CN105807968A - 黑色边框触控面板及其盖板以及盖板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种黑色边框触控面板及其盖板以及该盖板的制作方法。该盖板包括：基板，具有相对的连接表面及触控表面，连接表面用于连接触控本体，触控表面包括可视区及非可视区；增透膜，设于触控表面上，并覆盖可视区及非可视区；其中，增透膜包括至少一层二氧化硅层及至少一层五氧化二铌层，二氧化硅层与五氧化二铌层交替层叠。采用该盖板的黑色边框触控面板具有屏息一体化的效果。
Description
技术领域
本发明涉及触控技术领域，特别是涉及一种黑色边框触控面板及其盖板以及盖板的制作方法。
背景技术
对于普通黑色边框触控显示面板，其可视区(视窗区)与非可视区(边框区或油墨区)的反射强度存在明显的差异，可视区的反射较大，其视觉效果比非可视区要亮得多，在息屏状态下(关闭屏幕的时候)，可视区与非可视区的显示效果不一样，达不到浑然一体的效果。
发明内容
基于此，有必要提供一种屏息一体化的黑色边框触控面板及其制作方法。
一种黑色边框触控面板的盖板，包括：
基板，具有相对的连接表面及触控表面，所述连接表面用于连接触控本体，所述触控表面包括可视区及非可视区；以及
增透膜，设于所述触控表面上，并覆盖所述可视区及所述非可视区；
其中，所述增透膜包括至少一层二氧化硅层及至少一层五氧化二铌层，所述二氧化硅层与所述五氧化二铌层交替层叠。
在其中一个实施例中，所述增透膜呈红色、橙色、黄色、绿色、蓝色或紫色。
在其中一个实施例中，所述增透膜的厚度为30nm～50nm。
在其中一个实施例中，所述二氧化硅层的厚度为10nm～15nm，所述五氧化二铌层的厚度为10nm～15nm。
在其中一个实施例中，所述基板为玻璃；
或者，所述基板为透明塑料膜，所述触控表面直接与所述增透膜的一二氧化硅层接触。
一种上述的黑色边框触控面板的盖板的制作方法，采用电子束蒸发的方式或磁控溅射的方式在所述基板的触控表面形成所述增透膜。
在其中一个实施例中，采用电子束蒸发的方式在所述基板的触控表面形成所述增透膜，其中，在真空度大于5.5×10-4Pa的条件下，控制所述基板的温度为175℃～185℃，并控制二氧化硅或五氧化二铌在所述基板上的沉积速率为0.1nm/s～0.5nm/s。
一种黑色边框触控面板，包括：
触控本体；以及
上述的盖板，设于所述触控本体上，且所述连接表面朝向所述触控本体。
在其中一个实施例中，还包括显示本体，所述显示本体设于所述触控本体远离所述盖板的表面。
在其中一个实施例中，所述盖板与所述触控本体之间以及设有所述触控本体与所述显示本体之间分别设有粘结层。
将上述黑色边框触控面板的盖板应用于黑色边框触控面板中时，在息屏状态下，由于设有增透膜，从而使得可视区及非可视区的亮度同时降低。而由于可视区比非可视区要亮很多(可视区对光线的反射程度大于非可视区)，因此，从视觉角度来看，可视区的亮度相对非可视区的亮度降低的更多，从而使得可视区的亮度及非可视区的亮度比较接近，进而使得整个黑色边框触控面板显得更深邃，呈现出更深邃的黑，实现屏息一体化。
附图说明
图1为一实施方式的黑色边框触控面板的结构示意图；
图2为一实施方式的缺少增透膜的黑色边框触控面板的结构示意图；
图3为在息屏状态下，可视区与非可视区在可见光下对光线的反射效果图。
具体实施方式
如图1所示，一实施方式的黑色边框触控面板10，包括显示本体100、触控本体200以及盖板300。在本实施方式中，黑色边框触控面板10同时具有触控和显示功能。可以理解，在其他实施方式中，黑色边框触控面板10也可以只具有触控功能，此时显示本体100可以省略。
触控本体200设于显示本体100一表面上。在本实施方式中，触控本体200通过粘结层400与显示本体100连接。进一步，在本实施方式中，粘结层400为OAC(OpticalClearAdhesive，光学胶)层或OCR(OpticalClearResin，光学透明树脂)层。
触控本体200包括触控区210及引线区220，引线区220位于触控区210的侧边缘或者外周。触控区210与黑色边框触控面板10的可视区对应，引线区220与黑色边框触控面板10的非可视区对应。在本实施方式中，引线区220内嵌入有油墨层222。可以理解，在其他实施方式中，也可以在引线区220远离显示本体100的表面设油墨层。
盖板300包括基板310及增透膜320。
如图2所示，基板310具有相对的连接表面(图未标)及触控表面312，连接表面用于连接触控本体200，触控表面312包括可视区3122及非可视区3124。增透膜320设于触控表面312上，并覆盖可视区3122及非可视区3124。
盖板300设于触控本体200上，且连接表面靠近触控本体200。在本实施方式中，盖板300通过粘结层(图未示)与触控本体200连接。粘结层为OAC层或OCR层。
在本实施方式中，增透膜320包括至少一层二氧化硅层(图未示)及至少一层五氧化二铌层(图未示)，二氧化硅层与五氧化二铌层交替层叠。
进一步，在本实施方式中，增透膜320的厚度为30nm～50nm。从而可以在降低可视区3122及非可视区3124的反射强度的同时还尽可能小的影响盖板300的厚度。
在本实施方式中，增透膜320没有颜色。增透膜320对光线具有较高的透过率即可，可以理解，在其他实施方式中，增透膜320也可以呈各种颜色，如红色、橙色、黄色、绿色、蓝色或紫色。从而不同颜色的增透膜320增加了产品的多样性。
