CN108668469A - 印刷配线板的制造方法以及保护膜 - Google Patents

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CN108668469A CN201810119501.XA CN201810119501A CN108668469A CN 108668469 A CN108668469 A CN 108668469A CN 201810119501 A CN201810119501 A CN 201810119501A CN 108668469 A CN108668469 A CN 108668469A
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松田文彦
成泽嘉彦
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Abstract

本发明提供一种印刷配线板的制造方法以及保护膜,所述方法在除去树脂残渣的等离子体处理工序中能够防止蚀刻效率的降低并且保护粘贴于覆金属箔层叠板的绝缘树脂膜。本发明的印刷配线板的制造方法具备:准备具有绝缘基座基材和金属箔的单面覆金属箔层叠板以及具有绝缘树脂膜和金属薄膜的保护膜的工序,将保护膜贴合于单面覆金属箔层叠板的工序,对保护膜的预定部位照射激光从而形成有底导通孔的工序,通过等离子体蚀刻来除去树脂残渣的工序,通过湿式蚀刻除去有底导通孔底面的背面处理膜和金属薄膜的工序,使用印刷方法在有底导通孔内填充导电糊剂的工序,以及从绝缘基座基材剥离绝缘树脂膜的工序。

Description

印刷配线板的制造方法以及保护膜
技术领域
本发明涉及印刷配线板的制造方法以及保护膜,更详细而言,涉及通过导电糊剂来进行层间连接的印刷配线板的制造方法以及在该印刷配线板的制造方法中使用的保护膜。
背景技术
随着电子设备的小型化、高功能化的进展,对印刷配线板的高密度化的要求正在提高。为了应对该要求,开发了多层化的印刷配线板。此外,作为高密度化的一个环节,在专利文献1中记载了混成多层电路基板。该混成多层电路基板具有两个多层电路基板(硬质电路基板)和将这些多层电路基板间进行连接的柔性印刷配线板(或柔性扁平电缆)。这些配线板以智能手机等便携式通信设备、笔记本电脑、数字照相机、游戏机等小型电子设备为中心而被广泛使用。
近年来,电子设备所处理的信息量急剧增加,因此电子设备内的信号的传输速度有越来越高速化的倾向。就电脑的情况而言,从2010年到2011年之间过渡到传输速度为6Gbps的传输标准,在2013年还制定了传输速度为10Gbps的标准。在这样的状况下,考虑传输线路中的信号损耗(传输损耗)变得越来越重要。
柔性印刷配线板(FPC)中,为了减少传输损耗,开始适用介电常数以及介质损耗角正切(tanδ)低的液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer:LCP)作为绝缘基座基材。然而,就液晶聚合物而言,厚度方向的热膨胀系数比以往的聚酰亚胺等绝缘材料相比大,与以往通常用作层间连接路的镀敷通孔之间的热膨胀系数差大。因此,在使包含液晶聚合物的绝缘基座基材厚的情况下,有无法充分确保对温度循环等的可靠性的危险。
在专利文献2和专利文献3中,记载了在以液晶聚合物作为绝缘基座基材的柔性印刷配线板中,将使用导电糊剂的导电孔适用于层间连接路,而不是镀敷通孔。
此外,专利文献4中,记载了具有导电孔的印刷配线板的制造方法。在该方法中,将粘着性绝缘树脂膜粘贴于覆金属箔层叠板,在由激光加工形成的有底导通孔中填充导电糊剂后,剥离绝缘树脂膜,从而使导电糊剂的一部分从绝缘基座基材突出而制作配线基材。然后,以导电糊剂的突出部彼此抵接的方式层叠2块配线基材。根据该方法,能够用2块配线基材来制造具有3个配线层的印刷配线板,能够减少印刷配线板的制造所需要的材料,还可以简化制造工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第2631287号
专利文献2:日本特开2011-66293号公报
专利文献3:日本特开2007-96121号公报
专利文献4:日本特开2015-61058号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,在专利文献4的情况下,存在几个课题。对这些课题进行说明之前,参照图13和图14来说明比较例涉及的印刷配线板的制造方法。
首先,如图13(a)所示,准备单面覆金属箔层叠板103。该单面覆金属箔层叠板103具有绝缘基座基材101、在绝缘基座基材101的一面形成的金属箔102。绝缘基座基材101具有主面101a和与主面101a相反一侧的主面101b。绝缘基座基材101包含液晶聚合物,其厚度为100μm。金属箔102为铜箔,其厚度为12μm。
接下来,如图13(b)所示,通过照相化学腐蚀法将金属箔102图案化,形成接受连接盘(受けランド)102a以及配线102b。
