CN108857860A - 晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置 - Google Patents

晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108857860A
CN108857860A CN201810601103.1A CN201810601103A CN108857860A CN 108857860 A CN108857860 A CN 108857860A CN 201810601103 A CN201810601103 A CN 201810601103A CN 108857860 A CN108857860 A CN 108857860A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer orientation
orientation ring
grinding
lapping liquid
grinding method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810601103.1A
Other languages
English (en)
Inventor
姚力军
潘杰
王学泽
李易磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Original Assignee
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd filed Critical Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority to CN201810601103.1A priority Critical patent/CN108857860A/zh
Publication of CN108857860A publication Critical patent/CN108857860A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32—Retaining rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1472—Non-aqueous liquid suspensions

Abstract

本发明属于不锈钢研磨技术领域，尤其涉及一种晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置。本发明中晶片定位环的研磨方法包括如下步骤：将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；其中，研磨转速为50‑80rpm，研磨时间为35‑45min，研磨液流量为0.7‑1.2mL/s，压重为4.3‑4.8kg。通过本发明中的研磨方法得到的晶片定位环具有较好的平面度，满足小于或等于0.01mm的要求。

Description

晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛 光装置
技术领域
本发明涉及不锈钢研磨技术领域，尤其是涉及一种晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置。
背景技术
在半导体加工过程中，最初的半导体基片抛光使用机械抛光，但是得到的晶片表面损伤极其严重，直到60年代末，化学机械抛光技术取代了机械抛光技术。化学机械抛光技术综合了化学和机械抛光的优势，可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的晶片表面平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
化学机械抛光装置主要包括研磨盘、抛光垫、抛光头组件和浆料分配器等，抛光头组件中又包括晶片定位环，晶片定位环可以在抛光、改变和调整半导体晶片表面的研磨状态时精确地保持半导体晶片，因此，为了得到质量优异的晶片，要求化学机械抛光装置用的晶片定位环具有极高的平面度。通常晶片定位环经过车削后的平面度较差，无法满足小于或等于0.01mm的要求。
鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种晶片定位环的研磨方法，以缓解现有技术中存在的晶片定位环经过车削后的平面度较差，无法满足小于或等于0.01mm的要求的技术问题。该方法操作简单，条件可控性好。
本发明的另一个目的在于提供一种晶片定位环，该晶片定位环由上述研磨方法研磨得到，研磨后的晶片定位环平面度较好，满足小于0.01mm的要求。
本发明的另一个目的在于提供一种所述的晶片定位环在半导体化学机械抛光工艺中的应用，可以使晶片获得更好的研磨效果。
本发明的另一个目的在于提供一种包含所述的晶片定位环的化学机械抛光装置，该装置具有更好的研磨作用，可以使研磨后的晶片具有较完美的平整度。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为50-80rpm，研磨时间为35-45min，研磨液流量为0.7-1.2mL/s，压重为4.3-4.8kg。
优选地，研磨转速为60-70rpm，研磨时间为38-42min，研磨液流量为0.9-1.0mL/s，压重为4.5-4.6kg。
优选地，所述研磨液包括如下重量百分比的组分：
金属防腐蚀剂1-6％，分散剂3-12％，研磨粒子12-16％，余量为水；
优选地，金属防腐蚀剂3-4％，分散剂6-7％，研磨粒子13-14％，余量为水。
优选地，所述研磨粒子为氧化铝、氧化锆、二氧化硅和氧化铈中的至少一种；
优选地，所述研磨粒子粒径为30-70mm；
优选地，所述研磨粒子粒径为40-60mm。
优选地，所述金属防腐蚀剂为1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、一元羧酸乙醇胺盐、二元羧酸乙醇胺盐和苯丙三唑中的至少一种。
优选地，所述分散剂为十二烷基硫酸钠、聚丙烯酰胺和甲基戊醇中的至少一种。
