CN108701698B - 芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜 - Google Patents

芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜 Download PDF

Info

Publication number
CN108701698B
CN108701698B CN201780015846.4A CN201780015846A CN108701698B CN 108701698 B CN108701698 B CN 108701698B CN 201780015846 A CN201780015846 A CN 201780015846A CN 108701698 B CN108701698 B CN 108701698B
Authority
CN
China
Prior art keywords
image pickup
light
solid
state image
pickup element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780015846.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108701698A (zh
Inventor
桝田佳明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to CN202211480718.6A priority Critical patent/CN115763391A/zh
Publication of CN108701698A publication Critical patent/CN108701698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108701698B publication Critical patent/CN108701698B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B1/00—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor
    • A61B1/04—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances
    • A61B1/05—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances characterised by the image sensor, e.g. camera, being in the distal end portion
    • A61B1/051—Details of CCD assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/52—Elements optimising image sensor operation, e.g. for electromagnetic interference [EMI] protection or temperature control by heat transfer or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/555—Constructional details for picking-up images in sites, inaccessible due to their dimensions or hazardous conditions, e.g. endoscopes or borescopes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Endoscopes (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

本公开涉及能够实现固态摄像元件和发光元件被一体化的小型芯片尺寸封装件的芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜。作为本公开一方面的芯片尺寸封装件包括：固态摄像元件，其产生对应于入射光的像素信号；和发光元件，其根据施加的电压输出照射光，其中固态摄像元件和发光元件被一体化。例如，本公开可以适用于小型电子设备、医疗内窥镜等。