接下来,如图13(c)所示,将在一面形成有微粘着材(未图示)的绝缘树脂膜104贴合于单面覆金属箔层叠板103的主面101a。
接下来,如图14(a)所示,通过对绝缘树脂膜104的预定部位照射激光,从而形成底面露出接受连接盘102a的有底导通孔105。然后,通过等离子体蚀刻来除去存在于有底导通孔105内部的树脂残渣(未图示)。通过该等离子体蚀刻,绝缘树脂膜104的表面被蚀刻而产生凹凸(参照图14(b))。
接下来,如图14(b)所示,通过湿式蚀刻来除去在有底导通孔105的底面露出的接受连接盘102a的背面处理膜(防护金属膜)(未图示)。该背面处理膜是指在金属箔102的背面(即,与绝缘基座基材101接触一侧的面)形成的处理膜,是以提高金属箔102与绝缘基座基材101的密合性等为目的而在单面覆金属箔层叠板103的制造时设置的膜。
接下来,如图14(c)所示,使用丝网印刷等印刷法来将导电糊剂106填充于有底导通孔105内。然后,从绝缘基座基材101剥离绝缘树脂膜104。由此,使填充于有底导通孔105的导电糊剂106的一部分从绝缘基座基材101突出。导电糊剂106的突出量(突起量)按照绝缘树脂膜104的厚度来规定。
经过上述工序,能够得到导电糊剂106的一部分从绝缘基座基材101突出的配线基材,但存在以下说明的课题。
首先,在通过等离子体蚀刻来除去有底导通孔105内的树脂残渣的工序(等离子体处理工序)中,单面覆金属箔层叠板103的上表面除了穿孔部分以外的整面由绝缘树脂膜104被覆。因此,由绝缘树脂膜104的表面(树脂面)引起自由基显著失活。其结果是,蚀刻速率大幅降低,有印刷配线板的制造效率大幅降低这样的课题。
此外,由于在等离子体处理工序中,绝缘树脂膜104的表面被蚀刻而产生凹凸,因而在将导电糊剂填充于有底导通孔内的工序(印刷工序)中,导电糊剂容易残留于绝缘树脂膜104的表面。其结果是,有导电糊剂的收获率降低这样的课题。
进而,由于在等离子体处理工序中绝缘树脂膜104被蚀刻而厚度产生偏差,因而还有导电糊剂106的突起量变得不均匀这样的课题。
本发明基于上述技术认知而进行的,其目的在于,提供一种在除去树脂残渣等离子体处理工序中,能够防止蚀刻效率的降低并且能够保护粘贴于覆金属箔层叠板的绝缘树脂膜的印刷配线板的制造方法以及保护膜。
用于解决课题的方案
本发明涉及的印刷配线板的制造方法的特征在于,具备下述工序:
准备覆金属箔层叠板的工序,所述覆金属箔层叠板具备具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面的绝缘基座基材以及在所述第二主面形成的金属箔;
准备保护膜的工序,所述保护膜具备具有第三主面和与所述第三主面相反一侧的第四主面的绝缘树脂膜以及在所述第三主面形成的金属薄膜;
粘贴工序,以所述第一主面与所述第四主面相对的方式将所述保护膜贴合于所述覆金属箔层叠板;
激光加工工序,通过对所述保护膜的预定部位照射激光,从而形成在底面露出所述金属箔的有底导通孔;
等离子体处理工序,通过等离子体蚀刻来除去存在于所述有底导通孔内部的树脂残渣;
软蚀刻工序,通过湿式蚀刻来除去在所述有底导通孔的底面露出的所述金属箔的背面处理膜以及所述金属薄膜;
使用印刷方法在所述有底导通孔内填充导电糊剂的工序;以及
剥离所述绝缘树脂膜的剥离工序。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,所述金属薄膜可以具有下述厚度,即,在所述激光加工工序中由所述激光贯通且在所述等离子体处理工序中所述绝缘树脂膜不受到等离子体蚀刻的厚度。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,所述金属薄膜的厚度可以为0.08μm以上0.12μm以下。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,所述金属薄膜也可以设为由铜、铝或镍形成。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,所述金属薄膜可以设为由与所述金属箔相同的材料形成。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,所述粘贴工序中,所述保护膜也可以设为通过在所述绝缘树脂膜的所述第四主面上形成的微粘着材而贴合于所述覆金属箔层叠板。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,所述粘贴工序中,所述保护膜也可以设为通过在所述绝缘基座基材的所述第一主面上形成的粘接剂层而贴合于所述覆金属箔层叠板。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,也可以如下操作:
作为所述覆金属箔层叠板,准备进一步具有形成在所述绝缘基座基材的所述第一主面上的第二金属箔的双面覆金属箔层叠板;
在所述粘贴工序之前,进一步具备:
将所述第二金属箔图案化而形成穿孔加工用掩模的工序,以及
形成粘接剂层的工序,所述粘接剂层在所述绝缘基座基材的所述第一主面上形成且将经过所述图案化的所述第二金属箔埋没;
