐渐扩张至与衬底100相邻的区域，并且与d2a相当的第一曝光区域111可先从与第一光掩模120相邻的区域处开始曝光并朝着与衬底100相邻的方向逐渐扩张。根据这种原理，第一曝光区域111的截面可形成为锥形(taper)的形状。
接着，图16示出了第一光掩模120以附图标记V1的速度从第一光致抗蚀剂层110相隔开，并且相隔开比图15中所示第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120的相隔距离h2a更远的、与附图标记h3a相当的距离的形态。此时，通过第一开口部121照向第一光致抗蚀剂层110的光使比图15中所示的第一曝光区域111更宽的区域(即，具有附图标记d3a的宽度的区域)被曝光。
详细地，图16示出了完成了对于第一光致抗蚀剂层110的曝光工艺的形态。即，形成于第一光致抗蚀剂层110的第一曝光区域111可形成为贯穿第一光致抗蚀剂层110的梯形的形状。即，第一曝光区域111中与衬底100相邻的区域可具有d1a的宽度，并且第一曝光区域111中与第一光掩模120侧相邻的区域可具有d3a的宽度。
图16示出了第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120以第一速度V1的恒定速度相隔开的情况下形成于第一光致抗蚀剂层110中的第一曝光区域111。另外，图17示出了第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120以第二速度V2的恒定速度相隔开的情况下形成于第一光致抗蚀剂层110中的第一曝光区域111’。
另外，图16中所示的第一曝光区域111的内表面可具有第一倾斜度αa，并且图17中所示的第一曝光区域111’的内表面可具有第二倾斜度βa。此处，第二倾斜度βa形成得比第一倾斜度αa大。这意味着作为形成图16中所示的第一曝光区域111时第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120相隔开的速度的第一速度V1比作为形成图17中所示的第一曝光区域111’时第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120相隔开的速度的第二速度V2大。
详细地，即使第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120彼此相隔开的速度不同，根据曝光工艺结束的时间点的第一光掩模120的位置，与第一曝光区域111中与第一光掩模120相邻的区域(即，直接暴露于光中的区域)的宽度也会相同。例如，如图16中所示，第一曝光区域111可形成为具有最大d3a的宽度，其中即使是在第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120彼此相隔开的速度不同，d3a也成为第一曝光区域111的最大宽度。即，图17中所示的第一曝光区域111’的最大宽度d3a’可与图16中所示的第一曝光区域111最大宽度d3a相对应。
相反，当第一光致抗蚀剂层110与第一光掩模120彼此相隔开的速度不同时，第一曝光区域111中与衬底100相邻的区域的宽度则不同。即，图16中所示的第一曝光区域111的最小宽度d1a可形成为与图17中所示的第一曝光区域111’的最小宽度d1a’不同。此处，图16的第一曝光区域111的最小宽度d1a形成为比图17中所示的第一曝光区域111’的最小宽度d1a’小。这是因为图16中所示的第一曝光区域111暴露于光中的时间比图17中所示的第一曝光区域111’暴露于光中的时间短，因此从暴露于光中的第一光致抗蚀剂层110的表面朝着与衬底100相邻的方向侧扩张的时间更短，并由此被曝光的区域也更小。
如上所述，这种第一曝光区域111在随后的第一光致抗蚀剂层110的显影工艺中可被去除，或者除了第一曝光区域111以外的剩余的第一光致抗蚀剂层110可被去除。出于说明的便利，此处参照第一曝光区域111被去除的情况，而此时，去除了第一曝光区域111的第一光致抗蚀剂层110中可形成第一掩模图案孔112，并且正是在该第一掩模图案孔112中镀上第一金属层130而形成沉积用掩模10。
即，当与各第一掩模图案孔112之间的区域相当的区域经历去除第一光致抗蚀剂层110的随后的工艺时可形成为供沉积物质通过的图案孔131。因此，随着第一掩模图案孔112的内表面形成为锥形形状，形成于沉积用掩模10中的图案孔131的内表面也可形成为锥形形状。
图18示出了第一光致抗蚀剂层与第一光掩模彼此加速地相隔开的情况的剖视图。
参照图18，形成于第一光致抗蚀剂层1110的第一曝光区域1111的截面可形成为弯曲形状。尤其是，图18示出了第一曝光区域1111的截面具有朝着上侧凸出的形状。这种形状可随着第一光致抗蚀剂层1110与第一光掩模1120彼此相隔开的速度而变化。
详细地，图18示出了第一光致抗蚀剂层1110与第一光掩模1120彼此相隔开的速度从0增加到V1，然后再增加到V2的情况下第一曝光区域1111可形成为朝着上侧凸出的形状。即，如上所述，在第一光致抗蚀剂层1110与第一光掩模1120彼此相对慢速地相隔开的情况下，第一曝光区域1111的截面的倾斜度形成得大。这可通过以下来确定，即，在相对慢速地曝光的第一曝光区域1111的下侧(即，在与衬底1100相邻的区域)处其倾斜度形成为αb，而在相对快速地曝光的第一曝光区域1111的上侧处其截面的倾斜度形成为具有比αb小的倾斜度的βb。
这种第一曝光区域1111可如上所述地在第一光致抗蚀剂层1110的显影工艺中被去除，或者除了第一曝光区域1111以外的剩余的第一光致抗蚀剂层1110可被去除。此外，由于在这样去除的第一曝光区域1111处形成第一掩模图案孔1112，因此第一曝光区域1111的截面可形成为弯曲的，也即，第一掩模图案孔1112以及其侧面可形成为弯曲的。
图19是示出第一光致抗蚀剂层与第一光掩模彼此减速地相隔开的情况的剖视图。
此外，图19示出了形成于第一光致抗蚀剂层2110中的第一曝光区域2111的截面可形成为弯曲形状。尤其是，图19示出了第一曝光区域2111的截面具有朝着下侧凸出的形状。这种形状可随着第一光致抗蚀剂层2110与第一光掩模2120彼此相隔开的速度而变化。