Description

芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜
技术领域
本公开涉及芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜，特别地，涉及适合于在将诸如CMOS等固态摄像元件和诸如LED等发光元件布置成彼此相邻的情况下使用的芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜。
背景技术
在安装在小型电子设备上的照相机中，需要将由CMOS等代表的用于拍摄图像的固态摄像元件和由LED代表的用于用光照射被摄体的发光元件彼此相邻地布置。为了满足该要求，期望使固态摄像元件和发光元件一体化，并且提出了各种组合方法(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开No.2004-109516
发明内容
本发明要解决的问题
在使固态摄像元件和发光元件一体化的情况下，在传统的晶片工艺中，固态摄像元件的模块和发光元件的模块被组合在一起，因此难以使整个一体化模块小型化。此外，在晶片工艺中，需要进行制造固态摄像元件模块的过程、制造发光元件模块的过程以及将两者组合的过程，因此该过程很复杂。
鉴于这种情况而实现了本公开，并且本公开的目的是实现一种其中固态摄像元件和发光元件被一体化的小型芯片尺寸封装件。
解决问题的方案
根据本公开第一方面的芯片尺寸封装件设置有产生对应于入射光的像素信号的固态摄像元件和根据施加的电压输出照射光的发光元件，其中所述固态摄像元件和所述发光元件被一体化。
所述固态摄像元件可以通过将第一层和第二层层叠来获得，在所述第一层中形成有执行光电转换的像素阵列，以及在所述第二层中至少形成有用于处理由所述像素阵列转换的像素信号的信号处理电路和I/O电路，并且形成在所述第二层中的所述信号处理电路和所述I/O电路可以被布置成不从由所述像素阵列占据的区域沿横向突出。
可以使用蓝宝石玻璃作为支撑基板来形成所述发光元件。
所述蓝宝石玻璃还可以用作所述固态摄像元件的盖玻璃。
根据本公开第一方面的芯片尺寸封装件可以是这样的：通过WCSP制造方法将形成有多个所述发光元件的第一基板和形成有多个所述固态摄像元件的第二基板彼此接合，然后将其单个化。
根据本公开第一方面的芯片尺寸封装件可以是这样的：多个所述固态摄像元件通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上，然后将其单个化。
通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上的所述固态摄像元件可以被制成CSP，并且焊球可以形成为所述被制成CSP的固态摄像元件上的连接端子。
配线可以作为连接端子连接到通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上的所述固态摄像元件。
根据本公开第一方面的芯片尺寸封装件可以是这样的：多个所述发光元件通过COW制造方法安装在形成有多个所述固态摄像元件的基板上，然后将其单个化。
所述发光元件可以是LED元件或激光元件。
可以在所述蓝宝石玻璃上形成有用于调整从所述发光元件输出的照射光的方向性的蛾眼处理部分。
可以在所述发光元件与所述固态摄像元件之间的边界处形成有遮光壁。
可以在位于所述发光元件与所述固态摄像元件之间的边界处的所述蓝宝石玻璃中形成有遮光槽。
根据本公开第二方面的制造方法是制造如下芯片尺寸封装件的方法，所述芯片尺寸封装件设置有产生对应于入射光的像素信号的固态摄像元件和根据施加的电压输出照射光的发光元件，所述固态摄像元件和所述发光元件被一体化，所述方法包括：将密封树脂涂布到其上形成有多个所述固态摄像元件的第二基板上；通过WCSP制造方法将其上形成有多个所述发光元件的第一基板接合到其上涂布有所述密封树脂的所述第二基板；以及将接合的所述第一基板和第二基板单个化。
根据本公开第三方面的电子设备设置有通过将产生对应于入射光的像素信号的固态摄像元件和根据施加的电压输出照射光的发光元件一体化而获得的芯片尺寸封装件。
根据本公开第四方面的内窥镜设置有通过将产生对应于入射光的像素信号的固态摄像元件和根据施加的电压输出照射光的发光元件一体化而获得的芯片尺寸封装件。
发明效果
根据本公开的第一至第四方面，可以实现小型芯片尺寸封装件(以下，也简称为CSP)。
附图说明
图1是示出固态摄像元件的一般构成例的断面图。
图2是示出发光元件的一般构成例的断面图。
图3是示出作为第一实施例的CSP的构成例的断面图。
图4是示出作为第一实施例的CSP的制造过程的图。
图5是示出作为第二实施例的CSP的构成例的断面图。
图6是示出作为第二实施例的CSP的制造过程的图。
图7是示出作为第三实施例的CSP的构成例的断面图。
图8是示出作为第三实施例的CSP的制造过程的图。
图9是示出作为第四实施例的CSP的构成例的断面图。
图10是示出作为第四实施例的CSP的制造过程的图。
图11是示出作为第五实施例的CSP的构成例的断面图。
图12是示出作为第六实施例的CSP的构成例的断面图。
图13是示出作为第七实施例的CSP的构成例的断面图。
图14是示出作为第八实施例的CSP的构成例的断面图。
图15是示出包括应用了第一至第八实施例的胶囊内窥镜的体内信息获取系统的构成例的框图。
图16是示出第一至第八实施例的另一应用例的图。
图17是示出内窥镜手术系统的示意性构成的示例的图。
图18是示出摄像机头和CCU的功能构成的示例的框图。
图19是示出车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。
图20是示出车外信息检测单元和摄像单元的安装位置的示例的说明图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细地描述用于实施本公开的最佳方式(以下，称为实施例)。
<一体化之前的固态摄像元件的构成例>
图1是示出一体化之前的固态摄像元件的一般构成例的断面图。
固态摄像元件10从光入射侧起依次包括盖玻璃11、片上透镜12、滤色器13、光电二极管(PD)层14、布线层15和焊球16。
通常，盖玻璃11包括SiO玻璃作为材料，并且在制造过程中对其进行抛光以从500至800μm的厚度变为约300μm的厚度。然而，存在在与蓝色LED元件一体化时省略盖玻璃11的情况。
片上透镜12将入射光会聚在PD层14上。作为滤色器13，例如根据拜耳阵列布置R、G和B的相应滤色器。在PD层14中，形成有作为光电转换元件的PD。
在布线层15中，形成有预定的信号处理电路、用于取出外部端子的I/O电路等。形成在布线层15中的信号处理电路、I/O电路等被布置成不从形成在上层侧的PD层14中的像素阵列占据的区域沿横向上突出。
当固态摄像元件10安装在电子设备等上时，焊球16被设置为外部端子。
<一体化之前的发光元件的构成例>
图2是示出作为一体化之前的发光元件的示例的蓝色LED元件的一般构成例的断面图。
蓝色LED元件20是通过将n层22、发光层23和p层24层叠在作为支撑基板的蓝宝石玻璃21上而获得的。例如，GaN、GaAs、SiC等可以被用作n层22和p层24的材料。在n层22和p层24上分别形成有配线接合焊盘(wire bonding pad)25n和25p。
蓝宝石玻璃(SiN玻璃)21具有比用作固态摄像元件10的盖玻璃11的SiO玻璃更高的强度，并且在制造过程中被抛光至约70μm。
在蓝色LED元件20中，通过从n侧配线接合焊盘25n和p侧配线接合焊盘25p施加电压，从发光层23输出蓝光。需要指出的是，可以将蓝光的照射方向调节到蓝宝石玻璃21侧或相对侧。
<第一实施例>
接着，图3是示出作为本公开第一实施例的芯片尺寸封装件的构成例的断面图，该芯片尺寸封装件是通过晶圆级芯片尺寸封装件(WCSP:wafer level chip size package)制造方法将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而得到的。
以下，在CSP的构成组件中，与上述固态摄像元件10和蓝色LED元件20共同的构成组件被赋予相同的附图标记，因此适当地省略对其的描述。
第一实施例的CSP 30是通过将其上形成有用于多个芯片的固态摄像元件10的基板接合到其上形成有用于多个芯片的蓝色LED元件20的基板的WCSP制造方法而制造的。
使用作为蓝色LED元件20的构成组件的蓝宝石玻璃21作为支撑基板来形成CSP30，使得蓝宝石玻璃21也用作固态摄像元件10的盖玻璃。
通过使用具有比SiO玻璃更高强度的蓝宝石玻璃21，可以使盖玻璃更薄，并使整个CSP 30的高度更小(使模块小型化)。
CSP 30的固态摄像元件10通过焊球47连接到外部。通过焊球44和VIA(穿透电极(penetrating electrode))43以及通过焊球46和VIA 45将电压施加到CSP 30的蓝色LED元件20。
图4是示出通过WCSP制造方法的CSP 30的制造过程的图。
在第一过程中，如图4的A所示，准备基板，在该基板上用于多个芯片的蓝色LED元件20相邻地形成并且其间设置有划线区域。在下一个过程中，如图4的B所示，执行抗蚀剂图案化以涂布保护膜41来覆盖基板上的用于多个芯片的蓝色LED元件20中的与固态摄像元件10一体化的蓝色LED元件20。
在下一个过程中，如图4的C所示，进行蚀刻以刮掉未覆盖有保护膜41的蓝色LED元件(n层22、发光层23和p层24)，然后，如图4的D所示，去除保护膜41。
该蚀刻可以是干法蚀刻或湿法蚀刻。此外，当选择性地进行激光剥离制造方法而不是蚀刻时，去除的蓝色LED元件可以转向其他应用。
与上述过程并行地，如图4的E所示，准备这样的基板，在该基板上用于多个芯片的固态摄像元件10相邻地形成并且其间设置有划线区域。然而，假设在固态摄像元件10上没有形成盖玻璃11和焊球16。
在下一个过程中，如图4的F所示，将密封树脂42涂布到固态摄像元件10侧的基板上，并且如图4的G所示，将蓝色LED元件20侧的基板接合到固态摄像元件10侧的基板上，使得蓝色LED元件(n层22、发光层23和p层24)被埋入密封树脂42中。