在所述粘贴工序中,也可以以所述绝缘树脂膜与所述粘接剂层粘接的方式将所述保护膜层叠在所述粘接剂层上。
此外,所述印刷配线板的制造方法中,可以进一步具备:
将通过所述剥离工序得到的、具有所述导电糊剂的突出部的第一和第二配线基材,以所述突出部彼此抵接的方式层叠的工序,以及
将所述层叠后的第一配线基材以及第二配线基材加热而一体化的工序。
本发明涉及的保护膜的特征在于,是贴合于覆金属箔层叠板的保护膜,所述覆金属箔层叠板具备具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面的绝缘基座基材以及在所述第二主面形成的金属箔,
所述保护膜具备具有第三主面和与所述第三主面相反一侧的第四主面的绝缘树脂膜以及在所述第三主面形成的金属薄膜,
介由微粘着材或粘接材层以所述第四主面与所述第一主面相对的方式贴合。
此外,所述保护膜中,
所述金属薄膜可以具有下述厚度,即,
在通过对所述保护膜的预定部位照射激光而形成底面露出所述金属箔的有底导通孔的激光加工工序中,易于由所述激光贯通,
在通过等离子体蚀刻来除去存在于所述有底导通孔内部的树脂残渣的等离子体处理工序中,所述绝缘树脂膜不受到等离子体蚀刻,且
在通过湿式蚀刻来除去在所述有底导通孔的底面露出的所述金属箔的背面处理膜的软蚀刻工序中被除去的厚度。
此外,所述保护膜中,所述金属薄膜的厚度也可以为0.08μm以上0.12μm以下。
发明的效果
本发明中,在将具有绝缘树脂膜和在该绝缘树脂膜的主面上形成的金属薄膜的保护膜贴合于覆金属箔层叠板,利用激光加工形成有底导通孔之后,进行除去有底导通孔内的树脂残渣的等离子体处理工序。由于在等离子体处理工序中,绝缘树脂膜的表面由金属薄膜被覆,因而能够防止由绝缘树脂膜造成的自由基的失活。因此能够防止因等离子体蚀刻所引起的蚀刻速率的降低。
此外,在等离子体处理工序中,绝缘树脂膜由金属薄膜所保护,不被蚀刻而维持平坦性。因此,在将导电糊剂填充于有底导通孔中的印刷工序中,能够防止导电糊剂的收获率降低,并且能够使导电糊剂的突起量均匀。
如上所示,根据本发明,能够在除去树脂残渣的等离子体处理工序中,防止蚀刻效率的降低,并且能够保护粘贴于覆金属箔层叠板的绝缘树脂膜。
附图说明
图1为用于说明第一实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的流程图。
图2为用于说明第一实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图3为接着图2的、用于说明第一实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图4为接着图3的、用于说明第一实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图5为将等离子体蚀刻量以及能否贯通金属薄膜的实验结果汇总的图。
图6为用于说明第二实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的流程图。
图7为用于说明第二实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图8为接着图7的、用于说明第二实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图9为接着图8的、用于说明第二实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图10为用于说明第三实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的流程图。
图11为用于说明第三实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图12为接着图11的、用于说明第三实施方式涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图13为用于说明比较例涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
图14为接着图13的、用于说明比较例涉及的印刷配线板的制造方法的工序截面图。
符号说明
1、21、101:绝缘基座基材
1a、21a、101a、1b、21b、101b:主面
2、22、23、102:金属箔
2a、22a、23b、102a:接受连接盘
2b、22b、102b:配线
3、103:单面覆金属箔层叠板
4、104:绝缘树脂膜
5:金属薄膜
6:保护膜
7、26a、26b、26c、26d、105:有底导通孔
1x、21x:树脂残渣
8:背面处理膜
9、27、106:导电糊剂
9a、27a:突出部
10、30:配线基材
23a:穿孔加工用掩模
24:双面覆金属箔层叠板
25:粘接剂层
31、32、33、34:导电孔
40:印刷配线板
具体实施方式
以下,对于本发明涉及的实施方式,参照附图进行说明。另外,各图中对于具有等同功能的构成要素赋予相同的符号。