优选地，所述研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂60-70％、铁粉25-35％和防锈剂2-8％；
优选地，所述铁粉包括电解铁粉、铁纤维、雾化铁粉和还原铁粉中的至少一种；
优选地，所述防锈剂包括椰油酸二乙醇酰胺、椰油酰基氨酸乙醇胺和油酰基肌氨酸乙醇胺中的至少一种；
优选地，所述研磨盘粒度为300-600目。
采用如上所述的晶片定位环的研磨方法研磨得到的晶片定位环。
如上所述的晶片定位环在半导体化学机械抛光工艺中的应用。
包含如上所述的晶片定位环的化学机械抛光装置。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力，通过改变研磨转速、研磨时间、研磨液流量以及压重对晶片定位环进行研磨，并且在研磨转速、研磨时间、研磨液流量和压重的相互配合下，获得平面度较好的晶片定位环。该研磨方法操作简单，条件可控性较好。
(2)通过本发明的研磨方法研磨得到的晶片定位环，具有较好的平面度，满足晶圆研磨所需要求，平面度小于0.01mm。
(3)本发明中的晶片定位环应用于半导体化学机械抛光工艺中，可以使研磨的晶片具有更好的平整度。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
根据本发明的一个方面，一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，所述研磨转速为50-80rpm，研磨时间为35-45min，研磨液流量为0.7-1.2mL/s，压重为4.3-4.8kg。
通过采用50-80rpm的研磨转速、35-45min的研磨时间、0.7-1.2mL/s的研磨液流量和4.3-4.8kg的压重，研磨后的晶片定位环具有较好的平面度，满足小于或等于0.01mm的要求。
研磨转速典型但非限制性的例如为50rpm、55rpm、60rpm、65rpm、70rpm、75rpm或80rpm。
研磨时间典型但非限制性的例如为35min、36min、37min、38min、39min、40min、41min、42min、43min、44min或45min。
研磨液流量典型但非限制性的例如为0.7mL/s、0.8mL/s、0.9mL/s、mL/s、1.0mL/s、1.1mL/s或1.2mL/s。
压重典型但非限制性的例如为4.3kg、4.4kg、4.5kg、4.6kg、4.7kg或4.8kg。
优选地，所述研磨转速为60-70rpm，研磨时间为38-42min，研磨液流量为0.9-1.0mL/s，压重为4.5-4.6kg。
通过优化研磨转速、研磨时间、研磨液流量和压重，能够进一步获得表面度更加优异的晶片定位环。
优选地，所述研磨液包括如下重量百分比的组分：
金属防腐蚀剂1-6％，分散剂3-12％，研磨粒子12-16％，余量为水；
金属防腐蚀剂典型但非限制性的重量百分含量例如为1％、2％、3％、4％、5％或6％。
分散剂典型但非限制性的重量百分含量例如为3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％或12％。
研磨粒子典型但非限制性的重量百分含量例如为12％、13％、14％、15％或16％。
本发明所述的“包括”，意指其除所述原料外，还可以包括其他原料，这些其他原料赋予所述研磨液不同的特性。除此之外，本发明所述的“包括”，还可以替换为封闭式的“为”或“由……组成”。
例如，还可以包括氧化剂等其他组分。
需要注意的是，余量为水，指本发明研磨液中金属防腐蚀剂、分散剂和研磨粒子之外的余量为水，水与金属防腐蚀剂、分散剂和研磨粒子的重量百分含量之和为100％。
优选地，金属防腐蚀剂3-4％，分散剂6-7％，研磨粒子13-14％，余量为水。
优选地，所述研磨粒子为氧化铝、氧化锆、二氧化硅和氧化铈中的至少一种；
优选地，所述研磨粒子粒径为30-70mm；
研磨粒子粒径典型但非限制性的例如为30mm、35mm、40mm、45mm、50mm、55mm、60mm、65mm或70mm。
优选地，所述研磨粒子粒径为40-60mm。
优选地，所述金属防腐蚀剂为1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、一元羧酸乙醇胺盐、二元羧酸乙醇胺盐和苯丙三唑中的至少一种。
优选地，所述分散剂为十二烷基硫酸钠、聚丙烯酰胺和甲基戊醇中的至少一种。
优选地，所述研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂60-70％、铁粉25-35％和防锈剂2-8％；
更优选地，所述研磨盘包括如下重量百分比的组分：树脂64％-66％、铁粉28-30％和防锈剂4-6％。
树脂典型但非限制性的重量百分含量例如为60％、61％、62％、63％、64％、65％、66％、67％、68％、69％或70％。
铁粉典型但非限制性的重量百分含量例如为25％、26％、27％、28％、29％、30％、31％、32％、33％、34％或35％。
防锈剂典型但非限制性的重量百分含量例如为2％、3％、4％、5％、6％、7％或8％。
优选地，所述铁粉包括电解铁粉、铁纤维、雾化铁粉和还原铁粉中的至少一种；
优选地，所述防锈剂包括椰油酸二乙醇酰胺、椰油酰基氨酸乙醇胺和油酰基肌氨酸乙醇胺中的至少一种；
优选地，所述研磨盘粒度为300-600目。
研磨盘粒度典型但非限制性的例如为300目、400目、500目或600目。
在本发明的一种优选实施方式中，所述晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为50-80rpm，研磨时间为35-45min，研磨液流量为0.7-1.2mL/s，压重为4.3-4.8kg。
所述研磨盘包括如下重量百分比的组分：树脂60-70％、铁粉25-35％和防锈剂2-8％；
所述研磨液包括如下重量百分比的组分：金属防腐蚀剂1-6％，分散剂3-12％，研磨粒子12-16％，余量为水；
本发明选用树脂、铁粉和防锈剂制得的研磨盘，选用金属防腐蚀剂、分散剂、研磨粒子和水制得的研磨液，并通过改变研磨转速、研磨时间、研磨液流量和压重，获得较好平面度的晶片定位环。
根据本发明的另一个方面，采用所述的晶片定位环的研磨方法研磨得到的晶片定位环。
根据本发明的另一个方面，所述的晶片定位环在半导体化学机械抛光工艺中的应用。晶片定位环可以在抛光、改变和调整半导体晶片表面的研磨状态时精确地保持半导体晶片，使研磨后的晶片具有较好的平面度。
