CN108667443A - 一种上电复位电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种上电复位电路，包括：滤波模块、电压阈值检测模块、上电复位信号产生模块、上电复位信号延时模块和上电复位信号逻辑转换模块；其中，所述滤波模块用于过滤所述开关电源产生的噪声，所述电压阈值检测模块用于检测比较所述开关电源的电压和预设阈值电压，所述上电复位信号产生模块用于当所述开关电源的电压大于所述预设阈值电压时，产生上电复位信号，所述上电复位信号延时模块用于对所述上电复位信号进行延时处理，所述上电复位信号逻辑转换模块用于将所述上电复位信号从模拟信号转换为数字逻辑信号。该上电复位电路是一种基于开关电源的具有抗干扰能力的上电复位电路，适用于开关电源芯片。
Description
技术领域
本发明涉及电源管理芯片技术领域，更具体地说，尤其涉及一种上电复位电路。
背景技术
随着科学技术的不断发展，各种各样的电子设备已广泛应用于人们的日常生活以及工作中，为人们的生活以及工作带来了极大的便利。
其中，芯片在上电时需要产生上电复位信号，以通知控制模块上电启动已经完成，并将芯片内部寄存器复位，使数字电路从默认初始状态开始工作。传统的上电复位电路大致分为电容电阻结构和电平触发结构，电容电阻结构通过比较电源电压和MOS管的阈值产生指示信号，再采用电容电阻乘积的时间常数做延迟产生复位信号，其优点是上电过程结束后不消耗静态电流，缺点是无法在慢速上电过程中产生复位信号，并且抗干扰能力差，随温度和工艺等因素的影响较大，电平触发结构是通过比较电源电压的分压电压和芯片内部基准电压，当电源电压的分压电压大于基准电压后释放上电复位信号，其优点是可以精确设置释放复位信号对应的电源电压，缺点是在通常的芯片上电时序中，内部基准电压是在上电复位信号产生后才开始启动，因此传统的上电复位电路会大乱芯片原有的上电时序，可行性较差。
如图1所示，MOS管M1的栅极B端的电压为电容C0两端的电压，等于电源电压VDD，当电源电压VDD低于MOS管M1的阈值电压时，MOS管M1断开，信号输出端PORB输出低电平，使电路保持复位状态。当电源电压VDD逐渐升高时，通过给C0充电使B点电位高于MOS管M1的阈值电压时，MOS管M1完全导通，信号输出端PORB的输出变为高电平，电路复位信号解除，芯片开始正常工作。其中，电阻R4为限流电阻，电阻R3和电容C1构成RC滤波电路，产生RC上电复位延时。
但是，图1所示的电路抗干扰能力低，在开关电源中电源电压上有比较大的高频噪声纹波抖动，会导致该电路的上电复位信号误翻，不适用于开关电源芯片。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种上电复位电路，该上电复位电路是一种基于开关电源的具有抗干扰能力的上电复位电路。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种上电复位电路，应用于开关电源，所述上电复位电路包括：滤波模块、电压阈值检测模块、上电复位信号产生模块、上电复位信号延时模块和上电复位信号逻辑转换模块；
其中，所述滤波模块用于过滤所述开关电源产生的噪声，所述电压阈值检测模块用于检测比较所述开关电源的电压和预设阈值电压，所述上电复位信号产生模块用于当所述开关电源的电压大于所述预设阈值电压时，产生上电复位信号，所述上电复位信号延时模块用于对所述上电复位信号进行延时处理，所述上电复位信号逻辑转换模块用于将所述上电复位信号从模拟信号转换为数字逻辑信号。
优选的，在上述上电复位电路中，所述滤波模块包括：第一电阻和第一电容；
其中，所述第一电阻的一端和所述开关电源的电压端连接，所述第一电阻的另一端和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地连接。
优选的，在上述上电复位电路中，所述电压阈值检测模块包括：第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管；
其中，所述第一场效应管的源极接地连接，所述第一场效应管的栅极分别与所述第二场效应管的漏极和所述第三场效应管的漏极连接，所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极连接，所述第二场效应管的栅极与所述第二场效应管的漏极连接，所述第二场效应管的源极和所述第三场效应管的源极分别与所述第一电阻的另一端连接。
优选的，在上述上电复位电路中，所述第一场效应管为N型场效应管，所述第二场效应管和所述第三场效应管为P型场效应管。
优选的，在上述上电复位电路中，所述上电复位信号产生模块包括：第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第二电容；
其中，所述第四场效应管的栅极与所述第一场效应管的漏极和所述第三场效应管的栅极的连接节点连接，所述第四场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三场效应管的源极连接，所述第四场效应管的漏极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第一场效应管的源极连接；