(第一实施方式)
对于本发明的第一实施方式涉及的印刷配线板的制造方法,沿着图1的流程图进行说明。本实施方式以单面覆金属箔层叠板为起始材料。
首先,准备单面覆金属箔层叠板3和保护膜6(工序S11)。如图2(a)所示,单面覆金属箔层叠板3具有绝缘基座基材1和在绝缘基座基材1的一面上形成的金属箔2(第一金属箔)。绝缘基座基材1具有主面1a(第一主面)和与主面1a相反一侧的主面1b(第二主面)。本实施方式中,主面1a为绝缘基座基材1的上表面,主面1b为绝缘基座基材1的下表面。
绝缘基座基材1为例如由液晶聚合物(LCP)等形成的绝缘膜,其厚度为例如100μm。另外,绝缘基座基材1可以具有可挠性,也可以不具有可挠性。例如,绝缘基座基材1可以是聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等用于柔性印刷配线板的绝缘树脂膜,或也可以是如玻璃环氧树脂那样由硬质的绝缘树脂形成。
金属箔2形成于绝缘基座基材1的主面1b。金属箔2为例如铜箔,其厚度为例如12μm。另外,金属箔2也可以由铜以外的金属(银、铝等)形成。
如图2(b)所示,保护膜6具有可挠性的绝缘树脂膜4以及在该绝缘树脂膜4的一面形成的金属薄膜5。
绝缘树脂膜4具有主面4a(第三主面)和与主面4a相反一侧的主面4b(第四主面)。本实施方式中,主面4a为绝缘树脂膜4的上表面,主面4b为绝缘树脂膜4的下表面。
绝缘树脂膜4例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成,其厚度为例如20μm。另外,绝缘树脂膜4也可以由聚酰亚胺、聚酰胺、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等其他绝缘材料构成。
绝缘树脂膜4的厚度规定导电糊剂的突起量(后述突出部9a的高度)。如果该突起量过大,则印刷配线板的平坦度受损。另一方面,如果突起量过小,则无法充分确保层间连接的可靠性。考虑到这样的情况,绝缘树脂膜4的厚度优选为20±10μm的范围,更优选为20±5μm的范围。
金属薄膜5形成于主面4a。金属薄膜5为例如铜蒸镀膜。另外,金属薄膜5也可以由铜以外的金属,例如铝、镍构成。此外,金属薄膜5也可以是通过蒸镀以外的方法,例如溅射、化学镀来形成的薄膜。
金属薄膜5具有在后述的激光加工工序中容易被激光贯通的厚度。在此,“金属薄膜5被贯通”是指在激光的照射位置上金属薄膜5的整个厚度被除去。
此外,金属薄膜5具有在后述的等离子体处理工序中绝缘树脂膜4不受到等离子体蚀刻的厚度。在此,“绝缘树脂膜4不受到等离子体蚀刻”是指绝缘树脂膜4的主面4a维持被金属薄膜5所被覆的状态,不露出绝缘树脂膜4。此外,金属薄膜5具有可在后述的软蚀刻工序中被除去的厚度。
第一实施方式中,在绝缘树脂膜4的主面4b上形成有微粘着材(未图示)。该微粘着材的厚度为例如10μm。微粘着材具有在后述的剥离工序中能够将保护膜6从单面覆金属箔层叠板3剥离的程度的较弱粘着力。
接下来,如图2(c)所示,通过照相化学腐蚀法将单面覆金属箔层叠板3的金属箔2图案化而形成接受连接盘2a(工序S12)。接受连接盘2a的直径设为例如φ250μm左右。另外,也可以在本工序中形成配线2b。此外,本工序也可以在进行了后述的粘贴工序、激光加工工序、等离子体处理工序、软蚀刻工序、印刷工序、剥离工序或加热工序后进行。
接下来,如图2(d)和图3(a)所示,将保护膜6贴合于单面覆金属箔层叠板3(粘贴工序,工序S13)。更详细而言,以绝缘基座基材1的主面1a与保护膜6的主面4b相对的方式将保护膜6贴合于单面覆金属箔层叠板3。本工序中,保护膜6通过形成在绝缘树脂膜4的主面4b上的微粘着材而贴合于单面覆金属箔层叠板3。
接下来,如图3(b)所示,通过对保护膜6的预定部位照射激光,从而形成在底面露出接受连接盘2a的有底导通孔7(激光加工工序,工序S14)。有底导通孔7的直径为例如φ150~200μm。本工序中所用的激光为例如二氧化碳气体激光或UV-YAG激光。
接下来,如图3(b)和图3(c)所示,通过等离子体蚀刻来除去存在于有底导通孔7内部的树脂残渣1x(等离子体处理工序,工序S15)。如图3(b)的放大图所示,树脂残渣1x存在于在有底导通孔7的底面露出的接受连接盘2a的背面处理膜(防护金属膜)8的微细凹部中、绝缘基座基材1与接受连接盘2a的边界附近等。另外,通过本工序的等离子体蚀刻来除去树脂残渣的处理被称为表面沾污去除处理。
背面处理膜8是在金属箔2的背面(即,与绝缘基座基材1接触一侧的面)形成的处理膜,其是以提高金属箔2与绝缘基座基材1的密合性等为目的而在单面覆金属箔层叠板3的制造时设置的膜。例如,背面处理膜8为Ni/Cr膜。
接下来,如图4(a)所示,通过湿式蚀刻来除去在有底导通孔7的底面露出的接受连接盘2a的背面处理膜8以及金属薄膜5(软蚀刻工序,工序S16)。本工序中,不仅除去背面处理膜8,还除去保护膜6的金属薄膜5。
