CN108615741A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光装置，包括基板、发光二极管、第一电极、第二电极、第一磁性元件以及第二磁性元件。基板具有第一接垫与第二接垫。第一电极与第二电极位于发光二极管上。第一电极电性连接至第一接垫，第二电极电性连接至第二接垫。第一磁性元件形成于基板上，大致环绕第一电极，且不接触第一接垫与第二接垫。第二磁性元件形成于发光二极管之侧边，且大致位于第一磁性元件的上方，其中第一磁性元件与第二磁性元件系为磁性相吸。本发明还提出一种发光装置的制造方法。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于具有磁性元件的发光装置及其制造方法。
背景技术
微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Device Display，micro LEDdisplay)为新一代的显示技术，其关键技术在于如何将大量的微型发光二极管转移至像素阵列基板上。
然而，转移技术为机械式操作，转移技术的成效取决于机台精度以及转印器件本身的精度与良率。当提取微型发光二极管时会遇到机台作动误差及转印器件精度误差，放置微型发光二极管时则会面临另一次机台作动对位偏差，若微型发光二极管并未放至于正确的位置，将使得微型发光二极管无法正常运作。因此，目前亟需一种能够解决前述问题的方法。
发明内容
本发明提供一种发光装置，其具有较高的产品良率。
本发明亦提供一种发光装置的制造方法，可以提升微型发光二极管的对位精度。
本发明的一种发光装置，包括基板、发光二极管、第一电极、第二电极、第一磁性元件以及第二磁性元件。基板具有一第一接垫与一第二接垫。发光二极管位于基板上。第一电极与第二电极位于发光二极管上。第一电极电性连接至第一接垫。第二电极电性连接至第二接垫。第一磁性元件形成于基板上，大致环绕第一电极，且不接触第一接垫与第二接垫。第二磁性元件形成于发光二极管之侧边，且大致位于第一磁性元件的上方，其中第一磁性元件与第二磁性元件系为磁性相吸。
本发明的一种发光装置的制造方法，包括：提供具有第一接垫与第二接垫的基板；形成第一磁性元件于基板上；形成发光二极管于生长基板上；形成第二磁性元件于发光二极管之侧边；将发光二极管以及第二磁性元件转置于基板上，且第二磁性元件与第一磁性元件磁性相吸；固定发光二极管于基板上；电性连接发光二极管与第一接垫；以及电性连接发光二极管与第二接垫。
基于上述，通过第二磁性元件大致位于第一磁性元件的上方，并当接近至一定距离后产生的磁性相吸，进而达到自组装的效果。如此一来，具有上述的磁性元件能提升微型发光二极管的对位精度，使得制造出的发光装置具有较高的产品良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。
图2A～图2G是图1所示发光装置的制造方法的剖面示意图。
图3是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。
图4是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。
图5A～图5F是图4所示发光装置的制造方法的剖面示意图。
图6是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。
图7是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。
图8A～图8C是依照本发明一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图。
其中，附图标记：
10、20、30、40、50：发光装置 100：基板
110：第一磁性元件 112、142：光阻材料
114、144：磁性粒子 120A：第一导电结构
120B：第二导电结构 200：生长基板
130、430：发光二极管 132、432：第一电极
134、434：第二电极 138：反射层
136、436：绝缘层 140：第二磁性元件
210：牺牲层 220、420、420’：系链结构
230：中介基板 300：拾取结构
L1：第一导线 L2：第二导线
410：黏着层 CH：通道
COM：共享电极 D：汲极
DL：资料线 G：闸极
LL：发光层 P：光阻层
P1：第一接垫 P2：第二接垫
S：源极 SL：扫描线
SM1、SM2：半导体层 T：开关元件
W1、W2：宽度
