CN108776563A - 一种一体黑触摸屏及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种一体黑触摸屏，包括依次接触的基材、Cu3N膜、触控层和显示模块；所述Cu3N膜的厚度为绝大部分金属氧化物及氮化物存在一定的导电性。由于基材会与触控层贴合，这就要求用来达到一体黑效果的该膜层一定要求是绝缘或近乎绝缘的，否则会对触控造成影响。而在Cu3N晶体中，由于铜的s能带与氮原子p能带交叠形成满带，所以纯Cu3N晶体是绝缘体，氮化铜为黑棕色晶体，亮度低，纳米级薄膜存在一定的透过率。可以通过控制厚度调整透过率和亮度。本发明还提供了一种一体黑触摸屏的制备方法。

Description

一种一体黑触摸屏及其制备方法
技术领域
本发明属于触摸屏技术领域，尤其涉及一种一体黑触摸屏及其制备方法。
背景技术
随着电容触摸屏的越来越广泛的应用，消费者不仅仅对触摸屏的友好操作(方便、准确)有要求，对产品外观的要求也越来越高。由于普通触摸屏一般在显示屏显示区域采用全透光设计，视窗区外采用丝印遮盖油墨方式设计，在实际使用时，视窗区显示灰黑色，视窗区外按丝印油墨不同显示不同颜色，比较常见的多为黑色或白色，采用黑色丝印油墨的触控显示模组，息屏后显示区域和边框颜色有区别，外观美学效果差。
为满足消费者对产品外观美学要求，采用黑色丝印边框的触控显示模组有发展为要求息屏后显示效果一致，达到一种“息屏美学”的迫切需要。由于视窗透明区域为玻璃基板，光学胶，透明导电层、平板显示层等多层结构，要求多层结构叠加后光学设计即能满足息屏时反射同边框丝印颜色效果一致，又要满足显示时透光要求，其光学设计复杂是目前显示触控模组的一个难题。
目前出现的采用油墨涂抹的途径来实现息屏一体黑的效果，具有代表性的如中国专利ZL201520286392.2公开的一种一体黑电容式触摸屏，该结构关键是覆着在基板上的颜色膜，该工艺简单直接，但是其一体黑效果还有待提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种一体黑触摸屏及其制备方法，本发明中的一体黑触摸屏。
本发明提供了一种一体黑触摸屏，包括依次接触的基材、Cu3N膜、触控层和显示模块；
所述Cu3N膜的厚度为
优选的，所述基材为钢化玻璃或浮法玻璃；
所述基材的厚度为0.55～1.3mm。
优选的，所述触控层为ITO架桥层；
所述触控层的厚度为1.0～3.0μm。
本发明提供一种一体黑触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
在基材上磁控溅射Cu3N膜，然后依次附上触控层和显示模块，得到一体黑触摸屏；
所述Cu3N膜的厚度为
优选的，所述磁控溅射的功率为1.0～2.0kW。
优选的，所述磁控溅射的溅射气体为氮气；
所述氮气的流量为20～50sccm。
优选的，所述磁控溅射的温度为80～120℃。
优选的，所述磁控溅射的时间为40～80s。
本发明提供了一种一体黑触摸屏，包括依次接触的基材、Cu3N膜、触控层和显示模块；所述Cu3N膜的厚度为绝大部分金属氧化物及氮化物存在一定的导电性。由于基材会与触控层贴合，这就要求用来达到一体黑效果的该膜层一定要求是绝缘或近乎绝缘的，否则会对触控造成影响。而在Cu3N晶体中，由于铜的s能带与氮原子p能带交叠形成满带，所以纯Cu3N晶体是绝缘体，氮化铜为黑棕色晶体，亮度低，纳米级薄膜存在一定的透过率。可以通过控制厚度调整透过率和亮度。
具体实施方式
本发明提供了一种一体黑触摸屏，包括依次接触的基材、Cu3N膜、触控层和显示模块；
所述Cu3N膜的厚度为
在本发明中，所述基材优选为钢化玻璃或浮法玻璃，所述基材的厚度优选为0.55～1.3mm，具体的，可以是0.55mm、0.7mm或1.3mm。
在本发明中，所述Cu3N膜的厚度优选为更优选为最优选为相比于现有技术使用的厚度在微米级别的油墨层，本发明中Cu3N膜更薄，膜层厚度在纳米级。而且成本更低，且无需借助胶水粘附在基材表面，触摸屏的整体性能更加容易控制，不易受到干扰。
在本发明中，所述Cu3N膜通过磁控溅射的方法镀在所述基材的表面。
所述触控层优选为纳米级的ITO架桥层，所述触控层的厚度优选为1.0～3.0μm，更优选为1.5～2.5μm。所述触控层中的桥点优选为高分子绝缘材料。
本发明对所述显示模块的材质和厚度没有特殊的限制，采用本领域技术人员常用的传统显示模块即可。