所述第五场效应管的栅极与所述第四场效应管的漏极和所述第三电阻的一端的连接节点连接，所述第五场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接，所述第五场效应管的漏极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述第二电阻的另一端连接；
所述第六场效应管的栅极与所述第五场效应管的漏极和所述第四电阻的一端的连接节点连接，所述第六场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接，所述第六场效应管的漏极与所述第七场效应管的漏极连接，所述第七场效应管的源极与所述第四电阻的另一端连接，所述第七场效应管的栅极与所述第一场效应管的栅极和所述第三场效应管的漏极的连接节点连接；
所述第二电容的一端与所述第五场效应管的栅极连接，所述第二电容的另一端与所述第一场效应管的源极连接。
优选的，在上述上电复位电路中，所述第五场效应管和所述第六场效应管为N型场效应管，所述第四场效应管和所述第七场效应管为P型场效应管。
优选的，在上述上电复位电路中，所述上电复位信号延时模块包括：第五电阻和第三电容；
其中，所述第五电阻的一端与所述第三电容的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第七场效应管的源极连接，所述第三电容的另一端接地连接，所述第五电阻的一端和所述第三电容的一端的连接节点与所述第七场效应管的漏极连接。
优选的，在上述上电复位电路中，所述上电复位信号逻辑转换模块包括：第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管、第一反向器和第二反向器；
其中，所述第八场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接，所述第八场效应管的漏极与所述第九场效应管的漏极连接，所述第八场效应管的栅极与所述第九场效应管的栅极连接，所述第八场效应管的栅极和所述第九场效应管的栅极的连接节点与所述第五电阻的一端和所述第三电容的一端的连接节点连接；
所述第九场效应管的源极与所述第五电阻的另一端连接，所述第十场效应管的漏极与所述第八场效应管的漏极和所述第九场效应管的漏极的连接节点连接，所述第十场效应管的源极与所述第十一场效应管的漏极连接，所述第十一场效应管的栅极与所述第九场效应管的栅极连接，所述第十一场效应管的源极与所述第九场效应管的源极连接；
所述第一反向器的一端与所述第十场效应管的漏极连接，所述第一反向器的另一端与所述第二反向器的一端连接，所述第二反向器的另一端与信号输出端连接；
所述第十场效应管的栅极与所述第一反向器的另一端和所述第二反向器的一端的连接节点连接，所述第十二场效应管的漏极与所述第一反向器的另一端和所述第二反向器的一端的连接节点连接，所述第十二场效应管的栅极与所述第六场效应管的栅极连接，所述第十二场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接。
优选的，在上述上电复位电路中，所述第八场效应管和所述第十二场效应管为N型场效应管，所述第九场效应管、所述第十场效应管和所述第十一场效应管为P型场效应管。
通过上述描述可知，本发明提供的一种上电复位电路包括：滤波模块、电压阈值检测模块、上电复位信号产生模块、上电复位信号延时模块和上电复位信号逻辑转换模块；其中，所述滤波模块用于过滤所述开关电源产生的噪声，所述电压阈值检测模块用于检测比较所述开关电源的电压和预设阈值电压，所述上电复位信号产生模块用于当所述开关电源的电压大于所述预设阈值电压时，产生上电复位信号，所述上电复位信号延时模块用于对所述上电复位信号进行延时处理，所述上电复位信号逻辑转换模块用于将所述上电复位信号从模拟信号转换为数字逻辑信号。
也就是说，该上电复位电路通过将开关电源的电压和预设阈值电压进行比较，当开关电源的电压和预设阈值电压满足一定条件时，上电复位电路才可以产生上电复位信号，通过灵活设置预设阈值电压，可提高上电复位电路的抗干扰性，适用于开关电源芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的一种上电复位电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种上电复位电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种上电复位电路的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种上电复位电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种上电复位电路的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种上电复位电路的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种上电复位电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图2，图2为本发明实施例提供的一种上电复位电路的结构示意图；所述上电复位电路包括：滤波模块21、电压阈值检测模块22、上电复位信号产生模块23、上电复位信号延时模块24和上电复位信号逻辑转换模块25；