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实际上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实际上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实际上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式展示。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。然而，电性连接为二个元件间存在其它元件。
应当理解，尽管术语“第一”与“第二”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“约”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
图1是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图2A～图2G是图1所示发光装置的制造方法的剖面示意图。图2G是沿图1之AA’线剖面的示意图，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。
请参考图2A，提供基板100。基板100具有第一接垫P1与第二接垫P2。第一接垫P1与第一导线L1电性连接。第二接垫P2与第二导线L2电性连接。第一接垫P1与第二接垫P2垂直投影于基板100上的形状例如是圆形、椭圆形或多边形，但本发明并不限于此。
于基板100上形成第一磁性元件110，其中第一磁性元件110大致环绕第一接垫P1(例如是于垂直基板100的方向上观察)，且第一磁性元件110不接触第一接垫P1与第二接垫P2。第一磁性元件110具有宽度W1。在本实施例中，第一磁性元件110包含光阻材料112以及分散于其中的多个磁性粒子114。由于第一磁性元件110包含光阻材料112，因此第一磁性元件110可通过黄光制程获得所欲形成的形状及大小，以提升制程的简易性。在一些实施例中，光阻材料112例如包括负型光阻树脂或正型光阻树脂，磁性粒子114例如包括铁、钴、镍、钆等铁磁材料或是铁磁材料合金或是铁磁与非铁磁材料合金之组合，然而本发明不以此为限。在本实施例中，磁性粒子114的粒径小于350纳米(nm)，较佳为5nm～50nm。如此一来，可减少磁性粒子114造成的紫外线曝光散射，提升第一磁性元件110的制程良率。
请参考图2B，于第一接垫P1上形成第一导电结构120A，其中第一磁性元件110环绕第一导电结构120A。形成第一导电结构120A的方法例如选自印刷、电镀、沉积及微影制程。
第一导电结构120A例如为焊料，第一导电结构120A的材料可以包括金属、导电有机物、导电胶材或是其组合。第一导电结构120A垂直投影于基板100上的形状例如是圆形、椭圆形或其他几何形状，但本发明并不限于此。
请参考图2C，于生长基板200上形成发光二极管130。生长基板200可为蓝宝石基板、磷化镓基板、砷化镓基板、碳化硅基板或是其他可适用的基板。发光二极管130例如包括半导体层SM1、发光层LL、半导体层SM2以及绝缘层136。在一些实施例中，发光二极管130还包括反射层138。反射层138位于发光二极管130的表面，但本发明不以此为限。反射层138的材料例如包括铝、银或是其组合，然而本发明不以此为限。半导体层SM1与半导体层SM2例如是不同导电型态的半导体层。举例而言，若半导体层SM1为N型半导体层，则半导体层SM2为P型半导体层，然而本发明不以此为限。绝缘层136环绕半导体层SM1、发光层LL及半导体层SM2。反射层138位于绝缘层136上。绝缘层136及反射层138暴露出部份的半导体层SM2的表面。形成第一电极132于半导体层SM2上。在本实施例中，发光二极管130可以是垂直式发光二极管，但本发明不以此为限。在另一些实施例中，发光二极管130亦可以是水平式发光二极管。
接着，于发光二极管130之侧边形成第二磁性元件140。在本实施例中，第二磁性元件140包括互相分离的多个部分，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二磁性元件140环绕发光二极管130一圈，且并未包括互相分离的部分。在本实施例中，第二磁性元件140包含光阻材料142以及分散于其中的多个磁性粒子144。由于第二磁性元件140包含光阻材料142，因此可通过黄光制程获得所欲形成的形状及大小，以提升制程的简易性。在一些实施例中，光阻材料142例如包括负型光阻树脂或正型光阻树脂，磁性粒子144例如包括铁、钴、镍或其他材料或是多种材料的组合，然而本发明不以此为限。在本实施例中，磁性粒子144的粒径小于350nm，较佳为5nm～50nm。如此一来，可减少磁性粒子144造成的紫外线曝光散射，提升第二磁性元件140的制程良率。此外，磁性粒子144的磁化率为5×10-4～0.5emu/g可具有适当的磁吸能力，以执行自组装的制程。