根据本发明的另一个方面，包含所述的晶片定位环的化学机械抛光装置。
化学机械抛光装置主要包括磨盘、抛光垫、抛光头组件和浆料分配器等，其中抛光头组件中又包括晶片定位环、真空吸附装置和下压力装置。本发明中的晶片定位环能够很好的固定晶片，使晶片研磨后获得更完美的平面度。
下面结合具体实施例和对比例，对本发明作进一步说明。
实施例1
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为53rpm，研磨时间为37min，研磨液流量为0.7mL/s，压重为4.3kg。
实施例2
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为80rpm，研磨时间为35min，研磨液流量为0.7mL/s，压重为4.8kg。
实施例3
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为50rpm，研磨时间为35min，研磨液流量为0.7mL/s，压重为4.3kg；
研磨液包括如下重量百分比的组分：
苯丙三唑1％、十二烷基硫酸钠12％、氧化铝12％和水75％；
其中，氧化铝粒径为30mm；
研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂60％、雾化铁粉35％和椰油酰基氨酸乙醇胺5％；
其中，研磨盘粒度为300目。
实施例4
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为80rpm，研磨时间为45min，研磨液流量为1.2mL/s，压重为4.8kg；
研磨液包括如下重量百分比的组分：
一元羧酸乙醇胺盐6％、聚丙烯酰胺3％、氧化铈16％和水75％；
其中，氧化铈粒径为70mm；
研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂70％、电解铁粉25％和油酰基肌氨酸乙醇胺5％；
其中，研磨盘粒度为600目。
实施例5
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为55rpm，研磨时间为37min，研磨液流量为0.8mL/s，压重为4.4kg；
研磨液包括如下重量百分比的组分：
二元羧酸乙醇胺盐4％、甲基戊醇9％、二氧化硅13％和水74％；
其中，二氧化硅粒径为35mm；
研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂62％、铁粉32％和防锈剂6％；
其中，研磨盘粒度为400目。
实施例6
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为75rpm，研磨时间为43min，研磨液流量为1.1mL/s，压重为4.7kg；
研磨液包括如下重量百分比的组分：
苯丙三唑5％、十二烷基硫酸钠4％、氧化锆15％和水76％；
其中，氧化锆粒径为65mm；
研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂68％、雾化铁粉26％和椰油酸二乙醇酰胺6％；
其中，研磨盘粒度为500目。
实施例7
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为60rpm，研磨时间为38min，研磨液流量为0.9mL/s，压重为4.5kg；
研磨液包括如下重量百分比的组分：
苯丙三唑3％、甲基戊醇7％、氧化铝13％和水77％；
其中，氧化铝粒径为40mm；
研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂64％、还原铁粉34％和椰油酰基氨酸乙醇胺2％；
其中，研磨盘粒度为500目。
实施例8
一种晶片定位环的研磨方法，包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为80rpm，研磨时间为42min，研磨液流量为1.0mL/s，压重为4.6kg；
研磨液包括如下重量百分比的组分：
苯丙三唑4％、十二烷基硫酸钠7％、氧化铝14％和水75％；
其中，研磨粒子粒径为60mm；
研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂66％、雾化铁粉30％和油酰基肌氨酸乙醇胺4％；
其中，研磨盘粒度为500目。
对比例1
一种晶片定位环的研磨方法，除研磨转速为40rpm，研磨时间为30min，研磨液流量为0.5mL/s，压重为4.0kg以外，其他步骤与实施例7相同。
对比例2
一种晶片定位环的研磨方法，除研磨转速为45rpm，压重为5kg以外，其他步骤与实施例8相同。
对比例3
一种晶片定位环的研磨方法，除研磨液采用0.5％苯丙三唑、1％十二烷基硫酸钠、3％氧化铝和95.5％水以外，其他步骤与实施例7相同。
对比例4
一种晶片定位环的研磨方法，除研磨盘采用50％树脂、40％雾化铁粉和10％油酰基肌氨酸乙醇胺制成的磨盘以外，其他步骤与实施例8相同。
试验例
对实施例和对比例中的晶片定位环进行平面度测试，测试结果如表一所示。
表一对比例和实施例中晶片定位环的平面度测试结果
由表一可以看出，本发明实施例1-8中的晶片定位环的平面度均小于0.01mm，符合晶片研磨中对晶片定位环的平面度要求。而对比例1的研磨转速、研磨时间、研磨液流量和压重均不在本发明权利要求1所保护的范围内，对比例2的研磨转速和压重不在本发明权利要求1所要保护的范围内，对比例3研磨液的组分含量不在本发明所保护的范围之内，对比例4研磨盘的组分含量不在本发明所要保护的范围之内，对比例1、对比例2、对比例3和对比例4得到的晶片定位环平面度较差，无法满足小于等于0.01mm的要求。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；
其中，研磨转速为50-80rpm，研磨时间为35-45min，研磨液流量为0.7-1.2mL/s，压重为4.3-4.8kg。
2.根据权利要求1所述的晶片定位环的研磨方法，其特征在于，研磨转速为60-70rpm，研磨时间为38-42min，研磨液流量为0.9-1.0mL/s，压重为4.5-4.6kg。