此外，如图4的H所示，在从布线层15侧到蓝色LED元件20的n层22和p层24分别形成VIA 43和45之后，在布线层15的表面上形成焊球44和46。此外，也在固态摄像元件10的底部上形成焊球47。
最后，在单个化过程(singulation process)中将两个接合的基板分割成多个CSP30。
在单个化过程中，首先，将蓝宝石玻璃21研磨至所需的厚度。需要指出的是，在已经将蓝宝石玻璃21抛光到所需厚度的情况下可以省略该过程。接着，通过干法蚀刻、激光切割或划切从布线层15侧(图中的下侧)到蓝宝石玻璃21依次切割CSP 30之间的划线区域。需要指出的是，该切割可以在每层暂时停止或者可以连续进行。此外，也可以依次从布线层15侧切割到p层24，并从相对侧(图中的上侧)切割蓝宝石玻璃21。此外，在切割蓝宝石玻璃21时可以采用金刚石划线和断裂。
<第二实施例>
接着，图5是示出作为本公开第二实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过芯片堆叠晶圆(COW：chip on wafer)制造方法将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。
第二实施例的CSP 50是通过将CSP固态摄像元件10层叠在其上形成有用于多个芯片的蓝色LED元件20的基板上的COW制造方法而制造的。
使用作为蓝色LED元件20的构成组件的蓝宝石玻璃21作为支撑基板来形成CSP50，使得蓝宝石玻璃21也用作固态摄像元件10的盖玻璃。
通过使用具有高强度的蓝宝石玻璃21，可以使盖玻璃更薄，并使整个CSP 50的高度更小(使模块小型化)。
CSP 50的固态摄像元件10通过焊球16连接到外部。通过焊球61和62向CSP 50的蓝色LED元件20施加电压。
图6是示出通过COW制造方法的CSP 50的制造过程的图。
在第一过程中，如图6的A所示，准备在上述图4的A至D中的过程中获得的基板，在该基板上，仅留下将与固态摄像元件10一体化的蓝色LED元件。
与上述过程并行地，如图6的B所示，准备CSP固态摄像元件10。然而，假设在固态摄像元件10上没有形成盖玻璃11。
在下一个过程中，如图6的C所示，在蓝色LED元件20的基板上放置CSP固态摄像元件10，并且焊球61和62形成为分别与蓝色LED元件20的n层22和p层24接触。
最后，通过单个化过程将其上放置有固态摄像元件10的基板分割成多个CSP 50。该单个化过程与上述CSP 30的情况类似，因此省略对其的描述。
<第三实施例>
接着，图7是示出作为本公开第三实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过COW制造方法将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。
第三实施例的CSP 70是通过将未封装的固态摄像元件10的芯片层叠在其上形成有用于多个芯片的蓝色LED元件20的基板上的COW制造方法而制造的。
使用作为蓝色LED元件20的构成组件的蓝宝石玻璃21作为支撑基板来形成CSP70，使得蓝宝石玻璃21也用作固态摄像元件10的盖玻璃。
通过使用具有高强度的蓝宝石玻璃21作为CSP 70的支撑基板，可以使盖玻璃更薄，并使整个CSP 70的高度更小(使模块小型化)。
CSP 70的固态摄像元件10通过配线81连接到外部。通过配线82和83向CSP 70的蓝色LED元件20施加电压。
图8是示出通过COW制造方法的CSP 70的制造过程的图。
在第一过程中，如图8的A所示，准备在上述图4的A至D中的过程中获得的基板，在该基板上，仅留下将与固态摄像元件10一体化的蓝色LED元件。
与上述过程并行地，如图8的B所示，准备未封装的固态摄像元件10的芯片。然而，假设在固态摄像元件10上未形成焊球16。
在下一个过程中，如图8的C所示，将固态摄像元件10的芯片放置在蓝色LED元件20侧的基板上，并且配线81与其连接，此外，配线82和83分别连接到蓝色LED元件20的p层24和n层22。
最后，通过单个化过程将其上放置有固态摄像元件10的基板分割成多个CSP 70。该单个化过程与上述CSP 30的情况类似，因此省略对其的描述。
<第四实施例>
接着，图9是示出作为本公开第四实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过COW制造方法将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。
第四实施例的CSP 90是通过将CSP蓝色LED元件20层叠在其上形成有用于多个芯片的固态摄像元件10的基板上的COW制造方法而制造的。
使用作为固态摄像元件10的构成组件的盖玻璃11作为支撑基板来形成CSP 90。
CSP 90的固态摄像元件10通过焊球16连接到外部。通过焊球25和26向CSP 90的蓝色LED元件20施加电压。
图10是示出通过COW制造方法的CSP 90的制造过程的图。
在第一过程中，如图10的A所示，准备其上形成有用于多个芯片的固态摄像元件10的基板。在下一个过程中，如图10的B所示，为了提供放置蓝色LED元件20的空间，去除基板上固态摄像元件10之间的布线层15等。
与上述过程并行地，如图10的C所示，准备CSP蓝色LED元件20。在下一个过程中，如图10的D所示，将CSP蓝色LED元件20放置在固态摄像元件10的基板上提供的空间中。
最后，在单个化过程中将其上放置有蓝色LED元件20的基板分割成多个CSP 90。该单个化过程与上述CSP 30的情况类似，因此省略对其的描述。
在上述第一至第四实施例中，由于固态摄像元件10和蓝色LED元件20彼此相邻地布置，因此，可能发生蓝色LED元件20的照射光在固态摄像元件10上反射的现象(以下，称为“杂散光”)。因此，还提出了用于抑制杂散光的发生的构成。
<第五实施例>
图11是示出作为本公开第五实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。
第五实施例的CSP 120是通过在第一实施例的CSP 30的蓝色LED元件20中的蓝宝石玻璃21上添加/形成蛾眼处理部分而获得的。
在蓝宝石玻璃21上形成n层22之前，通过蚀刻在蓝宝石玻璃21上形成蛾眼处理部分121。
在CSP 120中，由于形成蛾眼处理部分121，所以可以增加从蓝色LED元件20发射的光的方向性，从而可以抑制照射光在芯片中被杂散。
需要指出的是，也可以在CSP 120的固态摄像元件10与其接触的蓝宝石玻璃21上施加蛾眼处理；在这种情况下，期望固态摄像元件10的接收灵敏度也得到改善。
<第六实施例>
图12是示出作为本公开第六实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。.
第六实施例的CSP 130是通过在第一实施例的CSP 30的固态摄像元件10与蓝色LED元件20之间的边界处添加/形成遮光壁131而获得的。
在其上形成有蓝色LED元件20的基板侧形成遮光壁131，然后，将其接合到其上形成有固态摄像元件10的基板上。
在遮光壁131中，例如，可以使用诸如Al、Au、Co、Ni、Cu、W和Ti等金属材料、诸如SiO、SiN和SiON等无机材料、诸如滤色器等有机材料、诸如晶体和液晶等偏光元件或上述材料的组合。
在CSP 130中，由于形成了遮光壁131，所以可以抑制来自蓝色LED元件20的照射光直接入射在固态摄像元件10上。
<第七实施例>
图13是示出作为本公开第七实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。
第七实施例的CSP 140是通过在第一实施例的CSP 30的固态摄像元件10与蓝色LED元件20之间的边界上方的蓝宝石玻璃21中添加/形成遮光槽141而获得的。
遮光槽141可以在图4的H所示的单个化之前的状态下形成，或者在其之后形成。然而，遮光槽141的处理量(宽度和深度)是在蓝宝石玻璃21在输送过程中的断裂风险和遮光性能之间的折衷。由于在单个化之后形成遮光槽141的情况下，蓝宝石玻璃21的断裂风险降低，因此该遮光槽可以与作为上述第六实施例的CSP 130的遮光壁131一起设置，并且遮光壁131和遮光槽141可以连续地形成。
遮光槽141可以保持为空隙，或者可以填充有与作为上述第六实施例的CSP 130的遮光壁131类似的遮光材料。
在CSP 140中，由于形成了遮光槽141，因此可以抑制来自蓝色LED元件20的照射光在蓝宝石玻璃21中反射并入射在固态摄像元件10上。
<第八实施例>
图14是示出作为本公开第八实施例的CSP的构成例的断面图，该CSP是通过将固态摄像元件和蓝色LED元件一体化而获得的。
第八实施例的CSP 150是通过在第一实施例的CSP 30上设置上述蛾眼处理部分121、遮光壁131和遮光槽141而获得的。
在CSP 150中，由于形成了蛾眼处理部分121、遮光壁131和遮光槽141，因此可以抑制芯片中的杂散光。
<变形例>
尽管未示出，但是上述蛾眼处理部分121、遮光壁131或遮光槽141可以单独地或以适当组合的方式添加/形成在第一至第四实施例的CSP 30、50、70和90上。
此外，在上述第一至第八实施例中，待与固态摄像元件一体化的发光元件是蓝色LED元件，但是也可以代替蓝色LED元件，与红外LED元件、紫外LED元件、激光元件等组合，或者除了蓝色LED元件之外还与红外LED元件、紫外LED元件、激光元件等组合。
<第一至第八实施例的应用例>
第一至第八实施例的CSP可以应用于各种电子设备。
例如，这可以应用于在医疗应用中进行吲哚菁绿(ICG)(荧光对比放射显影(fluorescent contrast radiography))观察的电子设备。在ICG观察中，由于激发光为760nm，荧光为850nm，因此可以使用输出波长为760nm的光的发光元件。
在ICG观察中，由于低灵敏度的窄波长带，因此期望光谱纹波(spectral ripple)小。光谱纹波通过反射界面上的干涉来产生，但是在该实施例的CSP中，可以显著地抑制光谱纹波。具体地，例如，通过在最外表面上使用具有在空气与蓝宝石玻璃21(折射率为n＝1～1.7)之间的中间折射率的材料来设计膜厚度为d＝波长λ/(4×折射率n)的抗反射膜，可以使ICG波长波纹最小化。