其中，所述滤波模块21用于过滤所述开关电源产生的噪声，所述电压阈值检测模块22用于检测比较所述开关电源的电压和预设阈值电压，所述上电复位信号产生模块23用于当所述开关电源的电压大于所述预设阈值电压时，产生上电复位信号，所述上电复位信号延时模块24用于对所述上电复位信号进行延时处理，所述上电复位信号逻辑转换模块25用于将所述上电复位信号从模拟信号转换为数字逻辑信号。
基于背景技术中而言，如图1所示，当电源电压VDD低于MOS管M1的阈值电压时，MOS管M1断开，输出信号端PORB输出低电平，使电路保持复位状态。当电源电压VDD逐渐升高时，通过给C0充电使B点电位高于MOS管M1的阈值电压时，MOS管M1完全导通，信号输出端PORB的输出变为高电平，电路复位信号解除，芯片开始正常工作，即传统的上电复位电路只比较一个MOS管的阈值电压，而本发明中所述电压阈值检测模块22可选的为两倍电压阈值检测模块，也就是说，例如芯片能够正常工作的电源电压至少大于N型MOS管的阈值电压Vthn和P型MOS管的阈值电压Vthp之和，即VDD＞Vthn+Vthp，所述电压阈值检测模块22才可以确保电源电压足够大，才可以发出上电复位使能信号，极大程度的提高了上电复位电路的抗干扰性。
进一步的，如图3所示，所述滤波模块21包括：第一电阻R1和第一电容C1。
其中，所述第一电阻R1的一端和所述开关电源的电压端VDD连接，所述第一电阻R1的另一端和所述第一电容C1的一端连接，所述第一电容C1的另一端接地连接。
具体的，所述滤波模块21为高频滤波模块，用于滤出开关电源所产生的高频噪声，防止高频噪声对后级电路造成影响，进一步增强了电路稳定性和可靠性。
进一步的，如图4所示，所述电压阈值检测模块22包括：第一场效应管MN1、第二场效应管MP1和第三场效应管MP2。
其中，所述第一场效应管MN1的源极接地连接，所述第一场效应管MN1的栅极分别与所述第二场效应管MP1的漏极和所述第三场效应管MP2的漏极连接，所述第一场效应管MN1的漏极与所述第三场效应管MP2的栅极连接，所述第二场效应管MP1的栅极与所述第二场效应管MP1的漏极连接，所述第二场效应管MP1的源极和所述第三场效应管MP2的源极分别与所述第一电阻R1的另一端连接。
具体的，所述电压阈值检测模块22可选的为两倍电压阈值检测模块，也就是说，例如芯片能够正常工作的电源电压至少大于N型MOS管的阈值电压Vthn和P型MOS管的阈值电压Vthp之和，即VDD＞Vthn+Vthp，所述电压阈值检测模块才可以确保电源电压足够大，才可以发出上电复位使能信号，极大程度的提高了上电复位电路的抗干扰性。
可选的，所述第一场效应管MN1为N型场效应管，所述第二场效应管MP1和所述第三场效应管MP2为P型场效应管。
进一步的，如图5所示，所述上电复位信号产生模块23包括：第四场效应管MP3、第五场效应管MN2、第六场效应管MN3、第七场效应管MP4、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第二电容C2。
其中，所述第四场效应管MP3的栅极与所述第一场效应管MN1的漏极和所述第三场效应管MP2的栅极的连接节点Vc连接，所述第四场效应管MP3的源极与所述第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述第三场效应管MP2的源极连接，所述第四场效应管MP3的漏极与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与所述第一场效应管MN1的源极连接。
所述第五场效应管MN2的栅极与所述第四场效应管MP3的漏极和所述第三电阻R3的一端的连接节点Vd连接，所述第五场效应管MN2的源极与所述第一场效应管MN1的源极连接，所述第五场效应管MN2的漏极与所述第四电阻R4的一端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述第二电阻R2的另一端连接。
所述第六场效应管MN3的栅极与所述第五场效应管MN2的漏极和所述第四电阻R4的一端的连接节点Ve连接，所述第六场效应管MN3的源极与所述第一场效应管MN1的源极连接，所述第六场效应管MN3的漏极与所述第七场效应管MP4的漏极连接，所述第七场效应管MP4的源极与所述第四电阻R4的另一端连接，所述第七场效应管MP4的栅极与所述第一场效应管MN1的栅极和所述第三场效应管MP2的漏极的连接节点Vb连接。
所述第二电容C2的一端与所述第五场效应管MN2的栅极连接，所述第二电容C2的另一端与所述第一场效应管MN1的源极连接。
具体的，所述上电复位信号产生模块23用于在所述电压阈值检测模块22发出上电复位使能信号后，通过分压检测判断，产生上电复位信号。
可选的，所述第五场效应管MN2和所述第六场效应管MN3为N型场效应管，所述第四场效应管MP3和所述第七场效应管MP4为P型场效应管。
进一步的，如图6所示，所述上电复位信号延时模块24包括：第五电阻R5和第三电容C3。
