CN108878454A - 显示面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括像素区和走线区，覆盖在所述走线区的钝化绝缘层的厚度大于覆盖在所述像素区的钝化绝缘层的厚度。还提供包含该显示面板的显示装置和显示面板的制备方法。本发明的显示面板，走线区的钝化绝缘层的厚度大于像素区钝化绝缘层的厚度，在薄弱的IC到AA区走线区域，使用较厚的钝化绝缘层，这样能够更好地对线路形成保护，避免竖线或方格等不良的出现。

Description

显示面板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
传统的6Mask TDDI产品由于掩模(Mask)数的限制，在IC到AA区(Ative Area，有效显示区域)的信号输出区只有一层厚度较薄(一般400-500纳米)的钝化绝缘层(PVX)，当异形产品出现时由于模组制程阶段CNC(Computer Numerical Control，电脑数控)磨边等工艺的加入，对产品的划伤越来越多，划伤PVX后信号线(S/D线)裸露到空气和水汽中，容易出现腐蚀类不良，如图1所示，造成竖线或TP(Touch Panel，触控面板)方格等严重的进行性不良。
传统的LCD产品在进行阵列(Array)段的PVX制作时，经过沉积、曝光、显影、刻蚀等步骤后将需要的图形留下，不需要的部分去除掉，如图2所示，首先在所有区域均匀沉积一定厚度的PVX 3，然后利用Mask掩模板1将不需要刻蚀的位置遮挡起来，对需要刻蚀的位置进行曝光，此位置的光刻胶2(PR)变性，显影后PR胶2去除，再使用药液刻蚀，由于没有PR胶2的保护，此部分的PVX 3被完全刻蚀掉，露出基板5上的S/D线层4。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供一种显示面板的制备方法，及该方法制备的显示面板，和包括该显示面板的显示装置。
本发明一方面提供一种显示面板的制备方法，包括阵列基板，所述阵列基板包括像素区和走线区，覆盖在所述走线区的钝化绝缘层的厚度大于覆盖在所述像素区的钝化绝缘层的厚度。
根据本发明的一实施方式，所述覆盖在所述像素区的钝化绝缘层的厚度是430-470nm；所述覆盖在所述走线区的钝化绝缘层的厚度是870-930nm。
本发明另一方面还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板阵列基板，所述阵列基板包括焊接区(pad区)、像素区和走线区，在所述阵列基板上依次形成覆盖所述焊接区、所述像素区和所述走线区的钝化绝缘层和光刻胶层后，包括如下步骤：S1，通过掩模图案化所述光刻胶层，其中所述焊接区的光刻胶层完全去除，所述像素区的光刻胶层部分去除，所述走线区的光刻胶层未去除；S2，以所述图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述绝缘钝化层使得所述焊接区的绝缘钝化层被部分去除；S3，去除一定厚度的所述图案化的光刻胶层，至所述像素区的光刻胶层完全去除；以及S4，以所述步骤S3形成的光刻胶层为掩模刻蚀所述钝化绝缘层至焊接区的钝化绝缘层完全去除。
根据本发明的一实施方式，在所述S1步骤中所述像素区的光刻胶层的厚度的30％-70％被去除。
根据本发明的另一实施方式，在所述S1步骤中所述像素区的光刻胶层的厚度的40％-60％被去除。
根据本发明的另一实施方式，在所述S2步骤中所述焊接区的钝化绝缘层厚度的30％-70％被去除。
根据本发明的另一实施方式，在所述S2步骤中所述焊接区的钝化绝缘层厚度的40％-60％被去除。
本发明还提供一种包括上述显示面板的显示装置。
本发明的显示面板，走线区的钝化绝缘层的厚度大于像素区钝化绝缘层的厚度，在薄弱的IC到AA区走线区域，使用较厚的钝化绝缘层，这样能够更好地对线路形成保护，避免竖线或方格等不良的出现。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是现有产品在模组制程阶段被腐蚀过程的示意图。