第二磁性元件140的宽度W2较佳大于第一磁性元件110的宽度W1，以使第二磁性元件140于后续的制程中更容易对准于第一磁性元件110，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第二磁性元件140的高度加上第一磁性元件110的高度大于或等于发光二极管130的高度。此外，第一磁性元件110与第二磁性元件140可以是相同的材料，亦可以是不同的材料。也就是说，光阻材料112及光阻材料142可以是相同或是不同的材料，磁性粒子114及磁性粒子144可以是相同或是不同的材料，只要第一磁性元件110与第二磁性元件140能够磁性相吸即可。
请参考图2D，形成牺牲层210包覆第二磁性元件140以及发光二极管130。接着，于第二磁性元件140以及发光二极管130上形成系链结构220及中介基板230。系链结构220至少部分接触于发光二极管130、发光二极管130上的第一电极132、绝缘层136或反射层138。举例来说，牺牲层210具有暴露出第一电极132的开口，且系链结构220透过牲层210之开口而与第一电极132接触。
请参考图2E，移除生长基板200，以暴露出发光二极管130的半导体SM1的表面。形成第二电极134于半导体SM1的表面上。移除牺牲层210，其中第二电极134例如是形成于移除牺牲层210之前，但本发明不以此为限。
请参考图2F，以拾取结构300同时拾取多个发光二极管130、第一电极132、第二电极134以及位于每一个发光二极管130的两侧的第二磁性元件140，为了方便示意，图2F以拾取一个发光二极管130及其周围的元件为例。在前述的拾取过程中，发光二极管130因拾取所产生的机械力而从系链结构220及中介基板230上剥离。在一些实施例中，拾取结构300可以是利用真空吸引力、静电吸附力或是凡德瓦尔力(Van DerWaals force)以吸附发光二极管130及第二磁性元件140。在一些实施例中，拾取结构300的材料例如包括聚二甲基硅氧烷、橡胶或其它合适的材料。在本实施例中，拾取结构300的材料为聚二甲基硅氧烷，并利用凡德瓦尔力吸附发光二极管130及第二磁性元件140。
接着，将发光二极管130、第一电极132、第二电极134及第二磁性元件140转置于基板100上。并且，第二磁性元件140大致位于第一磁性元件110的上方，使得第二磁性元件140与第一磁性元件110能磁性相吸。因此，第二磁性元件140及第一磁性元件110之间的磁性相吸可以改善转置过程中产生偏差的问题。
请参考图1与图2G，将发光二极管130固定于基板100上，以基本上大致完成发光装置10的制造过程。第一磁性元件110之内缘与发光二极管130之间的距离G小于10μm，较佳为1μm～4μm，因此，发光二极管130能较佳的对位于基板100上。在本实施例中，第一磁性元件110连续地环绕发光二极管130，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一磁性元件110亦可以是不连续地环绕发光二极管130。
第一电极132通过第一导电结构120A电性连接至第一接垫P1。形成第二导电结构120B以电性连接第二电极134至第二接垫P2。第二导电结构120B的材料可为金属、铟锡氧化物、铟锌氧化物、导电有机物、导电胶材或是其他可适用的材料。
请参考图1，像素结构设置于基板100中，每一像素结构跟对应的扫描线SL与资料线DL电性连接。扫描线SL与资料线DL彼此交错设置，且扫描线SL与资料线DL之间夹有绝缘层(未绘示)。换句话说，扫描线SL的延伸方向与资料线DL的延伸方向不平行，较佳的是扫描线SL的延伸方向与资料线DL的延伸方向垂直。基于导电性的考量，扫描线SL与资料线DL一般是使用金属材料，但本发明不限于此。
在本实施例中，像素结构包括开关元件T。开关元件T与扫描线SL以及资料线DL电性连接，且发光二极管130与开关元件T电性连接。开关元件T包括闸极G、通道CH、源极S以及汲极D。闸极绝缘层(未绘示)设置在通道CH与闸极G之间。源极S以及汲极D分别与通道CH电性连接。开关元件T的闸极G与扫描线SL连接，且开关元件T的源极S与资料线DL连接。此外，开关元件T的汲极D与发光二极管130电性连接。本实施例中之开关元件T是以底部闸极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，上述开关元件T也可以是顶部闸极型薄膜晶体管。