接下来,如图4(b)所示,使用印刷方法在有底导通孔7内填充导电糊剂9(印刷工序,工序S17)。本工序中,例如使用丝网印刷的方法。本工序中,保护膜6发挥作为印刷掩模的功能。导电糊剂9是使铜粒子、银粒子等金属粒子分散于作为糊剂状热固性树脂的树脂粘合剂中而得到的糊剂。
另外,在印刷工序中,从防止气孔的混入的观点出发,优选在真空环境下进行导电糊剂的印刷。例如,优选使用丝网印刷用的真空印刷机。由此,即使在印刷中产生空隙(不被导电糊剂填充的区域),该空隙也会在真空状态的释放时通过大气压被压碎而消失,因而能够防止气孔的产生。
如上所述,由于金属薄膜5在软蚀刻工序中被除去,因而在印刷工序中,能够防止构成金属薄膜5的金属成分作为异物而混入导电糊剂。
接下来,如图4(c)所示,从绝缘基座基材1剥离绝缘树脂膜4(剥离工序,工序S18)。由此,使填充于有底导通孔7中的导电糊剂9的一部分从绝缘基座基材1突出,以作为突出部9a。
经过上述工序,能够得到图4(c)所示的配线基材10。
如上所述,由于在等离子体处理工序中,绝缘树脂膜4被金属薄膜5所被覆,因此能够防止因绝缘树脂膜4引起的自由基的失活。因此,能够防止因等离子体蚀刻引起的蚀刻速率的降低。
此外,在等离子体处理工序中绝缘树脂膜4被金属薄膜5所被覆。因此,可以防止绝缘树脂膜4的主面4a通过等离子体蚀刻而被蚀刻,可维持绝缘树脂膜4的主面4a的平坦性。因此,可以抑制在印刷工序中导电糊剂残留于绝缘树脂膜4,能够防止导电糊剂的收获率的降低。
此外,由于在等离子体处理工序中绝缘树脂膜4被金属薄膜5保护,因而绝缘树脂膜4的厚度可以维持均匀。因此,能够使导电糊剂9的突起量(突出部9a的高度)均匀。
如上所示,根据第一实施方式,能够防止等离子体处理工序的效率以及导电糊剂的收获率降低,并且能够使导电糊剂的突起量均匀。
另外,金属薄膜5和金属箔2优选在软蚀刻工序中能够同时除去,更优选由相同材料构成。本实施方式中,金属薄膜5由与金属箔2相同的铜构成。由此,在软蚀刻工序中,能够防止因异种金属的混合存在而引起的导电孔内的污染。
此外,在粘贴工序中,也可以在单面覆金属箔层叠板3的下表面也贴合保护膜6。由此,在等离子体处理工序中,能够防止没有被接受连接盘2a以及配线2b被覆的绝缘基座基材1的主面1b被蚀刻,也能够防止因主面1b的露出而导致等离子体处理工序的效率降低。将单面覆金属箔层叠板3的下表面用金属板等夹具覆盖而避免等离子体与主面1b接触,也能够得到同样的效果。
<金属薄膜的厚度>
对于考虑到激光加工工序以及等离子体处理工序时的金属薄膜5的厚度以何种程度为优选,基于实施例进行说明。
本实施例中,使用具有PET膜作为绝缘树脂膜4,并具有在PET膜上形成的铜蒸镀膜作为金属薄膜5的保护膜6。在等离子体处理工序中,使用O2与CF4的混合气体。在激光加工工序中,从稳定加工的观点出发,使用作为红外线激光的二氧化碳气体激光。具体而言,使用三菱电机(株)制的二氧化碳气体激光加工机(ML605GTXIII-5100U2)。利用光阑等将光束直径调整为150μm。此外,将脉冲宽度设为10μSec,将每1个脉冲的能量设为4mJ,设为用5次射击来形成1个有底导通孔7的加工条件。
在上述条件下,以金属薄膜5的厚度为参数,调查了激光加工工序以及等离子体处理工序中的加工性。将其结果示于图5。图5中,为了比较,将12μm厚的铜箔时和在表面没有形成金属薄膜5的PET膜(相当于上述比较例的情况)时的结果也一并记载。此外,图5中的等离子体蚀刻量表示使用间歇式的等离子体装置时的蚀刻量。
关于等离子体蚀刻量的测定方法,如下进行。首先,在PET膜上用胶带贴附树脂膜,进行等离子体蚀刻。然后,用激光显微镜测定由胶带保护的部位和露出的部位(即未被胶带所被覆的部位)之间的高低差。在此,作为激光显微镜,使用株式会社基恩士制VK-X250。
此外,图5中的铜蒸镀膜的厚度时预先利用由导体电阻率测定导体厚度的装置(三菱化学株式会社制,MCP-S521)进行测定的值。更具体而言,将铜蒸镀后的树脂膜切成300mm见方的大小,对所切出的树脂膜,纵横分别以100mm间隔(合计9处)测定铜蒸镀膜的厚度,将其平均值作为代表值。
铜蒸镀膜的厚度为0.05μm的情况下,虽然在激光加工工序中贯通了铜蒸镀膜,但在等离子体处理工序中的蚀刻量为1.3μm。该蚀刻量与12μm厚的铜箔的蚀刻量(1.9μm)相比为2/3左右。其理由是因为,由于铜蒸镀膜过薄,因而在等离子体处理工序的中途,PET膜从铜蒸镀膜露出而等离子体蚀刻的效率降低。
铜蒸镀膜的厚度为0.08μm的情况下,在激光加工工序中贯通了铜蒸镀膜,此外,在等离子体处理工序中的蚀刻量为2.0μm。该蚀刻量与12μm厚的铜箔时为同等程度。由此可知,如果铜蒸镀膜的厚度有0.08μm,则在等离子体处理工序中PET膜不受到等离子体蚀刻,能够防止蚀刻效率的降低。
在铜蒸镀膜的厚度为0.1μm以及0.12μm的情况下,也能够在激光加工工序中贯通铜蒸镀膜。另一方面,铜蒸镀膜的厚度为0.15μm的情况下,无法在激光加工工序中贯通铜蒸镀膜。另外,通过对铜蒸镀膜实施粗糙化处理,能够增加红外激光的吸收。由此,数μm厚的铜膜也能够贯通,但制造成本会增大。
由上述结果可知,从在激光加工工序中的金属薄膜5的加工性和在等离子体处理工序中的绝缘树脂膜4的保护的观点出发,金属薄膜5的厚度优选0.08μm以上0.12μm以下。