图2是现有产品阵列段焊接区和像素区、走线区的结构示意图。
图3A-图3D是本发明的显示面板的制备过程示意图。
其中，附图标记说明如下：
1：掩模板
2：光刻胶层
3：钝化绝缘层
4：金属线
5：基板
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
本发明实施例的显示面板，包括阵列基板，阵列基板包括像素区和走线区，覆盖在走线区的钝化绝缘层的厚度大于覆盖在像素区的钝化绝缘层的厚度。
覆盖在像素区的钝化绝缘层的厚度是430-470nm。覆盖在走线区的钝化绝缘层的厚度是870-930nm。
本发明实施例的显示面板由如下方法制备，在阵列基板上依次形成覆盖焊接区、像素区和走线区的钝化绝缘层和光刻胶层后，S1，通过掩模图案化光刻胶层，其中焊接区的光刻胶层完全去除，像素区的光刻胶层部分去除，走线区的光刻胶层未去除；S2，以图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀绝缘钝化层使得焊接区的绝缘钝化层被部分去除；S3，去除一定厚度的所述图案化的光刻胶层，至所述像素区的光刻胶层完全去除；以及S4，以步骤S3形成的光刻胶层为掩模刻蚀钝化绝缘层至焊接区的钝化绝缘层完全去除。
S1步骤采用的掩模，在焊接区、像素区和走线区的透光率不同，因此通过该掩模的曝光，光刻胶层在不同区域的厚度不同，以形成图案化的光刻胶层。通过S1步骤，焊接区的光刻胶层完全去除，像素区的光刻胶层部分去除，走线区的光刻胶层不被去除。掩模对应于焊接区的透光率是100％，即掩模覆盖光刻胶层时焊接区的光刻胶暴露被光刻。合理设计掩模结构，例如适当的光栅结构，使其对应于像素区部分在曝光、辉化后光刻胶层厚度的30％-70％被去除，优选厚度的40％-60％被去除，更优选是50％被去除。
在S2步骤中，由于像素区和走线区覆盖有光刻胶层，在光刻胶层的保护下，像素区和走线区的钝化绝缘层未被刻蚀，焊接区的钝化绝缘层被刻蚀而去除。在S2步骤中焊接区的钝化绝缘层厚度的30％-70％被去除，优选是40％-60％被去除，更优选是50％。
在S3步骤中，去除一定厚度的图案化的光刻胶层至像素区的光刻胶层完全去除。例如，可以通过没有掩模遮挡的条件下曝光光刻胶层，然后辉化去除一定厚度的光刻胶层。其中像素区的光刻胶层完全去除。走线区的光刻胶层部分去除。例如在S1步骤中像素区的光刻胶层被去除30％，则在S3步骤中像素区的光刻胶层剩余的70％被去除，同时走线区的光刻胶层被去除70％。以此类推，在S1步骤中像素区的光刻胶层被去除40％，则在S3步骤中像素区的光刻胶层剩余的60％被去除，同时走线区的光刻胶层被去除60％。在S1步骤中像素区的光刻胶层被去除50％，则在S3步骤中像素区的光刻胶层剩余的50％被去除，同时走线区的光刻胶层被去除50％。在S1步骤中像素区的光刻胶层被去除60％，则在S3步骤中像素区的光刻胶层剩余的40％被去除，同时走线区的光刻胶层被去除40％。在S1步骤中像素区的光刻胶层被去除70％，则在S3步骤中像素区的光刻胶层剩余的30％被去除，同时走线区的光刻胶层被去除30％。
在S4步骤中，以步骤S3形成的光刻胶层为掩模刻蚀钝化绝缘层至焊接区的钝化绝缘层完全去除。该步骤中走线区的钝化绝缘层被光刻胶层不被刻蚀；焊接区在S2步骤中被刻蚀去除30％-70％，在该步骤中剩余的70％-30％被去除；同时像素区的钝化绝缘层被去除70％-30％。例如，在S2步骤中，焊接区被刻蚀去除30％，则在该步骤中焊接区剩余70％的钝化绝缘层被去除，同时像素区的钝化绝缘层被去除70％。以此类推，在S2步骤中，焊接区被刻蚀去除40％，则在该步骤中焊接区剩余60％的钝化绝缘层被去除，同时像素区的钝化绝缘层被去除60％。在S2步骤中，焊接区被刻蚀去除50％，则在该步骤中焊接区剩余50％的钝化绝缘层被去除，同时像素区的钝化绝缘层被去除50％。在S2步骤中，焊接区被刻蚀去除60％，则在该步骤中焊接区剩余40％的钝化绝缘层被去除，同时像素区的钝化绝缘层被去除40％。在S2步骤中，焊接区被刻蚀去除70％，则在该步骤中焊接区剩余30％的钝化绝缘层被去除，同时像素区的钝化绝缘层被去除30％。