其中，所述第五电阻R5的一端与所述第三电容C3的一端连接，所述第五电阻R5的另一端与所述第七场效应管MP4的源极连接，所述第三电容C3的另一端接地连接，所述第五电阻R5的一端和所述第三电容C3的一端的连接节点Vf与所述第七场效应管MP4的漏极连接。
具体的，所述上电复位信号延时模块24用于对所述上电复位信号产生模块23产生的上电复位信号进行延时。
进一步的，如图7所示，所述上电复位信号逻辑转换模块25包括：第八场效应管MN4、第九场效应管MP5、第十场效应管MP7、第十一场效应管MP6、第十二场效应管MN5、第一反向器INV1和第二反向器INV2。
其中，所述第八场效应管MN4的源极与所述第一场效应管MN1的源极连接，所述第八场效应管MN4的漏极与所述第九场效应管MP5的漏极连接，所述第八场效应管MN4的栅极与所述第九场效应管MP5的栅极连接，所述第八场效应管MN4的栅极和所述第九场效应管MP5的栅极的连接节点与所述第五电阻R5的一端和所述第三电容C3的一端的连接节点Vf连接。
所述第九场效应管MP5的源极与所述第五电阻R5的另一端连接，所述第十场效应管MP7的漏极与所述第八场效应管MN4的漏极和所述第九场效应管MP5的漏极的连接节点Vg连接，所述第十场效应管MP7的源极与所述第十一场效应管MP6的漏极连接，所述第十一场效应管MP6的栅极与所述第九场效应管MP5的栅极连接，所述第十一场效应管MP6的源极与所述第九场效应管MP5的源极连接。
所述第一反向器INV1的一端与所述第十场效应管MP7的漏极连接，所述第一反向器INV1的另一端与所述第二反向器INV2的一端连接，所述第二反向器INV2的另一端与信号输出端POR连接。
所述第十场效应管MP7的栅极与所述第一反向器INV1的另一端和所述第二反向器INV2的一端的连接节点连接，所述第十二场效应管MN5的漏极与所述第一反向器INV1的另一端和所述第二反向器INV2的一端的连接节点连接，所述第十二场效应管MN5的栅极与所述第六场效应管MN3的栅极连接，所述第十二场效应管MN5的源极与所述第一场效应管MN1的源极连接。
具体的，所述上电复位信号逻辑转换模块25用于将所述上电复位信号延时模块24延时后的上电复位信号的模拟信号转换为数字逻辑信号，再提供给后续的控制系统。
可选的，所述第八场效应管MN4和所述第十二场效应管MN5为N型场效应管，所述第九场效应管MP5、所述第十场效应管MP7和所述第十一场效应管MP6为P型场效应管。
基于本发明提供的上电复位电路，所述电压阈值检测模块为两倍电压阈值检测模块，即所述电压阈值检测模块的预设电压阈值设置为N型MOS管的阈值电压Vthn和P型MOS管的阈值电压Vthp之和Vthn+Vthp。
当电源电压VDD小于Vthn时，Va小于Vthn，N型MOS管MN1截止，Vd的电压为低电平，Ve＝VDD＜Vthn，N型MOS管MN5截止，Vh＝VDD，此时上电复位电路的信号输出端POR为低电平，此时上电复位信号无效；
当电源电压VDD大于Vthn，且小于Vthp时，Va＝VDD-Vthp＜Vthn，P型MOS管MP3和N型MOS管MN2截止，Ve＝VDD＜Vthn，N型MOS管导通，Vh的电压被拉为低电平，上电复位电路的信号输出端POR翻为高电平，上电复位信号被锁定；
当电源电压VDD大于Vthn+Vthp，且小于Vthn*(R2+R3)/R3时，Va＝VDD-Vthp＞Vthn，Vc翻转为低电平，P型MOS管MP3导通，Vd＜Vthn，Ve为高电平，Vh为低电平，上电复位电路的信号输出端POR维持高电平；
当电源电压VDD大于Vthn*(R2+R3)/R3时，Va＞Vthn，Vc为低电平，Vd＞Vthn，Ve翻转为低电平，N型MOS管MN5截止，此时Vb为低电平，VDD将Vf点逐渐充电至高电平，Vg翻转为低电平，Vh翻转为高电平，上电复位电路的信号输出端POR翻转为低电平，此时上电复位电路产生上电复位信号。
由上可得，上电复位电路的上电复位信号的翻转阈值为Vthn*(R2+R3)/R3＞Vthn+Vthp，这样就可以在后级MOS管电路的最小工作电压Vthn+Vthp之上留有一定的裕量，以确保在工艺偏差的情况下上电复位信号释放后，后级电路也可以正常开启，这样也就进一步提高了上电复位电路的稳定性。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种上电复位电路，应用于开关电源，其特征在于，所述上电复位电路包括：滤波模块、电压阈值检测模块、上电复位信号产生模块、上电复位信号延时模块和上电复位信号逻辑转换模块；
其中，所述滤波模块用于过滤所述开关电源产生的噪声，所述电压阈值检测模块用于检测比较所述开关电源的电压和预设阈值电压，所述上电复位信号产生模块用于当所述开关电源的电压大于所述预设阈值电压时，产生上电复位信号，所述上电复位信号延时模块用于对所述上电复位信号进行延时处理，所述上电复位信号逻辑转换模块用于将所述上电复位信号从模拟信号转换为数字逻辑信号。
2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述滤波模块包括：第一电阻和第一电容；
其中，所述第一电阻的一端和所述开关电源的电压端连接，所述第一电阻的另一端和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地连接。