此外，在该实施例的CSP的情况下，可以同时形成通常针对固态摄像元件和发光元件分别处理的抗反射膜。
接着，图15示出了在将第一至第八实施例的CSP应用于胶囊内窥镜的情况下使用该胶囊内窥镜的患者的体内信息获取系统的示意性构成例。
体内信息获取系统3000包括在检查时由患者吞服的胶囊内窥镜3100和综合控制体内信息获取系统3000的操作的外部控制装置3200。
胶囊内窥镜3100具有摄像功能和无线通信功能，并且在被患者自然排出之前，通过蠕动运动等在诸如胃和肠等器官中移动的同时，以预定间隔顺序拍摄器官中的图像(以下，也称为体内图像)，并且将关于体内图像的信息顺序无线地发送到身体外部的外部控制装置3200。
外部控制装置3200基于接收到的关于体内图像的信息，生成用于在显示装置(未示出)上显示体内图像的图像数据。
在体内信息获取系统3000中，以这种方式，从吞咽胶囊内窥镜3100时直到其被排出，可以根据需要获得患者身体内部的图像。
将详细地描述胶囊内窥镜3100和外部控制装置3200的构成和功能。
胶囊内窥镜3100在胶囊形壳体3101中具有光源单元3103、摄像单元3105、图像处理单元3107、无线通信单元3109、供电单元3113、电源单元3115、状态检测单元3117和控制单元3119的功能。
光源单元3103利用光来照射摄像单元3105的摄像视场。摄像单元3105接收施加到作为观察目标的身体组织的光的反射光，并将该反射光进行光电转换，从而生成与观察光对应的电信号，即，与观察图像对应的图像信号。由摄像单元3105生成的图像信号被提供给图像处理单元3107。
将第一至第八实施例的CSP用作光源单元3103和摄像单元3105。
图像处理单元3107包括诸如中央处理器(CPU)和图形处理器(GPU)等处理器，并对由摄像单元3105生成的图像信号进行各种类型的信号处理。信号处理可以是用于将图像信号发送到外部控制装置3200的最小处理(例如，诸如图像数据压缩、帧速率转换、数据速率转换和/或格式转换等)。由于图像处理单元3107构造成仅执行必要的最小处理，所以图像处理单元3107可以以较小的尺寸和较低的功耗来实现，使得这可以优选作为胶囊内窥镜3100。然而，在壳体3101中存在空间并存在额外的功耗的情况下，可以在图像处理单元3107中执行进一步的信号处理(例如，噪声去除处理、其他高图像质量处理等)。
图像处理单元3107将经过信号处理的图像信号作为RAW数据提供给无线通信单元3109。需要指出的是，在通过状态检测单元3117获得与胶囊内窥镜3100的状态(移动、姿势等)有关的信息的情况下，无线通信单元3109可以将图像信号与该信息相关联地提供给无线通信单元3109。因此，可以将拍摄图像的身体内的位置、图像的摄像方向等与拍摄的图像相关联。
无线通信单元3109包括通信装置，所述通信装置能够向外部控制装置3200发送各种类型的信息或者从外部控制装置3200接收各种类型的信息。通信装置包括天线3111、用于进行信号发送和接收的调制处理等的处理电路等。无线通信单元3109对经过图像处理单元3107的信号处理的图像信号执行预定处理(例如调制处理)，并经由天线3111将图像信号发送到外部控制装置3200。此外，无线通信单元3109经由天线3111从外部控制装置3200接收与胶囊内窥镜3100的驱动控制有关的控制信号。无线通信单元3109将接收到的控制信号提供给控制单元3119。
供电单元3113包括用于接收电力的天线线圈、用于从在天线线圈中产生的电流再生电力的电力再生电路、升压电路(booster circuit)等。在供电单元3113中，使用所谓的非接触充电原理来产生电力。具体地，从外部将预定频率的磁场(电磁波)提供给供电单元3113的天线线圈，从而在天线线圈中产生感应电动势。例如，电磁波可以是经由天线3201从外部控制装置3200发送的载波。由电力再生电路从感应电动势再生电力，并且在升压电路中适当地调节其电势，从而产生用于存储的电力。由供电单元3113产生的电力存储在电源单元3115中。
电源单元3115包括二次电池，并存储由供电单元3113产生的电力。然而，在图15中，未示出指示电源单元3115的电力的供给目的地的箭头等。
状态检测单元3117包括用于检测胶囊内窥镜3100的状态的传感器，例如，加速度传感器和/或陀螺仪传感器。状态检测单元3117可以从传感器的检测结果获得与胶囊内窥镜3100的状态有关的信息。状态检测单元3117将获得的与胶囊内窥镜3100的状态有关的信息提供给图像处理单元3107。如上所述，在图像处理单元3107中，与胶囊内窥镜3100的状态有关的信息可以与图像信号相关联。
控制单元3119由诸如CPU等处理器构成，并且通过根据预定程序进行操作来综合控制胶囊内窥镜3100的操作。控制单元3119根据从外部控制装置3200发送的控制信号来适当地控制光源单元3103、摄像单元3105、图像处理单元3107、无线通信单元3109、供电单元3113、电源单元3115和状态检测单元3117的驱动，从而实现如上所述每个单元中的功能。
外部控制装置3200可以是诸如CPU和GPU等处理器，或混合安装有处理器和存储元件(例如存储器等)的微型计算机、控制基板等。外部控制装置3200包括天线3201，并构造成能够经由天线3201向胶囊内窥镜3100发送各种类型的信息和从胶囊内窥镜3100接收各种类型的信息。
具体地，外部控制装置3200通过将控制信号发送到胶囊内窥镜3100的控制单元3119来控制胶囊内窥镜3100的操作。例如，可以通过来自外部控制装置3200的控制信号来改变光源单元3103中的观察目标的光照条件。此外，可以通过来自外部控制装置3200的控制信号来改变摄像条件(例如，摄像单元3105中的帧速率、曝光值等)。此外，根据来自外部控制装置3200的控制信号，可以改变图像处理单元3107中的处理内容和无线通信单元3109发送图像信号的条件(例如，发送间隔、发送的图像数量等)。
此外，外部控制装置3200对从胶囊内窥镜3100发送的图像信号施加各种类型的图像处理，并生成用于在显示装置上显示所拍摄的体内图像的图像数据。例如，图像处理的示例可以包括各种类型的已知信号处理，例如显影处理(去马赛克处理)、高图像质量处理(例如，频带增强处理、超分辨率处理、噪声降低(NR)处理和/或相机抖动校正处理)和/或缩放处理(scaling processing)(电子变焦处理)等。外部控制装置3200控制显示装置(未示出)的驱动，以显示基于所生成的图像数据拍摄的体内图像。可选择地，外部控制装置3200可以使记录装置(未示出)记录所生成的图像数据，或使打印装置(未示出)打印出所生成的图像数据。
图16是示出第一至第八实施例的CSP的另一个应用例的图。
例如，上述第一至第八实施例的CSP可以用于如下所述的感测诸如可见光、红外光、紫外光和X射线等光的各种情况中。
拍摄用于鉴赏的图像的设备，例如数码相机或具有相机功能的便携式装置等。
用于交通目的的设备，例如，为了诸如自动停车等安全驾驶、驾驶员状态识别等，用于拍摄汽车的前方、后方、周围、内部等的图像的车载传感器、用于监视行驶车辆和道路的监视相机和用于测量车辆之间的距离的测距传感器等。
用于诸如电视机、冰箱和空调等家用电器的设备，其拍摄使用者手势的图像，并根据该手势进行设备操作。
用于医疗保健用途的设备，例如内窥镜和通过接收红外光来进行血管造影的设备等。
用于安保用途的设备，例如安保监控相机和个人认证相机等。
用于美容护理的设备，例如用于拍摄皮肤的图像的皮肤状况测量装置和用于拍摄头皮的图像的显微镜等。
用于运动用途的设备，例如用于运动用途的动作相机和可穿戴相机等。
用于农业用途的设备，例如用于监测田地和农作物状况的相机等。
<内窥镜手术系统的应用例>
根据本公开的技术(本技术)可以应用于各种产品。例如，根据本公开的技术也可以应用于内窥镜手术系统。
图17是示出例如可以应用根据本公开的技术(本技术)的内窥镜手术系统的示意性构成例的图。
图17示出了外科医生(医生)11131正在使用内窥镜手术系统11000对病床11133上的患者11132进行手术的状态。如图所示，内窥镜手术系统11000包括内窥镜11100、诸如气腹管11111和能量治疗工具11112等其他手术器械11110、支撑内窥镜11100的支撑臂装置11120和安装有用于内窥镜手术的各种装置的推车11200。
内窥镜11100包括：透镜管11101，从其远端起的预定长度的区域被插入患者11132的体腔中；和摄像机头11102，其连接到透镜管11101的近端。在所示的示例中，示出了构造为具有刚性透镜管11101的所谓的刚性镜的内窥镜11100，但是内窥镜11100也可以被构造为具有柔性透镜管的所谓的柔性镜。
在透镜管11101的远端，设置有物镜装配在其中的开口。光源装置11203连接到内窥镜11100，并且由光源装置11203产生的光通过在透镜管11101内延伸的光导被引导到透镜管的远端，并且通过物镜照射到患者11132体腔中的观察目标。需要指出的是，内窥镜11100可以是直视镜、透视镜或侧视镜。
光学系统和摄像元件设置在摄像机头11102的内部，并且来自观察目标的反射光(观察光)通过光学系统会聚在摄像元件上。观察光被摄像元件光电转换，并产生与观察光对应的电信号，即，与观察图像对应的图像信号。图像信号作为RAW数据被发送到相机控制单元(camera control unit：CCU)11201。
CCU 11201由中央处理器(CPU)、图形处理单元(GPU)等构成，并综合控制内窥镜11100和显示装置11202的操作。此外，CCU 11201从摄像机头11102接收图像信号，并且对图像信号应用诸如显影处理(去马赛克处理)等各种类型的图像处理，用于显示基于图像信号的图像。
在CCU 11201的控制下，显示装置11202显示基于经过了CCU 11201的图像处理的图像信号的图像。
例如，光源装置11203包括诸如发光二极管(LED)等光源，并且将用于拍摄手术部位等的图像的照射光提供到内窥镜11100。
输入装置11204是内窥镜手术系统11000的输入接口。使用者可以通过输入装置11204将各种类型的信息和指令输入到内窥镜手术系统11000。例如，使用者输入指令等以通过内窥镜11100改变摄像条件(照射光的类型、放大率、焦距等)。