实施例1
参考图3A至图3D，结合实施例说明本发明的发明构思。参见图3A，首先使用掩模板1对光刻胶层2进行曝光，掩模板1对应像素区部分设置有光栅结构，使掩模板1的透光率为50％，焊接区的掩模板1完全镂空，像素区的掩模板1不透光(即不镂空)。曝光时像素区的光刻胶层2并不能完全产生反应，而是只有上面一层反应并被辉化掉，即由于曝光量只为原来的50％，光刻胶层2只被辉化掉一半。焊接区的光刻胶层2完全辉化，被去除。像素区的光刻胶层2由于被掩模板1保护而没有被去除。光刻后的光刻胶层2被图案化。
参见图3B，以图案化的光刻胶层2为掩模刻蚀钝化绝缘层3。钝化绝缘层3的厚度是900nm，通过刻蚀去除450nm厚的焊接区的钝化绝缘层3。像素区和走线区的钝化绝缘层3由于有光刻胶的保护未被刻蚀去除。
参见图3C，光刻胶层2经过曝光、辉化去除一定厚度的光刻胶层2，至像素区的光刻胶层2被去除，同时走线区的光刻胶层2被去除一半。
参见图3D，以图3C中形成光刻胶层2为掩模再刻蚀钝化绝缘层3，至焊接区的钝化绝缘层3完全去除，露出基板5上的金属线4，同时像素区的钝化绝缘层3被去除一半(即450nm)，走线区的钝化绝缘层3在光刻胶层2的保护下未被去除。
最后去除光刻胶层2。
最后形成的阵列基板上像素区的钝化绝缘层3厚度是450nm，走线区的钝化绝缘层3的厚度是900nm，焊接区没有钝化绝缘层，金属线4完成露出。
本发明的显示面板，走线区的钝化绝缘层的厚度大于像素区钝化绝缘层的厚度，在薄弱的IC到AA区走线区域，使用较厚的钝化绝缘层，这样能够更好地对线路形成保护，避免竖线或方格等不良的出现。
可选地，本发明实施例还提供一种显示装置，可以包括上述该显示面板，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括像素区和走线区，其特征在于，覆盖在所述走线区的钝化绝缘层的厚度大于覆盖在所述像素区的钝化绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述覆盖在所述像素区的钝化绝缘层的厚度是430-470nm；所述覆盖在所述走线区的钝化绝缘层的厚度是870-930nm。
3.一种显示面板的制备方法，所述显示面板阵列基板，所述阵列基板包括焊接区、像素区和走线区，其特征在于，在所述阵列基板上依次形成覆盖所述焊接区、所述像素区和所述走线区的钝化绝缘层和光刻胶层后，包括如下步骤：
S1，通过掩模图案化所述光刻胶层，其中所述焊接区的光刻胶层完全去除，所述像素区的光刻胶层部分去除，所述走线区的光刻胶层未去除；
S2，以所述图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述绝缘钝化层使得所述焊接区的绝缘钝化层被部分去除；
S3，去除一定厚度的所述图案化的光刻胶层，至所述像素区的光刻胶层完全去除；以及
S4，以所述步骤S3形成的光刻胶层为掩模刻蚀所述钝化绝缘层至焊接区的钝化绝缘层完全去除。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述S1步骤中所述像素区的光刻胶层的厚度的30％-70％被去除。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述S1步骤中所述像素区的光刻胶层的厚度的40％-60％被去除。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述S2步骤中所述焊接区的钝化绝缘层厚度的30％-70％被去除。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述S2步骤中所述焊接区的钝化绝缘层厚度的40％-60％被去除。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1或2所述的显示面板。
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