进一步，在本实施方式中，二氧化硅层的厚度为10nm～15nm，五氧化二铌层的厚度为10nm～15nm。进一步，在本实施方式中，二氧化硅层的厚度为10nm，五氧化二铌层的厚度为15nm。
进一步，在本实施方式中，基板310为玻璃，触控表面312上设有二氧化硅层或五氧化二铌层。当基板310为玻璃时，二氧化硅层及五氧化二铌层均能较好附着于基板310上，因此，触控表面312可以直接与增透膜320的一二氧化硅层或五氧化二铌层接触。进一步，在本实施方式中，触控表面312上设有二氧化硅层(也即触控表面312直接与增透膜320的二氧化硅层接触)，总共有3层二氧化硅层，2层五氧化二铌层，增透膜320的厚度50nm。
可以理解，其他实施方式中，基板310也可以为透明塑料膜，触控表面312直接与增透膜320的一二氧化硅层接触(也即触控表面312上设有二氧化硅层)。为了使得增透膜320能较好的附着于基板310上，通常先在触控表面312上形成二氧化硅层。
在本实施方式中，还提供一种盖板300的制作方法，可以采用电子束蒸发的方式或磁控溅射的方式在基板310的触控表面形成增透膜320。
具体的，在本实施方式中，采用电子束蒸发的方式在基板310的触控表面形成增透膜320，其中，在真空度大于5.5×10-4Pa的条件下，控制基板310的温度为175℃～185℃，并控制二氧化硅或五氧化二铌在基板310上的沉积速率为0.1nm/s～0.5nm/s，镀膜完成后在镀膜机内进行真空干燥处理。在进行上述操作前，还包括对基板310进行清洗的步骤。在进行完上述操作后，还包括在镀膜机内进行真空干燥处理的步骤，其中，真空干燥处理的时间为30min。
将上述黑色边框触控面板的盖板300应用于黑色边框触控面板10中时，在息屏状态下，由于设有增透膜320，从而使得黑色边框触控面板10的可视区3122及非可视区3124的亮度同时降低。而由于可视区3122比非可视区3124要亮很多(可视区3122对光线的反射程度大于非可视区3124)，因此，从视觉角度来看，可视区3122的亮度相对非可视区3124的亮度降低的更多，从而使得可视区3122的亮度及非可视区3124的亮度比较接近，进而使得整个黑色边框触控面板10显得更深邃，呈现出更深邃的黑，实现屏息一体化。
如图3所示，图3为本案的黑色边框触控面板10在息屏状态下，其可视区与非可视区在可见光下对光线的反射效果图，其中，曲线a为可视区对光线的反射效果，曲线b为非可视区对光线的反射效果。
传统的黑色边框触控面板在息屏状态下，其可视区在可见光下对光线的反射率为10％，非可视区在可见光下对光线的反射率为6％，可见光与非可视区对光线的反射率相差非常大，可见光与非可视区达不到息屏一体化效果。
而本发明的黑色边框触控面板10在息屏状态下，其可视区与非可视区在可见光下对光线的反射率为5％，相对于传统的黑色边框触控面板，均有所下降，而可视区比非可视区降低的更多，从而使得可视区的亮度及非可视区的亮度比较接近，进而使得整个黑色边框触控面板10显得更深邃，呈现出更深邃的黑，实现屏息一体化。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种黑色边框触控面板的盖板，其特征在于，包括：
基板，具有相对的连接表面及触控表面，所述连接表面用于连接触控本体，所述触控表面包括可视区及非可视区；以及
增透膜，设于所述触控表面上，并覆盖所述可视区及所述非可视区；
其中，所述增透膜包括至少一层二氧化硅层及至少一层五氧化二铌层，所述二氧化硅层与所述五氧化二铌层交替层叠。
2.根据权利要求1所述的黑色边框触控面板的盖板，其特征在于，所述增透膜呈红色、橙色、黄色、绿色、蓝色或紫色。
3.根据权利要求1所述的黑色边框触控面板的盖板，其特征在于，所述增透膜的厚度为30nm～50nm。
4.根据权利要求1所述的黑色边框触控面板的盖板，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为10nm～15nm，所述五氧化二铌层的厚度为10nm～15nm。
5.根据权利要求1所述的黑色边框触控面板的盖板，其特征在于，所述基板为玻璃；
或者，所述基板为透明塑料膜，所述触控表面直接与所述增透膜的一二氧化硅层接触。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的黑色边框触控面板的盖板的制作方法，其特征在于，采用电子束蒸发的方式或磁控溅射的方式在所述基板的触控表面形成所述增透膜。
7.根据权利要求6所述的黑色边框触控面板的盖板的制作方法，其特征在于，采用电子束蒸发的方式在所述基板的触控表面形成所述增透膜，其中，在真空度大于5.5×10-4Pa的条件下，控制所述基板的温度为175℃～185℃，并控制二氧化硅或五氧化二铌在所述基板上的沉积速率为0.1nm/s～0.5nm/s。
8.一种黑色边框触控面板，其特征在于，包括：
触控本体；以及
如权利要求1-5中任一项所述的盖板，设于所述触控本体上，且所述连接表面朝向所述触控本体。
9.根据权利要求8所述的黑色边框触控面板，其特征在于，还包括显示本体，所述显示本体设于所述触控本体远离所述盖板的表面。
10.根据权利要求9所述的黑色边框触控面板，其特征在于，所述盖板与所述触控本体之间以及设有所述触控本体与所述显示本体之间分别设有粘结层。
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