3.根据权利要求1所述的晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述研磨液包括如下重量百分比的组分：
金属防腐蚀剂1-6％，分散剂3-12％，研磨粒子12-16％，余量为水；
优选地，所述研磨液包括如下重量百分比的组分：金属防腐蚀剂3-4％，分散剂6-7％，研磨粒子13-14％，余量为水。
4.根据权利要求3所述的研磨液，其特征在于，所述研磨粒子为氧化铝、氧化锆、二氧化硅和氧化铈中的至少一种；
优选地，所述研磨粒子粒径为30-70mm；
优选地，所述研磨粒子粒径为40-60mm。
5.根据权利要求3所述的研磨液，其特征在于，所述金属防腐蚀剂为1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、一元羧酸乙醇胺盐、二元羧酸乙醇胺盐和苯丙三唑中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的研磨液，其特征在于，所述分散剂为十二烷基硫酸钠、聚丙烯酰胺和甲基戊醇中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述研磨盘包括如下重量百分比的组分：
树脂60-70％、铁粉25-35％和防锈剂2-8％；
优选地，所述铁粉包括电解铁粉、铁纤维、雾化铁粉和还原铁粉中的至少一种；
优选地，所述防锈剂包括椰油酸二乙醇酰胺、椰油酰基氨酸乙醇胺和油酰基肌氨酸乙醇胺中的至少一种；
优选地，所述研磨盘粒度为300-600目。
8.采用权利要求1-7任一项所述的晶片定位环的研磨方法研磨得到的晶片定位环。
9.权利要求8所述的晶片定位环在半导体化学机械抛光工艺中的应用。
10.包含权利要求8所述的晶片定位环的化学机械抛光装置。
CN201810601103.1A 2018-06-12 2018-06-12 晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置 Pending CN108857860A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810601103.1A CN108857860A (zh) 2018-06-12 2018-06-12 晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810601103.1A CN108857860A (zh) 2018-06-12 2018-06-12 晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108857860A true CN108857860A (zh) 2018-11-23

Family

ID=64338749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810601103.1A Pending CN108857860A (zh) 2018-06-12 2018-06-12 晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108857860A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111805406A (zh) * 2020-07-19 2020-10-23 林璋 一种新型不锈钢表面抛光工艺
CN113370001A (zh) * 2021-05-25 2021-09-10 上海工程技术大学 一种硅衬底化学机械抛光方法
CN113732935A (zh) * 2021-09-17 2021-12-03 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种机械化学研磨保持环的表面处理方法
CN116082961A (zh) * 2022-12-01 2023-05-09 宁波平恒电子材料有限公司 一种硅片保持环研磨液及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1307079A (zh) * 2000-02-03 2001-08-08 花王株式会社 抛光组合物
CN1345264A (zh) * 1999-03-30 2002-04-17 株式会社尼康 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
CN1434491A (zh) * 2002-01-25 2003-08-06 Jsr株式会社 半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
KR20040059572A (ko) * 2002-12-27 2004-07-06 제일모직주식회사 연마속도와 분산안정성이 향상된 텅스텐 배선 연마용슬러리 조성물
CN1620355A (zh) * 2001-01-23 2005-05-25 Asml美国公司 铜－氧化物大马士革结构的化学机械抛光
EP1505133B1 (en) * 2003-08-05 2008-03-26 Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Composition for polishing semiconductor layers
CN102632453A (zh) * 2012-04-24 2012-08-15 浙江浦江敏锐精密机械科技有限公司 一种热固性树脂研磨垫及其制备方法
CN103381573A (zh) * 2013-05-27 2013-11-06 河南科技学院 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
CN103521474A (zh) * 2013-08-20 2014-01-22 曾锡强 一种以抛代洗的蓝宝石衬底晶片表面洁净方法
CN103897602A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