在一些实施例中，像素结构包括一个以上的开关元件T、一个以上的驱动元件以及被动元件，但本发明不以此为限。
请再参考图1，通过第一导线L1电性连接第一接垫P1与开关元件T的汲极D，以及通过第二导线L2电性连接第二接垫P2与共用电极COM，使得发光二极管130可以分别电性连接至开关元件T以及共享电极COM。其中，共享电极COM的延伸方向与扫描线SL的延伸方向例如为平行，但本发明不以此为限。在其他实施例中，共享电极COM的延伸方向与资料线DL的延伸方向例如为平行。在一些实施例中，共享电极COM与扫描线SL或资料线DL属于同一膜层，但本发明不以此为限。共享电极COM电性连接至一共用电压(Vcom)。
图3是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图1的实施例与图3的实施例的差异在于：图1所示发光装置10的第二导电结构120B于垂直于基板100的方向上与第一磁性元件110以及第二磁性元件140重叠，图3所示发光装置20的第二导电结构120B则是于垂直于基板100的方向上与第一磁性元件110重叠且与第二磁性元件140不重叠。
图4是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图5A～图5F是图4所示发光装置的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图5F是沿图4的BB’线剖面的示意图，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。
请参考图5A，图5A的步骤类似于图2A，两者的差别在于图5A中的第一磁性元件110未环绕第一接垫P1。
请参考图5B，于基板100上形成黏着层410，第一磁性元件110环绕黏着层410。在本实施例中，黏着层410仅位于第一磁性元件110中，但本发明不以此为限。在其他实施例中，部分黏着层410可以位于第一磁性元件110外。
请参考图5C，在本实施例中，发光二极管430为水平式发光二极管，且其包括半导体层SM1、发光层LL、半导体层SM2以及绝缘层436。发光二极管430的半导体层SM2以及半导体层SM1分别电性连接至第一电极432以及第二电极434。在本实施例中，例如是先于生长基板上形成发光二极管430、第一电极432以及第二电极434，并在发光二极管430之侧边形成第二磁性元件140之后，通过激光剥离制程将发光二极管430、第一电极432、第二电极434及第二磁性元件140转置于牺牲层210以及中介基板230上。在本实施例中，牺牲层210并未包覆发光二极管430，而是位于发光二极管430以及第二磁性元件140的下方。中介基板230位于第二磁性元件140的下方。牺牲层210具有暴露出中介基板230的开口O。
接着请参考图5D，系链结构420是在发光二极管430及第二磁性元件140转置于牺牲层210以及中介基板230上之后，形成于发光二极管430上，并暴露出位于发光二极管420上的第一电极422以及第二电极424。系链结构420填入牺牲层210的开口O，并与中介基板230接触。请参考图5E，移除牺牲层210。
请参考图4与图5F，将发光二极管430、第一电极432、第二电极434以及第二磁性元件140转置于如图5B所示的基板100上。
在本实施例中，部分的系链结构420残留于发光二极管430以及第二磁性元件140上，举例来说，在转置制程之后，一部份的系链结构420与中介基板230分离，并于发光二极管430以及第二磁性元件140上形成系链结构420’。系链结构420’暴露出发光二极管430的第一电极432以及第二电极434。在本实施例中，通过第二磁性元件140与第一磁性元件110磁性相吸的过程中，能够更准确的将发光二极管430设置于基板100上。在本实施例中，于垂直于基板100的方向上，黏着层410位于发光二极管430与基板100之间，且于平行于基板100的方向上，黏着层410被第一磁性元件110至少部分环绕。通过黏着层410可提升发光二极管430以及基板100之间的贴附力。
第一导电结构440形成于第一电极432上，并且电性连接第一电极432至第一接垫P1。第二导电结构120B形成于第二电极434上，并且电性连接第二电极434至第二接垫P2。