3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电压阈值检测模块包括：第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管；
其中，所述第一场效应管的源极接地连接，所述第一场效应管的栅极分别与所述第二场效应管的漏极和所述第三场效应管的漏极连接，所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极连接，所述第二场效应管的栅极与所述第二场效应管的漏极连接，所述第二场效应管的源极和所述第三场效应管的源极分别与所述第一电阻的另一端连接。
4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一场效应管为N型场效应管，所述第二场效应管和所述第三场效应管为P型场效应管。
5.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位信号产生模块包括：第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第二电容；
其中，所述第四场效应管的栅极与所述第一场效应管的漏极和所述第三场效应管的栅极的连接节点连接，所述第四场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第三场效应管的源极连接，所述第四场效应管的漏极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第一场效应管的源极连接；
所述第五场效应管的栅极与所述第四场效应管的漏极和所述第三电阻的一端的连接节点连接，所述第五场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接，所述第五场效应管的漏极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述第二电阻的另一端连接；
所述第六场效应管的栅极与所述第五场效应管的漏极和所述第四电阻的一端的连接节点连接，所述第六场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接，所述第六场效应管的漏极与所述第七场效应管的漏极连接，所述第七场效应管的源极与所述第四电阻的另一端连接，所述第七场效应管的栅极与所述第一场效应管的栅极和所述第三场效应管的漏极的连接节点连接；
所述第二电容的一端与所述第五场效应管的栅极连接，所述第二电容的另一端与所述第一场效应管的源极连接。
6.根据权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于，所述第五场效应管和所述第六场效应管为N型场效应管，所述第四场效应管和所述第七场效应管为P型场效应管。
7.根据权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位信号延时模块包括：第五电阻和第三电容；
其中，所述第五电阻的一端与所述第三电容的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第七场效应管的源极连接，所述第三电容的另一端接地连接，所述第五电阻的一端和所述第三电容的一端的连接节点与所述第七场效应管的漏极连接。
8.根据权利要求7所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位信号逻辑转换模块包括：第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管、第一反向器和第二反向器；
其中，所述第八场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接，所述第八场效应管的漏极与所述第九场效应管的漏极连接，所述第八场效应管的栅极与所述第九场效应管的栅极连接，所述第八场效应管的栅极和所述第九场效应管的栅极的连接节点与所述第五电阻的一端和所述第三电容的一端的连接节点连接；
所述第九场效应管的源极与所述第五电阻的另一端连接，所述第十场效应管的漏极与所述第八场效应管的漏极和所述第九场效应管的漏极的连接节点连接，所述第十场效应管的源极与所述第十一场效应管的漏极连接，所述第十一场效应管的栅极与所述第九场效应管的栅极连接，所述第十一场效应管的源极与所述第九场效应管的源极连接；
所述第一反向器的一端与所述第十场效应管的漏极连接，所述第一反向器的另一端与所述第二反向器的一端连接，所述第二反向器的另一端与信号输出端连接；
所述第十场效应管的栅极与所述第一反向器的另一端和所述第二反向器的一端的连接节点连接，所述第十二场效应管的漏极与所述第一反向器的另一端和所述第二反向器的一端的连接节点连接，所述第十二场效应管的栅极与所述第六场效应管的栅极连接，所述第十二场效应管的源极与所述第一场效应管的源极连接。
9.根据权利要求8所述的上电复位电路，其特征在于，所述第八场效应管和所述第十二场效应管为N型场效应管，所述第九场效应管、所述第十场效应管和所述第十一场效应管为P型场效应管。
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