在本发明中，所述一体黑触摸屏的反射率优选为14～36％；所述一体黑触摸屏的亮度优选为30～70；所述一体黑触摸屏的透过率优选为30～80％；一体黑效果的评判标准为：息屏状态下，视区反射率与非视区反射率、视区L(亮度)值和非视区亮度值的接近程度。而玻璃基板、触控层、显示模组都会影响成品的透过率，而用户的视觉体验是基于成品的，因此氮化铜膜层的透过率考虑因素要结合所选材料而定；现有技术中通过贴颜色膜实现一体黑效果的技术方案，虽然简单易操作，但是，难以实现颜色的随时调整，如果玻璃基板、触控层、显示模组等部件的透光率有所变化，那么颜色膜的生产工艺需要重新调整，需得根据需要生产不同的颜色膜，这样对现有工艺的兼容性较低，成本会提高，本专利可以通过调整镀膜工艺可以匹配各种黑色油墨，即使是有一定透过率的黑色油墨也可以与之匹配达到一体黑的效果。
本发明还提供给了一种一体黑触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
在基材上磁控溅射Cu3N膜，然后依次附上触控层和显示模块，得到一体黑触摸屏；
所述Cu3N膜的厚度为
在本发明中，所述基材、触控层和显示模块的种类和来源与上文中基材、触控层和显示模块的种类和来源一致，在此不再赘述。
在本发明中，所述磁控溅射的功率优选为1.0～2.0kW，更优选为1.2～1.8kW，最优选为1.2～1.6kW；所述磁控溅射的溅射气体优选为氮气，所述氮气的流量优选为20～50sccm，更优选为24～40sccm；所述磁控溅射的温度优选为80～120℃，更优选为90～110℃，最优选为100℃；所述磁控溅射的时间优选为40～80s，更优选为50～70s，最优选为60s。
Cu3N晶体结构特殊，晶格的中心空位很容易被别的原子填充从而引起晶体本身电化学性质的改变，使Cu3N晶体从绝缘体向半导体甚至是导体转变。因此，氮化铜对磁控溅射工艺有严格的要求。本申请通过调节氮气流量、功率等磁控溅射的工艺参数，将视区与非视区的反射率、亮度和透过率调整至最为接近。
本发明提供了一种一体黑触摸屏，包括依次接触的基材、Cu3N膜、触控层和显示模块；所述Cu3N膜的厚度为绝大部分金属氧化物及氮化物存在一定的导电性。由于基材会与触控层贴合，这就要求用来达到一体黑效果的该膜层一定要求是绝缘或近乎绝缘的，否则会对触控造成影响。而在Cu3N晶体中，由于铜的s能带与氮原子p能带交叠形成满带，所以纯Cu3N晶体是绝缘体，氮化铜为黑棕色晶体，亮度低，纳米级薄膜存在一定的透过率。可以通过控制厚度调整透过率和亮度。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种一体黑触摸屏及其制备方法进行详细描述，但不能将其理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
本实施例中，非视区的油墨亮度为60；透过率为0％；反射率为35％；
在将钢化玻璃上进行磁控溅射Cu3N膜，溅射功率为1.6kW，氮气流量为24sccm，溅射温度为80℃；时间80s。
Cu3N膜后亮度66.62，550nm波长的反射率为36.27；
然后将ITO通过架桥工艺复合在Cu3N膜层表面，再覆上显示模块，得到一体黑触摸屏。
实施例2
本实施例中，非视区的油墨亮度为55；透过率为0％；反射率为25％；
在将钢化玻璃上进行磁控溅射Cu3N膜，溅射功率为1.2kW，氮气流量为50sccm，溅射温度为100℃；时间50s。
Cu3N膜后亮度56.372，550nm波长的反射率为24.39；
然后将ITO通过架桥工艺复合在Cu3N膜层表面，再覆上显示模块，得到一体黑触摸屏。
实施例3
本实施例中，非视区的油墨亮度为50；透过率为0％；反射率为20％；
在将钢化玻璃上进行磁控溅射Cu3N膜，溅射功率为1.6kW，氮气流量为40sccm，溅射温度为120℃；时间40s。
Cu3N膜后亮度54.37，550nm波长的反射率为22.26；
然后将ITO通过架桥工艺复合在Cu3N膜层表面，再覆上显示模块，得到一体黑触摸屏。
实施例4
本实施例中，非视区的油墨亮度为28；透过率为5％；反射率为15％；
在将钢化玻璃上进行磁控溅射Cu3N膜，溅射功率为1.6kW，氮气流量为40sccm，溅射温度为90℃；时间60s。
Cu3N膜后亮度30.47，550nm波长的反射率为13.97；
然后将ITO通过架桥工艺复合在Cu3N膜层表面，再覆上显示模块，得到一体黑触摸屏。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种一体黑触摸屏，包括依次接触的基材、Cu3N膜、触控层和显示模块；
所述Cu3N膜的厚度为
2.根据权利要求1所述的一体黑触摸屏，其特征在于，所述基材为钢化玻璃或浮法玻璃；
所述基材的厚度为0.55～1.3mm。
3.根据权利要求1所述的一体黑触摸屏，其特征在于，所述触控层为ITO架桥层；
所述触控层的厚度为1.0～3.0μm。
4.一种一体黑触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
在基材上磁控溅射Cu3N膜，然后依次附上触控层和显示模块，得到一体黑触摸屏；
所述Cu3N膜的厚度为