在本实施例中，发光装置30包括基板100、发光二极管430、第一电极432、第二电极434、第一磁性元件110以及第二磁性元件140。基板100具有第一接垫P1与第二接垫P2。发光二极管430位于基板100上。第一电极432与第二电极434位于发光二极管430上。第一电极432电性连接至第一接垫P1。第二电极434电性连接至第二接垫P2。第一磁性元件110形成于基板100上，大致环绕第一电极432，且不接触第一接垫P1与第二接垫P2。第二磁性元件140形成于发光二极管430的侧边，且大致位于第一磁性元件110的上方，其中第一磁性元件110与第二磁性元件140磁性相吸。
图6是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6的实施例与图4的实施例的差异在于：图4所示发光装置30的第二导电结构120B于垂直于基板100的方向上与第一磁性元件110以及第二磁性元件140重叠，图6所示发光装置40的第二导电结构120B则是于垂直于基板100的方向上与第一磁性元件110重叠且与第二磁性元件140不重叠。
图7是依照本发明一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图8A～图8C是依照本发明一实施例的一种发光装置的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图8A～图8C是沿图7的CC’线剖面的示意图，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图8A，于中介基板230上形成发光二极管430、第一电极432以及第二电极434之后，形成光阻层P包覆发光二极管510，且暴露出位于发光二极管510上的第一电极432以及第二电极434。接着，分别在第一电极432以及第二电极434上形成第一导电结构120A以及第二导电结构120B。以制程加工性的观点来看，第一导电结构120A以及第二导电结构120B较佳为利用相同的制程步骤同时形成于发光二极管430上，然而本发明不限于此。
请参考图8B，移除光阻层P。于发光二极管430的侧边形成第二磁性元件140。
请参考图7与图8C，将发光二极管430倒装于基板100上，并通过覆晶接合制程，将第一导电结构520及第二导电结构120B对应设置于基板100的第一接垫P1以及第二接垫P2上。第一导电结构120A及第二导电结构120B位于发光二极管430与基板100之间。第一导电结构120A位于发光二极管430与第一接垫P1之间。第二导电结构120B位于发光二极管430与第二接垫P2之间。第一导电结构120A及第二导电结构120B为第一磁性元件110所环绕。
在本实施例中，发光装置50包括基板100、发光二极管430、第一电极432、第二电极434、第一磁性元件110以及第二磁性元件140。基板100具有第一接垫P1与第二接垫P2。发光二极管430位于基板100上。第一电极432与第二电极434位于发光二极管430上。第一电极432电性连接至第一接垫P1。第二电极434电性连接至第二接垫P2。第一磁性元件110形成于基板100上，大致环绕第一电极432，且不接触第一接垫P1与第二接垫P2。第二磁性元件140形成于发光二极管430的侧边，且大致位于第一磁性元件110的上方，其中第一磁性元件110与第二磁性元件140磁性相吸。
综上所述，本发明的发光二极管在巨量转移制程的过程中，通过第二磁性元件大致位于第一磁性元件的上方，并当接近至一定距离后产生的磁性相吸，进而达到自组装的效果。如此一来，具有上述的磁性元件能提升转置发光二极管时的精准度，使得制造出的发光装置具有较佳的良率。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以做出若干完善和改进，故本发明的保护范围当以其权利要求所界定范围为准。
Claims (20)
1.一种发光装置，包括：
一基板，该基板具有一第一接垫与一第二接垫；
一发光二极管，位于该基板上；
一第一电极与一第二电极，位于该发光二极管上，该第一电极电性连接至该第一接垫，该第二电极电性连接至该第二接垫；
一第一磁性元件，形成于该基板上，大致环绕该第一电极，且不接触该第一接垫与该第二接垫；以及