(第二实施方式)
对于本发明的第二实施方式涉及的印刷配线板的制造方法,沿着图6的流程图进行说明。本实施方式以双面覆金属箔层叠板为起始材料。
首先,准备双面覆金属箔层叠板24和保护膜6(工序S21)。如图7(a)所示,双面覆金属箔层叠板24具有绝缘基座基材21、金属箔22(第一金属箔)和金属箔23(第二金属箔)。绝缘基座基材21具有主面21a(第一主面)和与主面21a相反一侧的主面21b(第二主面)。本实施方式中,主面21a为绝缘基座基材21的上表面,主面21b为绝缘基座基材21的下表面。
绝缘基座基材21为例如由液晶聚合物(LCP)等形成的绝缘膜,其厚度为例如100μm。另外,绝缘基座基材21可以是具有可挠性的基材,也可以是不具有可挠性的基材。
金属箔22形成在绝缘基座基材21的主面21b。金属箔23形成在绝缘基座基材21的主面21a。金属箔22和23为例如铜箔,其厚度分别为例如12μm。另外,金属箔22和23也可以由铜以外的金属(银、铝等)形成。
如在第一实施方式中说明那样,保护膜6具有绝缘树脂膜4和金属薄膜5。在第二实施方式中,如后所述保护膜6介由粘接剂层25与绝缘基座基材21粘接,因此可以在绝缘树脂膜4的主面4b不形成微粘着材。另外,也可以使用在一面上形成有微粘着材的保护膜。
接下来,如图7(b)所示,通过照相化学腐蚀法将双面覆金属箔层叠板24的金属箔22和23图案化,形成穿孔加工用掩模(敷形掩模)23a、接受连接盘22a以及接受连接盘23b(工序S22)。穿孔加工用掩模23a以及接受连接盘23b形成于绝缘基座基材21的主面21a,接受连接盘22a形成于绝缘树脂膜4的主面21b。如图7(b)所示,穿孔加工用掩模23a形成在接受连接盘22a的上方。另外,金属箔22的图案化也可以在本工序之后(进行了后述粘贴工序、激光加工工序、等离子体处理工序、软蚀刻工序、印刷工序、剥离工序或加热工序之后)另行进行。
本工序中,也可以形成配线22b。接受连接盘22a以及23b的直径设为例如φ50μm左右。穿孔加工用掩模23a的直径设为例如φ350μm左右。
接下来,如图7(c)所示,在绝缘基座基材21上形成粘接剂层25(工序S23)。该粘接剂层25以将图案化后的金属箔23(即穿孔加工用掩模23a以及接受连接盘23b)埋入的方式设置在绝缘基座基材21的主面21a。例如,粘接剂层25通过将低流动度接合片(例如15μm厚)层压于绝缘基座基材21来形成。为了在第三实施方式中说明的层叠工序时还残存所需要的粘接性,低流动度接合片的层压在比热固化温度低的温度下进行。
另外,也可以在形成粘接剂层25之前,进行图案化后的金属箔23的粗糙化处理。由此,能够提高金属箔23和粘接剂层25的粘接强度。
接下来,如图7(c)所示,介由粘接剂层25将双面覆金属箔层叠板24与保护膜6贴合(粘贴工序,工序S24)。即,以绝缘树脂膜4与粘接剂层25粘接的方式将保护膜6层叠在粘接剂层25上。更详细而言,对于保护膜6,以绝缘基座基材21的主面21a与保护膜6的主面4b相对的方式,通过粘接剂层25而贴合于双面覆金属箔层叠板24。本工序中,保护膜6通过在绝缘基座基材21的主面21a上形成的粘接剂层25与双面覆金属箔层叠板24贴合。
接下来,如图8(a)所示,通过对保护膜6的预定部位照射激光来形成有底导通孔26a、26b、26c和26d(激光加工工序,工序S25)。有底导通孔26a和26c为在中途中露出穿孔加工用掩模23a且在底面露出接受连接盘22a的较深的阶梯式有底导通孔。有底导通孔26b为在底面露出接受连接盘23b的较浅的有底导通孔。有底导通孔26d是在底面露出接受连接盘22a的较深的有底导通孔。在本工序中使用的激光为例如二氧化碳气体激光。
另外,关于有底导通孔26a~26d的直径,考虑到在第三实施方式中说明的层叠工序中的对位偏移,优选设为比有底导通孔7的直径大。例如,有底导通孔26a、26c、26d的直径设为φ250~300μm,有底导通孔26b的直径设为φ200μm。
接下来,如图8(b)所示,通过等离子体蚀刻来除去存在于有底导通孔26a~26d内部的树脂残渣21x(等离子体处理工序,工序S26)。如图8(a)的放大图所示,树脂残渣21x存在于在有底导通孔26a的底面露出的接受连接盘22a的背面处理膜(防护金属膜)8的微细凹部中、绝缘基座基材21与接受连接盘22a的边界附近等。有底导通孔26b、26c和26d中也同样地存在树脂残渣。
接下来,如图8(c)所示,通过湿式蚀刻来除去在有底导通孔26a、26c和26d的底面露出的接受连接盘22a的背面处理膜、在有底导通孔26b的底面露出的接受连接盘23b的背面处理膜(软蚀刻工序,工序S27)。本工序中,不仅除去金属箔的背面处理膜,而且还除去保护膜6的金属薄膜5。
接下来,如图9(a)所示,使用印刷方法,在有底导通孔26a~26d内填充导电糊剂27(印刷工序,工序S28)。本工序中,使用例如丝网印刷的方法。导电糊剂27是使金属粒子分散在作为糊剂状的热固性树脂的树脂粘合剂中而得到的糊剂。