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的功率为1.0～2.0kW。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射气体为氮气；
所述氮气的流量为20～50sccm。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的温度为80～120℃。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间为40～80s。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114385021A (zh) * 2020-10-21 2022-04-22 深圳莱宝高科技股份有限公司 一体黑触摸屏及触控显示模组

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103064575A (zh) * 2013-01-15 2013-04-24 信利光电(汕尾)有限公司 一种电容式触摸屏面盖及其制作方法及电容式触摸屏
JP2013129183A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Toray Ind Inc 積層体
KR20140091397A (ko) * 2013-01-11 2014-07-21 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조의 액정표시장치 및 이의 제조 방법
CN204926051U (zh) * 2015-08-31 2015-12-30 Tcl显示科技（惠州）有限公司 电容屏、显示模组及移动设备
CN105529301A (zh) * 2016-01-04 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
CN105684099A (zh) * 2014-06-18 2016-06-15 吉奥马科技有限公司 层叠体、其制造方法和电子设备
CN105807968A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 南昌欧菲光学技术有限公司 黑色边框触控面板及其盖板以及盖板的制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013129183A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Toray Ind Inc 積層体
KR20140091397A (ko) * 2013-01-11 2014-07-21 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조의 액정표시장치 및 이의 제조 방법
CN103064575A (zh) * 2013-01-15 2013-04-24 信利光电(汕尾)有限公司 一种电容式触摸屏面盖及其制作方法及电容式触摸屏
CN105684099A (zh) * 2014-06-18 2016-06-15 吉奥马科技有限公司 层叠体、其制造方法和电子设备
CN105807968A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 南昌欧菲光学技术有限公司 黑色边框触控面板及其盖板以及盖板的制作方法
CN204926051U (zh) * 2015-08-31 2015-12-30 Tcl显示科技（惠州）有限公司 电容屏、显示模组及移动设备
CN105529301A (zh) * 2016-01-04 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王涛: "射频反应磁控溅射制备氮化铜纳米薄膜及其场发射性能研究", 《中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》 *
赵晋阳: "氮化铜薄膜的光存储应用研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114385021A (zh) * 2020-10-21 2022-04-22 深圳莱宝高科技股份有限公司 一体黑触摸屏及触控显示模组
CN114385021B (zh) * 2020-10-21 2023-11-03 深圳莱宝高科技股份有限公司 一体黑触摸屏及触控显示模组

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