处理器械控制装置11205控制用于组织烧灼、切割、血管密封等的能量治疗工具11112的驱动。气腹装置11206通过气腹管11111将气体注入体腔中，以使患者11132的体腔膨胀，以便通过内窥镜11100确保视场以及确保外科医生的工作空间。记录器11207是能够记录与手术有关的各类信息的设备。打印机11208是能够以各种形式(例如文本、图像或图形)打印与手术有关的各类信息的设备。
需要指出的是，用于将用于拍摄手术部位的图像的照射光提供到内窥镜11100的光源装置11203例如可以包括LED、激光光源或通过组合它们获得的白光源。由于在白光源由RGB激光光源的组合构成的情况下，可以以高精度控制每种颜色(每个波长)的输出强度和输出时刻，因此光源装置11203可以对拍摄的图像的白平衡进行调整。此外，在这种情况下，通过以时间分割(time division)方式采用来自RGB激光光源的各者的激光照射观察目标，并且与照射时刻同步地控制摄像机头11102的摄像元件的驱动，也可以以时间分割的方式拍摄对应于RGB的图像。根据该方法，在摄像元件中没有设置滤色器的情况下，也可以获得彩色图像。
此外，可以控制光源装置11203的驱动，以便以预定的时间间隔改变待输出的光的强度。通过与光强度的变化时刻同步地控制摄像机头11102的摄像元件的驱动，以便以时间分割的方式获得图像并组合图像，可以产生没有黑色缺陷(black defect)和光晕(halation)的高动态范围的图像。
此外，光源装置11203可以被配置成能够提供与特殊光观察相对应的预定波长带的光。在特殊光观察中，例如，通过利用身体组织中光吸收的波长依赖性，通过照射比普通观察时的照射光(换句话说，白光)更窄的频带的光，执行所谓的窄带成像(narrow bandimaging)，其中以高对比度拍摄粘膜表层中的诸如血管等预定组织。可选择地，在特殊光观察中，可以执行用于通过激发光的照射产生的荧光来获得图像的荧光观察。在荧光观察中，例如，可以利用激发光照射身体组织来观察来自身体组织的荧光(自发荧光观察)，或者将诸如吲哚菁绿(ICG)等试剂局部注射到身体组织且利用与试剂的荧光波长对应的激发光照射身体组织，从而获得荧光图像。光源装置11203可以被构造成能够提供与这种特殊光观察对应的窄带光和/或激发光。
图18是示出图17所示的摄像机头11102和CCU 11201的功能构成的示例的框图。
摄像机头11102包括透镜单元11401、摄像单元11402、驱动单元11403、通信单元11404和摄像机头控制单元11405。CCU 11201包括通信单元11411、图像处理单元11412和控制单元11413。摄像机头11102和CCU 11201彼此连接以便能够通过传输电缆11400进行通信。
透镜单元11401是设置在与透镜管11101的连接处的光学系统。从透镜管11101的远端摄入的观察光被引导到摄像机头11102，并入射到透镜单元11401上。透镜单元11401是通过组合多个透镜(包括变焦透镜和聚焦透镜)而获得的。
摄像单元11402包括摄像元件。形成摄像单元11402的摄像元件可以是一个摄像元件(所谓的单板型)或多个摄像元件(所谓的多板型)。在摄像单元11402是多板型的情况下，例如，各个摄像元件可以产生与RGB对应的图像信号，并且可以通过组合这些图像信号来获得彩色图像。可选择地，摄像单元11402可以包括一对摄像元件，用于获得与三维(3D)显示对应的右眼和左眼图像信号。通过3D显示，外科医生11131可以更准确地掌握手术部位中的活体组织的深度。需要指出的是，在摄像单元11402是多板型的情况下，可以对应于各个摄像元件设置多个透镜单元11401系统。
此外，摄像单元11402不必设置在摄像机头11102中。例如，摄像单元11402可以设置在透镜管11101内物镜的正后方。
驱动单元11403包括致动器，并且驱动单元11403在摄像机头控制单元11405的控制下，将透镜单元11401的变焦透镜和聚焦透镜沿着光轴移动预定距离。因此，可以适当地调整由摄像单元11402拍摄的图像的放大率和焦点。
通信单元11404包括用于向CCU 11201发送各种类型的信息和从CCU 11201接收各种类型的信息的通信设备。通信单元11404通过传输电缆11400将从摄像单元11402获得的图像信号作为RAW数据发送到CCU 11201。
此外，通信单元11404从CCU 11201接收用于控制摄像机头11102的驱动的控制信号，并将该控制信号提供给摄像机头控制单元11405。例如，控制信号包括与摄像条件相关的信息，例如，指定拍摄的图像的帧速率的信息、指定摄像时曝光值的信息和/或指定拍摄的图像的放大率和焦点的信息。
需要指出的是，诸如上述帧速率、曝光值、放大率和焦点等摄像条件可以由使用者适当地指定，或者由CCU 11201的控制单元11413基于所获得的图像信号自动设置。在后一种情况下，内窥镜11100中包括所谓的自动曝光(AE)功能、自动聚焦(AF)功能和自动白平衡(AWB)功能。
摄像机头控制单元11405基于通过通信单元11404接收的来自CCU 11201的控制信号来控制摄像机头11102的驱动。
通信单元11411包括通信装置，所述通信装置用于向摄像机头11102发送各种类型的信息和从摄像机头11102接收各种类型的信息。通信单元11411通过传输电缆11400接收从摄像机头11102发送的图像信号。
此外，通信单元11411将用于控制摄像机头11102的驱动的控制信号发送到摄像机头11102。图像信号和控制信号可以通过电通信、光通信等传输。
图像处理单元11412对从摄像机头11102发送的作为RAW数据的图像信号执行各种类型的图像处理。
控制单元11413执行与通过内窥镜11100进行手术部位等的摄像以及通过手术部位等的摄像而获得的拍摄的图像的显示有关的各种控制。例如，控制单元11413产生用于控制摄像机头11102的驱动的控制信号。
此外，控制单元11413使显示装置11202显示基于经过了图像处理单元11412的图像处理的图像信号的手术部位等的拍摄的图像。在这种情况下，控制单元11413可以使用各种图像识别技术识别拍摄的图像中的各种物体。例如，控制单元11413可以检测拍摄的图像中包含的物体的边缘的形状、颜色等，从而识别诸如镊子等手术器械、特定活体部位、出血、在使用能量治疗工具11112时的薄雾等。当使显示装置11202显示拍摄的图像时，控制单元11413可以使用识别结果在手术部位的图像上叠加显示各种手术支持信息。手术支持信息被叠加显示，并被呈现给外科医生11131，使得可以减轻外科医生11131的负担，并且能够使外科医生11131可靠地进行手术。
连接摄像机头11102和CCU 11201的传输电缆11400是对应于电信号通信的电信号电缆、与光通信兼容的光纤或者其复合电缆。
这里，在所示的示例中，使用传输电缆11400通过有线执行通信，但是也可以无线地执行摄像机头11102与CCU 11201之间的通信。
以上描述了可以应用根据本公开的技术的内窥镜手术系统的示例。需要指出的是，尽管这里将内窥镜手术系统作为示例进行了描述，但是根据本公开的技术还可以应用于其他示例，例如，显微手术系统等。
<移动体的应用例>
根据本公开的技术(本技术)可以应用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以实现为安装在以下任何类型的移动体上的装置：汽车、电动汽车、混合动力汽车、摩托车、自行车、个人移动设备(personal mobility)、飞机、无人机、船和机器人等。
图19是示出作为可以应用根据本公开的技术的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的示意性构成例的框图。
车辆控制系统12000设置有通过通信网络12001互相连接的多个电子控制单元。在图19所示的示例中，车辆控制系统12000包括：驱动系统控制单元12010、主体系统控制单元12020、车外信息检测单元12030、车内信息检测单元12040以及综合控制单元12050。此外，微型计算机12051、声音图像输出单元12052以及车载网络接口(I/F)12053被示出为综合控制单元12050的功能构成。
驱动系统控制单元12010根据各种程序控制与车辆的驱动系统有关的装置的操作。例如，驱动系统控制单元12010用作用于下述装置的控制装置：用于产生车辆的驱动力的驱动力产生装置(例如，内燃机或驱动电机等)、将驱动力传递到车轮的驱动力传递机构、调节车辆的舵角的转向机构、产生车辆的制动力的制动装置等。
主体系统控制单元12020根据各种程序控制安装在车体上的各种装置的操作。例如，主体系统控制单元12020用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动车窗设备或者诸如前灯、尾灯、刹车灯、转向信号灯或雾灯等各种灯的控制设备。在这种情况下，可以将代替钥匙的从便携式设备发送的无线电波或各种开关的信号输入到主体系统控制单元12020。主体系统控制单元12020接收无线电波或信号的输入，并且控制车辆的门锁装置、电动车窗装置、灯等。
车外信息检测单元12030检测安装有车辆控制系统12000的车辆外部的信息。例如，摄像单元12031连接到车外信息检测单元12030。车外信息检测单元12030使摄像单元12031拍摄车辆外部的图像，并接收所拍摄的图像。基于接收到的图像，车外信息检测单元12030可以执行诸如行人、车辆、障碍物、标志和路面上的文字等物体的检测处理或距离检测处理。
摄像单元12031是接收光并输出与接收的光量对应的电信号的光学传感器。摄像单元12031可以将电信号作为图像输出，或者可以将电信号作为测距信息输出。此外，由摄像单元12031接收的光可以是可见光或诸如红外光等不可见光。
车内信息检测单元12040检测车辆内部的信息。例如，车内信息检测单元12040连接到用于检测驾驶员的状态的驾驶员状态检测单元12041。例如，驾驶员状态检测单元12041包括用于拍摄驾驶员的相机，并且基于从驾驶员状态检测单元12041输入的检测信息，车内信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳程度或集中程度，或者可以确定驾驶员是否在打瞌睡。