一第二磁性元件，形成于该发光二极管之侧边，且大致位于该第一磁性元件的上方，其中该第一磁性元件与该第二磁性元件为磁性相吸。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一磁性元件连续地或不连续地环绕该发光二极管。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第二磁性元件包括互相分离的多个部分。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第二磁性元件的宽度大于该第一磁性元件的宽度。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第二磁性元件的高度加上该第一磁性元件的高度大于或等于该发光二极管的高度。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一磁性元件与该第二磁性元件包含光阻材料以及多个磁性粒子。
7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该些磁性粒子的粒径小于350纳米。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一磁性元件与该发光二极管之间的距离小于10微米。
9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：
一第一导电结构，电性连接该第一电极至该第一接垫；以及
一第二导电结构，电性连接该第二电极至该第二接垫，其中该第二导电结构在垂直于该基板的方向上与该第二磁性元件至少部份重叠。
10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管包括水平式发光二极管。
11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，还包括：
一黏着层，在垂直于该基板的方向上该黏着层位于该发光二极管与该基板之间，且在平行于该基板的方向上该黏着层被该第一磁性元件至少部分环绕。
12.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，还包括：
一第一导电结构，电性连接该第一电极至该第一接垫；以及
一第二导电结构，电性连接该第二电极至该第二接垫，其中该第一导电结构位于该发光二极管与该第一接垫之间，该第二导电结构位于该发光二极管与该第二接垫之间，且该第一导电结构及该第二导电结构为该第一磁性元件所环绕。
13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管包括垂直式发光二极管。
14.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，还包括：
一第一导电结构，电性连接该第一电极至该第一接垫；以及
一第二导电结构，电性连接该第二电极至该第二接垫，其中该第一导电结构位于该发光二极管与该第一接垫之间，且该第二导电结构在垂直于该基板的方向上与该第一磁性元件重叠且与该第二磁性元件不重叠。
15.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管包括位于表面的一反射层。
16.一种发光装置的制造方法，包括：
提供一基板，该基板具有一第一接垫与一第二接垫；
形成一第一磁性元件于该基板上；
形成一发光二极管于一生长基板上；
形成一第二磁性元件于该发光二极管之侧边；
将该发光二极管以及该第二磁性元件转置于该基板上，且该第二磁性元件与该第一磁性元件磁性相吸；
固定该发光二极管于该基板上；
电性连接该发光二极管与该第一接垫；以及
电性连接该发光二极管与该第二接垫。
17.如权利要求16所述的制造方法，在将该发光二极管以及该第二磁性元件转置于该基板之前，其特征在于，还包括：
形成一牺牲层包覆该第二磁性元件以及该发光二极管；
形成一中介基板于该第二磁性元件以及该发光二极管上；
移除该牺牲层；以及
移除该生长基板。
18.如权利要求16所述的制造方法，在将该发光二极管以及该第二磁性元件转置于该基板之前，其特征在于，还包括：
形成一第一导电结构于该第一接垫上，该第一磁性元件环绕该第一导电结构。
19.如权利要求16所述的制造方法，在将该发光二极管以及该第二磁性元件转置于该基板之前，其特征在于，还包括：
形成一黏着层于该基板上，该第一磁性元件环绕该黏着层。
20.如权利要求16所述的制造方法，在将该发光二极管以及该第二磁性元件转置于该基板之前，其特征在于，还包括：
将该发光二极管自该生长基板上转置于一中介基板及一牺牲层上；
形成一系链结构于该发光二极管上；以及
移除该牺牲层。
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