接下来,如图9(b)所示,从粘接剂层25剥离绝缘树脂膜4(剥离工序,工序S29)。由此,使填充在有底导通孔26a~26d中的导电糊剂27的一部分从粘接剂层25突出,以作为突出部27a。
经过上述工序,能够得到图9(b)中所示的配线基材30。
根据第二实施方式,与第一实施方式同样地,能够防止等离子体处理工序的效率以及导电糊剂的收获率降低,并且能够使导电糊剂27的突起量均匀。
另外,关于金属薄膜5的厚度,与第一实施方式中说明的情况同样地,优选为0.08μm以上0.12μm以下。
此外,本实施方式中,形成了阶梯形的深的有底导通孔26a、26c、浅的有底导通孔26b以及深的有底导通孔26d这3种有底导通孔,但也可以以它们的任意组合来形成有底导通孔。
(第三实施方式)
对于本发明的第三实施方式涉及的印刷配线板的制造方法,沿着图10的流程图进行说明。本实施方式中,以在第一实施方式中制造的配线基材10以及在第二实施方式中制造的配线基材30为起始材料,制造多层的印刷配线板。
首先,准备配线基材10和配线基材30(工序S31)。如图4所示,配线基材10具有在剥离工序(第一实施方式的工序S18)中得到的突出部9a。如图9所示,配线基材30具有在剥离工序(第二实施方式的工序S29)中得到的突出部27a。
接下来,如图11所示,将配线基材10以及配线基材30以突出部9a与突出部27a彼此抵接的方式对位并层叠(层叠工序,工序S32)。
接下来,将层叠后的配线基材10和配线基材30(以下,也称为“层叠体”)加热并一体化(加热工序,工序S33)。具体而言,使用真空压力装置或真空层压装置,对层叠体进行加热和加压。例如,将层叠体加热至200℃左右,并且以数MPa左右的压力加压。另外,该温度与液晶聚合物的软化温度相比低50℃以上。
在使用真空压力装置的情况下,例如,在上述的加热、加压条件下将层叠体保持30~60分钟左右。由此,完成粘接剂层25的热固化以及导电糊剂9、27的粘合剂树脂的热固化。在使用真空层压装置的情况下,加热、加压时间为数分钟左右,在其结束的时间点,热固化反应尚未完成。因此,将层叠体从真空层压装置移送至烘炉装置,进行后固化处理。后固化处理中,例如在200℃左右的温度下将层叠体加热60分钟左右。由此,完成粘接剂层25的热固化以及导电糊剂9、27的粘合剂树脂的热固化。
另外,为了使导电糊剂9、27中所含的金属粒子彼此通过200℃左右的加热来进行金属键合,金属粒子的熔点优选为加热温度以下。作为这样的低熔点金属,可举出例如In、SnIn、SnBi。导电糊剂的印刷工序(工序S17、S28)中,优选使用包含由这些低熔点金属中的任一种构成的金属粒子的导电糊剂。
此外,在金属箔2、22、23为铜箔的情况下,在印刷工序(工序S17、S28)中,优选使用包含由Sn、Zn、Al、Ag、Ni或Cu或者它们的合金构成的金属粒子的导电糊剂。由此,通过200℃左右的加热,从而导电糊剂9、27中所含的金属粒子与铜箔形成合金层而进行金属键合。
经过上述工序,能够得到图12所示的印刷配线板40。加热工序之后,根据需要,进行露在外侧的配线层的表面处理、阻焊剂等的形成以及外形加工。
如图12所示,印刷配线板40具备导电孔31、32、33、34。导电孔31将接受连接盘2a、穿孔加工用掩模23a与接受连接盘22a相互电连接。这样,导电孔31将形成在绝缘基座基材1的上表面的第一配线层、形成在绝缘基座基材21的上表面的第二配线层(内层)与形成在绝缘基座基材21的下表面的第三配线层的全部相互电连接。导电孔32将第一配线层与第二配线层电连接,导电孔33将第二配线层与第三配线层电连接,导电孔34将第一配线层与第三配线层电连接。这样,能够得到所有的组合的层间连接。
如上所示,通过将2块配线基材(配线基材10和配线基材30)层叠,从而能够得到具有3个配线层由导电孔相互电连接的印刷配线板40。
因此,根据第三实施方式,对于3个配线层,2块配线基材就足够,因而能够削减印刷配线板的制造中所需要的材料,还能够简化制造工序。其结果是,能够削减制造成本,并能够以低价提供印刷配线板。
进而,由于配线基材10、30的导电糊剂的突起量均匀,因而能够制造具有高可靠性的层间导电路的印刷配线板。
另外,上述印刷配线板40的制造方法中,在将配线基材10与配线基材30层叠的层叠工序之前,将金属箔2、金属箔22图案化而形成接受连接盘等的预定图案,但本发明不限于此。例如,也可以在加热工序之后将金属箔2和22图案化。
此外,对于具有3层配线层的印刷配线板进行了说明,但本发明可以适用于具有4层以上配线层的印刷配线板。
<保护膜>
如上所述,保护膜6为具有绝缘树脂膜4和金属薄膜5的带有金属薄膜的保护膜,在制造具备由导电糊剂形成的导电孔的印刷配线板时,通过微粘着材或粘接剂而可剥离地粘贴于覆金属箔层叠板。覆金属箔层叠板可以是单面覆金属箔层叠板,或也可以是双面覆金属箔层叠板。
如前所述,金属薄膜5具有如下厚度,即,在激光加工工序中被激光容易地贯通,并在等离子体处理工序中绝缘树脂膜4不受到等离子体蚀刻,且在软蚀刻工序中被除去的厚度。