微型计算机12051基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获取的车辆外部或内部的信息来计算驱动力产生装置、转向机构或制动装置的控制目标值，并且向驱动系统控制单元12010输出控制指令。例如，微型计算机12051可以执行用于实现先进驾驶员辅助系统(ADAS：advanced driver assistance system)的功能的协同控制，所述功能包括车辆的碰撞避免或撞击减轻、基于车间距离的跟踪行驶、车速保持行驶、车辆碰撞警告、车道偏离警告等。
此外，微型计算机12051可以基于通过车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获取的车辆周围环境的信息，通过控制驱动力产生装置、转向机构、制动装置等，来执行用于实现自动驾驶等的协同控制，以使车辆自动行驶而不依赖驾驶员的操作。
此外，微型计算机12051可以基于通过车外信息检测单元12030获取的车辆外部的信息来向主体系统控制单元12020输出控制指令。例如，微型计算机12051可以根据由车外信息检测单元12030检测到的前方车辆或对向车辆的位置来控制前灯(将远光灯切换到近光灯)，以执行用于实现防眩光的协同控制。
声音图像输出单元12052将声音或图像输出信号中的至少一者发送到输出设备，该输出设备能够视觉或听觉地向车上的乘客或车辆外部通知信息。在图19的示例中，作为输出设备，示出了音频扬声器12061、显示单元12062和仪器面板12063。例如，显示单元12062可以包括车载显示器或平视显示器中的至少一者。
图20是示出摄像单元12031的安装位置的示例的图。
在图20中，车辆12100包括作为摄像单元12031的摄像单元12101、12102、12103、12104、和12105。
例如，摄像单元12101、12102、12103、12104和12105设置在车辆12100的前鼻、后视镜、后保险杠、后门和车厢内的挡风玻璃的上部等位置中。设置在前鼻的摄像单元12101和设置在车厢内的挡风玻璃的上部的摄像单元12105主要获取车辆12100前方的图像。设置在后视镜的摄像单元12102和12103主要获取车辆12100两侧的图像。设置在后保险杠或后门的摄像单元12104主要获取车辆12100后方的图像。摄像单元12101和摄像单元12105获取的前方图像主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、交通信号、交通标志、车道等。
需要指出的是，图20示出了摄像单元12101～12104的摄像范围的示例。摄像范围12111表示设置在前鼻的摄像单元12101的摄像范围，摄像范围12112和12113表示设置在后视镜的摄像单元12102和12103的摄像范围，以及摄像范围12114表示设置在后保险杠或后门的摄像单元12104的摄像范围。例如，叠加由摄像单元12101～12104拍摄的图像数据，从而获得了从上方观看到的车辆12100的俯瞰图像。
摄像单元12101～12104中的至少一者可以具有获取距离信息的功能。例如，摄像单元12101～12104中的至少一者可以是包括多个摄像元件的立体相机，或者可以是具有用于相位差检测的像素的摄像元件。
例如，微型计算机12051通过基于从摄像单元12101～12104获得的距离信息来获得距摄像范围12111～12114内的每个立体物的距离以及该距离的时间变化(相对于车辆12100的相对速度)，从而特别地，可以将位于车辆12100的行驶道路上并且在与车辆12100大致相同的方向上以预定速度(例如，等于或大于0km/h)行驶的最近的立体物提取为前方车辆。此外，微型计算机12051可以设定在前方车辆之前要确保的车间距离，并且可以执行自动制动控制(包括跟踪停止控制)、自动加速控制(包括跟踪起动控制)等。以这种方式，可以执行用于实现自动行驶而不依赖于驾驶员的操作的自动驾驶等的协同控制。
例如，微型计算机12051可以基于从摄像单元12101～12104获得的距离信息提取关于立体物的立体物数据，同时将该数据分类为两轮车辆、普通车辆、大型车辆、行人以及诸如电线杆等其他立体物，并用于自动避开障碍物。例如，微型计算机12051将车辆12100周围的障碍物区分为车辆12100的驾驶员可见的障碍物和难以看见的障碍物。然后，微型计算机12051确定表示与每个障碍物发生碰撞的危险度的碰撞风险，并且当碰撞风险高于设定值并且存在碰撞可能性时，这可以通过音频扬声器12061或显示单元12062向驾驶员输出警报，或者通过驱动系统控制单元12010执行强制减速或避让转向，来执行用于避免碰撞的驾驶辅助。
摄像单元12101～12104中的至少一者可以是用于检测红外光的红外相机。例如，微型计算机12051可以通过确定摄像单元12101～12104的拍摄图像中是否存在行人来识别行人。例如，通过如下程序来执行这种行人识别：提取作为红外相机的摄像单元12101～12104的拍摄图像中的特征点的程序以及对表示物体轮廓的一系列特征点进行图案匹配处理并判定是否存在行人的程序。当微型计算机12051判定摄像单元12101～12104的拍摄图像中存在行人并识别出行人时，声音图像输出单元12052控制显示单元12062对识别出的行人叠加矩形轮廓线以显著突出。此外，声音图像输出单元12052可以控制显示单元12062在期望的位置处显示表示行人的图标等。
上面已经描述了适用于根据本公开的技术的车辆控制系统的示例。
需要指出的是，本公开的实施例不限于上述实施例，并且在不脱离本公开的主旨的情况下，可以对其进行各种变形。
本公开也可以采用以下构成。
(1)一种芯片尺寸封装件，其包括：
固态摄像元件，其产生对应于入射光的像素信号；以及
发光元件，其根据施加的电压输出照射光，
其中所述固态摄像元件和所述发光元件被一体化。
(2)根据上述(1)所述的芯片尺寸封装件，
其中所述固态摄像元件是通过将第一层和第二层层叠来获得的，
在所述第一层中形成有执行光电转换的像素阵列，以及
在所述第二层中至少形成有用于处理由所述像素阵列转换的像素信号的信号处理电路和I/O电路，
并且形成在所述第二层中的所述信号处理电路和所述I/O电路被布置成不从由所述像素阵列占据的区域沿横向突出。
(3)根据上述(1)或(2)所述的芯片尺寸封装件，
其中使用蓝宝石玻璃作为支撑基板来形成所述发光元件。
(4)根据上述(2)所述的芯片尺寸封装件，
其中所述蓝宝石玻璃还用作所述固态摄像元件的盖玻璃。
(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中通过WCSP制造方法将形成有多个所述发光元件的第一基板和形成有多个所述固态摄像元件的第二基板彼此接合，然后将其单个化。
(6)根据上述(1)～(4)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中多个所述固态摄像元件通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上，然后将其单个化。
(7)根据上述(6)所述的芯片尺寸封装件，
其中通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上的所述固态摄像元件被制成CSP，并且
焊球形成为所述被制成CSP的固态摄像元件上的连接端子。
(8)根据上述(6)所述的芯片尺寸封装件，
其中配线作为连接端子连接到通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上的所述固态摄像元件。
(9)根据上述(1)～(4)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中多个所述发光元件通过COW制造方法安装在形成有多个所述固态摄像元件的基板上，然后将其单个化。
(10)根据上述(1)～(9)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中所述发光元件是LED元件或激光元件。
(11)根据上述(1)～(10)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中在所述蓝宝石玻璃上形成有用于调整从所述发光元件输出的照射光的方向性的蛾眼处理部分。
(12)根据上述(1)～(11)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中在所述发光元件与所述固态摄像元件之间的边界处形成有遮光壁。
(13)根据上述(1)～(12)中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中在位于所述发光元件与所述固态摄像元件之间的边界处的所述蓝宝石玻璃中形成有遮光槽。
(14)一种芯片尺寸封装件的制造方法，所述芯片尺寸封装件设置有：
固态摄像元件，其产生对应于入射光的像素信号；以及
发光元件，其根据施加的电压输出照射光，
所述固态摄像元件和所述发光元件被一体化，所述方法包括：
将密封树脂涂布到其上形成有多个所述固态摄像元件的第二基板上；
通过WCSP制造方法将其上形成有多个所述发光元件的第一基板接合到其上涂布有所述密封树脂的所述第二基板；以及
将接合的所述第一基板和第二基板单个化。
(15)一种电子设备，其包括：
通过将产生对应于入射光的像素信号的固态摄像元件和根据施加的电压输出照射光的发光元件一体化而获得的芯片尺寸封装件。
(16)一种内窥镜，其包括：
通过将产生对应于入射光的像素信号的固态摄像元件和根据施加的电压输出照射光的发光元件一体化而获得的芯片尺寸封装件。
附图标记列表
10 固态摄像元件
11 盖玻璃
12 片上透镜
13 滤色器
14 PD层
15 布线层
20 蓝色LED元件
21 蓝宝石玻璃
22 n层
23 发光层
24 p层
25 配线接合焊盘
30、50、70、90 CSP
120 CSP
121 蛾眼处理部分
130 CSP
131 遮光壁
140 CSP
141 遮光槽
150 CSP
3100 胶囊内窥镜