详细地，图18示出了第一光致抗蚀剂层2110与第一光掩模2120彼此相隔开的速度从V0减小到V1，然后再减小到V2的情况下第一曝光区域2111可形成为朝着下侧凸出的形状。即，如上所述，在第一光致抗蚀剂层2110与第一光掩模2120相对快速地相隔开的情况下，第一曝光区域2111的截面的倾斜度形成得小。这可通过以下来确定，即，在相对快速地曝光的第一曝光区域2111的下侧(即，在与衬底2100相邻的区域)处其倾斜度形成为αc，而在相对慢速地曝光的第一曝光区域2111的上侧处其截面的倾斜度形成为具有比αc大的倾斜度的βc。
这种第一曝光区域2111可如上所述地在第一光致抗蚀剂层2110的显影工艺中被去除，或者除了第一曝光区域2111以外的剩余的第一光致抗蚀剂层2110可被去除。此外，由于在这样去除的第一曝光区域2111处形成第一掩模图案孔2112，因此第一曝光区域2111的截面可形成为弯曲的，也即，第一掩模图案孔2112以及其侧面可形成为弯曲的。
虽然已参照附图中所示的实施方式对本发明实施方式进行了说明，但这仅仅是示例性的，本领域普通技术人员应理解能够由此进行多种变型和等同的其他实施方式。因此，本发明的真正技术保护范围应由随附的权利要求书的技术思想来限定。
附图标记说明
10：沉积用掩模 130：第一金属层
100：衬底 131：图案孔
110：第一光致抗蚀剂层 140：第二光致抗蚀剂层
111：第一曝光区域 141：第二曝光区域
112：第一掩模图案孔 142：第二掩模图案孔
120：第一光掩模 150：第二光掩模
121：第一开口部 160：第二金属层
Claims (17)
1.一种沉积用掩模的制造方法，包括以下步骤：
在衬底的外表面上涂覆第一光致抗蚀剂层；
在所述第一光致抗蚀剂层上布置第一光掩模，并且在调节所述第一光致抗蚀剂层与所述第一光掩模之间的距离的同时曝光所述第一光致抗蚀剂层的一部分；
对所述第一光致抗蚀剂层进行显影以在所述第一光致抗蚀剂层中形成第一掩模图案孔；
在所述第一掩模图案孔中镀上第一金属层；以及
去除所述第一光致抗蚀剂层，
其中，调节所述第一光致抗蚀剂层与所述第一光掩模之间的距离的方法为使所述衬底和所述第一光掩模中的至少一个相对于另一个移动。
2.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在曝光所述第一光致抗蚀剂层的一部分的步骤中，
所述第一光致抗蚀剂层与所述第一光掩模之间的距离逐渐变远。
3.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在曝光所述第一光致抗蚀剂层的一部分的步骤中，
所述第一光致抗蚀剂层的曝光区域逐渐扩大。
4.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述衬底和所述第一光掩模中的一个相对于另一个等速运动。
5.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述衬底和所述第一光掩模中的一个相对于另一个变速运动。
6.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述第一掩模图案孔的内表面具有锥形形状。
7.如权利要求6所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述第一掩模图案孔的内表面的锥形形状的倾斜度与所述第一光致抗蚀剂层与所述第一光掩模彼此相隔开的速度成反比。
8.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述第一掩模图案孔的内表面具有弯曲形状。
9.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在所述第一掩模图案孔中镀上第一金属层的方法通过电铸方式执行。
10.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在对所述第一光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除除了所述第一光致抗蚀剂层中被曝光的所述一部分以外的、所述第一光致抗蚀剂层中剩余的其他部分。
11.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在对所述第一光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除所述第一光致抗蚀剂层中被曝光的所述一部分。
12.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法，还包括以下步骤：
在所述第一金属层和所述第一光致抗蚀剂层上涂覆第二光致抗蚀剂层；
在所述第二光致抗蚀剂层上布置第二光掩模，并且曝光所述第二光致抗蚀剂层的一部分；
对所述第二光致抗蚀剂层进行显影以在所述第二光致抗蚀剂层中形成第二掩模图案孔；
在所述第二掩模图案孔中镀上第二金属层；以及
去除所述第二光致抗蚀剂层。
13.如权利要求12所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述第二掩模图案孔形成在所述第二光致抗蚀剂层的两端部处。
14.如权利要求12所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
所述第二金属层形成在所述第一金属层的两端部处。
15.如权利要求12所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在所述第二掩模图案孔中镀上第二金属层的方法通过电铸方式执行。
16.如权利要求12所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在对所述第二光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除除了所述第二光致抗蚀剂层中被曝光的所述一部分以外的、所述第二光致抗蚀剂层中剩余的其他部分。
17.如权利要求12所述的沉积用掩模的制造方法，其特征在于，
在对所述第二光致抗蚀剂层进行显影的步骤中，去除所述第二光致抗蚀剂层中被曝光的所述一部分。
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