通过使用保护膜6,从而在等离子体处理工序中能够防止蚀刻效率的降低,并且能够保护粘贴于覆金属箔层叠板的绝缘树脂膜。其结果是,能够防止等离子体处理工序的效率以及导电糊剂的收获率降低并且能够使导电糊剂9的突起量均匀。
基于上述记载,如果是本领域技术人员,则有可能会想到本发明的追加效果、各种变形,但本发明的实施方式不限于上述实施方式。可以在不脱离从权利要求中所规定的内容及其均等物导出的本发明的概念性构思和主旨的范围内,进行各种追加、变更以及部分削除。

Claims (12)

1.一种印刷配线板的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
准备覆金属箔层叠板的工序,所述覆金属箔层叠板具备具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面的绝缘基座基材以及在所述第二主面形成的金属箔;
准备保护膜的工序,所述保护膜具备具有第三主面和与所述第三主面相反一侧的第四主面的绝缘树脂膜以及在所述第三主面形成的金属薄膜;
粘贴工序,以所述第一主面与所述第四主面相对的方式将所述保护膜贴合于所述覆金属箔层叠板;
激光加工工序,通过对所述保护膜的预定部位照射激光,从而形成在底面露出所述金属箔的有底导通孔;
等离子体处理工序,通过等离子体蚀刻来除去存在于所述有底导通孔的内部的树脂残渣;
软蚀刻工序,通过湿式蚀刻来除去在所述有底导通孔的底面露出的所述金属箔的背面处理膜以及所述金属薄膜;
使用印刷方法在所述有底导通孔内填充导电糊剂的工序;以及
剥离所述绝缘树脂膜的剥离工序。
2.如权利要求1所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,所述金属薄膜具有下述厚度,即,在所述激光加工工序中由所述激光贯通且在所述等离子体处理工序中所述绝缘树脂膜不受到等离子体蚀刻的厚度。
3.如权利要求2所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,所述金属薄膜的厚度为0.08μm以上0.12μm以下。
4.如权利要求2或3所述的印刷配线板的制造方法,所述金属薄膜由铜、铝或镍形成。
5.如权利要求2~4中任一项所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,所述金属薄膜由与所述金属箔相同的材料形成。
6.如权利要求1~5中任一项所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,所述粘贴工序中,所述保护膜通过在所述绝缘树脂膜的所述第四主面上形成的微粘着材而贴合于所述覆金属箔层叠板。
7.如权利要求1~5中任一项所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,所述粘贴工序中,所述保护膜通过在所述绝缘基座基材的所述第一主面上形成的粘接剂层而贴合于所述覆金属箔层叠板。
8.如权利要求1~7中任一项所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,作为所述覆金属箔层叠板,准备进一步具有形成在所述绝缘基座基材的所述第一主面上的第二金属箔的双面覆金属箔层叠板;
在所述粘贴工序之前,进一步具备:
将所述第二金属箔图案化而形成穿孔加工用掩模的工序,以及
形成粘接剂层的工序,所述粘接剂层在所述绝缘基座基材的所述第一主面上形成且将经过所述图案化的所述第二金属箔埋没;
在所述粘贴工序中,以所述绝缘树脂膜与所述粘接剂层粘接的方式将所述保护膜层叠在所述粘接剂层上。
9.如权利要求1~8中任一项所述的印刷配线板的制造方法,其特征在于,进一步具备:
将通过所述剥离工序得到的、具有所述导电糊剂的突出部的第一和第二配线基材,以所述突出部彼此抵接的方式层叠的工序,以及
将所述层叠后的第一配线基材以及第二配线基材加热并一体化的工序。
10.一种保护膜,其特征在于,是贴合于覆金属箔层叠板的保护膜,所述覆金属箔层叠板具备具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面的绝缘基座基材以及在所述第二主面形成的金属箔,
所述保护膜具备具有第三主面和与所述第三主面相反一侧的第四主面的绝缘树脂膜以及在所述第三主面形成的金属薄膜,
介由微粘着材或粘接材层,以所述第四主面与所述第一主面相对的方式贴合。
11.如权利要求10所述的保护膜,其特征在于,
所述金属薄膜具有下述厚度,即,
在通过对所述保护膜的预定部位照射激光而形成在底面露出所述金属箔的有底导通孔的激光加工工序中,易于由所述激光贯通,
在通过等离子体蚀刻来除去存在于所述有底导通孔内部的树脂残渣的等离子体处理工序中,所述绝缘树脂膜不受到等离子体蚀刻,且
在通过湿式蚀刻来除去在所述有底导通孔的底面露出的所述金属箔的背面处理膜的软蚀刻工序中被除去的厚度。
12.如权利要求11所述的保护膜,其特征在于,所述金属薄膜的厚度为0.08μm以上0.12μm以下。
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