Claims (14)

1.一种芯片尺寸封装件，其包括：
固态摄像元件，其产生对应于入射光的像素信号；以及
发光元件，其根据施加的电压输出照射光，
其中所述固态摄像元件和所述发光元件被一体化，
所述发光元件包括作为支撑基板的蓝宝石玻璃，
所述蓝宝石玻璃包括遮光槽，
所述遮光槽从所述蓝宝石玻璃的上表面延伸到所述蓝宝石玻璃的下表面，并且
所述蓝宝石玻璃中的所述遮光槽位于所述发光元件与所述固态摄像元件之间的边界处。
2.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件，
其中所述固态摄像元件是通过将第一层和第二层层叠来获得的，
在所述第一层中形成有执行光电转换的像素阵列，以及
在所述第二层中至少形成有用于处理由所述像素阵列转换的像素信号的信号处理电路和I/O电路，
并且形成在所述第二层中的所述信号处理电路和所述I/O电路被布置成不从由所述像素阵列占据的区域沿横向突出。
3.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件，
其中所述蓝宝石玻璃还用作所述固态摄像元件的盖玻璃。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中通过WCSP制造方法将形成有多个所述发光元件的第一基板和形成有多个所述固态摄像元件的第二基板彼此接合，然后将其单个化。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中多个所述固态摄像元件通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上，然后将其单个化。
6.根据权利要求5所述的芯片尺寸封装件，
其中通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上的所述固态摄像元件被制成CSP，并且
焊球形成为所述被制成CSP的固态摄像元件上的连接端子。
7.根据权利要求5所述的芯片尺寸封装件，
其中配线作为连接端子连接到通过COW制造方法安装在形成有多个所述发光元件的基板上的所述固态摄像元件。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中多个所述发光元件通过COW制造方法安装在形成有多个所述固态摄像元件的基板上，然后将其单个化。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中所述发光元件是LED元件或激光元件。
10.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件，
其中在所述蓝宝石玻璃上形成有用于调整从所述发光元件输出的照射光的方向性的蛾眼处理部分。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片尺寸封装件，
其中在所述发光元件与所述固态摄像元件之间的边界处形成有遮光壁。
12.一种芯片尺寸封装件的制造方法，所述芯片尺寸封装件包括：
固态摄像元件，其产生对应于入射光的像素信号；以及
发光元件，其根据施加的电压输出照射光，
所述固态摄像元件和所述发光元件被一体化，所述方法包括：
将密封树脂涂布到其上形成有多个所述固态摄像元件的第二基板上；
通过WCSP制造方法将其上形成有多个所述发光元件的第一基板接合到其上涂布有所述密封树脂的所述第二基板；以及
将接合的所述第一基板和第二基板单个化。
13.一种电子设备，其包括：
根据权利要求1-11中任一项所述的芯片尺寸封装件。
14.一种内窥镜，其包括：
根据权利要求1-11中任一项所述的芯片尺寸封装件。
CN201780015846.4A 2016-03-24 2017-03-10 芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜 Active CN108701698B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211480718.6A CN115763391A (zh) 2016-03-24 2017-03-10 芯片尺寸封装件、电子设备和内窥镜