KR20170127815A (ko) * 2016-05-12 2017-11-22 삼성에스디아이 주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1345264A (zh) * 1999-03-30 2002-04-17 株式会社尼康 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
CN1307079A (zh) * 2000-02-03 2001-08-08 花王株式会社 抛光组合物
CN1620355A (zh) * 2001-01-23 2005-05-25 Asml美国公司 铜－氧化物大马士革结构的化学机械抛光
CN1434491A (zh) * 2002-01-25 2003-08-06 Jsr株式会社 半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
KR20040059572A (ko) * 2002-12-27 2004-07-06 제일모직주식회사 연마속도와 분산안정성이 향상된 텅스텐 배선 연마용슬러리 조성물
EP1505133B1 (en) * 2003-08-05 2008-03-26 Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Composition for polishing semiconductor layers
CN102632453A (zh) * 2012-04-24 2012-08-15 浙江浦江敏锐精密机械科技有限公司 一种热固性树脂研磨垫及其制备方法
CN103897602A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及抛光方法
CN103381573A (zh) * 2013-05-27 2013-11-06 河南科技学院 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
CN103521474A (zh) * 2013-08-20 2014-01-22 曾锡强 一种以抛代洗的蓝宝石衬底晶片表面洁净方法
KR20170127815A (ko) * 2016-05-12 2017-11-22 삼성에스디아이 주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111805406A (zh) * 2020-07-19 2020-10-23 林璋 一种新型不锈钢表面抛光工艺
CN111805406B (zh) * 2020-07-19 2021-06-29 佛山市中力金属制品有限公司 一种不锈钢表面抛光工艺
CN113370001A (zh) * 2021-05-25 2021-09-10 上海工程技术大学 一种硅衬底化学机械抛光方法
CN113732935A (zh) * 2021-09-17 2021-12-03 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种机械化学研磨保持环的表面处理方法
CN116082961A (zh) * 2022-12-01 2023-05-09 宁波平恒电子材料有限公司 一种硅片保持环研磨液及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108857860A (zh) 晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置
US8840798B2 (en) Chemical mechanical polishing slurry composition and method for producing semiconductor device using the same
EP1566421B1 (en) CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate.
US20130037515A1 (en) Sapphire polishing slurry and sapphire polishing method
JP2002211915A (ja) 水性分散液、その製造法および該分散液の使用
US20130130595A1 (en) Polishing agent and polishing method
JPH11181403A (ja) 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
CN103909465B (zh) 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法
JP2000336344A (ja) 研磨剤
TWI828668B (zh) 研磨用組合物及使用此的研磨方法
CN108473851A (zh) 研磨用组合物
JPH11207632A (ja) ポリシャ及びその製造方法並びに研磨工具
JP2001031951A (ja) 研磨剤及び基板の研磨方法
JP2001351882A (ja) 研磨剤
JP2005048125A (ja) Ｃｍｐ研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法
CN106346317A (zh) 加工制备蓝宝石晶片的方法
JPS5914469A (ja) ポリツシング装置
JP2014216368A (ja) 研磨剤および研磨方法
WO2020066998A1 (ja) 研磨液、その濃縮液、研磨液を用いる研磨処理物品の製造方法及び研磨液を用いる基板の研磨方法
JP2017119738A (ja) サファイア板の非極性面用研磨液組成物
CN100581731C (zh) 一种白宝石晶体的表面加工方法
JP4426192B2 (ja) 研磨用組成物の製造方法
JP2002292556A (ja) シリコンウエハ鏡面研磨用スラリー、砥石、パッド及び研磨液、並びにこれらを用いたシリコンウエハの鏡面研磨方法
JP5988480B2 (ja) 研磨方法
CN209175539U (zh) 一种金刚石磨块位置可调的抛光布修整盘

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181123