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016060343A JP2017175004A (ja) 2016-03-24 2016-03-24 チップサイズパッケージ、製造方法、電子機器、および内視鏡
JP2016-060343 2016-03-24
PCT/JP2017/009670 WO2017163927A1 (ja) 2016-03-24 2017-03-10 チップサイズパッケージ、製造方法、電子機器、および内視鏡

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211480718.6A Division CN115763391A (zh) 2016-03-24 2017-03-10 芯片尺寸封装件、电子设备和内窥镜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108701698A CN108701698A (zh) 2018-10-23
CN108701698B true CN108701698B (zh) 2022-11-18

Family

ID=59900178

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780015846.4A Active CN108701698B (zh) 2016-03-24 2017-03-10 芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜
CN202211480718.6A Pending CN115763391A (zh) 2016-03-24 2017-03-10 芯片尺寸封装件、电子设备和内窥镜

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211480718.6A Pending CN115763391A (zh) 2016-03-24 2017-03-10 芯片尺寸封装件、电子设备和内窥镜

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10872998B2 (zh)
JP (1) JP2017175004A (zh)
CN (2) CN108701698B (zh)
WO (1) WO2017163927A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110325098A (zh) 2016-11-28 2019-10-11 适内有限责任公司 具有可分离一次性轴的内窥镜
CN109698208B (zh) * 2017-10-20 2023-06-30 新加坡有限公司 图像传感器的封装方法、图像传感器封装结构和镜头模组
JP6983628B2 (ja) * 2017-11-17 2021-12-17 シャープ株式会社 発光素子駆動回路、および携帯型電子機器
WO2019143318A1 (en) * 2018-01-16 2019-07-25 Hall David R Health monitoring system including privacy-ensuring obfuscated camera images
CN110098218A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
WO2020038179A1 (zh) * 2018-08-24 2020-02-27 宁波舜宇光电信息有限公司 电路板组件及其半成品、泛光灯、摄像模组及其应用
US11329083B2 (en) * 2018-09-26 2022-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer level image sensor package
WO2020098214A1 (zh) * 2018-11-12 2020-05-22 通富微电子股份有限公司 一种半导体芯片封装方法及半导体封装器件
CN110164896B (zh) * 2019-06-05 2021-06-25 芯盟科技有限公司 内窥镜探头以及制造方法
JPWO2021014731A1 (zh) * 2019-07-23 2021-01-28
CN110379805B (zh) * 2019-07-25 2021-02-05 豪威科技(上海)有限公司 图像传感器晶圆、芯片及其制作方法
KR20210027578A (ko) 2019-08-28 2021-03-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지
USD1018844S1 (en) 2020-01-09 2024-03-19 Adaptivendo Llc Endoscope handle
KR20220078355A (ko) * 2020-12-03 2022-06-10 삼성전자주식회사 Af 픽셀들을 포함하는 이미지 센서
US20220238733A1 (en) * 2021-01-28 2022-07-28 Texas Instruments Incorporated Sensor packages with wavelength-specific light filters
USD1031035S1 (en) 2021-04-29 2024-06-11 Adaptivendo Llc Endoscope handle
JP7523199B2 (ja) 2022-10-28 2024-07-26 財團法人工業技術研究院 色変換パネル及びディスプレイ装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298803A (ja) * 1998-04-10 1999-10-29 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子
CN101013714A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 富士胶片株式会社 固态成像装置和使用其的电子内诊镜
CN102188224A (zh) * 2010-03-15 2011-09-21 富士胶片株式会社 摄像模块、其制造方法和内窥镜装置
CN102859692A (zh) * 2011-01-26 2013-01-02 索尼公司 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子机器
CN203914844U (zh) * 2014-06-13 2014-11-05 佛山麦澳医疗科技有限公司 一种镜片装置
JP2014236183A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 株式会社東芝 イメージセンサ装置及びその製造方法
CN104364894A (zh) * 2012-05-30 2015-02-18 奥林巴斯株式会社 摄像装置、半导体装置及摄像单元
CN105009288A (zh) * 2013-03-25 2015-10-28 索尼公司 固体摄像元件、摄像装置、电子设备和制造方法
TW201603256A (zh) * 2014-06-12 2016-01-16 新力股份有限公司 固態成像裝置，固態成像元件之製造方法及成像設備

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06153097A (ja) 1992-06-25 1994-05-31 Sony Corp 固体撮像素子
WO2001018851A1 (en) * 1999-09-03 2001-03-15 Teraconnect, Inc. Method for integration of integrated circuit devices
AU4510801A (en) * 1999-12-02 2001-06-18 Teraconnect, Inc. Method of making optoelectronic devices using sacrificial devices
JP2004109516A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Ricoh Co Ltd 密着型イメージセンサ
JP2005018595A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 指紋入力装置及びこれを用いた個人認証システム
WO2005067062A1 (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Nec Corporation 光入力付基板、光出力付基板、光入出力付基板及び光素子一体型半導体集積回路
US7294961B2 (en) * 2004-03-29 2007-11-13 Articulated Technologies, Llc Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix
TW201101476A (en) * 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
JP2007013002A (ja) 2005-07-01 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp 半導体レーザー装置
JP2007035779A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Canon Inc リードレス中空パッケージ及びその製造方法
TWI270183B (en) * 2005-12-30 2007-01-01 Advanced Semiconductor Eng Wafer-level chip package process
US20080191333A1 (en) 2007-02-08 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Image sensor package with die receiving opening and method of the same
JPWO2008123020A1 (ja) * 2007-03-09 2010-07-15 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI382753B (zh) * 2007-12-17 2013-01-11 Omnivision Tech Inc 具有整合式閃光燈之可回銲相機模組
JP2013235867A (ja) 2011-07-26 2013-11-21 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体チップの製造方法
WO2012029735A1 (ja) 2010-09-02 2012-03-08 三菱化学株式会社 半導体チップの製造方法
US8496353B2 (en) * 2010-09-14 2013-07-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light-emitting diode (LED) module with light sensor configurations for optical feedback
CN104106135B (zh) 2011-12-22 2018-02-23 新加坡恒立私人有限公司 光电模块、尤其是闪光灯模块及其制造方法
JP6147250B2 (ja) 2012-05-30 2017-06-14 オリンパス株式会社 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法
US9607971B2 (en) * 2012-06-04 2017-03-28 Sony Corporation Semiconductor device and sensing system
US9082808B2 (en) * 2012-06-05 2015-07-14 Oracle International Corporation Batch process for three-dimensional integration
US9570648B2 (en) 2012-06-15 2017-02-14 Intersil Americas LLC Wafer level optical proximity sensors and systems including wafer level optical proximity sensors
DE102013202170B4 (de) * 2013-02-11 2023-03-09 Robert Bosch Gmbh Optische Sensorchipvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP5643920B1 (ja) * 2013-04-16 2014-12-17 エルシード株式会社 Ｌｅｄ素子及びその製造方法
US9538909B2 (en) * 2013-07-08 2017-01-10 Omnivision Technologies, Inc. Self-illuminating CMOS imaging package
US9633869B2 (en) * 2013-08-16 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Packages with interposers and methods for forming the same
US9570428B1 (en) * 2015-08-27 2017-02-14 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Tiled hybrid array and method of forming

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298803A (ja) * 1998-04-10 1999-10-29 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子
CN101013714A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 富士胶片株式会社 固态成像装置和使用其的电子内诊镜
CN102188224A (zh) * 2010-03-15 2011-09-21 富士胶片株式会社 摄像模块、其制造方法和内窥镜装置
CN102859692A (zh) * 2011-01-26 2013-01-02 索尼公司 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子机器
CN104364894A (zh) * 2012-05-30 2015-02-18 奥林巴斯株式会社 摄像装置、半导体装置及摄像单元
CN105009288A (zh) * 2013-03-25 2015-10-28 索尼公司 固体摄像元件、摄像装置、电子设备和制造方法
JP2014236183A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 株式会社東芝 イメージセンサ装置及びその製造方法
TW201603256A (zh) * 2014-06-12 2016-01-16 新力股份有限公司 固態成像裝置，固態成像元件之製造方法及成像設備
CN203914844U (zh) * 2014-06-13 2014-11-05 佛山麦澳医疗科技有限公司 一种镜片装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190074399A1 (en) 2019-03-07
JP2017175004A (ja) 2017-09-28
WO2017163927A1 (ja) 2017-09-28
CN108701698A (zh) 2018-10-23
US10872998B2 (en) 2020-12-22
CN115763391A (zh) 2023-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108701698B (zh) 芯片尺寸封装件及其制造方法、电子设备和内窥镜
US11424284B2 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
CN108701704B (zh) 固态摄像元件和电子设备
CN110622315B (zh) 成像装置、固态图像传感器和电子设备
US11296133B2 (en) Imaging apparatus and electronic device
CN110431668B (zh) 固态摄像装置和电子设备
US11595551B2 (en) Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus
US12087796B2 (en) Imaging device
US11715751B2 (en) Solid-state imaging element, electronic apparatus, and semiconductor device
JP2018147974A (ja) 固体撮像素子、電子機器、および半導体装置
US20220293656A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2020179290A1 (ja) センサおよび測距装置
JP7422676B2 (ja) 撮像装置
JP2019179782A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20240145506A1 (en) Semiconductor package and electronic device
US20210272995A1 (en) Imaging element and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TG01 Patent term adjustment
TG01 Patent term adjustment